JPS62149149U - - Google Patents

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JPS62149149U
JPS62149149U JP3642586U JP3642586U JPS62149149U JP S62149149 U JPS62149149 U JP S62149149U JP 3642586 U JP3642586 U JP 3642586U JP 3642586 U JP3642586 U JP 3642586U JP S62149149 U JPS62149149 U JP S62149149U
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JP
Japan
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tube device
base plate
microwave tube
ceramic insulator
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例に係るビーム直進
型マイクロ波管装置（進行波管装置）の要部（コ
レクタ部）を示す断面図、第２図は第１図のＡ―
Ａ′線に沿つて切断し矢印方向に見た断面図、第
３図は従来のビーム直進型マイクロ波管装置（進
行波管装置）を示す断面図、第４図は第３図の要
部（コレクタ部）を拡大して示す断面図、第５図
は第４図のＢ―Ｂ線に沿つて切断し矢印方向に見
た断面図である。 １……電子銃部、２……高周波作用部、３……
コレクタ部、４，５……コレクタ電極、１４……
ベースプレート、２０，２１……伝熱性セラミツ
ク絶縁体。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 電子銃部、高周波作用部、及び１個又は複数の
    コレクタ電極を有するコレクタ部からなり、これ
    らがベースプレート上に設置されたビーム直進形
    マイクロ波管装置において、 上記コレクタ電極の外周に、半断面がコ字状又
    はＬ字状の伝熱性セラミツク絶縁体が嵌合され、
    このセラミツク絶縁体の複数の外周面に上記ベー
    スプレートが伝熱的に接合されてなることを特徴
    とするビーム直進形マイクロ波管装置。
JP3642586U 1986-03-13 1986-03-13 Pending JPS62149149U (ja)

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JP3642586U JPS62149149U (ja) 1986-03-13 1986-03-13

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JP3642586U JPS62149149U (ja) 1986-03-13 1986-03-13

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JPS62149149U true JPS62149149U (ja) 1987-09-21

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ID=30846816

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JP3642586U Pending JPS62149149U (ja) 1986-03-13 1986-03-13

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JP (1) JPS62149149U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853459B2 (ja) * 1981-11-30 1983-11-29 京都大学長 負イオン発生方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853459B2 (ja) * 1981-11-30 1983-11-29 京都大学長 負イオン発生方法

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