JPS6213105A - モノリシツクマイクロ波ｆｅｔ発振器 - Google Patents
モノリシツクマイクロ波ｆｅｔ発振器Info
- Publication number
- JPS6213105A JPS6213105A JP15321985A JP15321985A JPS6213105A JP S6213105 A JPS6213105 A JP S6213105A JP 15321985 A JP15321985 A JP 15321985A JP 15321985 A JP15321985 A JP 15321985A JP S6213105 A JPS6213105 A JP S6213105A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- oscillator
- dielectric resonator
- vco
- circuit
- Prior art date
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- Granted
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- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はモノリシックマイクロ波ＩＣ構成のＦＥＴ発振
器に関するものである。
器に関するものである。
近年衛星放送、レーダ、マイクロ波通信等の技術の進展
によシミ圧制御発振器（以下ＶＣＯ）および周波数安定
化マイクロ波発振器の需要が増大している。このために
、ＧａＡｓ ＦｇＴを用いたモノリシックマイクロ波■
ＣＯおよび誘電体共振器安定化発振器の開発が各所で行
なわれている。
によシミ圧制御発振器（以下ＶＣＯ）および周波数安定
化マイクロ波発振器の需要が増大している。このために
、ＧａＡｓ ＦｇＴを用いたモノリシックマイクロ波■
ＣＯおよび誘電体共振器安定化発振器の開発が各所で行
なわれている。
（従来技術の問題点）
モノリシックマイクロ波■ＣＯでは希望周波数帯で最大
電力を実現するためにＦＩＴのゲート端子とアース、お
よびソース端子とアースの間に設けられた回路のインピ
ーダンスが最適化されている。このような■ＣＯの周波
数安定化を計るために一般にゲート端子に誘電体共振器
回路を結合する方法が用いられる。ところが、従来の発
振器の構造では共振器回路を付加することにより前記ゲ
ート回路のインピーダンスｔｉｔ変化し前記最適値を保
てなくなる。このため、従来はＶＣＯの周波数安定化を
計るためには発掘器の各回路パラメータを大幅に手直し
する必要があり、ＩＣ全体の作り直しが必要であった。
電力を実現するためにＦＩＴのゲート端子とアース、お
よびソース端子とアースの間に設けられた回路のインピ
ーダンスが最適化されている。このような■ＣＯの周波
数安定化を計るために一般にゲート端子に誘電体共振器
回路を結合する方法が用いられる。ところが、従来の発
振器の構造では共振器回路を付加することにより前記ゲ
ート回路のインピーダンスｔｉｔ変化し前記最適値を保
てなくなる。このため、従来はＶＣＯの周波数安定化を
計るためには発掘器の各回路パラメータを大幅に手直し
する必要があり、ＩＣ全体の作り直しが必要であった。
（発明の目的）
本発明の目的Ｆｉ、前記欠点を除去し、１つのモノリシ
ックマイクロ波）’ＥＴ発振器が回路パラメータを変更
することな（ＶＣＯとしても、 誘電体共振器周波数安
定化発振器としても使えることを可能にすることにある
。
ックマイクロ波）’ＥＴ発振器が回路パラメータを変更
することな（ＶＣＯとしても、 誘電体共振器周波数安
定化発振器としても使えることを可能にすることにある
。
（発明の構成）
本発明によれば、ＦＥＴのゲートに一端がマイクロ波的
に短絡される第１のマイクロストリップ線路を設えた直
列帰還型モノリシックマイクロ波ＦＥＴ発振器において
、 第１のマイクロスｌ−ＩＪツブ線路の他の一端に第
２の５００特性インピーダンスのマイクロス） ＩＪツ
ブ線路を直列に設け、前記第１のマイクロストリップ線
路および前記第２のマイクロストリップ線路の接続点か
ら（２Ｋ＋１）／４波長（ただしに二Ｏ，１，２，・・
・・）離れた前記第２のマイクロス） ＋７ツプ線路上
の場所に誘電体共振器を結合させたことを特徴とするモ
ノリシックマイクロ波ＦＥＴ発振器が得られる。
に短絡される第１のマイクロストリップ線路を設えた直
列帰還型モノリシックマイクロ波ＦＥＴ発振器において
、 第１のマイクロスｌ−ＩＪツブ線路の他の一端に第
２の５００特性インピーダンスのマイクロス） ＩＪツ
ブ線路を直列に設け、前記第１のマイクロストリップ線
路および前記第２のマイクロストリップ線路の接続点か
ら（２Ｋ＋１）／４波長（ただしに二Ｏ，１，２，・・
・・）離れた前記第２のマイクロス） ＋７ツプ線路上
の場所に誘電体共振器を結合させたことを特徴とするモ
ノリシックマイクロ波ＦＥＴ発振器が得られる。
（発明の詳細な説明）
第４図に従来のマイクロ波ＦｇＴ ＶＣＯおよび誘電体
共振器安定化発振器を示す。
共振器安定化発振器を示す。
従来の方法では同図（ａ）のｖＣＯを同図（ｂ）のよう
に安定化するためにゲート回路のマイクロストリップ線
路１を誘電体共振器回路１１と交換し、ソース帰還用線
路２、マッチィング回路３（ａ）、３（ｂｌもそれぞれ
２１．３Ｈａ）、 ３１向に再設計、再製作する必要が
あった。
に安定化するためにゲート回路のマイクロストリップ線
路１を誘電体共振器回路１１と交換し、ソース帰還用線
路２、マッチィング回路３（ａ）、３（ｂｌもそれぞれ
２１．３Ｈａ）、 ３１向に再設計、再製作する必要が
あった。
第１図は本発明の再設計不要で周波数安定化可能のモノ
リシックマイクロ波ｖＣＯの構成を示す。
リシックマイクロ波ｖＣＯの構成を示す。
同図におｈて、モノリシックＶＣＯはＦＥＴ４．第１の
マイクロストリップ線路１２．ソース帰還用マイクロス
トリップ線路２２、マツチインク回路３２ （ａ）およ
び３２（１））からなり１つの半導体チップ内に構成さ
れている。
マイクロストリップ線路１２．ソース帰還用マイクロス
トリップ線路２２、マツチインク回路３２ （ａ）およ
び３２（１））からなり１つの半導体チップ内に構成さ
れている。
一方誘電体共振器回路は誘電体共振器１４、第２の５０
Ωのマイクロストリップ線路１３および高次モード発振
防止用の５００抵抗５カ）らなり一枚のセラミック基板
上に構成されている。誘電体共振器回路の等価回路およ
び動作原理を第２図に示す。同図において、誘電体共振
器は基本共振角周波数ω。
Ωのマイクロストリップ線路１３および高次モード発振
防止用の５００抵抗５カ）らなり一枚のセラミック基板
上に構成されている。誘電体共振器回路の等価回路およ
び動作原理を第２図に示す。同図において、誘電体共振
器は基本共振角周波数ω。
で並列共振回路１５として表わされる力）らω、では０
点から左を見たインピーダンスは無限大になる。
点から左を見たインピーダンスは無限大になる。
この無限大のインピーダンス’２（２Ｋ＋１）波長／４
の長さをもつマイクロストリップ線路１６によって変換
すると、Ｂ点から左を見たインピーダンスＺをマイクロ
波的にアース１７（Ａ点）に接続することＫより発振器
はＶＣＯとして動作する。その時のＤ点から左を見た回
路インピーダンスΦローカスＺＣ（ω）と右を見たデバ
イス・ラインＺｄとの交点は発振動作点を表す。第３（
ａ）図のスミスチャートに示すように、Ｖ、を変えるこ
とによりＺｄはスミスチャート上を回転しＺＣ（ω）と
の交点は移動する。これにより、発振周波数は変る。
の長さをもつマイクロストリップ線路１６によって変換
すると、Ｂ点から左を見たインピーダンスＺをマイクロ
波的にアース１７（Ａ点）に接続することＫより発振器
はＶＣＯとして動作する。その時のＤ点から左を見た回
路インピーダンスΦローカスＺＣ（ω）と右を見たデバ
イス・ラインＺｄとの交点は発振動作点を表す。第３（
ａ）図のスミスチャートに示すように、Ｖ、を変えるこ
とによりＺｄはスミスチャート上を回転しＺＣ（ω）と
の交点は移動する。これにより、発振周波数は変る。
もし第１マイクロストリツプ紳路１２をＡ点からはずし
、Ｂ点に接続すれば、前に述べたようにω。
、Ｂ点に接続すれば、前に述べたようにω。
でＢ点から見たインピーダンスＺは零であるからＺｃ（
ω、）は前値を維持する。 このため、発振器はω、で
の動作を保つ。そして誘電体共振器回路によってω、で
高Ｑ（クォリティ・ファクター）になったＺＣ（ω）は
第３（ｂ）図のスミスチャート上にω、の近くにかなり
小さい周波数変化をもつ円になる。従ってデバイスライ
ンＺｄが回転しても。
ω、）は前値を維持する。 このため、発振器はω、で
の動作を保つ。そして誘電体共振器回路によってω、で
高Ｑ（クォリティ・ファクター）になったＺＣ（ω）は
第３（ｂ）図のスミスチャート上にω、の近くにかなり
小さい周波数変化をもつ円になる。従ってデバイスライ
ンＺｄが回転しても。
ＺＣ（ω）とＺｄ の交点の周波数はほとんど変わら
ない。これは発振器が発振周波数ω、で安定化されてい
ることを意味する。
ない。これは発振器が発振周波数ω、で安定化されてい
ることを意味する。
（発明の効果）
このような本発明においては、モノリシックマイクロ波
発振器のゲート回路をマイクロ波的にアースに接続すれ
ばＶＣＯとして使用でき、 またゲート回路を誘電体共
振回路に接続すれば周波数安定化発振器きして使用でき
る。このため再設計を行なわすに、１つのモノリシック
マイクロ波発振器をＶＣＯとしても、安定化発振器とし
ても使用でき、設計工数試作工数を大幅に低減できる。
発振器のゲート回路をマイクロ波的にアースに接続すれ
ばＶＣＯとして使用でき、 またゲート回路を誘電体共
振回路に接続すれば周波数安定化発振器きして使用でき
る。このため再設計を行なわすに、１つのモノリシック
マイクロ波発振器をＶＣＯとしても、安定化発振器とし
ても使用でき、設計工数試作工数を大幅に低減できる。
第１図は本発明の誘電体共振器安定化可能モソリシック
マイクロ波発揚器、第２図は誘電体共振器の等何回路、
第３図はｖＣＯおよび安定化発振器のインピーダンスロ
ーカスおよびデバイスラインの説明、第４図は従来のＶ
ＣＯおよび安定化発振器。・ 図において、１，１２はゲート回路マイクロストリップ
線路、 ２．２１．２２けソース帰還用マイクロスト
！Ｊ ｙ ７ｆｍＦ１１ｒ、 ３ ｆａ）、３１ｆａ
）、 ３２（ａｌ、 ３ （１））、３１ （ｂ）３
２（ｂ）はマッチィング回路、４はＦＥＴ、 ＩＩ、
１３゜１６は共振器回路のマイクロストリップ線路、１
４は誘電体共振器、１５はその並列等価回路、５け高次
モード発振防止用５０Ω抵抗、１７はマイクロ波的なア
ース％１８ハスミスチャート、１９および２０けそれぞ
しＶＣＯのデバイスラインお、しびインピーダンスロー
カス％２９け安定化発振器のインピーダンスロオ ２
図 ７１−３ 図 （ｂ）
マイクロ波発揚器、第２図は誘電体共振器の等何回路、
第３図はｖＣＯおよび安定化発振器のインピーダンスロ
ーカスおよびデバイスラインの説明、第４図は従来のＶ
ＣＯおよび安定化発振器。・ 図において、１，１２はゲート回路マイクロストリップ
線路、 ２．２１．２２けソース帰還用マイクロスト
！Ｊ ｙ ７ｆｍＦ１１ｒ、 ３ ｆａ）、３１ｆａ
）、 ３２（ａｌ、 ３ （１））、３１ （ｂ）３
２（ｂ）はマッチィング回路、４はＦＥＴ、 ＩＩ、
１３゜１６は共振器回路のマイクロストリップ線路、１
４は誘電体共振器、１５はその並列等価回路、５け高次
モード発振防止用５０Ω抵抗、１７はマイクロ波的なア
ース％１８ハスミスチャート、１９および２０けそれぞ
しＶＣＯのデバイスラインお、しびインピーダンスロー
カス％２９け安定化発振器のインピーダンスロオ ２
図 ７１−３ 図 （ｂ）
Claims (1)
- ＦＥＴのゲートに一端がマイクロ波的に短絡される第１
のマイクロストリップ線路を設えた直列帰還型モノリシ
ックマイクロ波ＦＥＴ発振器において、第１のマイクロ
ストリップ線路の他の一端に第２の５０Ω特性インピー
ダンスのマイクロストリップ線路を直列に設け、前記第
１のマイクロストリップ線路および前記第２のマイクロ
ストリップ線路の接続点から（２Ｋ＋１）／４波長（た
だしＫ＝０、１、２……）離れた前記第２のマイクロス
トリップ線路上の場所に誘電体共振器を結合させたこと
を特徴とするモノリシックマイクロ波ＦＥＴ発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153219A JPH0666584B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | モノリシツクマイクロ波ｆｅｔ発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153219A JPH0666584B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | モノリシツクマイクロ波ｆｅｔ発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213105A true JPS6213105A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0666584B2 JPH0666584B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=15557654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60153219A Expired - Lifetime JPH0666584B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | モノリシツクマイクロ波ｆｅｔ発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666584B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58699U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | デンヨ−株式会社 | エンジン駆動型溶接用発電機の界磁制御装置 |
| US5291153A (en) * | 1991-04-26 | 1994-03-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Oscillating MMIC circuit with dielectric resonator |
| CN117917853A (zh) * | 2023-07-04 | 2024-04-23 | 南京海疆创智科技有限公司 | 一种基于bga-gwg谐振腔的微波振荡器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5390850A (en) * | 1977-01-21 | 1978-08-10 | Sony Corp | Integrated circuit microwave generator |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP60153219A patent/JPH0666584B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5390850A (en) * | 1977-01-21 | 1978-08-10 | Sony Corp | Integrated circuit microwave generator |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58699U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | デンヨ−株式会社 | エンジン駆動型溶接用発電機の界磁制御装置 |
| US5291153A (en) * | 1991-04-26 | 1994-03-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Oscillating MMIC circuit with dielectric resonator |
| CN117917853A (zh) * | 2023-07-04 | 2024-04-23 | 南京海疆创智科技有限公司 | 一种基于bga-gwg谐振腔的微波振荡器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666584B2 (ja) | 1994-08-24 |
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