JPS6214954B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6214954B2 JPS6214954B2 JP55012643A JP1264380A JPS6214954B2 JP S6214954 B2 JPS6214954 B2 JP S6214954B2 JP 55012643 A JP55012643 A JP 55012643A JP 1264380 A JP1264380 A JP 1264380A JP S6214954 B2 JPS6214954 B2 JP S6214954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- power generation
- electrode
- semiconductor layer
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質シリコンの如き非晶質半導体を
用いた太陽電池に関し、特にその特性の向上を図
つたものである。
用いた太陽電池に関し、特にその特性の向上を図
つたものである。
図は本発明実施例を示し、１はガラス等の透光
性絶縁基板、２ａ，２ｂ，２ｃは該基板上に複数
個所定方向に配列被着された第１電極、３ａ，３
ｂ，３ｃは夫々第１電極２ａ，２ｂ，２ｃ上に被
着された非晶質シリコン層、４ａ，４ｂ，４ｃは
夫々非晶質シリコン層３ａ，３ｂ，３ｃ上に被着
された第２電極、５は上記第１電極、非晶質シリ
コン層、第２電極の積層体を該第２電極側から密
着包囲する絶縁膜である。
性絶縁基板、２ａ，２ｂ，２ｃは該基板上に複数
個所定方向に配列被着された第１電極、３ａ，３
ｂ，３ｃは夫々第１電極２ａ，２ｂ，２ｃ上に被
着された非晶質シリコン層、４ａ，４ｂ，４ｃは
夫々非晶質シリコン層３ａ，３ｂ，３ｃ上に被着
された第２電極、５は上記第１電極、非晶質シリ
コン層、第２電極の積層体を該第２電極側から密
着包囲する絶縁膜である。
上記第１電極の各々と、それに隣り合う第２電
極の各々とは、各隣接対向間において、互いに上
記配列方向に延びる延長部１０，１１を有し、該
延長部にて重畳され接続されている。より詳しく
は、上記絶縁基板１上に配列された複数の第１電
極２ａ，２ｂ，２ｃの隣接対向間は、各領域にお
いて第１電極２ａ，２ｂ，２ｃ、非晶質シリコン
層３ａ，３ｂ，３ｃ及び第２電極４ａ，４ｂ，４
ｃの積層体からなる発電区域１２ａ，１２ｂ，１
２ｃの内左隣りの非晶質シリコン層３ａ，３ｂが
延在することにより、当該隣接対向間を埋めてい
る。そして、非晶質シリコン層３ａ，３ｂが隣接
対向間を埋めた左隣りの発電区域１２ａ，１２ｂ
の第２電極４ａ，４ｂの延長部１１，１１は、上
記非晶質シリコン層３ａ，３ｂの延長部分を越え
て絶縁基板１と接することなく右隣りの発電区域
１２ｂ，１２ｃの第１電極２ｂ，２ｃの延長部１
０，１０に立下ることにより電気的接続が施され
ている。
極の各々とは、各隣接対向間において、互いに上
記配列方向に延びる延長部１０，１１を有し、該
延長部にて重畳され接続されている。より詳しく
は、上記絶縁基板１上に配列された複数の第１電
極２ａ，２ｂ，２ｃの隣接対向間は、各領域にお
いて第１電極２ａ，２ｂ，２ｃ、非晶質シリコン
層３ａ，３ｂ，３ｃ及び第２電極４ａ，４ｂ，４
ｃの積層体からなる発電区域１２ａ，１２ｂ，１
２ｃの内左隣りの非晶質シリコン層３ａ，３ｂが
延在することにより、当該隣接対向間を埋めてい
る。そして、非晶質シリコン層３ａ，３ｂが隣接
対向間を埋めた左隣りの発電区域１２ａ，１２ｂ
の第２電極４ａ，４ｂの延長部１１，１１は、上
記非晶質シリコン層３ａ，３ｂの延長部分を越え
て絶縁基板１と接することなく右隣りの発電区域
１２ｂ，１２ｃの第１電極２ｂ，２ｃの延長部１
０，１０に立下ることにより電気的接続が施され
ている。
この様に、左隣りの発電区域１２ａ，１２ｂか
ら右隣りの発電区域１２ｂ，１２ｃの第１電極２
ｂ，２ｃ延長部１０，１０に向つて延びた第２電
極４ａ，４ｂの延長部１１，１１は、非晶質シリ
コン層３ａ，３ｂの右側端を越えて断線事故を招
く大きな段差を立下つて一旦絶縁基板１の表面に
降下するのではなく、第１電極２ｂ，２ｃの膜厚
で上記段差が緩和された第１電極２ｂ，２ｃの延
長部１０，１０に直接立下つているので、斯る大
きな段差に起因する断線事故が防止されている。
ら右隣りの発電区域１２ｂ，１２ｃの第１電極２
ｂ，２ｃ延長部１０，１０に向つて延びた第２電
極４ａ，４ｂの延長部１１，１１は、非晶質シリ
コン層３ａ，３ｂの右側端を越えて断線事故を招
く大きな段差を立下つて一旦絶縁基板１の表面に
降下するのではなく、第１電極２ｂ，２ｃの膜厚
で上記段差が緩和された第１電極２ｂ，２ｃの延
長部１０，１０に直接立下つているので、斯る大
きな段差に起因する断線事故が防止されている。
上記第１電極は透光性を有し、酸化錫、酸化イ
ンジウム、酸化インジウム錫（In2O3＋xSnO2、
Ｘ≦0.1）などで構成され、上記第２電極はアル
ミニウム、クロムなどで構成されている。
ンジウム、酸化インジウム錫（In2O3＋xSnO2、
Ｘ≦0.1）などで構成され、上記第２電極はアル
ミニウム、クロムなどで構成されている。
上記非晶質シリコン層は光照射により発電に寄
与する電子及び又は正孔を発生するもので、具体
的には、上記第１電極側から順次積層されたＰ型
層、ノンドーブ層及びＮ型層の３層構造となつて
いる。斯る非晶質シリコン層はシランなどのシリ
コン化合物ガスやＰ型、Ｎ型各不純物ガスを含む
雰囲気中でのグロー放電により順次堆積形成され
る。尚、上記Ｐ型層は膜厚40〜1000Å、ドーブ量
0.01〜１％、ノンドープ層は膜厚0.5〜２μｍ、
Ｎ型層は膜厚200〜1000Å、ドーブ量0.1〜３％で
ある。
与する電子及び又は正孔を発生するもので、具体
的には、上記第１電極側から順次積層されたＰ型
層、ノンドーブ層及びＮ型層の３層構造となつて
いる。斯る非晶質シリコン層はシランなどのシリ
コン化合物ガスやＰ型、Ｎ型各不純物ガスを含む
雰囲気中でのグロー放電により順次堆積形成され
る。尚、上記Ｐ型層は膜厚40〜1000Å、ドーブ量
0.01〜１％、ノンドープ層は膜厚0.5〜２μｍ、
Ｎ型層は膜厚200〜1000Å、ドーブ量0.1〜３％で
ある。
上記装置において、基板１及び第１電極を介し
て光が非晶質シリコン層に入ると、主にノンドー
ブ層において自由状態の電子及び又は正孔が発生
し、これらは上記各層の作るPIN接合電界により
引かれて移動した後対向する第１電極や第２電極
に集められ両電極間に電圧が発生する。このと
き、左側の第２電極４ａと中央の第１電極２ｂ、
中央の第２電極４ｂと右側の第１電極２ｃが夫々
電気的接続された状態にあり、従つて上記各対向
電極間の起電圧は直列的に相加される。
て光が非晶質シリコン層に入ると、主にノンドー
ブ層において自由状態の電子及び又は正孔が発生
し、これらは上記各層の作るPIN接合電界により
引かれて移動した後対向する第１電極や第２電極
に集められ両電極間に電圧が発生する。このと
き、左側の第２電極４ａと中央の第１電極２ｂ、
中央の第２電極４ｂと右側の第１電極２ｃが夫々
電気的接続された状態にあり、従つて上記各対向
電極間の起電圧は直列的に相加される。
上記絶縁膜５は酸化シリコンや窒化シリコンな
どで構成されており、シランガスと酸素又は窒素
ガスを含む雰囲気中でのグロー放電により、ある
いはアルゴン及び酸素又は窒素ガス雰囲気で石英
ガラスをスパツタする反応性スパツタにより形成
することができる。斯る絶縁膜は装置の機械的保
護並びに第２電極や非晶質シリコン層を外界から
完全に遮断し、湿気や腐蝕性ガスなどから装置を
護もる。
どで構成されており、シランガスと酸素又は窒素
ガスを含む雰囲気中でのグロー放電により、ある
いはアルゴン及び酸素又は窒素ガス雰囲気で石英
ガラスをスパツタする反応性スパツタにより形成
することができる。斯る絶縁膜は装置の機械的保
護並びに第２電極や非晶質シリコン層を外界から
完全に遮断し、湿気や腐蝕性ガスなどから装置を
護もる。
上記実施例装置はPIN接合型であつたがシヨツ
トキ型も実施でき、又実施例装置ではガラス基板
１側から光入射を行なつていたが、絶縁膜５及び
第２電極４ａ，４ｂ，４ｃを透光性になすことに
より絶縁膜５側から光入射をなすこともできる。
トキ型も実施でき、又実施例装置ではガラス基板
１側から光入射を行なつていたが、絶縁膜５及び
第２電極４ａ，４ｂ，４ｃを透光性になすことに
より絶縁膜５側から光入射をなすこともできる。
さて、上記太陽電池に光入射を行ない、かつ例
えば左端の第１電極２ａと右端の第２電極４ｃと
の間に負荷を接続すれば太陽電池の光起電圧に基
づく電流が上記負荷に流れるが、このときの光電
変換効率は太陽電池の内部抵抗に依存する。斯る
内部抵抗は主に、対をなす第１電極と第２電極及
びこれら電極間に介在する非晶質シリコン層から
なる構成を一つの発電区域となすと、各発電区域
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ間の直列抵抗により決ま
り該抵抗は小さいほど良いが、本発明実施例太陽
電池にあつては、隣り合う第１、第２電極はその
隣接対向間において、互いに上記配列方向に延び
る延長部１０，１１にて重畳接続されているの
で、各発電区域間の電気的接続は上記配列方向に
垂直な方向（即ち第１図にて紙面に垂直な方向）
において例えば各発電区域の全幅（第２図Ｌ）に
亘つて行なうことができるなど、ほゞ最短距離か
つ十分な長さにて行なうことができ、各区域間の
電流が一部に集中することなく各発電区域間の直
列抵抗を小さくすることができる。
えば左端の第１電極２ａと右端の第２電極４ｃと
の間に負荷を接続すれば太陽電池の光起電圧に基
づく電流が上記負荷に流れるが、このときの光電
変換効率は太陽電池の内部抵抗に依存する。斯る
内部抵抗は主に、対をなす第１電極と第２電極及
びこれら電極間に介在する非晶質シリコン層から
なる構成を一つの発電区域となすと、各発電区域
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ間の直列抵抗により決ま
り該抵抗は小さいほど良いが、本発明実施例太陽
電池にあつては、隣り合う第１、第２電極はその
隣接対向間において、互いに上記配列方向に延び
る延長部１０，１１にて重畳接続されているの
で、各発電区域間の電気的接続は上記配列方向に
垂直な方向（即ち第１図にて紙面に垂直な方向）
において例えば各発電区域の全幅（第２図Ｌ）に
亘つて行なうことができるなど、ほゞ最短距離か
つ十分な長さにて行なうことができ、各区域間の
電流が一部に集中することなく各発電区域間の直
列抵抗を小さくすることができる。
以上の説明より明らかな如く、本発明によれば
非晶質半導体を用いた複数の発電区域からなる太
陽電池において、各発電区域間の直列抵抗を十分
小さくすることができ、大なる光電変換効率を得
ることができる。又、上記各発電区域間の直列抵
抗が小さいので各発電区域の直列段数を容易に増
すことができより高い出力電圧の太陽電池を実現
することができる。更に、第１電極の隣接対向間
において一方の発電区域から他方の発電区域の第
１電極延長部に向つて延びた第２電極延長部は、
非晶質半導体層の側端を越えて該半導体層の膜厚
に相当する大きな段差を立下つて一旦絶縁基板の
表面に降下するのではなく、第１電極の膜厚で上
記段差が緩和された第１電極の延長部に直接立下
つているので、斯る大きな段差に起因する断線事
故を防止するのみならず、第１電極の隣接対向間
における絶縁も確実なものとすることができる。
従つて、斯る隣接対向間の間隔縮小が図れ、受光
面積における発電区域が占める割合を増大させる
ことができる。
非晶質半導体を用いた複数の発電区域からなる太
陽電池において、各発電区域間の直列抵抗を十分
小さくすることができ、大なる光電変換効率を得
ることができる。又、上記各発電区域間の直列抵
抗が小さいので各発電区域の直列段数を容易に増
すことができより高い出力電圧の太陽電池を実現
することができる。更に、第１電極の隣接対向間
において一方の発電区域から他方の発電区域の第
１電極延長部に向つて延びた第２電極延長部は、
非晶質半導体層の側端を越えて該半導体層の膜厚
に相当する大きな段差を立下つて一旦絶縁基板の
表面に降下するのではなく、第１電極の膜厚で上
記段差が緩和された第１電極の延長部に直接立下
つているので、斯る大きな段差に起因する断線事
故を防止するのみならず、第１電極の隣接対向間
における絶縁も確実なものとすることができる。
従つて、斯る隣接対向間の間隔縮小が図れ、受光
面積における発電区域が占める割合を増大させる
ことができる。
第１図及び第２図は夫々本発明実施例を示す断
面図及び斜視図である。 １……基板、３ａ，３ｂ，３ｃ……非晶質シリ
コン層、５……絶縁膜。
面図及び斜視図である。 １……基板、３ａ，３ｂ，３ｃ……非晶質シリ
コン層、５……絶縁膜。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に配列された複数の第１電極、該
第１電極の各々に対応し、夫々の上に順次被着さ
れた非晶質半導体層及び第２電極を備え、隣り合
う第１、第２電極はその隣接対向間において互い
に上記配列方向に延びて重畳接続されている太陽
電池であつて、上記絶縁基板上に配列された複数
の第１電極の隣接対向間は、一方の発電区域を構
成する非晶質半導体層が延在して当該隣接対向間
を埋めると共に、一方の発電区域の第２電極の延
長部は上記非晶質半導体層の延在部分を越えて絶
縁基板と接することなく他方の発電区域の第１電
極延長部に立下ることを特徴とした太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264380A JPS55124274A (en) | 1980-02-04 | 1980-02-04 | Solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264380A JPS55124274A (en) | 1980-02-04 | 1980-02-04 | Solar battery |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3130579A Division JPS55123177A (en) | 1979-02-09 | 1979-03-16 | Solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55124274A JPS55124274A (en) | 1980-09-25 |
| JPS6214954B2 true JPS6214954B2 (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=11811037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1264380A Granted JPS55124274A (en) | 1980-02-04 | 1980-02-04 | Solar battery |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55124274A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58134482A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力装置 |
| JPS6122370U (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-08 | 富士電機株式会社 | 光起電力素子 |
| US4937651A (en) | 1985-08-24 | 1990-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device free from the current leakage through a semiconductor layer and method for manufacturing same |
| KR20100076083A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-07-06 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3483038A (en) * | 1967-01-05 | 1969-12-09 | Rca Corp | Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same |
| US3571915A (en) * | 1967-02-17 | 1971-03-23 | Clevite Corp | Method of making an integrated solar cell array |
| JPS5537109B2 (ja) * | 1972-05-26 | 1980-09-25 | ||
| JPS584487B2 (ja) * | 1974-11-20 | 1983-01-26 | 松下電器産業株式会社 | ヒヨウジソウチ |
| US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
| US4042418A (en) * | 1976-08-02 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Photovoltaic device and method of making same |
| DE2827049A1 (de) * | 1978-06-20 | 1980-01-10 | Siemens Ag | Solarzellenbatterie und verfahren zu ihrer herstellung |
-
1980
- 1980-02-04 JP JP1264380A patent/JPS55124274A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55124274A (en) | 1980-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3503207B1 (en) | Solar cell module | |
| CN102044579B (zh) | 太阳能电池 | |
| EP4593089A1 (en) | Photovoltaic cell structure, manufacturing method therefor and photovoltaic module | |
| AU2010216750B2 (en) | Solar battery module | |
| JPS63122283A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| JPH04127580A (ja) | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 | |
| CN119092579A (zh) | 一种光伏组件 | |
| JPS6214954B2 (ja) | ||
| JPS59161081A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPS6143870B2 (ja) | ||
| JPS625353B2 (ja) | ||
| JPS58196060A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| CN118825097B (zh) | 一种相邻主栅特定间距的背接触电池及光伏组件 | |
| JPH05145095A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS6077471A (ja) | 光発電装置 | |
| JP2630657B2 (ja) | 集積型多層アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JPH06177408A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JPS59213175A (ja) | 半導体光起電力装置 | |
| JPH0314053Y2 (ja) | ||
| JP2726045B2 (ja) | 光発電装置 | |
| JPS6211280A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JPS5975679A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0442944Y2 (ja) | ||
| JP2025182704A (ja) | 太陽電池セル及びソーラーモジュール | |
| JPH0799775B2 (ja) | 太陽電池 |