JPS62154659A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPS62154659A JPS62154659A JP60294543A JP29454385A JPS62154659A JP S62154659 A JPS62154659 A JP S62154659A JP 60294543 A JP60294543 A JP 60294543A JP 29454385 A JP29454385 A JP 29454385A JP S62154659 A JPS62154659 A JP S62154659A
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- JP
- Japan
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- outer lead
- package
- bent
- lead
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
- H10W70/427—Bent parts
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はDIRのようにパッケージからアウターリード
が延出され、この7ウターリードがパッケージの側面に
沿って折曲されてなる半導体装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a semiconductor device, such as a DIR, in which an outer lead extends from a package, and the outer lead is bent along the side surface of the package.
第6図に半導体チップが[−ルド樹脂で封止されている
半導体装置の要部の斜視図を示す。タイバー1で支持さ
れたリードフレームのベッド部2上に半導体チップ3が
マウントされ、ベッド部2の周囲には複数のインナーリ
ード4がベッド部2と一定の間隔を有して配設されてい
る。インナーリード4はベッド部2上の半導体チップ3
の電極と金ma等のボンディングワイヤ(図示Uず〉で
接続されると共に、その長手方向端部には外部電極とな
るアウターリード5が連設されている。そして、半導体
チップ3、ベッド?l 2、ボンデイングワイ\1おJ
:びインナーリード4を含む領域(同図の二点鎖線で囲
まれた領域)がモールド樹脂によって封止れてパッケー
ジが形成される。FIG. 6 shows a perspective view of a main part of a semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed with a cold resin. A semiconductor chip 3 is mounted on a bed portion 2 of a lead frame supported by tie bars 1, and a plurality of inner leads 4 are arranged around the bed portion 2 at a constant interval from the bed portion 2. . The inner lead 4 is the semiconductor chip 3 on the bed section 2.
The semiconductor chip 3 is connected to the electrode by a bonding wire (U shown in the figure) made of gold or the like, and an outer lead 5 serving as an external electrode is connected to the longitudinal end of the wire. 2. Bonding Y \1 OJ
: and the area including the inner leads 4 (the area surrounded by the two-dot chain line in the figure) is sealed with molding resin to form a package.
第7図はこのようにしてt−ルド樹脂6によって封止さ
れたパッケージの断面図を示しており、配線基板等への
装着のため各アウターリード5は曲げダイ等によって、
同図矢印のJ:うに下方に折曲され、パッケージ6の外
側面に沿うにうになっている。FIG. 7 shows a cross-sectional view of the package sealed with the t-lead resin 6 in this way, and each outer lead 5 is bent by a bending die or the like in order to be attached to a wiring board or the like.
Arrow J in the figure: It is bent downward and runs along the outer surface of the package 6.
しかしながら、半導体チップの1ノイズの増大に伴い、
アウターリード5の数が増加しCIII′3す、アウタ
ーリード5を折曲させる際に曲げ応力が反力としてパッ
ケージ6に負荷し、パッケージ6とアウターリード5と
の間に剥離部分が生じる。However, with the increase in noise of semiconductor chips,
As the number of outer leads 5 increases, bending stress is applied to the package 6 as a reaction force when bending the outer leads 5, and a peeled portion is generated between the package 6 and the outer leads 5.
第8図はこの状態を示す断面図であり、ア・フタ−リー
ド5の折曲方向と反対側のパッケージ6の外端部に剥離
部分7が生じ、この剥離部分7からインナーリード4に
沿ってパッケージ6内に水が侵入し、不良品の発生原因
となっている。FIG. 8 is a cross-sectional view showing this state. A peeled portion 7 is generated at the outer end of the package 6 on the opposite side to the bending direction of the outer lead 5, and a peeled portion 7 is formed along the inner lead 4 from this peeled portion 7. This causes water to enter the package 6 and cause defective products.
(発明の目的)
本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためなされた
もので、アウターリードの折曲の際に7ウターリードと
パッケージとが剥211シない゛c1体装置を提供りる
ことを[J的とする。(Object of the Invention) The present invention has been made in order to overcome the drawbacks of the above-mentioned prior art, and it is an object of the present invention to provide a one-piece device in which the outer lead and the package do not separate when the outer lead is bent. Let it be [J-like.
上記の1]的を達成4”るため本発明は、アウターリー
ドの折曲部分が他の部分よりも小さくなるように、その
部分に凹部を形成して折曲を容易にし、パッケージとア
ウターリードとの剥離を防止したことを特徴とり−る。In order to achieve the above object 1), the present invention forms a recess in the bending part of the outer lead so that it is smaller than other parts to facilitate the bending, and the package and the outer lead It is characterized by preventing peeling from the surface.
以下、本発明を図示する実施例により具体的tこ説明づ
る。Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to illustrative embodiments.
第1図は本発明の一実施例の側面図、第2図はその底面
図である。モールド樹脂からなるパッケージ11内には
、図示はしないが、従来例と同様に半導体チップ、リー
ドフレームのベッド部、インナーリードおよびインナー
リードと半導体チップの電極とを接続づ−るボンディン
グワイA1が封止されている。イン太−リードど連設さ
れるアウターリード12はパッケージ11から外部に延
出されており、パッケージ11に近接した部分がパッケ
ージ11の側面に沿って下方に折曲されるようになって
いる。そして、この折曲部分に(よアウターリード12
の他の部分よりも薄くなる凹部13が形成されている。FIG. 1 is a side view of one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a bottom view thereof. Although not shown, inside the package 11 made of molded resin, the semiconductor chip, the bed part of the lead frame, inner leads, and bonding wires A1 connecting the inner leads and the electrodes of the semiconductor chip are sealed, as in the conventional example. It has been stopped. An outer lead 12 connected to the inner lead extends outward from the package 11, and a portion close to the package 11 is bent downward along the side surface of the package 11. Then, at this bent part (outer lead 12
A recessed portion 13 is formed which is thinner than other portions.
本実施例において、凹部13はアウターリード12の長
手方向と直交する方向に形成された横溝からなり、横溝
の形成により折曲部分の断面積が他の部分の断面積より
も小さくなっている。これにより、折曲部分の強度が他
の部分の強度よりも小さくなり、曲げ応力によって容易
に曲げることが可能どなっている。かかる凹部13はリ
ードフレームをエツチングする際に、折曲部分をハーフ
エツヂングすることで8易に形成することができる。In this embodiment, the recess 13 is formed of a lateral groove formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the outer lead 12, and due to the formation of the lateral groove, the cross-sectional area of the bent portion is smaller than the cross-sectional area of the other portion. As a result, the strength of the bent portion is lower than the strength of other portions, making it possible to easily bend the bent portion due to bending stress. Such a recess 13 can be easily formed by half-etching the bent portion when etching the lead frame.
第3図は横溝からなる凹部13が形成されたアウターリ
ード12を、パッケージ11の側面に)1)って曲げる
工程を示している。同図(A)のように、力Fを凹部1
3よりもアウターリード12の長手方向外側に作用さけ
ると、凹部13の強度が他の部分より5小さいため、同
図(B)のように凹部13が折り目となって力E−の方
向に容易に折曲する。この折曲にあっては、凹部13の
強度が小さいため、パッケージ11に負荷する曲げ応力
による反力が小さく、パッケージ11どアウターリード
12との間に剥離が生じない。このため、信頼性の高い
半導体装置をyJ造することができる。FIG. 3 shows the step of bending the outer lead 12, in which the recess 13 consisting of a horizontal groove is formed, to the side surface of the package 11 (1). As shown in the same figure (A), force F is applied to the recess 1.
If the force is applied to the outside in the longitudinal direction of the outer lead 12 than 3, since the strength of the recess 13 is 5 smaller than other parts, the recess 13 becomes a crease as shown in FIG. bend it. In this bending, since the strength of the recess 13 is small, the reaction force due to the bending stress applied to the package 11 is small, and no separation occurs between the package 11 and the outer lead 12. Therefore, it is possible to manufacture a highly reliable semiconductor device.
なお、かかる凹部13の深さ、幅等の寸法は、アウター
リードの強度との相関関係によって適宜選定される。Note that dimensions such as the depth and width of the recess 13 are appropriately selected depending on the correlation with the strength of the outer lead.
第4図および第5図は本発明の別の実施例の側面図およ
び底面図を示している。この実施例ぐ(よアウターリー
ド12の折曲部分の下面に74j形状の凹部13が形成
されており、上記実施例と同種に折曲が容易となり、ア
・フタ−リード12どパッケージ11との間に剥離が生
じることがない。4 and 5 show side and bottom views of another embodiment of the invention. In this embodiment, a 74j-shaped recess 13 is formed on the lower surface of the bent portion of the outer lead 12, making it easy to bend the outer lead 12 and the package 11 in the same manner as in the above embodiment. No peeling occurs between the two.
なお、本発明においては種々の変更が可能である。凹部
13をアウターリードの上面あるいは上下両面に形成し
てもよく、その断面形状も長円形、等の他の形状として
もよい。Note that various modifications can be made to the present invention. The recess 13 may be formed on the upper surface or both upper and lower surfaces of the outer lead, and its cross-sectional shape may also be an oval or other shape.
(発明の効果)
以上の通り本発明では、アウターリードの折曲部分の断
面積が小さくなるようにしたので、アウターリードの折
曲が容易どなり、アウターリードとパッケージとの間に
剥離が生じることがない半導体装16が得られる。(Effects of the Invention) As described above, in the present invention, since the cross-sectional area of the bent portion of the outer lead is made small, the bending of the outer lead is easily caused and peeling occurs between the outer lead and the package. A semiconductor device 16 free from blemishes is obtained.
第1図は本発明に係る半導体装置の一実施例の側面図、
第2図はその底面図、第3図(A)、(B)は加工を示
す側面図、第4図は本発明の別の実施例の側面図、第5
図はその底面図、第6図は半導体装置の一例の斜視図、
第7図は従来装置の断面図、第8図はその加工後の断面
図ぐある。
3・・・半導体チップ、11・・・パッケージ、12・
・・アウターリード、13・・・凹部。
出願人代理人 佐 藤 −雄
<y
佑4図
第5図FIG. 1 is a side view of an embodiment of a semiconductor device according to the present invention;
Figure 2 is a bottom view, Figures 3 (A) and (B) are side views showing processing, Figure 4 is a side view of another embodiment of the present invention, and Figure 5 is a side view of another embodiment of the present invention.
The figure is a bottom view, FIG. 6 is a perspective view of an example of a semiconductor device,
FIG. 7 is a sectional view of the conventional device, and FIG. 8 is a sectional view of the device after processing. 3...Semiconductor chip, 11...Package, 12.
... Outer lead, 13... recess. Applicant's agent Yu Sato <y Yu 4 Figure 5
Claims (1)
と、このパッケージの側面から延出されこの側面の近傍
で一定の方向に折曲されるアウターリードとを備える半
導体装置において、前記アウターリードの折曲部分の横
断面積が他の部分より小さくされていることを特徴とす
る半導体装置。 2、前記アウターリードの折曲部分の下面に凹部が形成
されている特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 3、前記凹部がエッチングによって形成されている特許
請求の範囲第2項記載の半導体装置。[Claims] 1. A semiconductor device comprising a package that seals a mounting area of a semiconductor chip, and an outer lead that extends from a side surface of the package and is bent in a certain direction near the side surface, A semiconductor device characterized in that the cross-sectional area of the bent portion of the outer lead is smaller than other portions. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a recess is formed on the lower surface of the bent portion of the outer lead. 3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the recess is formed by etching.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60294543A JPS62154659A (en) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60294543A JPS62154659A (en) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154659A true JPS62154659A (en) | 1987-07-09 |
Family
ID=17809144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60294543A Pending JPS62154659A (en) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154659A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009010716A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Zetex Semiconductors Plc | Semiconductor chip package with bent outer leads |
| WO2025089206A1 (en) * | 2023-10-23 | 2025-05-01 | 株式会社日立製作所 | Electric power converting device |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP60294543A patent/JPS62154659A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009010716A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Zetex Semiconductors Plc | Semiconductor chip package with bent outer leads |
| WO2025089206A1 (en) * | 2023-10-23 | 2025-05-01 | 株式会社日立製作所 | Electric power converting device |
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