JPS62131Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62131Y2 JPS62131Y2 JP6587780U JP6587780U JPS62131Y2 JP S62131 Y2 JPS62131 Y2 JP S62131Y2 JP 6587780 U JP6587780 U JP 6587780U JP 6587780 U JP6587780 U JP 6587780U JP S62131 Y2 JPS62131 Y2 JP S62131Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- helix
- traveling wave
- dielectric
- wave tube
- Prior art date
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- Expired
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は進行波管の改良に関する。
一般にビーム直進形マイクロ波管は、電子ビー
ムを使用してマイクロ波の増幅、発振を行なわせ
るもので、その代表的な管種に進行波管がある。
ムを使用してマイクロ波の増幅、発振を行なわせ
るもので、その代表的な管種に進行波管がある。
進行波管は従来第１図に示すように構成され、
電子銃１、遅波回路２及びコレクタ３からなつて
いる。そして遅波回路２は第２図からも明らかな
ように、金属製の筒状外囲器４内に同軸的にヘリ
ツクス５を収容し、３個の誘電体支持体６により
支持している。尚、図中７は高周波信号入力部、
８は高周波信号出力部である。
電子銃１、遅波回路２及びコレクタ３からなつて
いる。そして遅波回路２は第２図からも明らかな
ように、金属製の筒状外囲器４内に同軸的にヘリ
ツクス５を収容し、３個の誘電体支持体６により
支持している。尚、図中７は高周波信号入力部、
８は高周波信号出力部である。
ところで、上記構造の従来の進行波管において
は、動作時には、電子銃１の陰極より放射される
電子をビーム成形電極により所定の電子ビームを
形成し、この電子ビームを遅波回路２を通過させ
てコレクタ３に向かわせるが、ヘリツクス５周辺
には局部発振防止用減衰器を設けなければならな
い。そこで従来は、誘電体支持体６に一部減衰器
構造とした炭素抵抗層を作り減衰器として用いて
いるが、充分な効果が得られていない。
は、動作時には、電子銃１の陰極より放射される
電子をビーム成形電極により所定の電子ビームを
形成し、この電子ビームを遅波回路２を通過させ
てコレクタ３に向かわせるが、ヘリツクス５周辺
には局部発振防止用減衰器を設けなければならな
い。そこで従来は、誘電体支持体６に一部減衰器
構造とした炭素抵抗層を作り減衰器として用いて
いるが、充分な効果が得られていない。
この考案は上記事情に鑑みなされたもので、局
部発振を充分に防止して高周波増幅を極めて安定
に行なうことができるビーム直進形マイクロ波管
を提供することを目的とする。
部発振を充分に防止して高周波増幅を極めて安定
に行なうことができるビーム直進形マイクロ波管
を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの考案の一実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
この考案の進行波管における遅波回路は第３図
及び第４図に示すように構成されている。即ち、
金属製の筒状外囲器９内には、ヘリツクス１０が
同軸的に配設され、３個の誘電体支持体１１によ
り支持固定されている。この場合、誘電体支持体
１１は棒状にして断面が段部１１ａ，１１ｂを有
する略四辺形にして前記外囲器９内面に接する側
（段部１１ａ，１１ｂとは反対側）は曲面に形成
されている。このような３個の誘電体支持体１１
の相互間には、高周波減衰器１２が合計３個、管
軸方向に配設されている。この高周波減衰器１２
は例えば、セラミツクス磁器又はベアリング磁器
に炭素抵抗層を分布させたもの、焼結した炭素抵
抗体を所望特性に応じて長さ、抵抗値を変えたも
のからなり、第５図に示す如く断面円弧状にして
両端がテーパー状に形成され内面が前記ヘリツク
ス１０に接し両側端は前記誘電体支持体１１の段
部１１ａ，１１ｂに位置している。つまり段部１
１ａ，１１ｂにより高周波減衰器１２をヘリツク
ス１０に押えつけている。尚、外囲器９と誘電体
支持体１１、及び誘電体支持体１１とヘリツクス
１０は鑞付け又は接触保持により固定される。
又、この考案の進行波管は、上記遅波回路以外は
第１図と同様ゆえ、詳細な説明を省略する。
及び第４図に示すように構成されている。即ち、
金属製の筒状外囲器９内には、ヘリツクス１０が
同軸的に配設され、３個の誘電体支持体１１によ
り支持固定されている。この場合、誘電体支持体
１１は棒状にして断面が段部１１ａ，１１ｂを有
する略四辺形にして前記外囲器９内面に接する側
（段部１１ａ，１１ｂとは反対側）は曲面に形成
されている。このような３個の誘電体支持体１１
の相互間には、高周波減衰器１２が合計３個、管
軸方向に配設されている。この高周波減衰器１２
は例えば、セラミツクス磁器又はベアリング磁器
に炭素抵抗層を分布させたもの、焼結した炭素抵
抗体を所望特性に応じて長さ、抵抗値を変えたも
のからなり、第５図に示す如く断面円弧状にして
両端がテーパー状に形成され内面が前記ヘリツク
ス１０に接し両側端は前記誘電体支持体１１の段
部１１ａ，１１ｂに位置している。つまり段部１
１ａ，１１ｂにより高周波減衰器１２をヘリツク
ス１０に押えつけている。尚、外囲器９と誘電体
支持体１１、及び誘電体支持体１１とヘリツクス
１０は鑞付け又は接触保持により固定される。
又、この考案の進行波管は、上記遅波回路以外は
第１図と同様ゆえ、詳細な説明を省略する。
この考案の進行波管は上記説明及び図示のよう
に構成され、３個の誘電体支持体１１の相互間に
高周波減衰器１２を配設しているので、高周波増
幅を極めて安定に行なうことができ大電力用に好
適である。又、この考案における高周波減衰器１
２は任意に反射係数が少ない位置に選定できる。
更に減衰量は形状の選択により自由に選べるた
め、製造上とりわけヘリツクス１０の組立の工程
で有意義である。
に構成され、３個の誘電体支持体１１の相互間に
高周波減衰器１２を配設しているので、高周波増
幅を極めて安定に行なうことができ大電力用に好
適である。又、この考案における高周波減衰器１
２は任意に反射係数が少ない位置に選定できる。
更に減衰量は形状の選択により自由に選べるた
め、製造上とりわけヘリツクス１０の組立の工程
で有意義である。
尚、上記実施例では、ヘリツクス１０を３点支
持、つまり３個の誘電体支持体１１を用いたが、
第６図及び第７図に示す如く４点支持、つまり４
個の誘電体支持体１３を使用してもよい。この場
合は、４個の誘電体支持体１３が十字方向に位置
することになり、従つて高周波減衰器１４も各誘
電体支持体１３相互間に位置するので合計４個必
要となる。そして、この高周波減衰器１４は第８
図からも明らかなように丸棒にして両端がテーパ
ー状に形成されている。そして、やはり誘電体支
持体１３の段部１３ａ，１３ｂによりヘリツクス
１０方向へ押さえつけられている。
持、つまり３個の誘電体支持体１１を用いたが、
第６図及び第７図に示す如く４点支持、つまり４
個の誘電体支持体１３を使用してもよい。この場
合は、４個の誘電体支持体１３が十字方向に位置
することになり、従つて高周波減衰器１４も各誘
電体支持体１３相互間に位置するので合計４個必
要となる。そして、この高周波減衰器１４は第８
図からも明らかなように丸棒にして両端がテーパ
ー状に形成されている。そして、やはり誘電体支
持体１３の段部１３ａ，１３ｂによりヘリツクス
１０方向へ押さえつけられている。
又、上記実施例及び変形例における誘電体支持
体１１，１３はそれぞれ両端がテーパー状に形成
されていたが、第９図及び第１０図に示すように
両端がテーパー状になつていない誘電体支持体１
５，１６を使用してもよい。
体１１，１３はそれぞれ両端がテーパー状に形成
されていたが、第９図及び第１０図に示すように
両端がテーパー状になつていない誘電体支持体１
５，１６を使用してもよい。
以上説明したようにこの考案によれば、工業的
価値大なる進行波管を提供することができる。
価値大なる進行波管を提供することができる。
第１図は従来及びこの考案を説明するために用
いる進行波管を示す断面図、第２図は従来の進行
波管における要部（遅波回路）を示す断面図、第
３図はこの考案の一実施例に係る進行波管の要部
（遅波回路）を示す断面図、第４図は第２図のＡ
−A′線に沿つて切断し矢印方向に見た断面図、
第５図は第３図の実施例で用いる高周波減衰器を
示す斜視図、第６図はこの考案の変形例を示す断
面図、第７図は第６図のＢ−B′線に沿つて切断し
矢印方向に見た断面図、第８図は第６図の変形例
で用いる高周波減衰器を示す斜視図、第９図及び
第１０図は高周波減衰器の変形例を示す斜視図で
ある。 ９……外囲器、１０……ヘリツクス、１１……
誘電体支持体、１１ａ，１１ｂ……段部、１２…
…高周波減衰器。
いる進行波管を示す断面図、第２図は従来の進行
波管における要部（遅波回路）を示す断面図、第
３図はこの考案の一実施例に係る進行波管の要部
（遅波回路）を示す断面図、第４図は第２図のＡ
−A′線に沿つて切断し矢印方向に見た断面図、
第５図は第３図の実施例で用いる高周波減衰器を
示す斜視図、第６図はこの考案の変形例を示す断
面図、第７図は第６図のＢ−B′線に沿つて切断し
矢印方向に見た断面図、第８図は第６図の変形例
で用いる高周波減衰器を示す斜視図、第９図及び
第１０図は高周波減衰器の変形例を示す斜視図で
ある。 ９……外囲器、１０……ヘリツクス、１１……
誘電体支持体、１１ａ，１１ｂ……段部、１２…
…高周波減衰器。
Claims (1)
- 筒状外囲器内に同軸的にヘリツクスを配設し、
複数の誘電体により支持固定してなる進行波管に
おいて、前記各誘電体支持体に段部を設け、更に
各誘電体支持体の相互間に高周波減衰器を配設
し、前記段部を利用して高周波減衰器を前記ヘリ
ツクス方向へ押しつけるようになしたことを特徴
とした進行波管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6587780U JPS62131Y2 (ja) | 1980-05-14 | 1980-05-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6587780U JPS62131Y2 (ja) | 1980-05-14 | 1980-05-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56166657U JPS56166657U (ja) | 1981-12-10 |
| JPS62131Y2 true JPS62131Y2 (ja) | 1987-01-06 |
Family
ID=29659990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6587780U Expired JPS62131Y2 (ja) | 1980-05-14 | 1980-05-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62131Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-05-14 JP JP6587780U patent/JPS62131Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56166657U (ja) | 1981-12-10 |
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