JPS62136847A - 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ - Google Patents
半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジInfo
- Publication number
- JPS62136847A JPS62136847A JP27837585A JP27837585A JPS62136847A JP S62136847 A JPS62136847 A JP S62136847A JP 27837585 A JP27837585 A JP 27837585A JP 27837585 A JP27837585 A JP 27837585A JP S62136847 A JPS62136847 A JP S62136847A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- cavity
- wafer
- semiconductor
- semiconductor wafer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
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- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハー上に形成された各チップの特
性を測定する半導体ウェハープローバー用ステージ、特
に半導体圧力センサの圧力感度の特性測定に用いる半導
体ウェハープローバー用ステージに関する。
性を測定する半導体ウェハープローバー用ステージ、特
に半導体圧力センサの圧力感度の特性測定に用いる半導
体ウェハープローバー用ステージに関する。
半導体圧力センサの場合、シリコンウエノ１−上に形成
された各チップの圧力感度特性を測定する際には従来シ
リコンウェハーから各チップに分離し、ステムに組立て
してから測定していた。第２図は従来の方法で、各チッ
プの圧力感度特性を測定する時の構造を示す断面図であ
る。その測定要領は次のとおりである。すなわち、シリ
コンウェハーから分離されたチップ２１を圧力導入用の
穴開けをした熱ストレス緩和の目的で使用する穴開きガ
ラスｎに気密接合させ、穴開きステム２３に接着剤冴を
用いて気密接着する。次に穴開きステム２３の外部端子
部に、チップ２１からＭ線あるいはＭ線２６を用いてボ
ンディングする。次にポート付キャップ２７を穴開きス
テム２３に気密封止する。最後にポー）２８より圧力を
加えて圧力感度特性、を測定していた。
された各チップの圧力感度特性を測定する際には従来シ
リコンウェハーから各チップに分離し、ステムに組立て
してから測定していた。第２図は従来の方法で、各チッ
プの圧力感度特性を測定する時の構造を示す断面図であ
る。その測定要領は次のとおりである。すなわち、シリ
コンウェハーから分離されたチップ２１を圧力導入用の
穴開けをした熱ストレス緩和の目的で使用する穴開きガ
ラスｎに気密接合させ、穴開きステム２３に接着剤冴を
用いて気密接着する。次に穴開きステム２３の外部端子
部に、チップ２１からＭ線あるいはＭ線２６を用いてボ
ンディングする。次にポート付キャップ２７を穴開きス
テム２３に気密封止する。最後にポー）２８より圧力を
加えて圧力感度特性、を測定していた。
上述した従来の技術での圧力感度特性の測定では、シリ
コンウェハーからチップ２１ ｉ分離し、穴開きステム
２３に組立ててから圧力を印加し測定しているので、ウ
ェハー・プロセスが完了してから圧力感度特性を測定す
るまでの作業に厄介な手数と長時間を要していた。さら
には特性の悪いチップも組立ててしまうという欠点があ
った。
コンウェハーからチップ２１ ｉ分離し、穴開きステム
２３に組立ててから圧力を印加し測定しているので、ウ
ェハー・プロセスが完了してから圧力感度特性を測定す
るまでの作業に厄介な手数と長時間を要していた。さら
には特性の悪いチップも組立ててしまうという欠点があ
った。
本発明の目的はウェハー状態で半導体圧力センサの圧力
測定を行う半導体ウエノ１−プローノ（−用ステージを
提供することにある。
測定を行う半導体ウエノ１−プローノ（−用ステージを
提供することにある。
本発明は内部を空洞化したウェハ−プローバー用ステー
ジ本体に、該空洞を外部から真空吸引する機構と、本体
のステージ面に搭載される被測足手導体タエハー上の各
チップと相対応して開口され、前記空洞に連通ずる吸引
孔とを備えたことを特徴とする半纏体ウェハープローバ
ー用ステージである。
ジ本体に、該空洞を外部から真空吸引する機構と、本体
のステージ面に搭載される被測足手導体タエハー上の各
チップと相対応して開口され、前記空洞に連通ずる吸引
孔とを備えたことを特徴とする半纏体ウェハープローバ
ー用ステージである。
本発明の半導体ウニノーープローバー用ステージは、半
導体ウェハー上に形成された各チップをステージ上の吸
引孔に位置合わせし、前記半導体ウェハープローバー用
ステージ内部の空洞内を真空吸引することにより、各チ
ップの裏面側に負圧を王じさせ、各チップの表面に圧力
が加わった状態にたったことを利用して半導体圧力セン
サの圧力感度特性を測定するものである。
導体ウェハー上に形成された各チップをステージ上の吸
引孔に位置合わせし、前記半導体ウェハープローバー用
ステージ内部の空洞内を真空吸引することにより、各チ
ップの裏面側に負圧を王じさせ、各チップの表面に圧力
が加わった状態にたったことを利用して半導体圧力セン
サの圧力感度特性を測定するものである。
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すウェハープローバー用
ステージの断面図である。図において、タエハーブロー
バー用ステージ本体１の内部に空洞５が形成され、その
表面にシリコンウェハー２を搭載するステージ面一を有
している。ステージ面脇には前記空洞５に連通し、且つ
シリコンウェハー２のダイアプラム部３に対応して開口
された複数の吸引孔４を備えているものである。
ステージの断面図である。図において、タエハーブロー
バー用ステージ本体１の内部に空洞５が形成され、その
表面にシリコンウェハー２を搭載するステージ面一を有
している。ステージ面脇には前記空洞５に連通し、且つ
シリコンウェハー２のダイアプラム部３に対応して開口
された複数の吸引孔４を備えているものである。
図中６は空洞讐を真空源（図示略）に接続する配管差込
口である。
口である。
実施例において、例えば半導体圧力センサの圧力感度特
性を測定する場合、回路及びダイアフラムを形成したシ
リコンウェハー２をステージ面１ｃＬに搭載し、そのダ
イアフラム部３をダイアフラム＄３と相対応して配置さ
れ穴ステージ上の吸引孔４に位置合わせする。次に空洞
５ｔ−通してダイアフラム部３の裏面を差込口６から真
空吸引することにより、ダイアフラム部３の表面に圧力
が加わることになるので、半導体圧力センナの圧力感度
特性を容易に測定できる。
性を測定する場合、回路及びダイアフラムを形成したシ
リコンウェハー２をステージ面１ｃＬに搭載し、そのダ
イアフラム部３をダイアフラム＄３と相対応して配置さ
れ穴ステージ上の吸引孔４に位置合わせする。次に空洞
５ｔ−通してダイアフラム部３の裏面を差込口６から真
空吸引することにより、ダイアフラム部３の表面に圧力
が加わることになるので、半導体圧力センナの圧力感度
特性を容易に測定できる。
以上述べたように本発明によれば、半導体ウェハーをチ
ップ分離して、ステムに組立てすることなくウェハー状
態で、半導体圧力センサの圧力感度特性が測定できる。
ップ分離して、ステムに組立てすることなくウェハー状
態で、半導体圧力センサの圧力感度特性が測定できる。
またシリコンウェハーの回路形成及びダイアフラム形成
が完了してから圧力感度特性を測定するまでの時間を短
縮でき、手数が簡略化され、また特性の悪いチップをウ
エノ１一段階で発見できる効果がある。
が完了してから圧力感度特性を測定するまでの時間を短
縮でき、手数が簡略化され、また特性の悪いチップをウ
エノ１一段階で発見できる効果がある。
第１図は本発明の半導体ウェハープローバー用ステージ
の構造断面図、第２図は従来の方法で各チップの圧力感
度特性を測定する時の構造断面図である。 １は半導体ウェハープローバー用ステージ本体、ｋはス
テージ面、２はシリコンウニノー＋、３ｎｆイアフラム
部、４は吸引孔、５は空洞である。 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 第２図
の構造断面図、第２図は従来の方法で各チップの圧力感
度特性を測定する時の構造断面図である。 １は半導体ウェハープローバー用ステージ本体、ｋはス
テージ面、２はシリコンウニノー＋、３ｎｆイアフラム
部、４は吸引孔、５は空洞である。 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）内部を空洞化したウェハープローバー用ステージ
本体に、該空洞を外部から真空吸引する機構と、本体の
ステージ面に搭載される被測定半導体ウェハー上の各チ
ップと相対応して開口され、前記空洞に連通する吸引孔
とを備えたことを特徴とする半導体ウェハープローバー
用ステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27837585A JPS62136847A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27837585A JPS62136847A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136847A true JPS62136847A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17596459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27837585A Pending JPS62136847A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136847A (ja) |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP27837585A patent/JPS62136847A/ja active Pending
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