JPS62142316A - 化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造方法Info
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- JPS62142316A JPS62142316A JP28378285A JP28378285A JPS62142316A JP S62142316 A JPS62142316 A JP S62142316A JP 28378285 A JP28378285 A JP 28378285A JP 28378285 A JP28378285 A JP 28378285A JP S62142316 A JPS62142316 A JP S62142316A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、化合物半導体薄膜の製造方法の有機金属化学
気相成長法に関する。
気相成長法に関する。
本発明は、化合物半導体薄膜の製造方法の有機金属化学
気相成長法において、■族とＶ族の供給原料を全て有機
金属化合物とすることにより、前記有機金属化学気相成
長法の簡単化と安全性の向上を実現したものである。
気相成長法において、■族とＶ族の供給原料を全て有機
金属化合物とすることにより、前記有機金属化学気相成
長法の簡単化と安全性の向上を実現したものである。
従来の化合物半導体薄膜の製造方法の有機金属化学気相
成長法は、第２図の例の様に、■族の供給原料を水素ガ
ス２によって運ばれる有機金属化合物１５としＶ族の供
給原料をひ素ならばアルシン（Ａ５１Ｈ，）ガス、りん
ならばホスフィン（ＰＨ，）ガスというように■族化合
物ガス１６とし、それぞれ反応管５へ供給して半導体基
板１７上へ化合物半導体簿膜を化学気相成長させ、前記
反応管５内の残留ガスを油回転ポンプ１２により排気し
、有害ガス吸着装置ｊ８を経て、排気スクラバー１４に
よって大気へ排出していた。
成長法は、第２図の例の様に、■族の供給原料を水素ガ
ス２によって運ばれる有機金属化合物１５としＶ族の供
給原料をひ素ならばアルシン（Ａ５１Ｈ，）ガス、りん
ならばホスフィン（ＰＨ，）ガスというように■族化合
物ガス１６とし、それぞれ反応管５へ供給して半導体基
板１７上へ化合物半導体簿膜を化学気相成長させ、前記
反応管５内の残留ガスを油回転ポンプ１２により排気し
、有害ガス吸着装置ｊ８を経て、排気スクラバー１４に
よって大気へ排出していた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、従
来の有機金属化学気相成長法は、第２図のように、極め
て毒性の強いＶ族化合物ガス１６を使用するため、非常
に危険であり、また排気ガスの毒性を除くために高価で
大型の有害ガス収着装置１８を設置しなければならない
という問題点を有していた。
来の有機金属化学気相成長法は、第２図のように、極め
て毒性の強いＶ族化合物ガス１６を使用するため、非常
に危険であり、また排気ガスの毒性を除くために高価で
大型の有害ガス収着装置１８を設置しなければならない
という問題点を有していた。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、有害ガス吸着装９１８を必要としない安全性の高い
有機金属化学気相成長法を提供することを目的とする。
め、有害ガス吸着装９１８を必要としない安全性の高い
有機金属化学気相成長法を提供することを目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明の化合物半導体薄
膜の製造方法の有機金属化学気相成長法は、ｌ族と■族
の供給原料を全て有機金属化合物とすることを特徴とす
る。
膜の製造方法の有機金属化学気相成長法は、ｌ族と■族
の供給原料を全て有機金属化合物とすることを特徴とす
る。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図は、ひ化ガリウム半導体薄膜を製造する場合の実施
例を示すものである。■族の供給原料である有機金属化
合物トリメチルガリウム１は液相状態にあり、水素ガス
２をパルプ３とパルプ４を開けて、バブリングさせ、ト
リメチルガリウム１の蒸気圧に従った一定量が水素ガス
２に含まれて反応管５に供給される。同様に■族の供給
原料である有機金属化合物トリメチルひＸ６も液相状態
にあり、水素ガス２をパルプ７とパルプ８を開けてバブ
リングさせ、トリメチルひ索６の蒸気圧に従った一定量
が水素ガス２に含まれて反応管５に供給される。サセプ
ター９とひ化ガリウム半導体基板１０は高周波誘導コイ
ル１１によって高ｒＭ波誘導加熱され、６００〜７００
℃になっており、供給されたトリメチルガリウム１とト
リメチルひ素６はひ化ガリウム半導体基板１０の上方で
熱分解したのち、ひ化ガリウム半導体基板１０表面にひ
化ガリウムとなって薄膜成長する。反応管５内の残留ガ
スは油回転ポンプ１２によって排気され、残留ガス中の
ひ素をフィルター１３によりて除いたのち大気中へ排気
スクラバー１４で排出される。
１図は、ひ化ガリウム半導体薄膜を製造する場合の実施
例を示すものである。■族の供給原料である有機金属化
合物トリメチルガリウム１は液相状態にあり、水素ガス
２をパルプ３とパルプ４を開けて、バブリングさせ、ト
リメチルガリウム１の蒸気圧に従った一定量が水素ガス
２に含まれて反応管５に供給される。同様に■族の供給
原料である有機金属化合物トリメチルひＸ６も液相状態
にあり、水素ガス２をパルプ７とパルプ８を開けてバブ
リングさせ、トリメチルひ索６の蒸気圧に従った一定量
が水素ガス２に含まれて反応管５に供給される。サセプ
ター９とひ化ガリウム半導体基板１０は高周波誘導コイ
ル１１によって高ｒＭ波誘導加熱され、６００〜７００
℃になっており、供給されたトリメチルガリウム１とト
リメチルひ素６はひ化ガリウム半導体基板１０の上方で
熱分解したのち、ひ化ガリウム半導体基板１０表面にひ
化ガリウムとなって薄膜成長する。反応管５内の残留ガ
スは油回転ポンプ１２によって排気され、残留ガス中の
ひ素をフィルター１３によりて除いたのち大気中へ排気
スクラバー１４で排出される。
以上のような実施例において、ＩＩＩ族とＶ族の供給原
料を全て有機金属化合物とすることにより、従来の有機
金属化学気相成長法で必要であった有害ガス吸着装置が
不要となった。
料を全て有機金属化合物とすることにより、従来の有機
金属化学気相成長法で必要であった有害ガス吸着装置が
不要となった。
本発明は以上述べたように、ＩＩＩ族とＶ族の供給原料
を全て有機金属化合物とすることにより、以下のような
効果を有する。
を全て有機金属化合物とすることにより、以下のような
効果を有する。
従来の製造方法で使用していた■族化合物の極めて有毒
なガスを使用しないため、排気残留ガスの危険を除く、
高価で大型の有害ガス吸着装置が不要になった。
なガスを使用しないため、排気残留ガスの危険を除く、
高価で大型の有害ガス吸着装置が不要になった。
従来のように有毒な■族化合物ガスが漏れた場合の安全
を確保するため、ガスボンベや反応管等を二重、三重に
シールドする必要がなくなった。
を確保するため、ガスボンベや反応管等を二重、三重に
シールドする必要がなくなった。
ガスボンベに比べ、液体である有機金属化合物を収容す
る容器が小さくできた。
る容器が小さくできた。
以上のように装置自体、小型で簡単にできるので、コス
トが下がり安価に化合物半導体ＮＪＭを製造することが
でき、作業者の安全性を向上することができた。
トが下がり安価に化合物半導体ＮＪＭを製造することが
でき、作業者の安全性を向上することができた。
第１図は、本発明の化合物半導体薄膜の製造方法の有機
金属化学気相成長法の実施例を示す主要構成図、第２図
は、従来の化合物半導体簿膜の製造方法の有機金属化学
気相成長法を示す主要構成図である。 １・・・・・・・・・トリメチルガリウム２・・・・・
・・・・水素ガス ５・・・・・・・・・反応管 ６・・・・・・・・・トリメチルひ素 １３・・・…フィルター １８・・・・・・有害ガス吸着装置 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 Ｊｂ＃シｒで斗躊ｆｉＰｆｌＲ＊ｓ祷−シめ１；ηシム
めＡ）大金為ノじき１処訃成玉５ムロ１１湊へ匝
金属化学気相成長法の実施例を示す主要構成図、第２図
は、従来の化合物半導体簿膜の製造方法の有機金属化学
気相成長法を示す主要構成図である。 １・・・・・・・・・トリメチルガリウム２・・・・・
・・・・水素ガス ５・・・・・・・・・反応管 ６・・・・・・・・・トリメチルひ素 １３・・・…フィルター １８・・・・・・有害ガス吸着装置 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 Ｊｂ＃シｒで斗躊ｆｉＰｆｌＲ＊ｓ祷−シめ１；ηシム
めＡ）大金為ノじき１処訃成玉５ムロ１１湊へ匝
Claims (1)
- 化合物半導体薄膜の製造方法の有機金属化学気相成長法
において、III族とＶ族の供給原料を全て有機金属化合
物とすることを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28378285A JPS62142316A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28378285A JPS62142316A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142316A true JPS62142316A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17670058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28378285A Pending JPS62142316A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142316A (ja) |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP28378285A patent/JPS62142316A/ja active Pending
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