JPH03297159A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03297159A JPH03297159A JP2099278A JP9927890A JPH03297159A JP H03297159 A JPH03297159 A JP H03297159A JP 2099278 A JP2099278 A JP 2099278A JP 9927890 A JP9927890 A JP 9927890A JP H03297159 A JPH03297159 A JP H03297159A
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- semiconductor device
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- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
シリコンチップは熱膨張率が３〜４Ｘ１０−６／℃と小
さい。そこで、従来の半導体装置では、シリコンチップ
は熱膨張率の小さいセラミックス配線板に搭載されてい
た。しかし、セラミックス配線板では、金や銀の厚膜に
よりセラミックス基板上に回路形成を行うため２００μ
ｍ以下の微細回路の形成が難しいこと、大きな基板を製
造することが困難なこと、製造した配線板が割れやすい
ことなどの問題点があった。
さい。そこで、従来の半導体装置では、シリコンチップ
は熱膨張率の小さいセラミックス配線板に搭載されてい
た。しかし、セラミックス配線板では、金や銀の厚膜に
よりセラミックス基板上に回路形成を行うため２００μ
ｍ以下の微細回路の形成が難しいこと、大きな基板を製
造することが困難なこと、製造した配線板が割れやすい
ことなどの問題点があった。
また、温度が比較的一定の室内で使われる用途の半導体
装置では、シリコンチップは樹脂配線板に搭載されるこ
ともある。しかし、樹脂配線板の場合、樹脂とシリコン
チップとの熱膨張差が大きいため半導体装置の信頼性が
低下するという問題があった。特にフリップチップのよ
うに微細なはんだで接続するＣＣＢ （Ｃｏｎｔｒｏｌ
１ｅｄＣｏｌｌａｐｓｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）には樹
脂配線板の適用は困難であった。
装置では、シリコンチップは樹脂配線板に搭載されるこ
ともある。しかし、樹脂配線板の場合、樹脂とシリコン
チップとの熱膨張差が大きいため半導体装置の信頼性が
低下するという問題があった。特にフリップチップのよ
うに微細なはんだで接続するＣＣＢ （Ｃｏｎｔｒｏｌ
１ｅｄＣｏｌｌａｐｓｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）には樹
脂配線板の適用は困難であった。
また、最近では金属板に絶縁層を設け、絶縁層の表面に
回路を形成した金属ベース配線板へのシリコンチップの
搭載が検討されている。金属ベース配線板の場合、金属
板としてアルミニウム、銅、鉄、４２合金等を用いるこ
とができるが、シリコンチップ（熱膨張率 ３〜４ Ｘ
１０−６／”Ｃ）に対して、熱膨張率が最も近い４２
合金（熱膨張率４ Ｘ １０−６／℃）等の低熱膨張金
属が半導体装置の接続体転性の点で最も優れている。そ
こで、４２合金を用いた金属ベース配線板も検討されて
いる。しかし、金属板上に設けられた絶縁層の樹脂と４
２合金等の金属板の低熱膨張金属との熱膨張係数が異な
るため熱サイクルにより絶縁層に大きな熱応力が発生し
、代表的な半導体装置の信頼性試験の一つである熱サイ
クル試験（−５０℃３０分、室温５分、１５０℃３０分
のサイクル試験）によって、３００〜４００サイクル程
度から絶縁層に亀裂や亀裂を起点とした剥離が発生する
という問題のあることがわかった。
回路を形成した金属ベース配線板へのシリコンチップの
搭載が検討されている。金属ベース配線板の場合、金属
板としてアルミニウム、銅、鉄、４２合金等を用いるこ
とができるが、シリコンチップ（熱膨張率 ３〜４ Ｘ
１０−６／”Ｃ）に対して、熱膨張率が最も近い４２
合金（熱膨張率４ Ｘ １０−６／℃）等の低熱膨張金
属が半導体装置の接続体転性の点で最も優れている。そ
こで、４２合金を用いた金属ベース配線板も検討されて
いる。しかし、金属板上に設けられた絶縁層の樹脂と４
２合金等の金属板の低熱膨張金属との熱膨張係数が異な
るため熱サイクルにより絶縁層に大きな熱応力が発生し
、代表的な半導体装置の信頼性試験の一つである熱サイ
クル試験（−５０℃３０分、室温５分、１５０℃３０分
のサイクル試験）によって、３００〜４００サイクル程
度から絶縁層に亀裂や亀裂を起点とした剥離が発生する
という問題のあることがわかった。
本発明は、熱サイクル試験（−５０℃３０分、室温５分
、１５０℃３０分のサイクル試験）で１０００サイクル
以上においても絶縁層に亀裂や剥離が発生することがな
く、配線板と搭載したシリコンチップとの熱膨張の整合
性にも優れているため、高い接続体転性が保たれる半導
体装置を提供しようとするものである。
、１５０℃３０分のサイクル試験）で１０００サイクル
以上においても絶縁層に亀裂や剥離が発生することがな
く、配線板と搭載したシリコンチップとの熱膨張の整合
性にも優れているため、高い接続体転性が保たれる半導
体装置を提供しようとするものである。
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意研究を重ね
た結果、特定の熱膨張率を有する金属板上に特定の２層
の絶縁層を設けた半導体装置により、その目的が達成さ
れることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
た結果、特定の熱膨張率を有する金属板上に特定の２層
の絶縁層を設けた半導体装置により、その目的が達成さ
れることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
すなわち本発明は、熱膨張率が７ Ｘ １０−ｂ／’Ｃ
以下の低熱膨張金属からなる金属板、該金属板上に設け
られた有機樹脂又は有機樹脂と無機物の複合材料からな
る第１の絶縁層、第１の絶縁層上に設けられたセラミッ
クスの溶射層からなる第２の絶縁層、第２の絶縁層上に
設けられた金属導体からなる配線層及び配線層と接続さ
れたシリコンチップからなり、第２の絶縁層の厚さが２
０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする半導
体装置を提供するものである。
以下の低熱膨張金属からなる金属板、該金属板上に設け
られた有機樹脂又は有機樹脂と無機物の複合材料からな
る第１の絶縁層、第１の絶縁層上に設けられたセラミッ
クスの溶射層からなる第２の絶縁層、第２の絶縁層上に
設けられた金属導体からなる配線層及び配線層と接続さ
れたシリコンチップからなり、第２の絶縁層の厚さが２
０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする半導
体装置を提供するものである。
以下、本発明を図に基づいて詳細に説明する。
第１図に本発明の一例を示す半導体装置の部分断面を表
す斜視図を示す。
す斜視図を示す。
本発明の半導体装置は金属板１、第１の絶縁層２１、第
２の絶縁層２２及び配線層３からなる配線板と、配線板
に搭載されたシリコンチップ４からなる。第１の絶縁層
２１は金属板１上に設けられており、その上に更に第２
の絶縁層２２が設けられている。そして、第２の絶縁層
２２上に配線層３が設けられており、シリコンチップ４
は配線層３に接続されている。
２の絶縁層２２及び配線層３からなる配線板と、配線板
に搭載されたシリコンチップ４からなる。第１の絶縁層
２１は金属板１上に設けられており、その上に更に第２
の絶縁層２２が設けられている。そして、第２の絶縁層
２２上に配線層３が設けられており、シリコンチップ４
は配線層３に接続されている。
金属板１としては、シリコンチップと配線板との接続体
φ■性の点から、第２の絶縁層として好適なアルミナセ
ラミックスの熱膨張率（７Ｘ１０／℃）と同等かそれ以
下の熱膨張率を有する低熱膨張金属を用いる。すなわち
、熱膨張率が７×１０−ｂ／”Ｃ以下の低熱膨張金属を
用いる。熱膨張率が７ Ｘ １０−ｂ／”にを超えると
、熱サイクルによりはんだ接続部に過大な熱応力が加わ
ってはんだの亀裂や剥離を起こし、シリコンチップと配
線板との接続信軌性が低下する。具体的な金属の選定は
、要求される半導体装置の信軒性の程度により決まる。
φ■性の点から、第２の絶縁層として好適なアルミナセ
ラミックスの熱膨張率（７Ｘ１０／℃）と同等かそれ以
下の熱膨張率を有する低熱膨張金属を用いる。すなわち
、熱膨張率が７×１０−ｂ／”Ｃ以下の低熱膨張金属を
用いる。熱膨張率が７ Ｘ １０−ｂ／”にを超えると
、熱サイクルによりはんだ接続部に過大な熱応力が加わ
ってはんだの亀裂や剥離を起こし、シリコンチップと配
線板との接続信軌性が低下する。具体的な金属の選定は
、要求される半導体装置の信軒性の程度により決まる。
このような低熱膨張金属としては、例えば、４２合金、
インバーのようなニッケル合金、銅／インバー／銅のよ
うな複層金属等が挙げられる。
インバーのようなニッケル合金、銅／インバー／銅のよ
うな複層金属等が挙げられる。
第１の絶縁層２１は、有機樹脂又は有機樹脂と無機物の
複合材料からなる。有機樹脂としては、耐熱性の点から
、ガラス転移点が７０℃以上、より好ましくは１００℃
以上のものが好適に用いられる。ガラス転移点が７０℃
未満であると耐熱性が不充分で、はんだ耐熱試験等によ
り金属板１と第１の絶縁層２１が剥離しやすくなる。ガ
ラス転移点が７０℃以上の有機樹脂としては、例えば、
電気特性に優れるエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂及びポ
リアミド樹脂から選択された樹脂が好適に使用される。
複合材料からなる。有機樹脂としては、耐熱性の点から
、ガラス転移点が７０℃以上、より好ましくは１００℃
以上のものが好適に用いられる。ガラス転移点が７０℃
未満であると耐熱性が不充分で、はんだ耐熱試験等によ
り金属板１と第１の絶縁層２１が剥離しやすくなる。ガ
ラス転移点が７０℃以上の有機樹脂としては、例えば、
電気特性に優れるエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂及びポ
リアミド樹脂から選択された樹脂が好適に使用される。
第１の絶縁層２１は、熱膨張を低減させるために、アル
ミナやシリカ等の無機物が充填されている有機樹脂と無
機物の複合材料であることが望ましい。
ミナやシリカ等の無機物が充填されている有機樹脂と無
機物の複合材料であることが望ましい。
第２の絶縁Ｎ２２は、セラミックスの溶射層からなる。
セラミックスの材料としては、熱膨張率、電気特性の点
から、アルミナ、ムライト等の溶射層が好適である。溶
射層の厚さは、２０μｍ以上１５０μｍ以下とする。２
０μｍ未満では連続的セラミックス層を得ることが困難
であり、１５０μｍを超えると住産性が悪くなる。セラ
ミックスを溶射することにより、容易に前記したような
薄いセラミックス層を得ることができる。
から、アルミナ、ムライト等の溶射層が好適である。溶
射層の厚さは、２０μｍ以上１５０μｍ以下とする。２
０μｍ未満では連続的セラミックス層を得ることが困難
であり、１５０μｍを超えると住産性が悪くなる。セラ
ミックスを溶射することにより、容易に前記したような
薄いセラミックス層を得ることができる。
本発明の半導体装置では絶縁層が有機樹脂又は有機樹脂
と無機物の複合材料からなる第１の絶縁層２１とセラミ
ックスの溶射層からなる第２の絶縁層の２Ｎ構造となっ
ているため、第１の絶縁層２１が緩衝的作用をもち、セ
ラミックスを用いながらプレス切断等の加工が可能であ
る。このため、異形加工も容易にでき、半導体装置を安
価に製造することができる。
と無機物の複合材料からなる第１の絶縁層２１とセラミ
ックスの溶射層からなる第２の絶縁層の２Ｎ構造となっ
ているため、第１の絶縁層２１が緩衝的作用をもち、セ
ラミックスを用いながらプレス切断等の加工が可能であ
る。このため、異形加工も容易にでき、半導体装置を安
価に製造することができる。
金属導体からなる配線層３としては、一般の配線板と同
様に銅からなるものが適している。本発明では銅箔から
なる配線層を用いることもでき、銅箔をエツチングして
回路形成することにより精度の高い回路を得ることがで
きる。必要に応じ銅箔表面にニッケル、金、銀若しくは
アルミニウムのめっきを施しためっき物又は銅とニッケ
ル、金、銀若しくはアルミニウムをクラッドした複合箔
からなる配線層を用いることもできる。配線層はエンチ
ング法等により、所定の回路に形成されていることが好
ましい。
様に銅からなるものが適している。本発明では銅箔から
なる配線層を用いることもでき、銅箔をエツチングして
回路形成することにより精度の高い回路を得ることがで
きる。必要に応じ銅箔表面にニッケル、金、銀若しくは
アルミニウムのめっきを施しためっき物又は銅とニッケ
ル、金、銀若しくはアルミニウムをクラッドした複合箔
からなる配線層を用いることもできる。配線層はエンチ
ング法等により、所定の回路に形成されていることが好
ましい。
シリコンチップ４としては、任意のものを用いることが
できる。シリコンチップ４と配線層３との接続法として
は、微細はんだによる接続（ｃｃＢ）やワイアポンディ
ング接続等が挙げられる。
できる。シリコンチップ４と配線層３との接続法として
は、微細はんだによる接続（ｃｃＢ）やワイアポンディ
ング接続等が挙げられる。
第１図はＣＣＢによる接続の一例を示している。
ＣＣＢ接続など微細なはんだ接続を伴う接続法は、従来
、微細なはんだ接続部がシリコンチップと配線板の熱膨
張差による応力を受けやすく適用が困難であった。しか
し、本発明の半導体装置ではシリコンチップと配線板と
の熱膨張差が小さいので、微細なはんだ接続を伴うＣＣ
Ｂ接続等も好適に使用することができる。したがって、
本発明はシリコンチップ４として第１図に示したように
ＣＣＢ接続を行うフリップチップを使用する半導体装置
で特に有効である。
、微細なはんだ接続部がシリコンチップと配線板の熱膨
張差による応力を受けやすく適用が困難であった。しか
し、本発明の半導体装置ではシリコンチップと配線板と
の熱膨張差が小さいので、微細なはんだ接続を伴うＣＣ
Ｂ接続等も好適に使用することができる。したがって、
本発明はシリコンチップ４として第１図に示したように
ＣＣＢ接続を行うフリップチップを使用する半導体装置
で特に有効である。
シリコンチップ４は保護のためゲル、ゴム又は樹脂等に
より封止されていることが好ましい。封止はシリコンチ
ップ４だけでなく、半導体装置全体になされていてもよ
く、少なくともシリコンチップ４が封止されていること
が好ましい。
より封止されていることが好ましい。封止はシリコンチ
ップ４だけでなく、半導体装置全体になされていてもよ
く、少なくともシリコンチップ４が封止されていること
が好ましい。
以上、第１図に基づいて１個のシリコンチップが搭載さ
れている半導体装置について説明したが、本発明の半導
体装置には複数のシリコンチップや他の素子等が搭載さ
れていてもよい。
れている半導体装置について説明したが、本発明の半導
体装置には複数のシリコンチップや他の素子等が搭載さ
れていてもよい。
本発明の半導体装置では、配線板の金属板として熱膨張
がシリコンチップと近い低熱膨張金属を用いることによ
り、配線板と搭載したシリコンチップとの熱膨張差によ
る応力が抑制され、シリコンチップの接続信転性の高い
半導体装置となっている。また、絶縁層の一部として設
けられたセラミックスの溶射層からなる第２の絶縁層の
熱膨張率は有機材料に比べて小さく金属板の熱膨張率に
近い。また、セラミックの溶射層であるため、破断強度
も大きい。これらのことから、熱サイクル試験時におい
て絶縁層に亀裂や亀裂を起点とする剥離が極めで起こり
にくい半導体装置となっている。
がシリコンチップと近い低熱膨張金属を用いることによ
り、配線板と搭載したシリコンチップとの熱膨張差によ
る応力が抑制され、シリコンチップの接続信転性の高い
半導体装置となっている。また、絶縁層の一部として設
けられたセラミックスの溶射層からなる第２の絶縁層の
熱膨張率は有機材料に比べて小さく金属板の熱膨張率に
近い。また、セラミックの溶射層であるため、破断強度
も大きい。これらのことから、熱サイクル試験時におい
て絶縁層に亀裂や亀裂を起点とする剥離が極めで起こり
にくい半導体装置となっている。
〔実施例］
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例１
銅箔の片面にアルミナを５０μｍの厚さで溶射により付
着させた。次いで、このもののアルミナ面に、アルミナ
フィラーを５０体積％充填したガラス転移温度が１４０
℃のエポキシ樹脂のワニスを塗布し、乾燥させた。その
後、このものと表面を研磨後シランカップリング剤処理
した４２合金板（縦２００ｆｆＩＩＴｌ、横２００朧、
厚み１薗）とをエポキシ樹脂層と４２合金板とが接する
ように積層し、加圧加熱して基板を作製した。
着させた。次いで、このもののアルミナ面に、アルミナ
フィラーを５０体積％充填したガラス転移温度が１４０
℃のエポキシ樹脂のワニスを塗布し、乾燥させた。その
後、このものと表面を研磨後シランカップリング剤処理
した４２合金板（縦２００ｆｆＩＩＴｌ、横２００朧、
厚み１薗）とをエポキシ樹脂層と４２合金板とが接する
ように積層し、加圧加熱して基板を作製した。
次いで、銅箔のエツチングにより回路形成及びソルダー
レジスト（永久マスク）形成を行って配線板を作製した
。配線板の大きさが５０ａｎ角になるように切断後、こ
の配線板に５鴫角のフリップチップを搭載し回路と接続
して半導体装置を作製した。
レジスト（永久マスク）形成を行って配線板を作製した
。配線板の大きさが５０ａｎ角になるように切断後、こ
の配線板に５鴫角のフリップチップを搭載し回路と接続
して半導体装置を作製した。
得られた半導体装置について熱サイクル試験を行ったと
ころ、−５０℃３０分、室温５分、１５０℃３０分の条
件で、１５００サイクル後も電気的接続が保たれており
、絶縁層部分にも何ら異常は認められなかった。第２図
に熱サイクル１５００サイクル後の配線板表面の顕微鏡
写真を示す。
ころ、−５０℃３０分、室温５分、１５０℃３０分の条
件で、１５００サイクル後も電気的接続が保たれており
、絶縁層部分にも何ら異常は認められなかった。第２図
に熱サイクル１５００サイクル後の配線板表面の顕微鏡
写真を示す。
ここで、５は銅配線、６は絶縁層表面、７はソルダーレ
ジストを表す。
ジストを表す。
比較例１
ガラス転移温度が１４０℃のエポキシ樹脂ワニスを塗布
した銅箔と表面を研磨後シランカップリング剤処理した
４２合金板とを実施例１と同様に積層し、加圧加熱して
基板を作製した。次いで回路形成して配線板を得た。更
に、この配線板にフリップチップを搭載、接続し、半導
体装置を作製した。
した銅箔と表面を研磨後シランカップリング剤処理した
４２合金板とを実施例１と同様に積層し、加圧加熱して
基板を作製した。次いで回路形成して配線板を得た。更
に、この配線板にフリップチップを搭載、接続し、半導
体装置を作製した。
得られた半導体装置について実施例１と同様に熱サイク
ル試験を行ったところ、約３００〜４００サイクルで絶
縁層表面に亀裂や部分的な剥離が発生した。第３図に熱
サイクル５００サイクル後の配線板表面の顕微鏡写真を
示す。
ル試験を行ったところ、約３００〜４００サイクルで絶
縁層表面に亀裂や部分的な剥離が発生した。第３図に熱
サイクル５００サイクル後の配線板表面の顕微鏡写真を
示す。
比較例２
エポキシ樹脂ワニスの代わりに比較例１と同じ組成のエ
ポキシ樹脂ワニスにアルミナフィラーを約５０体積％添
加したものを用いて比較例１と同様の半導体装置を作製
した。
ポキシ樹脂ワニスにアルミナフィラーを約５０体積％添
加したものを用いて比較例１と同様の半導体装置を作製
した。
得られた半導体装置について実施例１と同様に熱サイク
ル試験を行ったところ、約５００サイクルで絶縁層表面
に亀裂や部分的な剥離が発生した。
ル試験を行ったところ、約５００サイクルで絶縁層表面
に亀裂や部分的な剥離が発生した。
第４図に熱サイクル５００サイクル後の配線板表面の顕
微鏡写真を示す。
微鏡写真を示す。
比較例３
比較例１と同様のエポキシ樹脂ワニスを含浸後乾燥させ
たガラス布を用いてその片面に銅箔を接着し、他面に研
磨後シランカップリング剤処理した４２合金板を接着し
、比較例１と同様の半導体装置を作製した。
たガラス布を用いてその片面に銅箔を接着し、他面に研
磨後シランカップリング剤処理した４２合金板を接着し
、比較例１と同様の半導体装置を作製した。
得られた半導体装置について実施例１と同様にサイクル
試験を行ったところ、約５００サイクルで絶縁層にマイ
クロクラックが入り、約８００サイクルで絶縁層の端部
から剥離が発生した。約１５００サイクルでは、端部よ
り３〜１０画幅にわたって絶縁層が剥離してしまった。
試験を行ったところ、約５００サイクルで絶縁層にマイ
クロクラックが入り、約８００サイクルで絶縁層の端部
から剥離が発生した。約１５００サイクルでは、端部よ
り３〜１０画幅にわたって絶縁層が剥離してしまった。
第５図に熱すビクル１０００サイクル後の配線板表面の
顕微鏡写真を示す。
顕微鏡写真を示す。
比較例４
非晶質シリカを約５０％添加したエポキシ樹脂ワニスを
用いて比較例１と同様の半導体装置を作製した。
用いて比較例１と同様の半導体装置を作製した。
得られた半導体装置について実施例１と同様に熱サイク
ル試験を行ったところ、約５００サイクルで絶縁層表面
に亀裂や部分的な剥離が発生した。
ル試験を行ったところ、約５００サイクルで絶縁層表面
に亀裂や部分的な剥離が発生した。
第６図に熱サイクル５００サイクル後の配線板表面の顕
微鏡写真を示す。
微鏡写真を示す。
本発明によると、熱サイクルにより絶縁層に亀裂や剥離
が発生せず、配線板と搭載したシリコンチップとの熱膨
張の整合性に優れているため、高い接続信頬性が保たれ
る半導体装置を提供することができる。
が発生せず、配線板と搭載したシリコンチップとの熱膨
張の整合性に優れているため、高い接続信頬性が保たれ
る半導体装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の部分断面
を表す斜視図である。 第２図は実施例１の熱サイクル試験後の配線板表面を示
す顕微鏡写真である。第３図〜第６図はそれぞれ比較例
１〜４までの熱サイクル試験後の配線板表面を示す顕微
鏡写真である。 符号の説明 １ 金属板 ２１ ２２ 第２の絶縁層 ３ ４ シリコンチップ ５ ６ 絶縁層表面 ７ 第１の絶縁層 配線層 銅配線 ソルダーレジスト
を表す斜視図である。 第２図は実施例１の熱サイクル試験後の配線板表面を示
す顕微鏡写真である。第３図〜第６図はそれぞれ比較例
１〜４までの熱サイクル試験後の配線板表面を示す顕微
鏡写真である。 符号の説明 １ 金属板 ２１ ２２ 第２の絶縁層 ３ ４ シリコンチップ ５ ６ 絶縁層表面 ７ 第１の絶縁層 配線層 銅配線 ソルダーレジスト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱膨張率が７×１０＾−＾６／℃以下の低熱膨張金
属からなる金属板、該金属板上に設けられた有機樹脂又
は有機樹脂と無機物の複合材料からなる第１の絶縁層、
第１の絶縁層上に設けられたセラミックスの溶射層から
なる第２の絶縁層、第２の絶縁層上に設けられた金属導
体からなる配線層及び配線層と接続されたシリコンチッ
プからなり、第２の絶縁層の厚さが２０μｍ以上１５０
μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。 ２、第１の絶縁層の有機樹脂が、ガラス転移点が７０℃
以上の有機樹脂である請求項１記載の半導体装置。 ３、第１の絶縁層のガラス転移点が７０℃以上である有
機樹脂が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミ
ド樹脂から選択された樹脂である請求項２記載の半導体
装置。 ４、金属導体からなる配線層が、銅箔、銅箔表面にニッ
ケル、金、銀若しくはアルミニウムのめっきを施しため
っき物又は銅とニッケル、金、銀若しくはアルミニウム
をクラッドした複合箔からなる請求項１〜３いずれか記
載の半導体装置。 ５、シリコンチップがフリップチップである請求項１〜
４いずれか記載の半導体装置。 ６、少なくともシリコンチップがゲル、ゴム又は樹脂に
より封止されている請求項１〜５いずれか記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099278A JPH0760874B2 (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099278A JPH0760874B2 (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03297159A true JPH03297159A (ja) | 1991-12-27 |
| JPH0760874B2 JPH0760874B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=14243200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2099278A Expired - Lifetime JPH0760874B2 (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760874B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0592165A (ja) * | 1991-05-16 | 1993-04-16 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | セラミツクス基板への金属溶射方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI20085053A0 (fi) * | 2008-01-22 | 2008-01-22 | Valtion Teknillinen | Menetelmä termisen ruiskutuksen suorittamiseksi ja menetelmän mukaiset sovellukset |
-
1990
- 1990-04-17 JP JP2099278A patent/JPH0760874B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0592165A (ja) * | 1991-05-16 | 1993-04-16 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | セラミツクス基板への金属溶射方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760874B2 (ja) | 1995-06-28 |
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