JPS62150794A - 分布帰還型半導体レ−ザ− - Google Patents
分布帰還型半導体レ−ザ−Info
- Publication number
- JPS62150794A JPS62150794A JP60291705A JP29170585A JPS62150794A JP S62150794 A JPS62150794 A JP S62150794A JP 60291705 A JP60291705 A JP 60291705A JP 29170585 A JP29170585 A JP 29170585A JP S62150794 A JPS62150794 A JP S62150794A
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- JP
- Japan
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- grating
- layer
- pitch
- primary
- semiconductor laser
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信用光源等に用いて最適な分布帰還型半
導体レーザーに関する。
導体レーザーに関する。
本発明は、第１のクラッド層と、この第１のクラッド層
上に設けられている活性層と、この活性層上に設けられ
かつグレーティングを有するガイド層と、このガイド層
上に設けられている第２のクラッド層とをそれぞれ具備
する分布帰還型半導体レーザーにおいて、上記グレーテ
ィングを１次グレーティング成分と２次グレーティング
成分とが混在した形状とすることによって、安定で十分
な利得を有する単−縦モード発振を実現することができ
るようにしたものである。
上に設けられている活性層と、この活性層上に設けられ
かつグレーティングを有するガイド層と、このガイド層
上に設けられている第２のクラッド層とをそれぞれ具備
する分布帰還型半導体レーザーにおいて、上記グレーテ
ィングを１次グレーティング成分と２次グレーティング
成分とが混在した形状とすることによって、安定で十分
な利得を有する単−縦モード発振を実現することができ
るようにしたものである。
分布帰還型（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄｂａｃ
ｋ）半導体レーザー（以下ＤＦＢレーザーという）は、
単−縦モード発振を実現し得るレーザーとして期待され
ている。このＤＦＢレーザーにおいては、従来、ブラッ
グ反則により光を分布的に帰還させるためのグレーティ
ング（回折格子）として、凹凸が−定のピッチで一様に
形成された１次または２次のグレーティングが用いられ
ている。
ｋ）半導体レーザー（以下ＤＦＢレーザーという）は、
単−縦モード発振を実現し得るレーザーとして期待され
ている。このＤＦＢレーザーにおいては、従来、ブラッ
グ反則により光を分布的に帰還させるためのグレーティ
ング（回折格子）として、凹凸が−定のピッチで一様に
形成された１次または２次のグレーティングが用いられ
ている。
ところが、一様な１次グレーティングを有するＤＦＢレ
ーザーでは、第３図に示すように、原理的に利得の等し
い２つのモード（第３図においてＡ、Ｂで示す）が同時
にもしくはモードホッピングを行って発振する可能性が
ある。これに対し、一様な２次グレーティングを有する
ＤＦＢレーザーでは、１次グレーティングの場合と同様
に利得の等しい２つのモードが存在するものの、ＴＥモ
ードにおいては両モード間で回折光の損失に差があるた
め単−縦モード発振が生ずる。すなわち、第４図に示す
ように、一方のモードＣは回折光損失が少ないため十分
な利得が得られるが、他方のモードＤは回折光損失が多
いため利得が小さい。
ーザーでは、第３図に示すように、原理的に利得の等し
い２つのモード（第３図においてＡ、Ｂで示す）が同時
にもしくはモードホッピングを行って発振する可能性が
ある。これに対し、一様な２次グレーティングを有する
ＤＦＢレーザーでは、１次グレーティングの場合と同様
に利得の等しい２つのモードが存在するものの、ＴＥモ
ードにおいては両モード間で回折光の損失に差があるた
め単−縦モード発振が生ずる。すなわち、第４図に示す
ように、一方のモードＣは回折光損失が少ないため十分
な利得が得られるが、他方のモードＤは回折光損失が多
いため利得が小さい。
しかしながら、２次グレーティングを用いた場合は、帰
還利得がグレーティングの形状に著しく依存するため、
安定で利得の十分なりＦＢレーザーを再現性良く製造す
ることは極めて難しい。
還利得がグレーティングの形状に著しく依存するため、
安定で利得の十分なりＦＢレーザーを再現性良く製造す
ることは極めて難しい。
なおＩＥＥ ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ、Ｖｏｌ、１３
２゜Ｎｏ、１ 、 ｐｐ、 １２−１９ （１９８５年
２月）においては、第５図に示すように、図示省略した
活性層上に設けられたガイド層の表面に電子ビームリソ
グラフィー技術を用いて所定間隔で三角形断面の溝を形
成することにより作製された２次グレーティングについ
て記載され、このグレーティングにより光波との結合係
数を増大させることができたとの報告がある。
２゜Ｎｏ、１ 、 ｐｐ、 １２−１９ （１９８５年
２月）においては、第５図に示すように、図示省略した
活性層上に設けられたガイド層の表面に電子ビームリソ
グラフィー技術を用いて所定間隔で三角形断面の溝を形
成することにより作製された２次グレーティングについ
て記載され、このグレーティングにより光波との結合係
数を増大させることができたとの報告がある。
本発明は、従来技術が有する上述のような欠点を是正し
た分布帰還型半導体レーザーを提供することを目的とす
る。
た分布帰還型半導体レーザーを提供することを目的とす
る。
本発明に係る分布帰還型半導体レーザーは、第１のクラ
ッドｒｒ！Ｉ（例えばｎ −Ａ１． Ｇａ＋−ｘ Ａｓ
層２）と、この第１のクラッド層上に設けられている活
性層（例えば＾ｌ、 Ｇａ、−、Ａｓ層３）と、この活
性層上に設けられかつグレーティングを有するガイド層
（例えばｐ Ａ１２ Ｇａ＋−ｔ Ａｓ層４）と、こ
のガイド層上に設けられている第２のクラッドＮ（例え
ばｐ−ＡｌＸＧａ１−、ＡＳ層５）とをそれぞれ具備す
る分布帰還型半導体レーザーにおいて、上記グレーティ
ングを１次グレーティング成分と２次グレーティング成
分とが混在した形状としている。
ッドｒｒ！Ｉ（例えばｎ −Ａ１． Ｇａ＋−ｘ Ａｓ
層２）と、この第１のクラッド層上に設けられている活
性層（例えば＾ｌ、 Ｇａ、−、Ａｓ層３）と、この活
性層上に設けられかつグレーティングを有するガイド層
（例えばｐ Ａ１２ Ｇａ＋−ｔ Ａｓ層４）と、こ
のガイド層上に設けられている第２のクラッドＮ（例え
ばｐ−ＡｌＸＧａ１−、ＡＳ層５）とをそれぞれ具備す
る分布帰還型半導体レーザーにおいて、上記グレーティ
ングを１次グレーティング成分と２次グレーティング成
分とが混在した形状としている。
このように構成することによって、１次グレーティング
の２モード不安定性を２次グレーティングにおける１次
回折先損失差による単−縦モード性で解決することがで
きると共に、２次グレーティングの不安定で不十分な利
得を１次グレーティングの安定で十分な利得によって補
うことができる。
の２モード不安定性を２次グレーティングにおける１次
回折先損失差による単−縦モード性で解決することがで
きると共に、２次グレーティングの不安定で不十分な利
得を１次グレーティングの安定で十分な利得によって補
うことができる。
以下本発明の一実施例につき図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１Ａ図に示すように、本実施例によるＤＦＢレーザー
においては、ｎ ＧａＡｓ基板１上にクラッド層を構
成するｎ Ａｌｘ Ｇａ＋−＞ｌ Ａｓ層２、活性層
を構成するＡＩ、 Ｇａ、−、Ａｓ （ｙ ＜ ｘ ）
層３、ガイド層を構成するｐ −Ａｌｇ Ｇａ＋−ｇ
Ａｓ （ｙ ＜ ｚ ＜ ｘ）層４及びクラッド層を構
成するｐ −Ａ１． Ｇａ、−ＸＡｓ層５が順次設けら
れている。
においては、ｎ ＧａＡｓ基板１上にクラッド層を構
成するｎ Ａｌｘ Ｇａ＋−＞ｌ Ａｓ層２、活性層
を構成するＡＩ、 Ｇａ、−、Ａｓ （ｙ ＜ ｘ ）
層３、ガイド層を構成するｐ −Ａｌｇ Ｇａ＋−ｇ
Ａｓ （ｙ ＜ ｚ ＜ ｘ）層４及びクラッド層を構
成するｐ −Ａ１． Ｇａ、−ＸＡｓ層５が順次設けら
れている。
上記ガイド層を構成するｐ −Ａｌｚ Ｇａ１−ｚ Ａ
ｓ層４のｐ Ａ１１ｌ Ｇａｐ−、Ａｓ層層側側表面
には、レーザーの端面６に平行な方向に延びる三角波状
凹凸からなるグレーティング７が設けられている。この
グレーティング７には、第１Ｂ図に示すように、ピッチ
Δ２の２次グレーティングを構成する大きな三角波状凹
凸の凸部４ａ（高さを１１とする）の中央の頂上部分に
、深さｈ （ｈ＜Ｈ）の三角形断面の凹部４ｂが形成さ
れている。従ってこのグレーティング７は、上記凹部４
ｂと大きな凹部４ｃとの間の距離に対応するピンチＡＩ
＝Ａ２／２の１次グレーティング成分と、ピッチΔ２の
２次グレーティング成分とが混在したものとなっている
。
ｓ層４のｐ Ａ１１ｌ Ｇａｐ−、Ａｓ層層側側表面
には、レーザーの端面６に平行な方向に延びる三角波状
凹凸からなるグレーティング７が設けられている。この
グレーティング７には、第１Ｂ図に示すように、ピッチ
Δ２の２次グレーティングを構成する大きな三角波状凹
凸の凸部４ａ（高さを１１とする）の中央の頂上部分に
、深さｈ （ｈ＜Ｈ）の三角形断面の凹部４ｂが形成さ
れている。従ってこのグレーティング７は、上記凹部４
ｂと大きな凹部４ｃとの間の距離に対応するピンチＡＩ
＝Ａ２／２の１次グレーティング成分と、ピッチΔ２の
２次グレーティング成分とが混在したものとなっている
。
この第１Ｂ図に示すグレーティング７を有する上述の実
施例によるＤＦＢレーザーによれば、次のような利点が
ある。すなわち、レーザーの発振に際して、グレーティ
ング７に存在する１次グレーティング成分により、安定
で十分な大きさく１００ｅｌｌｌ −’程度の結合係数
）の帰還利得を得ることができる。また２次グレーティ
ング成分の存在により１次回折光損失が生ずるが、この
損失はストップバンドの両側のモード間で異なるために
例えば１０ｃｍ−’以上の利得差が生じ、この結果単一
縦モード発振を実現することができる。すなわち、上述
の実施例によるＤＦＢレーザーによれば、安定で十分な
利得を有する単−縦モード発振のＤＦＢレーザーを提供
することができる。このような高性能のＤＦＢレーザー
は、光通信用光源として最適なものである。
施例によるＤＦＢレーザーによれば、次のような利点が
ある。すなわち、レーザーの発振に際して、グレーティ
ング７に存在する１次グレーティング成分により、安定
で十分な大きさく１００ｅｌｌｌ −’程度の結合係数
）の帰還利得を得ることができる。また２次グレーティ
ング成分の存在により１次回折光損失が生ずるが、この
損失はストップバンドの両側のモード間で異なるために
例えば１０ｃｍ−’以上の利得差が生じ、この結果単一
縦モード発振を実現することができる。すなわち、上述
の実施例によるＤＦＢレーザーによれば、安定で十分な
利得を有する単−縦モード発振のＤＦＢレーザーを提供
することができる。このような高性能のＤＦＢレーザー
は、光通信用光源として最適なものである。
次に第１Ａ図に示すＤＦＢレーザーの製造方法につき説
明する。この製造方法としては、本発明者が特願昭６０
−５３８１０号で提案した製造方法と類似の方法を用い
ることができる。すなわち、第２Ａ図に示すように、ま
ずｎ−ＧａＡｓ基板ｌ上にＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法によ
りｎ ＡＩＸ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層２、＾ｌ、 Ｇａ
、−、Ａｓ層３及びｐＡｌｚ Ｇａｐ−、Ａｓ層４を順
次形成し、次いでこのｐ −Ａｌｚ Ｇａｐ−ｚＡｓＡ
ｓＯ２面に従来公知の方法によりピッチＡ２の２次グレ
ーティングを形成した後、この２次グレーティング全面
にフォトレジスト８を薄く塗布する。
明する。この製造方法としては、本発明者が特願昭６０
−５３８１０号で提案した製造方法と類似の方法を用い
ることができる。すなわち、第２Ａ図に示すように、ま
ずｎ−ＧａＡｓ基板ｌ上にＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法によ
りｎ ＡＩＸ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層２、＾ｌ、 Ｇａ
、−、Ａｓ層３及びｐＡｌｚ Ｇａｐ−、Ａｓ層４を順
次形成し、次いでこのｐ −Ａｌｚ Ｇａｐ−ｚＡｓＡ
ｓＯ２面に従来公知の方法によりピッチＡ２の２次グレ
ーティングを形成した後、この２次グレーティング全面
にフォトレジスト８を薄く塗布する。
次にこのフォトレジスト８を例えば露光、現像のプロセ
スを経て選択的に除去することにより、第２Ｂ図に示す
ように、２次グレーティングを構成する凸部４ａの頂上
部分を露出させる。
スを経て選択的に除去することにより、第２Ｂ図に示す
ように、２次グレーティングを構成する凸部４ａの頂上
部分を露出させる。
次に上記２次グレーティングの凹部４Ｃに残されたフォ
トレジスト８をマスクとして、ｐ−ＡＩ。
トレジスト８をマスクとして、ｐ−ＡＩ。
Ｇａｐ−、Ａｓ層４を異方性の大きいエツチング液、例
えばＨａＰＯａ系やＨＣｌ系のエツチング液によりエツ
チングし、第２Ｃ図に示すように、深さｈの凹部４ｂを
形成する。なおこの際、エツチング量を大きくし過ぎる
とｈ＝Ｈとなり１次グレーティングとなってしまうおそ
れがあるので、エツチングは注意深く行う必要がある。
えばＨａＰＯａ系やＨＣｌ系のエツチング液によりエツ
チングし、第２Ｃ図に示すように、深さｈの凹部４ｂを
形成する。なおこの際、エツチング量を大きくし過ぎる
とｈ＝Ｈとなり１次グレーティングとなってしまうおそ
れがあるので、エツチングは注意深く行う必要がある。
次に残りのフォトレジスト８を除去した後、第１Ａ図に
示すように、ｐ−八Ｉｚ Ｇａ１−２ Ａｓｊｉ４上に
ｐ −Ａ１． Ｇａ、−、Ａｓ層５を形成して、目的と
するＤＦＢレーザーを完成させる。
示すように、ｐ−八Ｉｚ Ｇａ１−２ Ａｓｊｉ４上に
ｐ −Ａ１． Ｇａ、−、Ａｓ層５を形成して、目的と
するＤＦＢレーザーを完成させる。
以上本発明の一実施例につき説明したが、本発明は上述
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、グレーテ
ィング７の凸部４ａの高さＨに対する凹部４ｂの深さｈ
の比ｈ／Ｈは種々の値に選ぶことができる。しかしｈ／
１（が１に近いと１次グレーティング成分が大きくなり
過ぎ、またｈ ／ ＨがＯに近いと２次グレーティング
成分が大きくなりすぎるため、ｈ／Ｈは０．２≦ｈ／Ｈ
≦０．７の範囲内の値とするのが好ましい。また上述の
実施例におけるグレーティング７を構成する凹凸の形状
は完全な三角波状の形状としたが、例えばこの三角波状
凹凸の頂上部及び谷部が少し丸まった正弦波状の形状と
することも可能である。なお上述の実施例においては、
クラッド層としてｎ−へＩＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ層２及
びｐ−ＡＩＸ Ｇａｐ−ｘ Ａｓ層５、活性層としてＡ
Ｉ、 Ｇａ、−、Ａｓ層３、ガイド層とじてｐ−Ａ１．
Ｇａｒ−ｇＡｓ層４を用いたが、必要に応じてその他の
各種半導体層を用いることが可能であることは言うまで
もない。
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、グレーテ
ィング７の凸部４ａの高さＨに対する凹部４ｂの深さｈ
の比ｈ／Ｈは種々の値に選ぶことができる。しかしｈ／
１（が１に近いと１次グレーティング成分が大きくなり
過ぎ、またｈ ／ ＨがＯに近いと２次グレーティング
成分が大きくなりすぎるため、ｈ／Ｈは０．２≦ｈ／Ｈ
≦０．７の範囲内の値とするのが好ましい。また上述の
実施例におけるグレーティング７を構成する凹凸の形状
は完全な三角波状の形状としたが、例えばこの三角波状
凹凸の頂上部及び谷部が少し丸まった正弦波状の形状と
することも可能である。なお上述の実施例においては、
クラッド層としてｎ−へＩＸ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ層２及
びｐ−ＡＩＸ Ｇａｐ−ｘ Ａｓ層５、活性層としてＡ
Ｉ、 Ｇａ、−、Ａｓ層３、ガイド層とじてｐ−Ａ１．
Ｇａｒ−ｇＡｓ層４を用いたが、必要に応じてその他の
各種半導体層を用いることが可能であることは言うまで
もない。
本発明によれば、グレーティングを１次グレーティング
成分と２次グレーティング成分とが混在した形状として
いるので、１次グレーティングの２モード不安定性を２
次グレーティングにおける１次回折光損失差による単−
縦モード性で解決することができると共に、２次グレー
ティングの不安定で不十分な利得を１次グレーティング
の安定な十分な利得によって補うことができ、従って安
定でしかも利得の十分な単−縦モード発振の分布帰還型
半導体レーザーを提供することができる。
成分と２次グレーティング成分とが混在した形状として
いるので、１次グレーティングの２モード不安定性を２
次グレーティングにおける１次回折光損失差による単−
縦モード性で解決することができると共に、２次グレー
ティングの不安定で不十分な利得を１次グレーティング
の安定な十分な利得によって補うことができ、従って安
定でしかも利得の十分な単−縦モード発振の分布帰還型
半導体レーザーを提供することができる。
第１Ａ図は本１発明の一実施例によるＤＦＢレーザーの
断面図、第１１３図は第１Ａ図に示すＤＦＢレーザーの
グレーティングの部分拡大断面図、第２Ａ図〜第２Ｃ図
は第１Ａ図に示すＤＦＢレーザーの製造方法の一例を工
程順に示す断面図、第３図は一様な１次グレーティング
を有するＤＦＢレーザーのＴＥモードにおける発振スペ
クトルを示すグラフ、第４図は一様な２次グレーティン
グを有するＤＦＢレーザーのＴＥモードにおける発振ス
ペクトルを示すグラフ、第５図はガイド層に設けられた
従来の２次グレーティングの断面図である。 なお、図面に用いた符号において、 １−−−−−−−−−−−−−−−−＝ ｎ −ＧａＡ
ｓ基板２−−−−−−−−−−−−−−−−−− ｎ
−Ａ １ｘＧａ 、 −ＸＡｓ層３−−−−−−−−−
−−−−−八１．Ｇａ＋−，へＳ層４−−−−−−−−
−−−−−−−− ｐ−＾１２ Ｇａ、−ｍＡＳ層５−
−−−−−＝＝−−−−−−−−ｐ −ＡＩＸ Ｇａ１
−ｘ Ａｓ層７・・−−−−−−−一−・・・・−・−
・グレーティングである。
断面図、第１１３図は第１Ａ図に示すＤＦＢレーザーの
グレーティングの部分拡大断面図、第２Ａ図〜第２Ｃ図
は第１Ａ図に示すＤＦＢレーザーの製造方法の一例を工
程順に示す断面図、第３図は一様な１次グレーティング
を有するＤＦＢレーザーのＴＥモードにおける発振スペ
クトルを示すグラフ、第４図は一様な２次グレーティン
グを有するＤＦＢレーザーのＴＥモードにおける発振ス
ペクトルを示すグラフ、第５図はガイド層に設けられた
従来の２次グレーティングの断面図である。 なお、図面に用いた符号において、 １−−−−−−−−−−−−−−−−＝ ｎ −ＧａＡ
ｓ基板２−−−−−−−−−−−−−−−−−− ｎ
−Ａ １ｘＧａ 、 −ＸＡｓ層３−−−−−−−−−
−−−−−八１．Ｇａ＋−，へＳ層４−−−−−−−−
−−−−−−−− ｐ−＾１２ Ｇａ、−ｍＡＳ層５−
−−−−−＝＝−−−−−−−−ｐ −ＡＩＸ Ｇａ１
−ｘ Ａｓ層７・・−−−−−−−一−・・・・−・−
・グレーティングである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に設けら
れている活性層と、この活性層上に設けられかつグレー
ティングを有するガイド層と、このガイド層上に設けら
れている第２のクラッド層とをそれぞれ具備する分布帰
還型半導体レーザーにおいて、 上記グレーティングを１次グレーティング成分と２次グ
レーティング成分とが混在した形状としたことを特徴と
する分布帰還型半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60291705A JPS62150794A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 分布帰還型半導体レ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60291705A JPS62150794A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 分布帰還型半導体レ−ザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150794A true JPS62150794A (ja) | 1987-07-04 |
Family
ID=17772330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60291705A Pending JPS62150794A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 分布帰還型半導体レ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150794A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701325A (en) * | 1992-06-04 | 1997-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor device and fabrication method of producing the compound semiconductor device |
| EP1850430A2 (en) | 2006-04-27 | 2007-10-31 | OpNext Japan, Inc. | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| JP2011211004A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP60291705A patent/JPS62150794A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701325A (en) * | 1992-06-04 | 1997-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor device and fabrication method of producing the compound semiconductor device |
| EP1850430A2 (en) | 2006-04-27 | 2007-10-31 | OpNext Japan, Inc. | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| EP1850430A3 (en) * | 2006-04-27 | 2009-12-16 | OpNext Japan, Inc. | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| US7855093B2 (en) | 2006-04-27 | 2010-12-21 | Opnext Japan, Inc. | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| JP2011211004A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子の製造方法 |
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