JPS62149196A - 多層配線板の製法 - Google Patents
多層配線板の製法Info
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- JPS62149196A JPS62149196A JP29614885A JP29614885A JPS62149196A JP S62149196 A JPS62149196 A JP S62149196A JP 29614885 A JP29614885 A JP 29614885A JP 29614885 A JP29614885 A JP 29614885A JP S62149196 A JPS62149196 A JP S62149196A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 30
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N oxoaluminum Chemical compound O1[Al]O[Al]1 WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、電子材料として用いられる、銅張りセラミッ
クス多層配線板の製造技術の分野に属する。
クス多層配線板の製造技術の分野に属する。
セラミックス基板上に、導体層と絶縁層が、交互に存在
し、導体層同士の接続は、スルホール、ピアホールによ
りなされる。セラミックス多層配線板の導体材料は、従
来、導体ペーストが主に用いられてきた。
し、導体層同士の接続は、スルホール、ピアホールによ
りなされる。セラミックス多層配線板の導体材料は、従
来、導体ペーストが主に用いられてきた。
その導体ペーストとしては、次のようなものがある。
■ Ｗ（タングステン）／Ｍｏ（モリブデン）ペース
ト。
ト。
このものは配線抵抗が高く、焼成温度も非常に高いとい
う欠点がある。
う欠点がある。
■ 貴金属ペースト。
主にＡｇ（銀）、Ａｇ／Ｐｄ（パラジウム）。
Ａｕ（金）のペーストが使用される。
これらは焼成温度は低いものの、価格が高いという欠点
がある。また、Ａｇ系のものは、マイグレーションを起
こしやすいという欠点がある。
がある。また、Ａｇ系のものは、マイグレーションを起
こしやすいという欠点がある。
■ 銅ペースト。
このものは焼成温度は、低く、また配線抵抗は低いもの
の、窒素中での焼成が必要である。また、まだ一般的に
は使用されてないため、貴金属ペーストよりは価格が安
いものの、まだまだ高価である。
の、窒素中での焼成が必要である。また、まだ一般的に
は使用されてないため、貴金属ペーストよりは価格が安
いものの、まだまだ高価である。
こういった導体材料を用い、多層板を製造する場合には
、セラミックス基板の上に導体層を製造する方法は、セ
ラミックス基板の上に導体層を印刷焼成し、次に、絶縁
層を印刷、焼成する方法が一般的である。このほか、セ
ラミックス基板のグリーンシートに導体層を印刷し、そ
れらを重ね、同時に焼成する方法も知られている。
、セラミックス基板の上に導体層を製造する方法は、セ
ラミックス基板の上に導体層を印刷焼成し、次に、絶縁
層を印刷、焼成する方法が一般的である。このほか、セ
ラミックス基板のグリーンシートに導体層を印刷し、そ
れらを重ね、同時に焼成する方法も知られている。
また、セラミックス基板上に、導体層と絶縁層とを交互
に印刷し、一度に焼成する方法もある。
に印刷し、一度に焼成する方法もある。
しかし、これらの方法は変形、われ等の不良が発生しや
すく、したがって価格は割高となる。
すく、したがって価格は割高となる。
導体材料として、メッキにより形成される銅は、不純物
を含まないため配線抵抗は、はとんど、純銅に近いくら
い低く、また、材料自体の価格も非常に安いという利点
を持っている。
を含まないため配線抵抗は、はとんど、純銅に近いくら
い低く、また、材料自体の価格も非常に安いという利点
を持っている。
こういった利点を持った、メッキ銅が多層板の製造のた
めに応用できるならば非常に好都合である。
めに応用できるならば非常に好都合である。
そこでまず、表面粗化されたセラミックス基板上に、化
学メッキ、ついで電気メツキ処理を行ない、さらにエツ
チング加工を施こし回路パターンを作成した。なお、回
路形成はメッキ法に限定されるものではない。
学メッキ、ついで電気メツキ処理を行ない、さらにエツ
チング加工を施こし回路パターンを作成した。なお、回
路形成はメッキ法に限定されるものではない。
つぎに、このセラミックス回路板の導体層の上に、絶縁
層として、市販のオーバーコート用ガラスペーストを７
００℃で焼付けた。さらに、絶縁層上に、化学メッキ、
電気メツキ処理を行なったところ、銅メッキ膜の密着力
は、非常に小さく、すぐはがれるという問題が生じた。
層として、市販のオーバーコート用ガラスペーストを７
００℃で焼付けた。さらに、絶縁層上に、化学メッキ、
電気メツキ処理を行なったところ、銅メッキ膜の密着力
は、非常に小さく、すぐはがれるという問題が生じた。
そこで、オーバコート用ガラスペーストに、Ａｌ２Ｏ２
の粉体（粒径５へ１０μｍ）を混合したものを用いて、
セラミックス回路板に焼付け、絶縁層上に、細かい凹凸
を形成したところ、はぼ、満足できる密着力（１ｋｇ／
ｃｍ）を得ることができることを知った。さらに、この
導体層の上に同じ絶縁層を焼付け、ついでメッキ処理を
行なうことをくり返すことにより所望の多層板を得るこ
とができることを見出した。
の粉体（粒径５へ１０μｍ）を混合したものを用いて、
セラミックス回路板に焼付け、絶縁層上に、細かい凹凸
を形成したところ、はぼ、満足できる密着力（１ｋｇ／
ｃｍ）を得ることができることを知った。さらに、この
導体層の上に同じ絶縁層を焼付け、ついでメッキ処理を
行なうことをくり返すことにより所望の多層板を得るこ
とができることを見出した。
配線抵抗の低く、密着力のあるメッキ銅を導体層、また
、眉間絶縁性の高い銅張りセラミックス多層配線板を提
供することを目的とする。
、眉間絶縁性の高い銅張りセラミックス多層配線板を提
供することを目的とする。
本発明はセラミックス製配線板を用意し、この導体層の
上に絶縁層として、ガラス粉末とセラミックス粉体及び
有機バインダーを混合してペースト状にしたものを塗布
し、窒素雰囲気中で焼成した後、その表面上に、メッキ
処理により電気回路パターンを形成することを特徴とす
る多層配線板の製法を提供するものである。以下、本発
明の詳細な説明する。
上に絶縁層として、ガラス粉末とセラミックス粉体及び
有機バインダーを混合してペースト状にしたものを塗布
し、窒素雰囲気中で焼成した後、その表面上に、メッキ
処理により電気回路パターンを形成することを特徴とす
る多層配線板の製法を提供するものである。以下、本発
明の詳細な説明する。
導体材料として、メッキにより形成される銅は、不純物
を含まないため配線抵抗は、はとんど、純銅に近いくら
い低く、また、材料自体の価格も非常に安いという利点
を持っている。
を含まないため配線抵抗は、はとんど、純銅に近いくら
い低く、また、材料自体の価格も非常に安いという利点
を持っている。
こういった利点を持った、メッキ銅が多層板の製造のた
めに応用できるならば非常に好都合である。
めに応用できるならば非常に好都合である。
そこでまず、表面粗化されたセラミックス基板上に、化
学メッキ、ついで電気メツキ処理を行ない、さらにエツ
チング加工を施こし回路パターンを作成した。なお、回
路形成はメッキ法に限定されるものではない。
学メッキ、ついで電気メツキ処理を行ない、さらにエツ
チング加工を施こし回路パターンを作成した。なお、回
路形成はメッキ法に限定されるものではない。
つぎに、このセラミックス回路板の導体層の上に、絶縁
層として、市販のオーバーコート用ガラスペーストを７
００℃で焼付けた。さらに、絶縁層上に、化学メッキ、
電気メツキ処理を行なったところ、銅メッキ膜の密着力
は、非常に小さく、すぐはがれるという問題が生じた。
層として、市販のオーバーコート用ガラスペーストを７
００℃で焼付けた。さらに、絶縁層上に、化学メッキ、
電気メツキ処理を行なったところ、銅メッキ膜の密着力
は、非常に小さく、すぐはがれるという問題が生じた。
そこで、オーバコート用ガラスペーストに、Ａｌ２Ｏ２
の粉体（粒径５へ１０μｍ）を混合したものを用いて、
セラミックス回路板に焼付け、絶縁層上に、細かい凹凸
を形成したところ、はぼ、満足できる密着力（ｌｋｉｒ
／ｃ＋ｎ）を得ることができることを知った。さらに、
この導体層の上に同じ絶縁層を焼付け、つ−いでメッキ
処理を行なうことをくり返すことにより所望の多層板を
得ることができることを見出した。
の粉体（粒径５へ１０μｍ）を混合したものを用いて、
セラミックス回路板に焼付け、絶縁層上に、細かい凹凸
を形成したところ、はぼ、満足できる密着力（ｌｋｉｒ
／ｃ＋ｎ）を得ることができることを知った。さらに、
この導体層の上に同じ絶縁層を焼付け、つ−いでメッキ
処理を行なうことをくり返すことにより所望の多層板を
得ることができることを見出した。
つぎに本発明を、第１図のプロセスチャートに基づいて
、さらに詳しく説明する。
、さらに詳しく説明する。
■ セラミックス配線板を用意する。
セラミックス配線板としては、たとえば表面粗化した基
板上に銅メツキ処理及び、エツチング加工により回路形
成された基板が用いられる。
板上に銅メツキ処理及び、エツチング加工により回路形
成された基板が用いられる。
なお、メッキ法以外で、回路形成が行なわれている基板
（たとえば、ペースト法で、回路形成されたもの）も使
用できる。
（たとえば、ペースト法で、回路形成されたもの）も使
用できる。
■ ガラスペーストの塗布、焼付け。
ガラスペーストとしては、オーバーコート用ガラスペー
ストにセラミックス粉体たとえば、Ａｆ２０３ （粒径
５〜１０μｍ）を３０〜５０ｗｔ％混合したものを用い
る。
ストにセラミックス粉体たとえば、Ａｆ２０３ （粒径
５〜１０μｍ）を３０〜５０ｗｔ％混合したものを用い
る。
オーバーコート用ガラスは焼付は温度が、基本的には、
銅の融点（１０８３°Ｃ）までのものならかまわないが
、７００℃前後で焼付可能のものが好ましく、たとえば
、Ｓ ｉ ０２−Ｂ２０３−Ｂ １２０３、ＺｎＯ−３
ｉ０２−Ｂ２０３系等のガラスを用いる。
銅の融点（１０８３°Ｃ）までのものならかまわないが
、７００℃前後で焼付可能のものが好ましく、たとえば
、Ｓ ｉ ０２−Ｂ２０３−Ｂ １２０３、ＺｎＯ−３
ｉ０２−Ｂ２０３系等のガラスを用いる。
ガラスペースト塗布は、スクリーン印刷等により行ない
、焼付後の厚みが４０μｍ程度となるよう調整する。
、焼付後の厚みが４０μｍ程度となるよう調整する。
ガラスペーストの焼付けは、ｔｌＭＩＷｉの酸化を防止
するため、窒素雰囲気中で行なうのが好ましい。
するため、窒素雰囲気中で行なうのが好ましい。
こうして絶縁層表面に細かい凹凸が形成される。
■ つぎに、公知の方法によりメッキ処理、エツチング
加工により第２層目の回路形成を行なう。
加工により第２層目の回路形成を行なう。
同時に、ピアホール部へのメッキ処理も行なう。
なおたとえば、回路形成はつぎのようにして行なう。
まず絶縁層全面に、鋭敏化−活性化処理を施こした後、
化学メッキ処理及び、電気メッキにより、所望の厚みま
で、銅の厚付けを行なう。つぎに、エツチングレジスト
をスクリーン印刷し、エツチング加工を行ない、所望の
パターンを得る。最後にレジストを除去して多層配線板
を得る。
化学メッキ処理及び、電気メッキにより、所望の厚みま
で、銅の厚付けを行なう。つぎに、エツチングレジスト
をスクリーン印刷し、エツチング加工を行ない、所望の
パターンを得る。最後にレジストを除去して多層配線板
を得る。
この場合、化学銅メッキを併用してもかまわない。
さらに、多層を行なう場合には、ガラスペーストの焼付
けおよびメッキ処理をくりかえせばよい。
けおよびメッキ処理をくりかえせばよい。
〈実施例１〉
表面粗化した９６％純度Ａｌ２Ｏ３基板上に化学メッキ
、電気メッキにより、３５μｍの銅層が形成されたセラ
ミックス銅張板を用意し、これをエツチング加工して第
１層目の回路パターン状の導体層を形成した。
、電気メッキにより、３５μｍの銅層が形成されたセラ
ミックス銅張板を用意し、これをエツチング加工して第
１層目の回路パターン状の導体層を形成した。
次に、焼成温度７００℃を持つ市販の５ｉ０２−Ｂ２０
３−Ｂ ｉ２０３系オーバーコート用ガラスペーストに
、平均粒径５〜１０μｍのＡ２２０３を３Ｑｗｔ％加え
混合し、ガラスペーストを得た。
３−Ｂ ｉ２０３系オーバーコート用ガラスペーストに
、平均粒径５〜１０μｍのＡ２２０３を３Ｑｗｔ％加え
混合し、ガラスペーストを得た。
このガラスペーストを、導体層上にスクリーン印刷し、
窒素雰囲気中、７００℃で焼成した。絶縁層表面には、
細かい凹凸が形成され、絶縁層の厚みは４０μｍであっ
た。
窒素雰囲気中、７００℃で焼成した。絶縁層表面には、
細かい凹凸が形成され、絶縁層の厚みは４０μｍであっ
た。
つぎに、第２層目の導体層の形成を行なった。
絶縁層表面に、鋭敏化−活性化処理を行ない全面に化学
メッキを行ない、さらに電気メツキ処理を施こし、厚さ
が３５μｍの銅層を得た。同時にピアホールの接続も行
なった。
メッキを行ない、さらに電気メツキ処理を施こし、厚さ
が３５μｍの銅層を得た。同時にピアホールの接続も行
なった。
エツチングレジストをスクリーン印刷し、エツチング加
工により、所望の回路パターンを形成し最後に、レジス
トを除去して銅張りセラミックス多層板を得た。なお、
第２層の銅膜の密着力は１ｋｇ ／ ｃｎであった・ 〈実施例２〉 実施例１で得られた。多層板に、さらに、実施例１と同
様の方法を用いて、ガラスペーストの焼付及びメッキ処
理による回路形成を行ない、３層の銅張りセラミックス
多層配線板を作成した。最上層の銅膜の密着力は１．１
ｋｇ／ｃｍであった。
工により、所望の回路パターンを形成し最後に、レジス
トを除去して銅張りセラミックス多層板を得た。なお、
第２層の銅膜の密着力は１ｋｇ ／ ｃｎであった・ 〈実施例２〉 実施例１で得られた。多層板に、さらに、実施例１と同
様の方法を用いて、ガラスペーストの焼付及びメッキ処
理による回路形成を行ない、３層の銅張りセラミックス
多層配線板を作成した。最上層の銅膜の密着力は１．１
ｋｇ／ｃｍであった。
〈実施例３〉
セラミックス配線板として、銅ペーストで回路を形成し
たものを用い、実施例１と同様の実験を行ない、同様の
性能の銅張りセラミックス多層配線板を得た。
たものを用い、実施例１と同様の実験を行ない、同様の
性能の銅張りセラミックス多層配線板を得た。
〈実施例４〉
実施例３で得られた。多層板に、さらに、実施例１と同
様の実験を行ない、３層の銅張りセラミックス多層配線
板を作成した。性能は実施例１と同様であった。
様の実験を行ない、３層の銅張りセラミックス多層配線
板を作成した。性能は実施例１と同様であった。
〈実施例５〉
実施例１と同様の実験を行なった。ただし、第２層目の
導体層の形成は厚付は化学銅メッキのみにより行ない、
厚さ１０μｍの導体層を形成した。性能は実施例１と同
様であった。
導体層の形成は厚付は化学銅メッキのみにより行ない、
厚さ１０μｍの導体層を形成した。性能は実施例１と同
様であった。
〈比較例１〉
実施例１において、セラミックス粉体を混合しないオー
バーコート用ガラスを絶縁層として焼付けし、その上に
、同様のメッキ処理を行なったところ、密着力は、０．
２ｋｇ／ａｍであった。
バーコート用ガラスを絶縁層として焼付けし、その上に
、同様のメッキ処理を行なったところ、密着力は、０．
２ｋｇ／ａｍであった。
〈比較例２〉
比較例１で得られた絶縁層をＨＦで、軽くエツチングし
、つぎに実施例１と同じメッキ処理を行なったところ、
密着力は、０．５ｋｇ／ｃｍであった。
、つぎに実施例１と同じメッキ処理を行なったところ、
密着力は、０．５ｋｇ／ｃｍであった。
本発明により、配線抵抗が低く、また、密着力のあるメ
ッキ銅を導体材料とする、銅張りセラミックス多層配線
板が得られた。また、絶縁層にガラスを用いているため
、眉間絶縁性の向上が認められた。
ッキ銅を導体材料とする、銅張りセラミックス多層配線
板が得られた。また、絶縁層にガラスを用いているため
、眉間絶縁性の向上が認められた。
第１図は、銅張りセラミックス多層配線板の製造プロセ
スを示す図である。
スを示す図である。
Claims (1)
- （１）セラミックス製配線板を用意し、この導体層の上
に絶縁層として、ガラス粉末とセラミックス粉体及び有
機バインダーを混合してペースト状にしたものを塗布し
、窒素雰囲気中で焼成した後、その表面上に、メッキ処
理により電気回路パターンを形成することを特徴とする
多層配線板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29614885A JPS62149196A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 多層配線板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29614885A JPS62149196A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 多層配線板の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149196A true JPS62149196A (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=17829770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29614885A Pending JPS62149196A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 多層配線板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62149196A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54154079A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Method of producing multiilayer circuit board |
| JPS55123196A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing ceramic multilayer circuit substrate |
| JPS58156552A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nec Corp | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP29614885A patent/JPS62149196A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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