JPS62296532A - 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ - Google Patents
半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジInfo
- Publication number
- JPS62296532A JPS62296532A JP14093486A JP14093486A JPS62296532A JP S62296532 A JPS62296532 A JP S62296532A JP 14093486 A JP14093486 A JP 14093486A JP 14093486 A JP14093486 A JP 14093486A JP S62296532 A JPS62296532 A JP S62296532A
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- Japan
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- stage
- diaphragm
- semiconductor
- pressure
- semiconductor wafer
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- Pending
Links
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は半導体つ■バー上に形成された各チップの特性
を測定する半導体ウェハープローバー用ステージ、特に
半導体圧力センサの圧力感度の特性測定に用いる半導体
ウェハープローバー用ステージに関する。
を測定する半導体ウェハープローバー用ステージ、特に
半導体圧力センサの圧力感度の特性測定に用いる半導体
ウェハープローバー用ステージに関する。
［従来の技術］
半導体圧力センサの場合、シリコンウェハー上に形成さ
れた各チップの圧力感度特性を測定する必要があり、従
来台チップの圧力感度特性を測定するにはシリコンウェ
ハーから各チップに分離し、ステムに組立ててから測定
していた。第３図は従来の方法を示すもので、各チップ
の圧力感度特性を測定する場合の構造を示す断面図であ
る。その測定要領は次のとおりである。すなわち、シリ
コンウェハーから分離されたチップ３１を圧力導入用の
穴開けをした熱ストレス緩和の目的で使用する穴開きガ
ラス３２に気密接合させ、穴開きステム３３に接着剤３
４を用いて気密接着する。次に穴開きステム３３の外部
端子３５にチップ３１からＡｕ線あるいはＭ線３６を用
いてポンディングする。次にポート付キャップ３７を穴
開きステム３３に気密封止する。最後にボート３８より
圧力を加えて圧力感度特性を測定していた。
れた各チップの圧力感度特性を測定する必要があり、従
来台チップの圧力感度特性を測定するにはシリコンウェ
ハーから各チップに分離し、ステムに組立ててから測定
していた。第３図は従来の方法を示すもので、各チップ
の圧力感度特性を測定する場合の構造を示す断面図であ
る。その測定要領は次のとおりである。すなわち、シリ
コンウェハーから分離されたチップ３１を圧力導入用の
穴開けをした熱ストレス緩和の目的で使用する穴開きガ
ラス３２に気密接合させ、穴開きステム３３に接着剤３
４を用いて気密接着する。次に穴開きステム３３の外部
端子３５にチップ３１からＡｕ線あるいはＭ線３６を用
いてポンディングする。次にポート付キャップ３７を穴
開きステム３３に気密封止する。最後にボート３８より
圧力を加えて圧力感度特性を測定していた。
［発明が解決しようとする問題点Ｊ
上述した従来の技術での圧力感度特性の測定ではシリコ
ンウェハーからチップ３１を分離し、穴開きステム３３
に組立ててから圧力を加えて測定しているので、ウェハ
ー・プロセスが完了してから圧力感度特性を測定するま
での作業に厄介な手数と長時間とを要していた。ざらに
は特性の悪いチップも組立ててしまうという欠点があっ
た。
ンウェハーからチップ３１を分離し、穴開きステム３３
に組立ててから圧力を加えて測定しているので、ウェハ
ー・プロセスが完了してから圧力感度特性を測定するま
での作業に厄介な手数と長時間とを要していた。ざらに
は特性の悪いチップも組立ててしまうという欠点があっ
た。
本発明の目的はつ■バー状態で半導体圧力センサの圧力
測定を行く【う半導体つｌバープローバー用ステージを
提供することにある。
測定を行く【う半導体つｌバープローバー用ステージを
提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明はつ■バープローバー用ステージ本体内に形成さ
れた空洞を外部から真空吸引する機構と、ステージ本体
のステージ面に搭載される被測定半導体つ■バー上の各
チップに相対応して開口され、前記空洞に連通ずる吸引
孔と、前記ステージ本体のステージ面に設りた被測定半
導体ウェハー上の各チップと吸引孔との位置合わせ用目
印とを有することを特徴とする半導体ウェハープローバ
ー用ステージである。
れた空洞を外部から真空吸引する機構と、ステージ本体
のステージ面に搭載される被測定半導体つ■バー上の各
チップに相対応して開口され、前記空洞に連通ずる吸引
孔と、前記ステージ本体のステージ面に設りた被測定半
導体ウェハー上の各チップと吸引孔との位置合わせ用目
印とを有することを特徴とする半導体ウェハープローバ
ー用ステージである。
［作 用］
本発明の半導体ウェハープローバー用ステージは半導体
ウェハー上に形成された各チップをステージ上の吸引孔
に目印を用いて位置合わせし、前記半導体ウェハープロ
ーバー用ステージ内部の空洞内を真空吸引することによ
り、各チップの裏面側に負圧を生じさせ、各チップの表
面に圧力が加わった状態になったことを利用して半導体
圧力センサの圧力感度特性を測定するものである。
ウェハー上に形成された各チップをステージ上の吸引孔
に目印を用いて位置合わせし、前記半導体ウェハープロ
ーバー用ステージ内部の空洞内を真空吸引することによ
り、各チップの裏面側に負圧を生じさせ、各チップの表
面に圧力が加わった状態になったことを利用して半導体
圧力センサの圧力感度特性を測定するものである。
［実施例］
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すウェハープローバー用
ステージの断面図である。図において、ウェハープロー
バー用ステージ本体１はその内部に空洞５を形成し、そ
の表面にシリコンウェハー２を搭載するステージ面１ａ
を有している。ステージ面１ａには前記空洞５に連通し
、且つシリコンウェハー２のダイアフラム部３に対応し
て開口された複数の吸引孔４を備えている。空洞５は配
管差込口６を介して真空源８に接続する。
ステージの断面図である。図において、ウェハープロー
バー用ステージ本体１はその内部に空洞５を形成し、そ
の表面にシリコンウェハー２を搭載するステージ面１ａ
を有している。ステージ面１ａには前記空洞５に連通し
、且つシリコンウェハー２のダイアフラム部３に対応し
て開口された複数の吸引孔４を備えている。空洞５は配
管差込口６を介して真空源８に接続する。
第２図は第１図に示したステージ面１ａの平面図である
。図において、７は前記ダイアフラム部３と吸引孔４と
の位置合わせ用目印である。
。図において、７は前記ダイアフラム部３と吸引孔４と
の位置合わせ用目印である。
実施例において、例えば半導体圧力センサの圧力感度を
測定する場合、回路及びダイアフラム３を形成したシリ
コンウェハー２をステージ面１ａに搭載し、シリ」ンウ
■バー２上に形成された回路と目印７とを位置合わＵす
ることにより、そのダイアフラム部３をダイアフラム部
３と相対応して配置されたステージ上の吸引孔４に位置
合わせする。次に空洞５を通してダイアプラム部３の裏
面を差込口６から真空吸引することにより、ダイアフラ
ム部３の表面に圧力が加わることになるので、半導体圧
力センサの圧力感度特性を容易に測定できる。但し、こ
こで示した目印７はあくまで一実施例であり、ダイアフ
ラム部３と吸引孔４とが位置合わせできればよく、これ
に限定されるものではない。
測定する場合、回路及びダイアフラム３を形成したシリ
コンウェハー２をステージ面１ａに搭載し、シリ」ンウ
■バー２上に形成された回路と目印７とを位置合わＵす
ることにより、そのダイアフラム部３をダイアフラム部
３と相対応して配置されたステージ上の吸引孔４に位置
合わせする。次に空洞５を通してダイアプラム部３の裏
面を差込口６から真空吸引することにより、ダイアフラ
ム部３の表面に圧力が加わることになるので、半導体圧
力センサの圧力感度特性を容易に測定できる。但し、こ
こで示した目印７はあくまで一実施例であり、ダイアフ
ラム部３と吸引孔４とが位置合わせできればよく、これ
に限定されるものではない。
［発明の効果１
以上述べたように本発明によれば、半導体ウェハーをチ
ップ分離してステムに組立てすることなく、つＩバー状
態で半導体圧力センサの圧力感度特性が測定できる。ま
た、半導体つ■バー裏面のダイアフラム部とステージ面
上の吸引孔との位置合わせが容易にできる。さらに、シ
リコンウェハーの回路形成及びダイアフラム形成が完了
してから圧力感度特性を測定するまでの時間が短縮でき
、手数が簡略化され、また特性の悪いチップをウェハ一
段階で発見できる効果がある。
ップ分離してステムに組立てすることなく、つＩバー状
態で半導体圧力センサの圧力感度特性が測定できる。ま
た、半導体つ■バー裏面のダイアフラム部とステージ面
上の吸引孔との位置合わせが容易にできる。さらに、シ
リコンウェハーの回路形成及びダイアフラム形成が完了
してから圧力感度特性を測定するまでの時間が短縮でき
、手数が簡略化され、また特性の悪いチップをウェハ一
段階で発見できる効果がある。
第１図は本発明の半導体ウェハープローバー用ステージ
の構造断面図、第２図はステージ面の平面図、第３図は
従来の方法で各チップの圧力感度特性を測定する時の構
造断面図である。
の構造断面図、第２図はステージ面の平面図、第３図は
従来の方法で各チップの圧力感度特性を測定する時の構
造断面図である。
Claims (1)
- （１）ウェハープローバー用ステージ本体内に形成され
た空洞を外部から真空吸引する機構と、ステージ本体の
ステージ面に搭載される被測定半導体ウェハー上の各チ
ップに対応して開口され、前記空洞に連通する吸引孔と
、前記本体のステージ面に設けた被測定半導体ウェハー
上の各チップと吸引孔との位置合わせ用目印とを有する
ことを特徴とする半導体ウェハープローバー用ステージ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14093486A JPS62296532A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14093486A JPS62296532A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62296532A true JPS62296532A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15280216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14093486A Pending JPS62296532A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62296532A (ja) |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP14093486A patent/JPS62296532A/ja active Pending
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