JPS62145247A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS62145247A JPS62145247A JP60286368A JP28636885A JPS62145247A JP S62145247 A JPS62145247 A JP S62145247A JP 60286368 A JP60286368 A JP 60286368A JP 28636885 A JP28636885 A JP 28636885A JP S62145247 A JPS62145247 A JP S62145247A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- liquid crystal
- crystal display
- display element
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に用いられる露光装置のフォ
トマスクに関する。
トマスクに関する。
従来、この種のフォトマスクは第2図に示すように石英
板2上にクローム等を用いて所望の図形1が形成されて
おり、露光装置の紫外線等の光源を選択的に透過して半
導体基板上にフォトマスクの図形を投影露光させていた
。
板2上にクローム等を用いて所望の図形1が形成されて
おり、露光装置の紫外線等の光源を選択的に透過して半
導体基板上にフォトマスクの図形を投影露光させていた
。
上述した従来のフォトマスクは図形が石英板の1− F
/Iロー人竺づ喜罰イ拍イ1△1高水 ロフル亦化さ
せる為には、石英板上のクローム等をレーザービーム等
を用いて選択的に消去するかあるいはクローム等の石英
板上への選択的蒸着を必要とし、その為に特殊な蒸着装
置等を用いなければならない。
/Iロー人竺づ喜罰イ拍イ1△1高水 ロフル亦化さ
せる為には、石英板上のクローム等をレーザービーム等
を用いて選択的に消去するかあるいはクローム等の石英
板上への選択的蒸着を必要とし、その為に特殊な蒸着装
置等を用いなければならない。
従って、フォトマスク上の図形の一部分である小規模な
範囲の図形を修正するにも多大な工数を必要とするほか
、小規模の図形が異なるだけの半導体装置を製造する際
にも露光装置上のフォトマスクを交換する工数が必要と
なる欠点があった。
範囲の図形を修正するにも多大な工数を必要とするほか
、小規模の図形が異なるだけの半導体装置を製造する際
にも露光装置上のフォトマスクを交換する工数が必要と
なる欠点があった。
ことに近年の高集積化と微細加工化を実現する縮小露光
装置においては、フォトマスクを交換するにはフォトマ
スクを非常に高精度に縮小露光装置の半導体基板用ステ
ージに設定する必要があり、小量多品種のカスタムニー
ズに対応しようとすると、縮小露光装置のスループット
の低下が大きな問題点となっている。
装置においては、フォトマスクを交換するにはフォトマ
スクを非常に高精度に縮小露光装置の半導体基板用ステ
ージに設定する必要があり、小量多品種のカスタムニー
ズに対応しようとすると、縮小露光装置のスループット
の低下が大きな問題点となっている。
本発明はフォトマスク上の図形を容易に修正できるフォ
トマスクを提供するものである。
トマスクを提供するものである。
本発明は外部信号によシ透過率が変化する光学素子を組
合せて露出用図形の一部又は全部を描いたこと・を特徴
とするフォトマスクである。
合せて露出用図形の一部又は全部を描いたこと・を特徴
とするフォトマスクである。
次に、本発明、の一実施例について図面を参照して説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例を示す図である。第1図にお
いて、1はクローム等で石英板2上に描かれた図形であ
る。3,3・・・はクロームによる図形1上にはり合わ
され、透明配線部4及び接触部5を通して外部制御部に
よって表面の光の透過、不透過全制御されるマトリック
ス状の小四辺形液晶表示素子であり、各液晶表示素子3
の光の透過、不透過により、任意の図形を小四辺形の集
まりとして表示することを可能としている。
いて、1はクローム等で石英板2上に描かれた図形であ
る。3,3・・・はクロームによる図形1上にはり合わ
され、透明配線部4及び接触部5を通して外部制御部に
よって表面の光の透過、不透過全制御されるマトリック
ス状の小四辺形液晶表示素子であり、各液晶表示素子3
の光の透過、不透過により、任意の図形を小四辺形の集
まりとして表示することを可能としている。
なお、接触部5を廃止し、制御部をフォトマスクと一体
化できることは言うまでもない。
化できることは言うまでもない。
本発明によれば、マトリックス状に配列した液晶表示素
子3の透過率を外部信号によって変化させ、クローム等
による図形1の一部又は全部に液晶表示素子3による図
形を付加することにより、図形1を修正するものである
。
子3の透過率を外部信号によって変化させ、クローム等
による図形1の一部又は全部に液晶表示素子3による図
形を付加することにより、図形1を修正するものである
。
以上説明したように本発明はフォトマスク上の一部もし
くは、全部の図形を液晶などの光の透過性を変化できる
物質で構成することにより、容易に露光装置上で図形を
変化させることができる効果がある。
くは、全部の図形を液晶などの光の透過性を変化できる
物質で構成することにより、容易に露光装置上で図形を
変化させることができる効果がある。
特に、本発明によるフォトマスクを縮小投影露光装置に
用いると、マスタースライス法による小量多品種ICに
おいてフォトマスクの交換を必要とせず、縮小投影露光
装置のスループットを著しく上げる効果がある。
用いると、マスタースライス法による小量多品種ICに
おいてフォトマスクの交換を必要とせず、縮小投影露光
装置のスループットを著しく上げる効果がある。
第1図は本発明の実施例を示す図、第2図は従来のフォ
トマスクの図である。 1・・・クローム等により描かれた図形、2・・・石英
板、3・・・液晶表示素子、4・・・透明配線部、5・
・・接続部第1図 ン 第2図
トマスクの図である。 1・・・クローム等により描かれた図形、2・・・石英
板、3・・・液晶表示素子、4・・・透明配線部、5・
・・接続部第1図 ン 第2図
Claims (1)
- (1)外部信号により光の透過率が変化する光学素子を
組合せて露出用図形の一部又は全部を描いたことを特徴
とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286368A JPS62145247A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286368A JPS62145247A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145247A true JPS62145247A (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=17703479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286368A Pending JPS62145247A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145247A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1947695A3 (en) * | 2007-01-16 | 2010-05-19 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286368A patent/JPS62145247A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1947695A3 (en) * | 2007-01-16 | 2010-05-19 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device |
| US8242505B2 (en) | 2007-01-16 | 2012-08-14 | Hitachi I Displays, Ltd. | Display device |
| US8629451B2 (en) | 2007-01-16 | 2014-01-14 | Japan Display Inc. | Display device |
| US8802511B2 (en) | 2007-01-16 | 2014-08-12 | Japan Display Inc. | Display device |
| US10068932B2 (en) | 2007-01-16 | 2018-09-04 | Japan Display Inc. | Display device |
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