JPS6214763Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6214763Y2 JPS6214763Y2 JP16899381U JP16899381U JPS6214763Y2 JP S6214763 Y2 JPS6214763 Y2 JP S6214763Y2 JP 16899381 U JP16899381 U JP 16899381U JP 16899381 U JP16899381 U JP 16899381U JP S6214763 Y2 JPS6214763 Y2 JP S6214763Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cut
- control voltage
- circuit
- frequency
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はAM受信器に関し、特にAM受信器の
増幅段に用いられるハイカツト回路に関する。
増幅段に用いられるハイカツト回路に関する。
AM受信器においては、FM受信器の場合とは
異なつて、かなりの弱電界の電波をも捕捉して再
生するようになされている。このため、弱電界電
波を受信した場合、多少、再生の忠実度を犠性に
してもノイズ成分を抑制して再生音のSN比を上
げることが望まれる。この目的のためにAM受信
器の低周波増幅段においていわゆるハイカツト回
路を用いて再生オーデイオ信号の高域成分をカツ
トすることによりノイズ成分を抑制するようにし
ている。上記カツト回路は約1KHz近傍にカツト
オフ周波数を有し、高域の減衰特性がAMチユー
ナのAGC電圧等によつて変化するように構成さ
れている。
異なつて、かなりの弱電界の電波をも捕捉して再
生するようになされている。このため、弱電界電
波を受信した場合、多少、再生の忠実度を犠性に
してもノイズ成分を抑制して再生音のSN比を上
げることが望まれる。この目的のためにAM受信
器の低周波増幅段においていわゆるハイカツト回
路を用いて再生オーデイオ信号の高域成分をカツ
トすることによりノイズ成分を抑制するようにし
ている。上記カツト回路は約1KHz近傍にカツト
オフ周波数を有し、高域の減衰特性がAMチユー
ナのAGC電圧等によつて変化するように構成さ
れている。
ところが、従来のハイカツト回路においては少
し弱いという程度の中弱電界の電波を受信したと
きの高域成分のカツト量が不十分でノイズ成分の
抑制が十分でない場合が生じたり、或いは高域成
分のカツト量が多くなると再生さるべき音声成分
の一部も同時にカツトされて再生音声の明瞭度が
低下するという問題があつた。
し弱いという程度の中弱電界の電波を受信したと
きの高域成分のカツト量が不十分でノイズ成分の
抑制が十分でない場合が生じたり、或いは高域成
分のカツト量が多くなると再生さるべき音声成分
の一部も同時にカツトされて再生音声の明瞭度が
低下するという問題があつた。
そこで、本考案の目的は中弱電界電波を受信し
たときにも再生音声の明瞭度を低下させることな
くノイズ成分の抑制を十分になすことができるハ
イカツト回路を提供することである。
たときにも再生音声の明瞭度を低下させることな
くノイズ成分の抑制を十分になすことができるハ
イカツト回路を提供することである。
本考案によるハイカツト回路においては、例え
ば1KHz近傍にカツトオフ周波数を有する第１ハ
イカツトフイルタと、この第１ハイカツトフイル
タの後段に接続されて例えば3KHz近傍にカツト
オフ周波数を有する第２ハイカツトフイルタとが
設けられ、これら第１及び第２ハイカツトフイル
タの各々の減衰特性が入力信号レベルに応じて比
較的緩慢に変化する第１制御電圧及び入力信号レ
ベルに応じて比較的急激に変化する第２制御電圧
の各々によつて制御されている。
ば1KHz近傍にカツトオフ周波数を有する第１ハ
イカツトフイルタと、この第１ハイカツトフイル
タの後段に接続されて例えば3KHz近傍にカツト
オフ周波数を有する第２ハイカツトフイルタとが
設けられ、これら第１及び第２ハイカツトフイル
タの各々の減衰特性が入力信号レベルに応じて比
較的緩慢に変化する第１制御電圧及び入力信号レ
ベルに応じて比較的急激に変化する第２制御電圧
の各々によつて制御されている。
以下、本考案を添付図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は、本考案によるハイカツト回路を含む
AM受信器の一部を示すものであり、アンテナ１
を経たAM放送波がチユーナ２に供給され、チユ
ーナ２はAM放送波を復調してオーデイオ信号を
抽出して増幅段３に供給する。増幅段３によつて
増幅されたオーデイオ信号は、本考案によるハイ
カツト回路４に供給される。ハイカツト回路４に
おいては、入力オーデイオ信号が先ず第１ハイカ
ツトフイルタ５を通過したのちエミツタフオロワ
増幅段６を経て第２ハイカツトフイルタ７に供給
され、第２ハイカツトフイルタ７を通過したオー
デイオ信号が出力信号となり、次段のパワー増幅
段（図示せず）へ供給されるようになつている。
第１ハイカツトフイルタ５は、抵抗R1，R2，
R3、トランジスタQ1及びコンデンサC1，C2から
なつており、抵抗R3を介してトランジスタQ1の
ベースに制御電圧発生回路８より出力される制御
電圧V1が供給されるようになつている。そし
て、この制御電圧V1の上昇に伴つてトランジス
タQ1が導通状態となつたとき第１ハイカツトフ
イルタ５は周波数１（＝1/2πR1C1）近傍の比
較的低いカツトオフ周波数（例えば1KHz）を有
するように設計されている。また、このとき第１
ハイカツトフイルタ５の入出力電圧比は、カツト
オフ周波数を越えて周波数が高くなるに従つて約
6dB／octの傾斜をもつて減少する。また、制御
電圧V1が低下してトランジスタQ1の導通度が低
下するとカツトオフ周波数が若干低くなると共に
該カツトオフ周波数を越えて周波数が高くなると
6dB／octより小さい傾斜にて入出力電圧比が減
少すると共に更に高い周波数領域においては抵抗
R1とトランジスタQ1の導電率によつて定まる所
定レベルに固定されるような傾向を示した結果と
して第１ハイカツトフイルタ５における信号減衰
量が減少することとなる。また、エミツタフオロ
ワ増幅段６は、トランジスタQ2、抵抗R4，R5，
R6からなつており、バツフアアンプとして作用
する。また、第２ハイカツトフイルタ７は、トラ
ンジスタQ3、抵抗R7，R8，R9及びコンデンサ
C3，C4からなり、周波数２（＝1/2πR7C3）近
傍の比較的高いカツトオフ周波数（例えば3K
Hz）を有するように設計されている。そして、ト
ランジスタQ3のベースには抵抗R8を介して制御
電圧発生回路８より制御電圧V2が供給され、制
御電圧V2の変化に応じて周波数特性が第１ハイ
カツトフイルタ５と同様に変化するようになされ
ている。
AM受信器の一部を示すものであり、アンテナ１
を経たAM放送波がチユーナ２に供給され、チユ
ーナ２はAM放送波を復調してオーデイオ信号を
抽出して増幅段３に供給する。増幅段３によつて
増幅されたオーデイオ信号は、本考案によるハイ
カツト回路４に供給される。ハイカツト回路４に
おいては、入力オーデイオ信号が先ず第１ハイカ
ツトフイルタ５を通過したのちエミツタフオロワ
増幅段６を経て第２ハイカツトフイルタ７に供給
され、第２ハイカツトフイルタ７を通過したオー
デイオ信号が出力信号となり、次段のパワー増幅
段（図示せず）へ供給されるようになつている。
第１ハイカツトフイルタ５は、抵抗R1，R2，
R3、トランジスタQ1及びコンデンサC1，C2から
なつており、抵抗R3を介してトランジスタQ1の
ベースに制御電圧発生回路８より出力される制御
電圧V1が供給されるようになつている。そし
て、この制御電圧V1の上昇に伴つてトランジス
タQ1が導通状態となつたとき第１ハイカツトフ
イルタ５は周波数１（＝1/2πR1C1）近傍の比
較的低いカツトオフ周波数（例えば1KHz）を有
するように設計されている。また、このとき第１
ハイカツトフイルタ５の入出力電圧比は、カツト
オフ周波数を越えて周波数が高くなるに従つて約
6dB／octの傾斜をもつて減少する。また、制御
電圧V1が低下してトランジスタQ1の導通度が低
下するとカツトオフ周波数が若干低くなると共に
該カツトオフ周波数を越えて周波数が高くなると
6dB／octより小さい傾斜にて入出力電圧比が減
少すると共に更に高い周波数領域においては抵抗
R1とトランジスタQ1の導電率によつて定まる所
定レベルに固定されるような傾向を示した結果と
して第１ハイカツトフイルタ５における信号減衰
量が減少することとなる。また、エミツタフオロ
ワ増幅段６は、トランジスタQ2、抵抗R4，R5，
R6からなつており、バツフアアンプとして作用
する。また、第２ハイカツトフイルタ７は、トラ
ンジスタQ3、抵抗R7，R8，R9及びコンデンサ
C3，C4からなり、周波数２（＝1/2πR7C3）近
傍の比較的高いカツトオフ周波数（例えば3K
Hz）を有するように設計されている。そして、ト
ランジスタQ3のベースには抵抗R8を介して制御
電圧発生回路８より制御電圧V2が供給され、制
御電圧V2の変化に応じて周波数特性が第１ハイ
カツトフイルタ５と同様に変化するようになされ
ている。
制御電圧発生回路８にはチユーナ２から得られ
るAGC（自動利得制御）電圧が供給されてい
る。このAGC電圧は、受信電界強度変化に応じ
て例えば第２図に示す如く変化する。制御電圧発
生回路８において、このAGC電圧は抵抗R10を介
してトランジスタQ4のベースに供給されてい
る。トランジスタQ4のコレクタには電源電圧Ｖcc
が印加され、トランジスタQ4のエミツタと接地
間には順方向に接続されたｎ個のダイオードＤN
と抵抗R11とが直列接続されている。トランジス
タQ4のエミツタ出力は抵抗R12を介してトランジ
スタQ5のベースに供給される。トランジスタQ5
のエミツタと接地間には抵抗R13が接続されてい
る。トランジスタQ5のコレクタにはベースとコ
レクタが共通接続されてダイオード構成とされた
トランジスタQ6を介して電源電圧Ｖccが印加され
ている。トランジスタQ6はトランジスタQ7と共
に電流ミラー回路９を形成している。電流ミラー
回路９の出力端となつているトランジスタQ7の
コレクタと接地間には抵抗R14が接続されてい
る。この抵抗R14の両端間に発生した電圧がトラ
ンジスタQ8及び抵抗R15からなるバツフアアンプ
を経ることによつて制御電圧V1となつて第１ハ
イカツトフイルタ５に供給される。一方、抵抗
R11の両端間に発生した電圧が抵抗R16を介してト
ランジスタQ9のベースに供給されている。トラ
ンジスタQ9のエミツタと接地間には抵抗R17が接
続されており、また、トランジスタQ9のコレク
タにはベースとコレクタが共通接続されてダイオ
ード構成とされたトランジスタQ10を介して電源
電圧Ｖccが印加されている。トランジスタQ10は
トランジスタQ11と共に電流ミラー回路１０を形
成している。電流ミラー回路１０の出力端となつ
ているトランジスタQ7のコレクタと接地間には
抵抗R18が接続されている。この抵抗R18の両端間
に発生した電圧がトランジスタQ12及び抵抗R19か
らなるバツフアアンプを経ることによつて制御電
圧V2となつて第２ハイカツトフイルタ７に供給
される。
るAGC（自動利得制御）電圧が供給されてい
る。このAGC電圧は、受信電界強度変化に応じ
て例えば第２図に示す如く変化する。制御電圧発
生回路８において、このAGC電圧は抵抗R10を介
してトランジスタQ4のベースに供給されてい
る。トランジスタQ4のコレクタには電源電圧Ｖcc
が印加され、トランジスタQ4のエミツタと接地
間には順方向に接続されたｎ個のダイオードＤN
と抵抗R11とが直列接続されている。トランジス
タQ4のエミツタ出力は抵抗R12を介してトランジ
スタQ5のベースに供給される。トランジスタQ5
のエミツタと接地間には抵抗R13が接続されてい
る。トランジスタQ5のコレクタにはベースとコ
レクタが共通接続されてダイオード構成とされた
トランジスタQ6を介して電源電圧Ｖccが印加され
ている。トランジスタQ6はトランジスタQ7と共
に電流ミラー回路９を形成している。電流ミラー
回路９の出力端となつているトランジスタQ7の
コレクタと接地間には抵抗R14が接続されてい
る。この抵抗R14の両端間に発生した電圧がトラ
ンジスタQ8及び抵抗R15からなるバツフアアンプ
を経ることによつて制御電圧V1となつて第１ハ
イカツトフイルタ５に供給される。一方、抵抗
R11の両端間に発生した電圧が抵抗R16を介してト
ランジスタQ9のベースに供給されている。トラ
ンジスタQ9のエミツタと接地間には抵抗R17が接
続されており、また、トランジスタQ9のコレク
タにはベースとコレクタが共通接続されてダイオ
ード構成とされたトランジスタQ10を介して電源
電圧Ｖccが印加されている。トランジスタQ10は
トランジスタQ11と共に電流ミラー回路１０を形
成している。電流ミラー回路１０の出力端となつ
ているトランジスタQ7のコレクタと接地間には
抵抗R18が接続されている。この抵抗R18の両端間
に発生した電圧がトランジスタQ12及び抵抗R19か
らなるバツフアアンプを経ることによつて制御電
圧V2となつて第２ハイカツトフイルタ７に供給
される。
以上の構成において、AGC電圧をＶAGCとしト
ランジスタのベース・エミツタ間電圧をＶBEとす
ればトランジスタQ5のエミツタの電位は（ＶAGC
−2VBE）となる。従つて、抵抗R13に流れる電流
I1は次式で示される。
ランジスタのベース・エミツタ間電圧をＶBEとす
ればトランジスタQ5のエミツタの電位は（ＶAGC
−2VBE）となる。従つて、抵抗R13に流れる電流
I1は次式で示される。
I1＝（ＶAGC−2VBE）／R13 …(1)
電流ミラー回路９の作用によつて抵抗R14に流
れる電流は抵抗R13に流れる電流I1に等しくなる
ので抵抗R14の両端間に発生する電圧V0は次式の
如くなる。
れる電流は抵抗R13に流れる電流I1に等しくなる
ので抵抗R14の両端間に発生する電圧V0は次式の
如くなる。
V0＝I1・R14＝（ＶAGC−2VBE）Ｒ１４／Ｒ１３…(2
) よつて、トランジスタQ8のエミツタより出力
される制御電圧V1は次式の如くなる。
) よつて、トランジスタQ8のエミツタより出力
される制御電圧V1は次式の如くなる。
V1＝V0−ＶBE＝（ＶAGC−ＶBE）Ｒ１４／Ｒ１３−ＶBE
…(3) 一方、トランジスタQ9のエミツタの電位は ｛ＶAGC−（ｎ＋２）ＶBE｝となるので、(3)式を導
出した過程と同様の過程を経てトランジスタQ12
のエミツタより出力される制御電圧V2は次式の
如くなる。
…(3) 一方、トランジスタQ9のエミツタの電位は ｛ＶAGC−（ｎ＋２）ＶBE｝となるので、(3)式を導
出した過程と同様の過程を経てトランジスタQ12
のエミツタより出力される制御電圧V2は次式の
如くなる。
V2＝｛ＶAGC−（ｎ＋２）ＶBE｝Ｒ１８／Ｒ１７−ＶBE
…(4) (3)，(4)式よりR14／R13，R18／R17の各々を適当
に設定すれば第３図に示す如く電界強度の変化に
応じて制御電圧V2の方がV1に比して急激に変化
するようにすることができることとなる。従つ
て、中弱電界電波を受信しているときカツトオフ
周波数の低い第１ハイカツトフイルタにおける信
号減衰量を少なくしかつカツトオフ周波数の高い
第２ハイカツトフイルタにおける信号減衰量を多
くすることが可能となる。このため、中弱電界中
においてはノイズ成分が比較的少ない音声帯域成
分のカツト量を抑えかつノイズ成分を比較的多く
含む高域成分を十分カツトすることによつて再生
音声の明瞭度を維持しつつノイズ成分の抑制を十
分なすことができることになる。
…(4) (3)，(4)式よりR14／R13，R18／R17の各々を適当
に設定すれば第３図に示す如く電界強度の変化に
応じて制御電圧V2の方がV1に比して急激に変化
するようにすることができることとなる。従つ
て、中弱電界電波を受信しているときカツトオフ
周波数の低い第１ハイカツトフイルタにおける信
号減衰量を少なくしかつカツトオフ周波数の高い
第２ハイカツトフイルタにおける信号減衰量を多
くすることが可能となる。このため、中弱電界中
においてはノイズ成分が比較的少ない音声帯域成
分のカツト量を抑えかつノイズ成分を比較的多く
含む高域成分を十分カツトすることによつて再生
音声の明瞭度を維持しつつノイズ成分の抑制を十
分なすことができることになる。
以上詳述した如く本考案によるハイカツト回路
は、互いにカツトオフ周波数の異なる２つのハイ
カツトフイルタの各々の減衰特性を入力信号レベ
ルに応じて比較的緩慢に変化する第１の制御電圧
及び入力信号レベルに応じて比較的急激に変化す
る第２の制御電圧の各々によつて制御する構成と
なつているので、簡単な構成にて中弱電界電波受
信時の再生音声の明瞭度を低下させることなくノ
イズ成分の抑制を十分になすことができるのであ
る。
は、互いにカツトオフ周波数の異なる２つのハイ
カツトフイルタの各々の減衰特性を入力信号レベ
ルに応じて比較的緩慢に変化する第１の制御電圧
及び入力信号レベルに応じて比較的急激に変化す
る第２の制御電圧の各々によつて制御する構成と
なつているので、簡単な構成にて中弱電界電波受
信時の再生音声の明瞭度を低下させることなくノ
イズ成分の抑制を十分になすことができるのであ
る。
第１図は、本考案によるハイカツト回路を含む
AM受信器の１部を示す回路ブロツク図、第２図
は、AM受信器におけるAGC電圧の変化特性を示
すグラフ、第３図は、制御電圧V1，V2の変化特
性を示すグラフである。 主要部分の符号の説明、５……第１ハイカツト
フイルタ、６……増幅段、７……第２ハイカツト
フイルタ、８……制御電圧発生回路。
AM受信器の１部を示す回路ブロツク図、第２図
は、AM受信器におけるAGC電圧の変化特性を示
すグラフ、第３図は、制御電圧V1，V2の変化特
性を示すグラフである。 主要部分の符号の説明、５……第１ハイカツト
フイルタ、６……増幅段、７……第２ハイカツト
フイルタ、８……制御電圧発生回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 入力信号レベルに応じて高域カツト特性が変
化するようになされたハイカツト回路であつ
て、前記入力信号レベルに応じて比較的緩慢に
変化する第１の制御電圧及び前記入力信号レベ
ルに応じて比較的急激に変化する第２の制御電
圧を発生する制御電圧発生回路と、高周波数帯
域における比較的低い周波数のカツトオフ点を
有しかつその減衰特性が前記第１の制御電圧に
応じて変化する第１の高域カツトフイルタと、
高周波数帯域における比較的高い周波数にカツ
トオフ点を有しかつその減衰特性が前記第２の
制御電圧に応じて変化する第２の高域カツトフ
イルタとを含むことを特徴とするハイカツト回
路。 (2) 前記制御電圧発生回路は、前記入力信号レベ
ルに応じて変化する電圧が印加された第１及び
第２の抵抗と、前記第１及び第２の抵抗の各々
に流れる電流が入力される第１及び第２の電流
ミラー回路の各々と、前記第１及び第２の電流
ミラー回路の各々の出力電流が供給されかつ前
記第１及び第２の抵抗の各々と所定の比をなす
第３及び第４の抵抗の各々とを含み、前記第３
及び第４の抵抗の各々の両端間に発生した電圧
に応じた電圧を前記第１及び第２の制御電圧と
して出力することを特徴とする実用新案登録請
求の範囲第１項記載のハイカツト回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16899381U JPS5873653U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Ａｍ受信器におけるハイカツト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16899381U JPS5873653U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Ａｍ受信器におけるハイカツト回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873653U JPS5873653U (ja) | 1983-05-18 |
| JPS6214763Y2 true JPS6214763Y2 (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=29960999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16899381U Granted JPS5873653U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Ａｍ受信器におけるハイカツト回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873653U (ja) |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP16899381U patent/JPS5873653U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5873653U (ja) | 1983-05-18 |
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