JPS6215814A - 真空材料の放出ガス低減法 - Google Patents
真空材料の放出ガス低減法Info
- Publication number
- JPS6215814A JPS6215814A JP15396485A JP15396485A JPS6215814A JP S6215814 A JPS6215814 A JP S6215814A JP 15396485 A JP15396485 A JP 15396485A JP 15396485 A JP15396485 A JP 15396485A JP S6215814 A JPS6215814 A JP S6215814A
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- JP
- Japan
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- gas
- vacuum
- mold
- susceptor
- crystal
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は真空材料の放出ガス低減法に関する。
一方向凝固方法によって、一様な組織の物質を得ること
は、溶融金属の場合には特開昭５７−１５６４号に記載
されているような方法で、また半導体合金の場合には特
開昭５７−１９１４９号に記載されている方法等で行な
われている。しかしながら超高真空材料時に、高融点材
料を一方向凝固法によって作製するとともに、それを放
出ガス低減のために超高真空容器内に用いた例は全くな
い。
は、溶融金属の場合には特開昭５７−１５６４号に記載
されているような方法で、また半導体合金の場合には特
開昭５７−１９１４９号に記載されている方法等で行な
われている。しかしながら超高真空材料時に、高融点材
料を一方向凝固法によって作製するとともに、それを放
出ガス低減のために超高真空容器内に用いた例は全くな
い。
本発明の目的は、真空装置の大気開放時に吸着するガス
を抑え、高温長時間のベーキング処理をより低温短時間
の処理で到達圧力を向上させる真空材料の放出ガス低減
法を提供することにある。
を抑え、高温長時間のベーキング処理をより低温短時間
の処理で到達圧力を向上させる真空材料の放出ガス低減
法を提供することにある。
真空材料表面へのガスの吸着は、表面に露出する結晶方
位と深い関係があることが、最近アトムプローブの実験
より明らかになった。ここで吸着する一ガスは、真空で
残留する水素、酸素、−酸化炭素であるが、これらのガ
スと超高真空材料とは弱いファンデルワールス力を中心
とした物理吸着や、比較的強く電子的に結びついた化学
吸着をする。いずれの場合にも、ガスの吸着量は、面密
度の高い低指数面では少なく、面密度の低い高指数面で
多くなる傾向にある。
位と深い関係があることが、最近アトムプローブの実験
より明らかになった。ここで吸着する一ガスは、真空で
残留する水素、酸素、−酸化炭素であるが、これらのガ
スと超高真空材料とは弱いファンデルワールス力を中心
とした物理吸着や、比較的強く電子的に結びついた化学
吸着をする。いずれの場合にも、ガスの吸着量は、面密
度の高い低指数面では少なく、面密度の低い高指数面で
多くなる傾向にある。
１０−１１Ｔｏｒｒ台の超高真空を達成させるためには
、真空容器や槽内部品に用いられる超高真空材料表面か
らの放出ガスをできる限り抑えなければならない。この
放出ガスは材料内部からの拡散によるものの他、大気開
放時のガスの表面吸着に強く影響される。ところが、こ
のガスの表面吸着量は材料表面の結晶方位に強く依存す
ることが最近アトムプローブによる実験で確められた。
、真空容器や槽内部品に用いられる超高真空材料表面か
らの放出ガスをできる限り抑えなければならない。この
放出ガスは材料内部からの拡散によるものの他、大気開
放時のガスの表面吸着に強く影響される。ところが、こ
のガスの表面吸着量は材料表面の結晶方位に強く依存す
ることが最近アトムプローブによる実験で確められた。
本発明は材料の結晶面を統一してガス吸着を抑え、放出
ガス量を減少させるようにしたものである。
ガス量を減少させるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。これ
は、真空用材料表面の結晶方向を統一するために行なう
一方向凝固用真空溶解鋳造炉の例である。真空容器１は
ポート２より排気し、高真空に保たれる。るつぼ３内の
モリブデン５は電子ガン４によって加熱溶融される。Ｍ
ｏサセプタ用鋳型６に溶融ＭＯを鋳込み、鋳型加熱炉７
内を、鋳型冷却板９で冷却しながら鋳型昇降用シャフト
１０を用いてゆっくりと引き下げることによって、結晶
の成長は増進させる。鋳型加熱炉７の内壁には黒鉛サセ
プタ８を用いる。製作する基板貼付用Ｍｏサセプタの表
面のうち、基板を貼付しかつ面積の広い表面を、ガスの
吸着しにくい［１１０）方向にあわせることにより、放
出ガス量の少ないＭｏサセプタを作製することができる
効果がある。
は、真空用材料表面の結晶方向を統一するために行なう
一方向凝固用真空溶解鋳造炉の例である。真空容器１は
ポート２より排気し、高真空に保たれる。るつぼ３内の
モリブデン５は電子ガン４によって加熱溶融される。Ｍ
ｏサセプタ用鋳型６に溶融ＭＯを鋳込み、鋳型加熱炉７
内を、鋳型冷却板９で冷却しながら鋳型昇降用シャフト
１０を用いてゆっくりと引き下げることによって、結晶
の成長は増進させる。鋳型加熱炉７の内壁には黒鉛サセ
プタ８を用いる。製作する基板貼付用Ｍｏサセプタの表
面のうち、基板を貼付しかつ面積の広い表面を、ガスの
吸着しにくい［１１０）方向にあわせることにより、放
出ガス量の少ないＭｏサセプタを作製することができる
効果がある。
次に本発明の他の実施例を第２図により説明する。これ
は、クラスタイオンビーム法を用いて超高真空容器内壁
に結晶膜を形成させる一例である。
は、クラスタイオンビーム法を用いて超高真空容器内壁
に結晶膜を形成させる一例である。
真空容器１１は、ポート１２により排気し高真空に保た
れる。蒸発用セル１３をヒータ１４で加熱し、加熱蒸発
してくるクラスタを電源１５の電子衝撃によりイオン化
させて、真空容器１１の内壁に堆積させる。さらに蒸着
された真空容器１１を、加熱炉１７によって高温に加熱
し、冷却用パイプ１８により徐々に冷却し、蒸着膜を方
位の揃った結晶ｌｌＡｌ６にする。以上のことより本実
施例によれば、ガスが吸着しにくく、放出ガスの少ない
真空容器を作製することができる効果がある。
れる。蒸発用セル１３をヒータ１４で加熱し、加熱蒸発
してくるクラスタを電源１５の電子衝撃によりイオン化
させて、真空容器１１の内壁に堆積させる。さらに蒸着
された真空容器１１を、加熱炉１７によって高温に加熱
し、冷却用パイプ１８により徐々に冷却し、蒸着膜を方
位の揃った結晶ｌｌＡｌ６にする。以上のことより本実
施例によれば、ガスが吸着しにくく、放出ガスの少ない
真空容器を作製することができる効果がある。
〔発明の効果ゴ
以上説明したように、本発明によれば、真空材料の表面
に吸若しにくい結晶面を露出させる本発明によれば、大
気開放的に吸着し、排気中に放出されるガスの量を抑制
することができるので、真空装置の到達圧力をより−・
層下げる効果がある。
に吸若しにくい結晶面を露出させる本発明によれば、大
気開放的に吸着し、排気中に放出されるガスの量を抑制
することができるので、真空装置の到達圧力をより−・
層下げる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の説明図で、第１図は、真空
中の一方向凝固法によって、真空部材を製作する装置の
模式図、第２図は、クラスタイオンビーム法を用いて、
真空容器内壁に結晶膜を形成させる装置の模式図である
。 １・・・真空容器、２・・・排気、３・・・るつぼ、４
・・・電子ガン、５・・・モリブデン、６・・・Ｍｏサ
セプタ用鋳型、７・・・鋳型加熱炉、８・・・黒鉛サセ
プタ、９・・・鋳型冷却板、１０・・・鋳型昇降用シャ
フト、１１・・・真空容器、１２・・・ホード、１３・
・・蒸発用セル、１４・・・ヒータ、１５・・・電子部
！！朋電源、１６・・・結晶膜、１７・・・真空容器加
熱用炉、１８・・・真空容器冷却用パイプ。
中の一方向凝固法によって、真空部材を製作する装置の
模式図、第２図は、クラスタイオンビーム法を用いて、
真空容器内壁に結晶膜を形成させる装置の模式図である
。 １・・・真空容器、２・・・排気、３・・・るつぼ、４
・・・電子ガン、５・・・モリブデン、６・・・Ｍｏサ
セプタ用鋳型、７・・・鋳型加熱炉、８・・・黒鉛サセ
プタ、９・・・鋳型冷却板、１０・・・鋳型昇降用シャ
フト、１１・・・真空容器、１２・・・ホード、１３・
・・蒸発用セル、１４・・・ヒータ、１５・・・電子部
！！朋電源、１６・・・結晶膜、１７・・・真空容器加
熱用炉、１８・・・真空容器冷却用パイプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空材料の表面の結晶方向を揃え表面から放出する
ガスの少ない結晶面を露出させ、材料からの放出ガスを
低減することを特徴とする真空材料の放出ガス低減法。 ２、真空材料の表面に、結晶方位を揃えた膜を蒸着し、
表面からの放出ガス量の少ない結晶面を形成させ、材料
からの放出ガスを低減することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の真空材料の放出ガス低減法。 ３、真空材料を一方向制御法により結晶方位を揃えて凝
固させ、表面からの放出ガス量の少ない結晶面を露出さ
せて、材料からの放出ガスを低減することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の真空材料の放出ガス低減法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15396485A JPS6215814A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 真空材料の放出ガス低減法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15396485A JPS6215814A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 真空材料の放出ガス低減法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215814A true JPS6215814A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15573915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15396485A Pending JPS6215814A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 真空材料の放出ガス低減法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215814A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01307211A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成装置 |
| JPH04130044U (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | 三洋電機株式会社 | 光センサ |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP15396485A patent/JPS6215814A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01307211A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成装置 |
| JPH04130044U (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | 三洋電機株式会社 | 光センサ |
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