JPS6215814B2 - - Google Patents
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- JPS6215814B2 JPS6215814B2 JP55075863A JP7586380A JPS6215814B2 JP S6215814 B2 JPS6215814 B2 JP S6215814B2 JP 55075863 A JP55075863 A JP 55075863A JP 7586380 A JP7586380 A JP 7586380A JP S6215814 B2 JPS6215814 B2 JP S6215814B2
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- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/10544—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum
- G06K7/10821—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum further details of bar or optical code scanning devices
- G06K7/10841—Particularities of the light-sensitive elements
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は等倍型光センサ、特にフアクシミリな
どに用いられる等倍型イメージセンサ(以下イメ
ージセンサという。)に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a 1-magnification optical sensor, and particularly to a 1-magnification image sensor (hereinafter referred to as an image sensor) used in facsimiles and the like.
今日あるイメージセンサの多くは、最近の半導
体技術の進歩により著しい発展を遂げた。特に光
検出部であるフオトダイオードの小型化によりイ
メージセンサ自体も小型なものとなつた。一方、
イメージセンサはその性質上、被検出対象(以下
これを原稿という。)の画像等を捕えるための照
明光源を必要とし、また場合によつては画像を明
確に捕えるための光学系を必要とする。 Many of today's image sensors have undergone significant development due to recent advances in semiconductor technology. In particular, the image sensor itself has become smaller due to the miniaturization of the photodiode, which is the light detection section. on the other hand,
Due to its nature, an image sensor requires an illumination light source to capture an image of the object to be detected (hereinafter referred to as a document), and in some cases requires an optical system to clearly capture the image. .
従来用いられている照明光源として冷光源であ
る螢光灯などが代表的であるが、螢光灯などの従
来の照明光源はその形状等に起因して発散光束の
ごく一部(約数%)しか画像検出のために利用で
きないのが現状である。つまり、普通、螢光管は
柱状(管状)をなしているが、その放射束は中心
より放射状に分布するため、放射された一部の光
のみが原稿に照射されるだけだからである。この
ようなことから、従来の照明系によれば、照明効
率が悪く、消費電力の割には有効に働いておら
ず、また電源回路の大容量化が余儀なくされるも
のであつた。加えて、螢光灯などの照明系は光検
出部の装置全体が大きくなるものであつた。これ
らを解決するためLEDアレイを用いた場合、装
置の小型化という点では解消されるものの、反射
光の集光効率に問題が残る。 Fluorescent lamps, which are cold light sources, are representative of conventionally used illumination light sources. ) is currently available for image detection. In other words, although a fluorescent tube is normally columnar (tubular), its radiant flux is distributed radially from the center, so only a portion of the emitted light is irradiated onto the document. For these reasons, conventional lighting systems have poor lighting efficiency, do not work effectively in terms of power consumption, and have been forced to increase the capacity of the power supply circuit. In addition, in the case of an illumination system such as a fluorescent lamp, the entire device including the light detection section becomes large. If an LED array is used to solve these problems, it will reduce the size of the device, but there will still be problems with the efficiency of collecting reflected light.
また、照明光源からの光束の焦点を原稿に合わ
せるため、あるいは原稿からの反射光の集光のた
めに光学系を用いた場合、その配置スペースの関
係上、装置の大型化は免れない。さらに、光束の
焦点調節や原稿紙の振動に対する対策が必要をな
るなど、多大の労力を要することとなる。 Furthermore, if an optical system is used to focus the light flux from the illumination light source onto the original or to condense the reflected light from the original, the size of the apparatus inevitably increases due to the space required for its arrangement. Furthermore, it requires a great deal of effort, such as the need to adjust the focus of the light beam and take measures against vibrations of the original paper.
そこで、本発明は上記問題点を解消するととも
に、照明効率の向上、装置の小型を可能とする等
倍型イメージセンサを提供することを目的する。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a 1-magnification image sensor that solves the above-mentioned problems, improves illumination efficiency, and makes it possible to downsize the device.
本発明の主な特徴は、フオトダイオードと照明
光源であるエレクトロルミネセンスを同一の透明
基板上に併設し、一切の光学系を介さずに原稿か
らの反射光を受光するようにした点にある。 The main feature of the present invention is that a photodiode and an electroluminescent illumination light source are installed on the same transparent substrate, and the reflected light from the original is received without going through any optical system. .
以下本発明を図示する実施例に基づいて詳述す
る。 The present invention will be described in detail below based on illustrated embodiments.
実施例 1 …第1図〜第4図参照。Example 1 ...See Figures 1 to 4.
第1図はこの実施例におけるイメージセンサの
概要を示す外観斜視図である。図中、1は透明基
板を示している。この透明基板1としては耐熱
性、耐薬品性を有するガラス材(例えばコーニン
グ#7740や石英ガラス)が適当である。2は光検
出部を示している。この光検出部2は透明基板1
の一側の面(図において上面)に透明基板1の長
手方向に直線状に設けられている。3はエレクト
ロルミネセンス(以下ELという。)を示してい
る。このEL3は光検出部2に対向して透明基板
1の他側の面(図において下面)に直線状に設け
られている。4,5は光検出部2からの光検出信
号を取出すための金属電極である。 FIG. 1 is an external perspective view showing an outline of the image sensor in this embodiment. In the figure, 1 indicates a transparent substrate. As the transparent substrate 1, a glass material having heat resistance and chemical resistance (for example, Corning #7740 or quartz glass) is suitable. 2 indicates a photodetector. This light detection section 2 is a transparent substrate 1
It is provided linearly in the longitudinal direction of the transparent substrate 1 on one side surface (upper surface in the figure). 3 indicates electroluminescence (hereinafter referred to as EL). The EL 3 is provided in a straight line on the other surface of the transparent substrate 1 (lower surface in the figure), facing the photodetector section 2 . 4 and 5 are metal electrodes for extracting a photodetection signal from the photodetection section 2.
第2図、第3図に光検出部2の配列状態を示
す。すなわち、光検出部2は原稿6において検出
すべき画素数に対応する数の個々に独立したフオ
トダイオード7が互に所定の間隔tを有して配列
されてなる。この間隔tは後述するようにEL3
からの照明光を採光するための採光窓として機能
する。これに対してEL3は連続的に設けられて
いる。 FIGS. 2 and 3 show the arrangement of the photodetecting sections 2. FIG. That is, the photodetection section 2 is made up of a number of independent photodiodes 7 corresponding to the number of pixels to be detected in the document 6, which are arranged at a predetermined interval t from each other. This interval t is EL3 as described later.
It functions as a lighting window to let in the illumination light from the outside. On the other hand, EL3 is provided continuously.
第4図に光検出部2とEL3の構造例を第3図
の―断面として示す。フオトダイオード7
は、―系へテロ接合フオトダイオード、又は
アモルフアスカルコゲナイト・フオトダイオード
等が用いられる。第4図の例ではCds―CdTe―
Teの接合構造となつている。このフオトダイオ
ード7はCdsを受光面としている。また、このフ
オトダイオード7にはブロツキングダイオード8
が一体に設けられている。ブロツキングダイオー
ド8はCds―Teの接合構造を有している。9は
フオトダイオード8と金属電極4とを接続するた
めの透明電極であり、SnO2、InO3等が用いられ
る。以上の金属電極4,5、フオトダイオード
7、ブロツキングダイオード8はSiO2の保護層
10により覆われている。なお、Teはフオトダ
イオード7とブロツキングダイオード8とを結合
するための電極として、かつ遮光層としての役目
をもつている。 FIG. 4 shows an example of the structure of the photodetecting section 2 and the EL 3 as a cross section along the line shown in FIG. Photodiode 7
For example, a --based heterojunction photodiode or an amorphous achalcogenite photodiode is used. In the example in Figure 4, Cds―CdTe―
It has a Te bonding structure. This photodiode 7 has Cds as its light receiving surface. Additionally, this photodiode 7 includes a blocking diode 8.
are integrated. The blocking diode 8 has a Cds-Te junction structure. 9 is a transparent electrode for connecting the photodiode 8 and the metal electrode 4, and SnO 2 , InO 3 or the like is used. The metal electrodes 4 and 5, photodiode 7, and blocking diode 8 described above are covered with a protective layer 10 of SiO 2 . Note that Te serves as an electrode for coupling the photodiode 7 and the blocking diode 8 and also as a light shielding layer.
EL3としては、MnをドープしたZnSなどが代
表的であり、透明基板1上に形成されたSnO2、
In2O3等からなる透明電極11上に設けられ、対
電極としてAl等の金属電極13を用いて固着さ
れている。保護層12としてSiO2等をEL3上に
設けてもよい。なお、以上の構造は全て薄膜で形
成されている。 EL3 is typically made of Mn-doped ZnS, and SnO 2 formed on the transparent substrate 1,
It is provided on a transparent electrode 11 made of In 2 O 3 or the like, and fixed using a metal electrode 13 of Al or the like as a counter electrode. SiO 2 or the like may be provided on the EL 3 as the protective layer 12. Note that all of the above structures are formed of thin films.
さて、本発明によるイメージセンサは第2図に
示すようにフオトダイオード7の受光面が原稿面
に近接した状態で用いられる。EL3から発光さ
れた光は透明基板1を通過し、隣接するフオトダ
イオード7,7間の間隙tの間を通つて原稿面に
照射される。その反射光は直接フオトダイオード
7の受光面に入射される。 Now, the image sensor according to the present invention is used in a state where the light receiving surface of the photodiode 7 is close to the surface of the document, as shown in FIG. The light emitted from the EL 3 passes through the transparent substrate 1, passes through the gap t between adjacent photodiodes 7, and is irradiated onto the document surface. The reflected light is directly incident on the light receiving surface of the photodiode 7.
かくして、EL3とフオトダイオード7とを上
述の如く同一透明基板1に併設したことにより、
原稿6に対する照明は近接した位置にあるEL3
によつて効率よくしかも充分な光量で行うことが
でき、かつ、光検出は原稿での反射光を直接受光
することにより行うことができる。かかる構成と
したことにより、従来のように照明並びに光学系
に起因する装置の大型化を防止し、きわめて効率
がよくしかも装置を小型化しうるイメージセンサ
を提供しうる。 Thus, by arranging the EL3 and the photodiode 7 on the same transparent substrate 1 as described above,
The illumination for the original 6 is provided by EL3 located close to it.
This can be carried out efficiently and with a sufficient amount of light, and the light detection can be carried out by directly receiving the light reflected by the original. With this configuration, it is possible to prevent the device from increasing in size due to the illumination and optical system as in the past, and to provide an image sensor that is extremely efficient and allows the device to be miniaturized.
実施例 …第5図〜第7図参照。Example ...See Figures 5 to 7.
この実施例において、先の実施例Iと異なる点
はフオトダイオードとELとが同一透明基板上の
同一面上に併設されていることである。すなわ
ち、第5図、第6図に示すように、透明基板1の
一側の面(図では上面)に連続して直線状にEL
3が設けられ、その上にフオトダイオード7とブ
ロツキングダイオード8とが積層形成されてい
る。このフオトダイオード7およびブロツキング
ダイオード8の組み合わせは実施例Iと同様に所
定の間隔tを有して配列されている。 This embodiment differs from the previous embodiment I in that the photodiode and the EL are arranged on the same surface of the same transparent substrate. That is, as shown in FIGS. 5 and 6, the EL is formed continuously on one side of the transparent substrate 1 (the top surface in the figure) in a straight line.
3, on which a photodiode 7 and a blocking diode 8 are laminated. This combination of photodiode 7 and blocking diode 8 is arranged with a predetermined interval t as in Embodiment I.
第7図にフオトダイオード7とEL3との積層
構造を第6図の―断面にて示す。フオトダイ
オード7自体の構造(Cds―CdTe―Te)とEL3
自体の構造(MnをドープしたZnS)は実施例I
と変りはない。しかし、フオトダイオード7と
EL3との間にはSiO2よりなる絶縁膜14が介在
し、かつEL3用の透明電極15(SnO2、
In2O3)が介在している。その他の構成は同一なの
で実施例Iと同一の符号で示す。 FIG. 7 shows the laminated structure of the photodiode 7 and the EL 3, taken along the cross section shown in FIG. Structure of photodiode 7 itself (Cds-CdTe-Te) and EL3
The structure itself (Mn-doped ZnS) is Example I
There is no difference. However, photodiode 7 and
An insulating film 14 made of SiO 2 is interposed between the EL 3 and a transparent electrode 15 (SnO 2 ,
In 2 O 3 ) is present. Since the other configurations are the same, they are designated by the same reference numerals as in Example I.
かかる構成により、第5図に示すように、EL
3から発光された光は間隙tを通過して原稿6に
照射され、かつ、その反射光も直接フオトダイオ
ード7に受光されることとなる。したがつて本実
施例の場合はEL3からの光が直接原稿に照射さ
れるので照明効率ならびにフオートダイオード7
に対する集光効率を一層向上させることができ
る。 With this configuration, as shown in FIG.
The light emitted from the photodiode 3 passes through the gap t and is irradiated onto the original 6, and the reflected light is also directly received by the photodiode 7. Therefore, in the case of this embodiment, the light from EL3 is directly irradiated onto the document, so the illumination efficiency and photodiode 7 are
It is possible to further improve the light collection efficiency.
実施例 …第8図〜第13図参照。Example ...See Figures 8 to 13.
この実施例におけるイメージセンサの特徴は、
フオトダイオードとELとを透明基板の同一面上
に併設し、フオトダイオードを連続的に配列させ
る一方、ELを適当な間隔をおいてフオトダイオ
ードに平行に配列し、光検出に際しては個々の
ELを走査駆動するように成し、かつ、EL駆動用
の駆動回路を集積化させて前記透明基板上に併設
した点にある。 The features of the image sensor in this example are:
A photodiode and an EL are placed on the same surface of a transparent substrate, and the photodiode is arranged continuously, while the EL is arranged parallel to the photodiode at an appropriate interval, and when detecting light, each photodiode is arranged parallel to the photodiode.
The EL is configured to scan and drive, and a drive circuit for driving the EL is integrated and placed on the transparent substrate.
すなわち、第8図はこの実施例におけるイメー
ジセンサの概要を示す外観斜視図である。図中、
31は透明基板を示している。この透明基板31
としては耐熱性、耐薬品性を有するガラス材(例
えばコーニング#7740や石英ガラス)が適当であ
る。32は光検出部を示している。この光検出部
32は透明基板31上の一側の面(図において上
面)に設けられており、透明基板31の長手方向
に連続して直線状に設けられている。 That is, FIG. 8 is an external perspective view showing an outline of the image sensor in this embodiment. In the figure,
31 indicates a transparent substrate. This transparent substrate 31
A suitable material is a glass material having heat resistance and chemical resistance (for example, Corning #7740 or quartz glass). 32 indicates a photodetector. The photodetector 32 is provided on one side of the transparent substrate 31 (the upper surface in the figure), and is provided continuously in a straight line in the longitudinal direction of the transparent substrate 31.
ここで、光検出部32は原稿33の検出すべき
画素の数に対応した数のフオトダイオード34が
個々に独立して(すなわち電気的に絶縁された状
態で)連続的に配列されているものである。フオ
トダイオード34としては、―系ヘテロ接合
フオトダイオード又はアモルフアスカルコゲナイ
ト・フオトダイオード等が用いられる。本実施例
では第9図に示すようにCds―CdTe―Te積層構
造のものが用いられている。35はAu等の金属
電極である。 Here, the photodetector 32 has a number of photodiodes 34 corresponding to the number of pixels to be detected of the original 33 that are individually and continuously arranged (that is, in an electrically insulated state). It is. As the photodiode 34, a --based heterojunction photodiode, an amorphous ascalcogenite photodiode, or the like is used. In this embodiment, as shown in FIG. 9, a Cds-CdTe-Te laminated structure is used. 35 is a metal electrode such as Au.
36はELを示している。このEL36は前記画
素数に対応した数のELが互に所定の間隔を有し
て光検出部32に平行して配列されてなる。EL
36としてはZnS等が用いられ、第9図に示すよ
うにAu等の金属電極37とともにフオトダイオ
ード34に隣接して固着されている。 36 indicates EL. The EL 36 is made up of a number of ELs corresponding to the number of pixels arranged parallel to the photodetector 32 with a predetermined interval between them. EL
ZnS or the like is used as the material 36, and as shown in FIG. 9, it is fixed adjacent to the photodiode 34 together with a metal electrode 37 made of Au or the like.
以上のフオトダイオード34およびEL36は
透明基板31上に形成されたSnO2等の薄膜透明
電極38上に設けられ、この電極38を共通の電
適としている。第9図において、透明基板31の
他側の面(図において下面)には黒体スリツト3
9が設けられ、フオトダイオード34の受光面
(Cds面)に対応した部分においてスリツト状に
開口されている。このスリツト42は原稿33の
検出窓として用いられる。 The above photodiode 34 and EL 36 are provided on a thin film transparent electrode 38 made of SnO 2 or the like formed on a transparent substrate 31, and this electrode 38 is used as a common electrode. In FIG. 9, a black body slit 3 is provided on the other side of the transparent substrate 31 (lower surface in the figure).
9, which is opened in a slit shape at a portion corresponding to the light receiving surface (Cds surface) of the photodiode 34. This slit 42 is used as a detection window for the original 33.
40はEL36用の発光走査駆動回路を示して
いる。この駆動回路40は集積化されて透明基板
31上に併設されている。駆動回路40の一例を
第11図に示す。駆動回路40は各EL36に接
続されたダイオードマトリクス回路と、駆動すべ
きELを選択するスイツチング回路SA〜SD,S1
〜Soと、このスイツチング回路を順次走査する
走査回路41よりなる。 40 indicates a light emission scanning drive circuit for the EL36. This drive circuit 40 is integrated and placed on the transparent substrate 31. An example of the drive circuit 40 is shown in FIG. The drive circuit 40 includes a diode matrix circuit connected to each EL 36 and a switching circuit S A to S D , S 1 that selects the EL to be driven.
~S o and a scanning circuit 41 that sequentially scans this switching circuit.
走査回路41は例えばシフトレジスタ、マルチ
プレクサ、リングカウンタ等を用い、第12図に
示すようなタイミングの走査信号を各スイツチS
A〜SD,S1〜Soに与える。つまり、スイツチS1
〜Soは所定数のEL36を1グループとして(第
11図では4個)接続されており、例えば第12
図のS1の信号が“High”レベルのときスイツチ
SA〜SDが順次HighレベルになつてEL36を左
から順次点灯させるようになつている。なお、Z
A〜ZDはEL36の点灯時における負荷抵抗、Ps
は電源である。この電源はEL36が分散直流か
交流駆動の真性ELかによつて直流又は交流の電
源とする。その場合の波形を第13図に示す。破
線DCが直流駆動、実線ACが交流駆動の場合の波
形である。 The scanning circuit 41 uses, for example, a shift register, a multiplexer, a ring counter, etc., and sends a scanning signal with the timing shown in FIG. 12 to each switch S.
Give to A to S D and S 1 to S o . In other words, Switch S 1
~S o is connected to a predetermined number of EL36 as one group (four in Fig. 11), for example, the 12th
When the signal S1 in the figure is at the "High" level, the switches S A to S D sequentially go to the High level, causing the EL 36 to light up sequentially from the left. In addition, Z
A to Z D is the load resistance when EL36 is lit, Ps
is the power supply. This power source is a DC or AC power source depending on whether the EL 36 is a distributed DC or an AC driven intrinsic EL. The waveform in that case is shown in FIG. The broken line DC is the waveform for DC drive, and the solid line AC is the waveform for AC drive.
以上の構成において、第9図に示すようにEL
36から発光された光は透明基板31を通過して
スリツト42より原稿33に照射される。その反
射光は再び透明基板を介してフオトダイオード3
2のCds面に入射され、光電変換される。フオト
ダイオード32の出力信号は増幅器43により増
幅され、次いでビデオ信号発生器44に入力され
る。 In the above configuration, the EL
The light emitted from 36 passes through transparent substrate 31 and is irradiated onto document 33 through slit 42 . The reflected light passes through the transparent substrate again to the photodiode 3.
The light is incident on the Cds surface of 2 and is photoelectrically converted. The output signal of photodiode 32 is amplified by amplifier 43 and then input to video signal generator 44 .
このようにしてフオトダイオード32とEL3
6とを近接して同一透明基板31上に併設したこ
とにより、EL36からの光が効率よく原稿に照
射されることとなり、また原稿に近接して照明
し、かつ受光するため少ない消費電力で確実に画
像検出することができる。したがつて照明効率の
向上、装置の大幅な小型化を図ることができる。 In this way photodiode 32 and EL3
By arranging the EL 36 and the EL 6 in close proximity on the same transparent substrate 31, the light from the EL 36 can be efficiently irradiated onto the document, and since it is illuminated and received close to the document, it can be reliably illuminated with low power consumption. The image can be detected. Therefore, the lighting efficiency can be improved and the device can be significantly downsized.
第10図は第9図の実施例において、EL36
からの散乱光、回折光の影響を少なくするため、
透明基板31に凹部45を形成し、かつその凹部
45の底部に図示の如くθ゜の傾きを形成して
S/N比を向上させたものである。その他の構造
は第9図のものと同一なので説明は省略する。 Figure 10 shows the EL36 in the embodiment of Figure 9.
In order to reduce the influence of scattered light and diffracted light from
A recess 45 is formed in the transparent substrate 31, and the bottom of the recess 45 is inclined at θ° as shown in the figure to improve the S/N ratio. The rest of the structure is the same as that in FIG. 9, so a description thereof will be omitted.
以上の通り本発明によれば、光検出素子として
のフオトダイオードと照明光源としてのエレクト
ロルミネセンスとを同一透明基板上に併設したこ
とにより、従来の如き大型照明ならびに集光等の
ための光学系が不要となり、原稿画像を等倍で得
られ、しかも照明効率が改善され、利用装置を大
幅に小型化しうる等倍光センサを提供することが
できる。 As described above, according to the present invention, by providing a photodiode as a photodetecting element and an electroluminescent device as an illumination light source on the same transparent substrate, an optical system for large-scale illumination and light condensing, etc. It is possible to provide a 1-size optical sensor that eliminates the need for a 1-size original image, can obtain an original image at 1-size magnification, has improved illumination efficiency, and can significantly reduce the size of the device used.
第1図〜第4図は本発明の実施例Iを示し、第
1図はイメージセンサの概要を示す外観斜視図、
第2図はフオトダイオードの配列状態を示す部分
拡大断面図、第3図は同平面図、第4図は第3図
における―断面でみたフオトダイオードおよ
びエレクトロルミネセンスの構造を示す断面図で
ある。第5図〜第7図は本発明の実施例を示
し、第5図はフオトダイオードの配列状態とエレ
クトロルミネセンスの形成状態を示す部分拡大断
面、第6図は同平面図、第7図は第6図の―
断面でみたフオトダイオードとエレクトロルミネ
センスの構造を示す断面図である。第8図〜第1
3図は本発明の実施例を示し、第8図はイメー
ジセンサの概要を示す外観斜視図、第9図はフオ
トダイオードとエレクトロルミネセンスの構造を
示す断面図、第10図はエレクトロルミネセンス
を傾斜させた場合の構造例を示す断面図、第11
図はエレクトロルミネセンスの発光走査駆動回路
の例を示す回路図、第12図はエレクトロルミネ
センスの駆動信号のタイミングチヤート、第13
図は駆動信号の波形例を示す波形図である。
1…透明基板、2…光検出部、3…エレクトロ
ルミネセンス、6…原稿、7…フオトダイオー
ド、31…透明基板、32…光検出部、33…原
稿、34…フオトダイオード、36…エレクトロ
ルミネセンス。
1 to 4 show Example I of the present invention, and FIG. 1 is an external perspective view showing an outline of the image sensor,
Fig. 2 is a partially enlarged sectional view showing the arrangement of photodiodes, Fig. 3 is a plan view of the same, and Fig. 4 is a sectional view showing the structure of photodiodes and electroluminescence as seen from the cross section in Fig. 3. . 5 to 7 show examples of the present invention, FIG. 5 is a partially enlarged cross section showing the arrangement of photodiodes and the formation of electroluminescence, FIG. 6 is a plan view of the same, and FIG. Figure 6 -
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of a photodiode and electroluminescence in cross section. Figure 8-1
3 shows an embodiment of the present invention, FIG. 8 is an external perspective view showing an overview of the image sensor, FIG. 9 is a sectional view showing the structure of a photodiode and electroluminescence, and FIG. 10 is a diagram showing an electroluminescence structure. Cross-sectional view showing an example of the structure when tilted, No. 11
The figure is a circuit diagram showing an example of an electroluminescence light emission scanning drive circuit, FIG. 12 is a timing chart of an electroluminescence drive signal, and FIG.
The figure is a waveform diagram showing an example of the waveform of a drive signal. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Transparent substrate, 2... Photodetection part, 3... Electroluminescence, 6... Original, 7... Photodiode, 31... Transparent substrate, 32... Photodetection part, 33... Original, 34... Photodiode, 36... Electroluminescence sense.
Claims (1)
されたフオトダイオードと、 前記透明基板の前記第1面と反対側の第2面上
に形成されたエレクトロルミネセンスとを備え、 このエレクトロルミネセンスから照射された光
が、前記透明基板を透過して前記被検出対象に達
し、前記被検出対象によつて反射された光を前記
フオトダイオードにより受光することを特徴とす
る等倍型光センサ。[Scope of Claims] 1. A transparent substrate, a photodiode formed on a first surface of the transparent substrate on the side to be detected, and a photodiode formed on a second surface of the transparent substrate opposite to the first surface. The light emitted from the electroluminescence passes through the transparent substrate and reaches the object to be detected, and the light reflected by the object to be detected is reflected by the photodiode. A 1x optical sensor that is characterized by the ability to receive light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7586380A JPS571930A (en) | 1980-06-05 | 1980-06-05 | Equal magnification type photosensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7586380A JPS571930A (en) | 1980-06-05 | 1980-06-05 | Equal magnification type photosensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS571930A JPS571930A (en) | 1982-01-07 |
| JPS6215814B2 true JPS6215814B2 (en) | 1987-04-09 |
Family
ID=13588506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7586380A Granted JPS571930A (en) | 1980-06-05 | 1980-06-05 | Equal magnification type photosensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS571930A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102219705B1 (en) * | 2014-05-09 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | Spectro-sensor and spectrometer employing the spectro-sensor |
| EP2942618B1 (en) * | 2014-05-09 | 2017-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd | Spectro-sensor and spectrometer employing the same |
| WO2019097839A1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 株式会社カネカ | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54176391U (en) * | 1978-06-01 | 1979-12-13 | ||
| JPS5555228A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Optical element |
-
1980
- 1980-06-05 JP JP7586380A patent/JPS571930A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS571930A (en) | 1982-01-07 |
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