JP2999320B2 - 透明パネルの両面に透明膜パターンを形成する方法 - Google Patents
透明パネルの両面に透明膜パターンを形成する方法Info
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス板又は透明合成
樹脂板等の表裏両面に、透明電極膜又は透明配線膜等の
透明膜パターンを、フォトリソ法にて形成する方法に関
するものである。
樹脂板等の表裏両面に、透明電極膜又は透明配線膜等の
透明膜パターンを、フォトリソ法にて形成する方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、パネルの表面に対して膜パター
ンを形成するには、前記パネルの表面に、前記パターン
を構成する薄膜を塗布し、この薄膜の表面にフォトレジ
スト膜を塗布し、このフォトレジスト膜に対して所定パ
ターン形状のマスクを使用して露光し、次いで、現像す
ることによって、前記フォトレジスト膜に、所定パター
ン形状の開口部を形成し、そして、前記薄膜のうち前記
フォトレジスト膜にて覆われていない部分を、エッチン
グ液にて除去するエッチング処理を行ったのち、前記フ
ォトレジスト膜を除去すると言う所謂フォトリソ法を採
用していることは、従来から良く知られている。
ンを形成するには、前記パネルの表面に、前記パターン
を構成する薄膜を塗布し、この薄膜の表面にフォトレジ
スト膜を塗布し、このフォトレジスト膜に対して所定パ
ターン形状のマスクを使用して露光し、次いで、現像す
ることによって、前記フォトレジスト膜に、所定パター
ン形状の開口部を形成し、そして、前記薄膜のうち前記
フォトレジスト膜にて覆われていない部分を、エッチン
グ液にて除去するエッチング処理を行ったのち、前記フ
ォトレジスト膜を除去すると言う所謂フォトリソ法を採
用していることは、従来から良く知られている。
【0003】一方、バックライト式のTN型液晶表示素
子等においては、ガラス等の透明パネルにおける表面側
と裏面側との両方に、透明電極等の透明膜パターンを、
互いに位置合わせして形成する場合があるが、この場
合、従来は、前記したフォトリソ法を、透明パネルの表
面側と裏面側との両方に対して、各々別々に施工するよ
うにしている。
子等においては、ガラス等の透明パネルにおける表面側
と裏面側との両方に、透明電極等の透明膜パターンを、
互いに位置合わせして形成する場合があるが、この場
合、従来は、前記したフォトリソ法を、透明パネルの表
面側と裏面側との両方に対して、各々別々に施工するよ
うにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記透明パネ
ルにおける表面側と裏面側との両方に対して、前記のフ
ォトリソ法を各々別々に施工することは、二倍の手数を
必要とするのである。しかも、透明パネルにおける表面
に形成する膜パターンと、透明パネルにおける裏面に形
成する膜パターンとを位置合わせするためには、前記透
明パネルの表面側におけるフォトレジスト膜に対してパ
ターンを露光するマスクの位置と、透明パネルの裏面側
におけるフォトレジスト膜に対してパターンを露光する
マスクの位置とを、正確に一致するようにしなければな
らず、これに多大の手数と高度な技術とを必要とするか
ら、コストが大幅にアップするのであった。
ルにおける表面側と裏面側との両方に対して、前記のフ
ォトリソ法を各々別々に施工することは、二倍の手数を
必要とするのである。しかも、透明パネルにおける表面
に形成する膜パターンと、透明パネルにおける裏面に形
成する膜パターンとを位置合わせするためには、前記透
明パネルの表面側におけるフォトレジスト膜に対してパ
ターンを露光するマスクの位置と、透明パネルの裏面側
におけるフォトレジスト膜に対してパターンを露光する
マスクの位置とを、正確に一致するようにしなければな
らず、これに多大の手数と高度な技術とを必要とするか
ら、コストが大幅にアップするのであった。
【0005】本発明は、ガラス等の透明パネルにおける
表面側と裏面側との両方に、透明電極膜又は透明配線膜
等の透明膜パターンを、互いに正確に位置合わせして形
成することが、きわめて簡単な工程で、低コストにてで
きるようにした方法を提供することを技術的課題とする
ものである。
表面側と裏面側との両方に、透明電極膜又は透明配線膜
等の透明膜パターンを、互いに正確に位置合わせして形
成することが、きわめて簡単な工程で、低コストにてで
きるようにした方法を提供することを技術的課題とする
ものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、ガラス等の透明パネルの表裏両面に、
透明な薄膜を形成し、次いで、前記両透明薄膜の表面の
各々に、フォトレジスト膜を形成したのち、前記両フォ
トレジスト膜のうち一方のフォトレジスト膜に対してマ
スクを重ねて、該マスクを通して露光し、次に、前記両
フォトレジスト膜の両方に対して現像処理を施したの
ち、全体にエッチッグ処理を施すことにした。
るため本発明は、ガラス等の透明パネルの表裏両面に、
透明な薄膜を形成し、次いで、前記両透明薄膜の表面の
各々に、フォトレジスト膜を形成したのち、前記両フォ
トレジスト膜のうち一方のフォトレジスト膜に対してマ
スクを重ねて、該マスクを通して露光し、次に、前記両
フォトレジスト膜の両方に対して現像処理を施したの
ち、全体にエッチッグ処理を施すことにした。
【0007】
【作 用】このように、透明パネルの表裏両面に、透
明薄膜を形成し、この両透明薄膜の表面の各々にフォト
レジスト膜を形成したのち、一方のフォトレジスト膜に
対してマスクを重ねて露光することにより、前記一方の
フォトレジスト膜に所定のパターンが前記マスクを通し
て焼き付けされる一方、この露光に際しての光が透明パ
ネル及びその表裏両面における両透明薄膜を通って他方
のフォトレジスト膜にも照射され、換言すると、他方の
フォトレジスト膜にも、前記一方のフォトレジスト膜に
対するマスクを通してのパターンの焼き付けと同時に、
同じマスクを通して所定のパターンが焼き付けられるこ
とになるから、この露光後における現像処理により、一
方のフォトレジスト膜と他方のフォトレジスト膜との両
方に、所定パターン形状の開口部を形成することができ
る。
明薄膜を形成し、この両透明薄膜の表面の各々にフォト
レジスト膜を形成したのち、一方のフォトレジスト膜に
対してマスクを重ねて露光することにより、前記一方の
フォトレジスト膜に所定のパターンが前記マスクを通し
て焼き付けされる一方、この露光に際しての光が透明パ
ネル及びその表裏両面における両透明薄膜を通って他方
のフォトレジスト膜にも照射され、換言すると、他方の
フォトレジスト膜にも、前記一方のフォトレジスト膜に
対するマスクを通してのパターンの焼き付けと同時に、
同じマスクを通して所定のパターンが焼き付けられるこ
とになるから、この露光後における現像処理により、一
方のフォトレジスト膜と他方のフォトレジスト膜との両
方に、所定パターン形状の開口部を形成することができ
る。
【0008】そこで、次に、全体をエッチッグ液に浸漬
する等と言うエッチング処理を施すことにより、前記透
明パネルの表裏両面における両透明薄膜のうち、その各
々に対するフォトレジスト膜にて覆われていない部分が
エッチングによって除去されるから、その後において、
前記両フォトレジスト膜を除去することにより、前記透
明パネルの表裏両面の各々に、透明薄膜による膜パター
ンを形成することができるのである。
する等と言うエッチング処理を施すことにより、前記透
明パネルの表裏両面における両透明薄膜のうち、その各
々に対するフォトレジスト膜にて覆われていない部分が
エッチングによって除去されるから、その後において、
前記両フォトレジスト膜を除去することにより、前記透
明パネルの表裏両面の各々に、透明薄膜による膜パター
ンを形成することができるのである。
【0009】
【発明の効果】このように本発明によると、一回の露
光、現像処理及びエッチング処理によって、透明パネル
における表裏両面に対して透明膜パターンを形成するこ
とができるから、透明パネルの表裏両面に透明膜パター
ンを形成することに要する手数を大幅に低減できるので
あり、しかも、前記透明パネルにおける表裏両面に対す
る透明膜パターンを、一つのマスクを通しての露光にて
形成するもので、表裏両面における透明膜パターンを正
確に位置合わせすることができるから、位置合わせに要
する手数を必要としないのである。
光、現像処理及びエッチング処理によって、透明パネル
における表裏両面に対して透明膜パターンを形成するこ
とができるから、透明パネルの表裏両面に透明膜パター
ンを形成することに要する手数を大幅に低減できるので
あり、しかも、前記透明パネルにおける表裏両面に対す
る透明膜パターンを、一つのマスクを通しての露光にて
形成するもので、表裏両面における透明膜パターンを正
確に位置合わせすることができるから、位置合わせに要
する手数を必要としないのである。
【0010】従って、ガラス等の透明パネルにおける表
面側と裏面側との両方に、透明膜パターンを、互いに正
確に位置合わせして形成することに要するコストを著し
く低減できる効果を有する。
面側と裏面側との両方に、透明膜パターンを、互いに正
確に位置合わせして形成することに要するコストを著し
く低減できる効果を有する。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を、バックライト式T
N型液晶表示素子において、二枚の透明パネルのうち裏
面側におけるセグメント透明パネルを製造することに適
用した場合について説明する。ところで、前記バックラ
イト式TN型液晶表示素子は、図1に示すように、下面
に多数本の透明電極膜パターン2を形成したコモン透明
パネル1と、上面に同じく多数本の透明電極膜パターン
4を形成したセグメント透明パネル3とを、これらの各
透明電極膜パターン2,4が互いに交差状に向かい合う
ように重ね合わせ、その間を、周囲のシール材5にて密
封して液晶6を充填し、前記コモン透明パネル1の上面
には、透明の偏光フィルム7を張設する一方、前記セグ
メント透明パネル3の下面には、当該セグメント透明パ
ネル3の上面側における各透明電極膜パターン4の間の
部位に反射膜8を形成したのち、透明の偏光フィルム9
を張設し、且つ、前記セグメント透明パネル3の下面の
部位にバックライトの光源10を配設したものに構成さ
れている。
N型液晶表示素子において、二枚の透明パネルのうち裏
面側におけるセグメント透明パネルを製造することに適
用した場合について説明する。ところで、前記バックラ
イト式TN型液晶表示素子は、図1に示すように、下面
に多数本の透明電極膜パターン2を形成したコモン透明
パネル1と、上面に同じく多数本の透明電極膜パターン
4を形成したセグメント透明パネル3とを、これらの各
透明電極膜パターン2,4が互いに交差状に向かい合う
ように重ね合わせ、その間を、周囲のシール材5にて密
封して液晶6を充填し、前記コモン透明パネル1の上面
には、透明の偏光フィルム7を張設する一方、前記セグ
メント透明パネル3の下面には、当該セグメント透明パ
ネル3の上面側における各透明電極膜パターン4の間の
部位に反射膜8を形成したのち、透明の偏光フィルム9
を張設し、且つ、前記セグメント透明パネル3の下面の
部位にバックライトの光源10を配設したものに構成さ
れている。
【0012】前記セグメント透明パネル3における表裏
両面に、先づ、図2に示すように、導電性を有する透明
な薄膜11,12を形成し、次いで、図3に示すよう
に、前記両透明薄膜11,12のうち前記セグメント透
明パネル3の上面側における透明薄膜11の表面には、
ネガタイプの透明なフォトレジスト膜13を、下面側に
おける透明薄膜12の表面には、ポジタイプの透明なフ
ォトレジスト膜14を各々形成する。
両面に、先づ、図2に示すように、導電性を有する透明
な薄膜11,12を形成し、次いで、図3に示すよう
に、前記両透明薄膜11,12のうち前記セグメント透
明パネル3の上面側における透明薄膜11の表面には、
ネガタイプの透明なフォトレジスト膜13を、下面側に
おける透明薄膜12の表面には、ポジタイプの透明なフ
ォトレジスト膜14を各々形成する。
【0013】そして、前記セグメント透明パネル3の上
面側におけるフォトレジスト膜13に対して、図4に示
すように、前記セグメント透明パネル3の上面側に形成
する各透明電極膜パターン4と同じ形状の抜き窓を設け
たマスク15を重ねて、このマスク15の上面側から光
を照射することにより露光する。すると、上面側におけ
るフォトレジスト膜13に所定のパターンがマスク15
を通して焼き付けされる一方、この露光に際しての光が
透明パネル3及びその表裏両面における両透明薄膜1
1,12を通って下面側におけるフォトレジスト膜14
にも照射され、換言すると、下面側のフォトレジスト膜
14にも、前記上面側のフォトレジスト膜13に対する
マスク15を通してのパターンの焼き付けと同時に、同
じマスク15を通して所定のパターンが焼き付けられ
る。
面側におけるフォトレジスト膜13に対して、図4に示
すように、前記セグメント透明パネル3の上面側に形成
する各透明電極膜パターン4と同じ形状の抜き窓を設け
たマスク15を重ねて、このマスク15の上面側から光
を照射することにより露光する。すると、上面側におけ
るフォトレジスト膜13に所定のパターンがマスク15
を通して焼き付けされる一方、この露光に際しての光が
透明パネル3及びその表裏両面における両透明薄膜1
1,12を通って下面側におけるフォトレジスト膜14
にも照射され、換言すると、下面側のフォトレジスト膜
14にも、前記上面側のフォトレジスト膜13に対する
マスク15を通してのパターンの焼き付けと同時に、同
じマスク15を通して所定のパターンが焼き付けられ
る。
【0014】そこで、前記マスク15を取り除いたの
ち、前記両フォトレジスト膜13,14の両方に対して
現像処理を施すことにより、前記両フォトレジスト膜1
3,14の各々に、図5に示すように、所定パターン通
りの開口部を形成することができるから、次いで、その
全体をエッチッグ液に浸漬する等と言うエッチング処理
を施すことにより、前記セグメント透明パネル3の表裏
両面における両透明薄膜11,12のうち、その各々に
対するフォトレジスト膜13,14にて覆われていない
部分が、図6に示すように、エッチングによって除去さ
れるから、その後において、前記両フォトレジスト膜1
3,14を除去することにより、図7に示すように、前
記セグメント透明パネル3における上面側に、前記透明
薄膜11にて所定の各透明電極膜パターン4を形成する
ことができる一方、前記セグメント透明パネル3におけ
る下面側に、前記透明薄膜12による導電性の透明膜パ
ターン16を、前記各透明電極膜パターン4の間の部位
に正確に位置合わせして形成することができるのであ
る。
ち、前記両フォトレジスト膜13,14の両方に対して
現像処理を施すことにより、前記両フォトレジスト膜1
3,14の各々に、図5に示すように、所定パターン通
りの開口部を形成することができるから、次いで、その
全体をエッチッグ液に浸漬する等と言うエッチング処理
を施すことにより、前記セグメント透明パネル3の表裏
両面における両透明薄膜11,12のうち、その各々に
対するフォトレジスト膜13,14にて覆われていない
部分が、図6に示すように、エッチングによって除去さ
れるから、その後において、前記両フォトレジスト膜1
3,14を除去することにより、図7に示すように、前
記セグメント透明パネル3における上面側に、前記透明
薄膜11にて所定の各透明電極膜パターン4を形成する
ことができる一方、前記セグメント透明パネル3におけ
る下面側に、前記透明薄膜12による導電性の透明膜パ
ターン16を、前記各透明電極膜パターン4の間の部位
に正確に位置合わせして形成することができるのであ
る。
【0015】そして、前記セグメント透明パネル3にお
ける下面側に対して、当該下面における各透明膜パター
ン16に対して通電した状態で金属メッキを施すことに
より、前記各透明膜パターン16における表面の全体
に、図8に示すように、金属による反射膜8を形成する
ことができるから、この反射膜8の表面に対して透明の
偏光フィルム9を張設することにより、前記図1のバッ
クライト式TN型液晶表示素子におけるセグメント透明
パネル3を得ることができるのである。
ける下面側に対して、当該下面における各透明膜パター
ン16に対して通電した状態で金属メッキを施すことに
より、前記各透明膜パターン16における表面の全体
に、図8に示すように、金属による反射膜8を形成する
ことができるから、この反射膜8の表面に対して透明の
偏光フィルム9を張設することにより、前記図1のバッ
クライト式TN型液晶表示素子におけるセグメント透明
パネル3を得ることができるのである。
【0016】なお、前記実施例は、セグメント透明パネ
ル3の表裏両面における各フォトレジスト膜13,14
のうち、上面側のフォトレジスト膜13をネガタイプに
する一方、下面側のフォトレジスト膜14をポジタイプ
にした場合を示したが、本発明は、これに限らず、上面
側のフォトレジスト膜13をポジタイプに、下面側のフ
ォトレジスト膜14をネガタイプにしても良く、また、
両フォトレジスト膜13,14の両方を、ネガタイプ又
はポジタイプにしても良いのである。
ル3の表裏両面における各フォトレジスト膜13,14
のうち、上面側のフォトレジスト膜13をネガタイプに
する一方、下面側のフォトレジスト膜14をポジタイプ
にした場合を示したが、本発明は、これに限らず、上面
側のフォトレジスト膜13をポジタイプに、下面側のフ
ォトレジスト膜14をネガタイプにしても良く、また、
両フォトレジスト膜13,14の両方を、ネガタイプ又
はポジタイプにしても良いのである。
【0017】更にまた、本発明は、前記実施例のよう
に、バックライト式TN型液晶表示素子におけるセグメ
ント透明パネルを製造することに限らず、その他の用途
における透明パネルにも適用できることは言うまでもな
い。この他の用途における透明パネルに適用する場合、
当該透明パネルにおける下面側に形成する透明薄膜14
は、導電性を有しないものにしても良い。
に、バックライト式TN型液晶表示素子におけるセグメ
ント透明パネルを製造することに限らず、その他の用途
における透明パネルにも適用できることは言うまでもな
い。この他の用途における透明パネルに適用する場合、
当該透明パネルにおける下面側に形成する透明薄膜14
は、導電性を有しないものにしても良い。
【図1】バックライト式TN型液晶表示素子の縦断正面
図である。
図である。
【図2】前記バックライト式TN型液晶表示素子におけ
るセグメント透明パネルの表裏両面に透明の薄膜を形成
した状態の断面図である。
るセグメント透明パネルの表裏両面に透明の薄膜を形成
した状態の断面図である。
【図3】前記セグメント透明パネルの表裏両面における
各透明薄膜の表面にフォトレジスト膜を形成した状態の
断面図である。
各透明薄膜の表面にフォトレジスト膜を形成した状態の
断面図である。
【図4】前記両フォトレジスト膜のうち一方のフォトレ
ジスト膜にマスクを重ねて露光している状態の断面図で
ある。
ジスト膜にマスクを重ねて露光している状態の断面図で
ある。
【図5】前記の露光後において現像処理したあとの断面
図である。
図である。
【図6】エッチング処理したあとの断面図である。
【図7】前記のエッチング処理後においてフォトレジス
ト膜を除去したあとの断面図である。
ト膜を除去したあとの断面図である。
【図8】反射膜を形成したあとの断面図である。
3 透明パネル 11,12 透明薄膜 13,14 フォトレジスト膜 15 マスク 4,16 膜パターン
Claims (1)
- 【請求項1】ガラス等の透明パネルの表裏両面に、透明
な薄膜を形成し、次いで、前記両透明薄膜の表面の各々
に、フォトレジスト膜を形成したのち、前記両フォトレ
ジスト膜のうち一方のフォトレジスト膜に対してマスク
を重ねて、該マスクを通して露光し、次に、前記両フォ
トレジスト膜の両方に対して現像処理を施したのち、全
体にエッチッグ処理を施すことを特徴とする透明パネル
の両面に透明膜パターンを形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008496A JP2999320B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 透明パネルの両面に透明膜パターンを形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008496A JP2999320B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 透明パネルの両面に透明膜パターンを形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198472A JPH05198472A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2999320B2 true JP2999320B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=11694729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4008496A Expired - Fee Related JP2999320B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 透明パネルの両面に透明膜パターンを形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2999320B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5703865B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2015-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法 |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP4008496A patent/JP2999320B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH05198472A (ja) | 1993-08-06 |
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