JPS6215814B2 - - Google Patents
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- JPS6215814B2 JPS6215814B2 JP55075863A JP7586380A JPS6215814B2 JP S6215814 B2 JPS6215814 B2 JP S6215814B2 JP 55075863 A JP55075863 A JP 55075863A JP 7586380 A JP7586380 A JP 7586380A JP S6215814 B2 JPS6215814 B2 JP S6215814B2
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- Japan
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- photodiode
- transparent substrate
- light
- original
- electroluminescence
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/10544—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum
- G06K7/10821—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum further details of bar or optical code scanning devices
- G06K7/10841—Particularities of the light-sensitive elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は等倍型光センサ、特にフアクシミリな
どに用いられる等倍型イメージセンサ（以下イメ
ージセンサという。）に関する。
どに用いられる等倍型イメージセンサ（以下イメ
ージセンサという。）に関する。
今日あるイメージセンサの多くは、最近の半導
体技術の進歩により著しい発展を遂げた。特に光
検出部であるフオトダイオードの小型化によりイ
メージセンサ自体も小型なものとなつた。一方、
イメージセンサはその性質上、被検出対象（以下
これを原稿という。）の画像等を捕えるための照
明光源を必要とし、また場合によつては画像を明
確に捕えるための光学系を必要とする。
体技術の進歩により著しい発展を遂げた。特に光
検出部であるフオトダイオードの小型化によりイ
メージセンサ自体も小型なものとなつた。一方、
イメージセンサはその性質上、被検出対象（以下
これを原稿という。）の画像等を捕えるための照
明光源を必要とし、また場合によつては画像を明
確に捕えるための光学系を必要とする。
従来用いられている照明光源として冷光源であ
る螢光灯などが代表的であるが、螢光灯などの従
来の照明光源はその形状等に起因して発散光束の
ごく一部（約数％）しか画像検出のために利用で
きないのが現状である。つまり、普通、螢光管は
柱状（管状）をなしているが、その放射束は中心
より放射状に分布するため、放射された一部の光
のみが原稿に照射されるだけだからである。この
ようなことから、従来の照明系によれば、照明効
率が悪く、消費電力の割には有効に働いておら
ず、また電源回路の大容量化が余儀なくされるも
のであつた。加えて、螢光灯などの照明系は光検
出部の装置全体が大きくなるものであつた。これ
らを解決するためLEDアレイを用いた場合、装
置の小型化という点では解消されるものの、反射
光の集光効率に問題が残る。
る螢光灯などが代表的であるが、螢光灯などの従
来の照明光源はその形状等に起因して発散光束の
ごく一部（約数％）しか画像検出のために利用で
きないのが現状である。つまり、普通、螢光管は
柱状（管状）をなしているが、その放射束は中心
より放射状に分布するため、放射された一部の光
のみが原稿に照射されるだけだからである。この
ようなことから、従来の照明系によれば、照明効
率が悪く、消費電力の割には有効に働いておら
ず、また電源回路の大容量化が余儀なくされるも
のであつた。加えて、螢光灯などの照明系は光検
出部の装置全体が大きくなるものであつた。これ
らを解決するためLEDアレイを用いた場合、装
置の小型化という点では解消されるものの、反射
光の集光効率に問題が残る。
また、照明光源からの光束の焦点を原稿に合わ
せるため、あるいは原稿からの反射光の集光のた
めに光学系を用いた場合、その配置スペースの関
係上、装置の大型化は免れない。さらに、光束の
焦点調節や原稿紙の振動に対する対策が必要をな
るなど、多大の労力を要することとなる。
せるため、あるいは原稿からの反射光の集光のた
めに光学系を用いた場合、その配置スペースの関
係上、装置の大型化は免れない。さらに、光束の
焦点調節や原稿紙の振動に対する対策が必要をな
るなど、多大の労力を要することとなる。
そこで、本発明は上記問題点を解消するととも
に、照明効率の向上、装置の小型を可能とする等
倍型イメージセンサを提供することを目的する。
に、照明効率の向上、装置の小型を可能とする等
倍型イメージセンサを提供することを目的する。
本発明の主な特徴は、フオトダイオードと照明
光源であるエレクトロルミネセンスを同一の透明
基板上に併設し、一切の光学系を介さずに原稿か
らの反射光を受光するようにした点にある。
光源であるエレクトロルミネセンスを同一の透明
基板上に併設し、一切の光学系を介さずに原稿か
らの反射光を受光するようにした点にある。
以下本発明を図示する実施例に基づいて詳述す
る。
る。
実施例 １
…第１図〜第４図参照。
第１図はこの実施例におけるイメージセンサの
概要を示す外観斜視図である。図中、１は透明基
板を示している。この透明基板１としては耐熱
性、耐薬品性を有するガラス材（例えばコーニン
グ＃7740や石英ガラス）が適当である。２は光検
出部を示している。この光検出部２は透明基板１
の一側の面（図において上面）に透明基板１の長
手方向に直線状に設けられている。３はエレクト
ロルミネセンス（以下ELという。）を示してい
る。このEL３は光検出部２に対向して透明基板
１の他側の面（図において下面）に直線状に設け
られている。４，５は光検出部２からの光検出信
号を取出すための金属電極である。
概要を示す外観斜視図である。図中、１は透明基
板を示している。この透明基板１としては耐熱
性、耐薬品性を有するガラス材（例えばコーニン
グ＃7740や石英ガラス）が適当である。２は光検
出部を示している。この光検出部２は透明基板１
の一側の面（図において上面）に透明基板１の長
手方向に直線状に設けられている。３はエレクト
ロルミネセンス（以下ELという。）を示してい
る。このEL３は光検出部２に対向して透明基板
１の他側の面（図において下面）に直線状に設け
られている。４，５は光検出部２からの光検出信
号を取出すための金属電極である。
第２図、第３図に光検出部２の配列状態を示
す。すなわち、光検出部２は原稿６において検出
すべき画素数に対応する数の個々に独立したフオ
トダイオード７が互に所定の間隔ｔを有して配列
されてなる。この間隔ｔは後述するようにEL３
からの照明光を採光するための採光窓として機能
する。これに対してEL３は連続的に設けられて
いる。
す。すなわち、光検出部２は原稿６において検出
すべき画素数に対応する数の個々に独立したフオ
トダイオード７が互に所定の間隔ｔを有して配列
されてなる。この間隔ｔは後述するようにEL３
からの照明光を採光するための採光窓として機能
する。これに対してEL３は連続的に設けられて
いる。
第４図に光検出部２とEL３の構造例を第３図
の―断面として示す。フオトダイオード７
は、―系へテロ接合フオトダイオード、又は
アモルフアスカルコゲナイト・フオトダイオード
等が用いられる。第４図の例ではCds―CdTe―
Teの接合構造となつている。このフオトダイオ
ード７はCdsを受光面としている。また、このフ
オトダイオード７にはブロツキングダイオード８
が一体に設けられている。ブロツキングダイオー
ド８はCds―Teの接合構造を有している。９は
フオトダイオード８と金属電極４とを接続するた
めの透明電極であり、SnO2、InO3等が用いられ
る。以上の金属電極４，５、フオトダイオード
７、ブロツキングダイオード８はSiO2の保護層
１０により覆われている。なお、Teはフオトダ
イオード７とブロツキングダイオード８とを結合
するための電極として、かつ遮光層としての役目
をもつている。
の―断面として示す。フオトダイオード７
は、―系へテロ接合フオトダイオード、又は
アモルフアスカルコゲナイト・フオトダイオード
等が用いられる。第４図の例ではCds―CdTe―
Teの接合構造となつている。このフオトダイオ
ード７はCdsを受光面としている。また、このフ
オトダイオード７にはブロツキングダイオード８
が一体に設けられている。ブロツキングダイオー
ド８はCds―Teの接合構造を有している。９は
フオトダイオード８と金属電極４とを接続するた
めの透明電極であり、SnO2、InO3等が用いられ
る。以上の金属電極４，５、フオトダイオード
７、ブロツキングダイオード８はSiO2の保護層
１０により覆われている。なお、Teはフオトダ
イオード７とブロツキングダイオード８とを結合
するための電極として、かつ遮光層としての役目
をもつている。
EL３としては、MnをドープしたZnSなどが代
表的であり、透明基板１上に形成されたSnO2、
In2O3等からなる透明電極１１上に設けられ、対
電極としてAl等の金属電極１３を用いて固着さ
れている。保護層１２としてSiO2等をEL３上に
設けてもよい。なお、以上の構造は全て薄膜で形
成されている。
表的であり、透明基板１上に形成されたSnO2、
In2O3等からなる透明電極１１上に設けられ、対
電極としてAl等の金属電極１３を用いて固着さ
れている。保護層１２としてSiO2等をEL３上に
設けてもよい。なお、以上の構造は全て薄膜で形
成されている。
さて、本発明によるイメージセンサは第２図に
示すようにフオトダイオード７の受光面が原稿面
に近接した状態で用いられる。EL３から発光さ
れた光は透明基板１を通過し、隣接するフオトダ
イオード７，７間の間隙ｔの間を通つて原稿面に
照射される。その反射光は直接フオトダイオード
７の受光面に入射される。
示すようにフオトダイオード７の受光面が原稿面
に近接した状態で用いられる。EL３から発光さ
れた光は透明基板１を通過し、隣接するフオトダ
イオード７，７間の間隙ｔの間を通つて原稿面に
照射される。その反射光は直接フオトダイオード
７の受光面に入射される。
かくして、EL３とフオトダイオード７とを上
述の如く同一透明基板１に併設したことにより、
原稿６に対する照明は近接した位置にあるEL３
によつて効率よくしかも充分な光量で行うことが
でき、かつ、光検出は原稿での反射光を直接受光
することにより行うことができる。かかる構成と
したことにより、従来のように照明並びに光学系
に起因する装置の大型化を防止し、きわめて効率
がよくしかも装置を小型化しうるイメージセンサ
を提供しうる。
述の如く同一透明基板１に併設したことにより、
原稿６に対する照明は近接した位置にあるEL３
によつて効率よくしかも充分な光量で行うことが
でき、かつ、光検出は原稿での反射光を直接受光
することにより行うことができる。かかる構成と
したことにより、従来のように照明並びに光学系
に起因する装置の大型化を防止し、きわめて効率
がよくしかも装置を小型化しうるイメージセンサ
を提供しうる。
実施例
…第５図〜第７図参照。
この実施例において、先の実施例Ｉと異なる点
はフオトダイオードとELとが同一透明基板上の
同一面上に併設されていることである。すなわ
ち、第５図、第６図に示すように、透明基板１の
一側の面（図では上面）に連続して直線状にEL
３が設けられ、その上にフオトダイオード７とブ
ロツキングダイオード８とが積層形成されてい
る。このフオトダイオード７およびブロツキング
ダイオード８の組み合わせは実施例Ｉと同様に所
定の間隔ｔを有して配列されている。
はフオトダイオードとELとが同一透明基板上の
同一面上に併設されていることである。すなわ
ち、第５図、第６図に示すように、透明基板１の
一側の面（図では上面）に連続して直線状にEL
３が設けられ、その上にフオトダイオード７とブ
ロツキングダイオード８とが積層形成されてい
る。このフオトダイオード７およびブロツキング
ダイオード８の組み合わせは実施例Ｉと同様に所
定の間隔ｔを有して配列されている。
第７図にフオトダイオード７とEL３との積層
構造を第６図の―断面にて示す。フオトダイ
オード７自体の構造（Cds―CdTe―Te）とEL３
自体の構造（MnをドープしたZnS）は実施例Ｉ
と変りはない。しかし、フオトダイオード７と
EL３との間にはSiO2よりなる絶縁膜１４が介在
し、かつEL３用の透明電極１５（SnO2、
In2O3）が介在している。その他の構成は同一なの
で実施例Ｉと同一の符号で示す。
構造を第６図の―断面にて示す。フオトダイ
オード７自体の構造（Cds―CdTe―Te）とEL３
自体の構造（MnをドープしたZnS）は実施例Ｉ
と変りはない。しかし、フオトダイオード７と
EL３との間にはSiO2よりなる絶縁膜１４が介在
し、かつEL３用の透明電極１５（SnO2、
In2O3）が介在している。その他の構成は同一なの
で実施例Ｉと同一の符号で示す。
かかる構成により、第５図に示すように、EL
３から発光された光は間隙ｔを通過して原稿６に
照射され、かつ、その反射光も直接フオトダイオ
ード７に受光されることとなる。したがつて本実
施例の場合はEL３からの光が直接原稿に照射さ
れるので照明効率ならびにフオートダイオード７
に対する集光効率を一層向上させることができ
る。
３から発光された光は間隙ｔを通過して原稿６に
照射され、かつ、その反射光も直接フオトダイオ
ード７に受光されることとなる。したがつて本実
施例の場合はEL３からの光が直接原稿に照射さ
れるので照明効率ならびにフオートダイオード７
に対する集光効率を一層向上させることができ
る。
実施例
…第８図〜第１３図参照。
この実施例におけるイメージセンサの特徴は、
フオトダイオードとELとを透明基板の同一面上
に併設し、フオトダイオードを連続的に配列させ
る一方、ELを適当な間隔をおいてフオトダイオ
ードに平行に配列し、光検出に際しては個々の
ELを走査駆動するように成し、かつ、EL駆動用
の駆動回路を集積化させて前記透明基板上に併設
した点にある。
フオトダイオードとELとを透明基板の同一面上
に併設し、フオトダイオードを連続的に配列させ
る一方、ELを適当な間隔をおいてフオトダイオ
ードに平行に配列し、光検出に際しては個々の
ELを走査駆動するように成し、かつ、EL駆動用
の駆動回路を集積化させて前記透明基板上に併設
した点にある。
すなわち、第８図はこの実施例におけるイメー
ジセンサの概要を示す外観斜視図である。図中、
３１は透明基板を示している。この透明基板３１
としては耐熱性、耐薬品性を有するガラス材（例
えばコーニング＃7740や石英ガラス）が適当であ
る。３２は光検出部を示している。この光検出部
３２は透明基板３１上の一側の面（図において上
面）に設けられており、透明基板３１の長手方向
に連続して直線状に設けられている。
ジセンサの概要を示す外観斜視図である。図中、
３１は透明基板を示している。この透明基板３１
としては耐熱性、耐薬品性を有するガラス材（例
えばコーニング＃7740や石英ガラス）が適当であ
る。３２は光検出部を示している。この光検出部
３２は透明基板３１上の一側の面（図において上
面）に設けられており、透明基板３１の長手方向
に連続して直線状に設けられている。
ここで、光検出部３２は原稿３３の検出すべき
画素の数に対応した数のフオトダイオード３４が
個々に独立して（すなわち電気的に絶縁された状
態で）連続的に配列されているものである。フオ
トダイオード３４としては、―系ヘテロ接合
フオトダイオード又はアモルフアスカルコゲナイ
ト・フオトダイオード等が用いられる。本実施例
では第９図に示すようにCds―CdTe―Te積層構
造のものが用いられている。３５はAu等の金属
電極である。
画素の数に対応した数のフオトダイオード３４が
個々に独立して（すなわち電気的に絶縁された状
態で）連続的に配列されているものである。フオ
トダイオード３４としては、―系ヘテロ接合
フオトダイオード又はアモルフアスカルコゲナイ
ト・フオトダイオード等が用いられる。本実施例
では第９図に示すようにCds―CdTe―Te積層構
造のものが用いられている。３５はAu等の金属
電極である。
３６はELを示している。このEL３６は前記画
素数に対応した数のELが互に所定の間隔を有し
て光検出部３２に平行して配列されてなる。EL
３６としてはZnS等が用いられ、第９図に示すよ
うにAu等の金属電極３７とともにフオトダイオ
ード３４に隣接して固着されている。
素数に対応した数のELが互に所定の間隔を有し
て光検出部３２に平行して配列されてなる。EL
３６としてはZnS等が用いられ、第９図に示すよ
うにAu等の金属電極３７とともにフオトダイオ
ード３４に隣接して固着されている。
以上のフオトダイオード３４およびEL３６は
透明基板３１上に形成されたSnO2等の薄膜透明
電極３８上に設けられ、この電極３８を共通の電
適としている。第９図において、透明基板３１の
他側の面（図において下面）には黒体スリツト３
９が設けられ、フオトダイオード３４の受光面
（Cds面）に対応した部分においてスリツト状に
開口されている。このスリツト４２は原稿３３の
検出窓として用いられる。
透明基板３１上に形成されたSnO2等の薄膜透明
電極３８上に設けられ、この電極３８を共通の電
適としている。第９図において、透明基板３１の
他側の面（図において下面）には黒体スリツト３
９が設けられ、フオトダイオード３４の受光面
（Cds面）に対応した部分においてスリツト状に
開口されている。このスリツト４２は原稿３３の
検出窓として用いられる。
４０はEL３６用の発光走査駆動回路を示して
いる。この駆動回路４０は集積化されて透明基板
３１上に併設されている。駆動回路４０の一例を
第１１図に示す。駆動回路４０は各EL３６に接
続されたダイオードマトリクス回路と、駆動すべ
きELを選択するスイツチング回路ＳA〜ＳD，S1
〜Ｓoと、このスイツチング回路を順次走査する
走査回路４１よりなる。
いる。この駆動回路４０は集積化されて透明基板
３１上に併設されている。駆動回路４０の一例を
第１１図に示す。駆動回路４０は各EL３６に接
続されたダイオードマトリクス回路と、駆動すべ
きELを選択するスイツチング回路ＳA〜ＳD，S1
〜Ｓoと、このスイツチング回路を順次走査する
走査回路４１よりなる。
走査回路４１は例えばシフトレジスタ、マルチ
プレクサ、リングカウンタ等を用い、第１２図に
示すようなタイミングの走査信号を各スイツチＳ
A〜ＳD，S1〜Ｓoに与える。つまり、スイツチS1
〜Ｓoは所定数のEL３６を１グループとして（第
１１図では４個）接続されており、例えば第１２
図のS1の信号が“High”レベルのときスイツチ
ＳA〜ＳDが順次HighレベルになつてEL３６を左
から順次点灯させるようになつている。なお、Ｚ
A〜ＺDはEL３６の点灯時における負荷抵抗、Ps
は電源である。この電源はEL３６が分散直流か
交流駆動の真性ELかによつて直流又は交流の電
源とする。その場合の波形を第１３図に示す。破
線DCが直流駆動、実線ACが交流駆動の場合の波
形である。
プレクサ、リングカウンタ等を用い、第１２図に
示すようなタイミングの走査信号を各スイツチＳ
A〜ＳD，S1〜Ｓoに与える。つまり、スイツチS1
〜Ｓoは所定数のEL３６を１グループとして（第
１１図では４個）接続されており、例えば第１２
図のS1の信号が“High”レベルのときスイツチ
ＳA〜ＳDが順次HighレベルになつてEL３６を左
から順次点灯させるようになつている。なお、Ｚ
A〜ＺDはEL３６の点灯時における負荷抵抗、Ps
は電源である。この電源はEL３６が分散直流か
交流駆動の真性ELかによつて直流又は交流の電
源とする。その場合の波形を第１３図に示す。破
線DCが直流駆動、実線ACが交流駆動の場合の波
形である。
以上の構成において、第９図に示すようにEL
３６から発光された光は透明基板３１を通過して
スリツト４２より原稿３３に照射される。その反
射光は再び透明基板を介してフオトダイオード３
２のCds面に入射され、光電変換される。フオト
ダイオード３２の出力信号は増幅器４３により増
幅され、次いでビデオ信号発生器４４に入力され
る。
３６から発光された光は透明基板３１を通過して
スリツト４２より原稿３３に照射される。その反
射光は再び透明基板を介してフオトダイオード３
２のCds面に入射され、光電変換される。フオト
ダイオード３２の出力信号は増幅器４３により増
幅され、次いでビデオ信号発生器４４に入力され
る。
このようにしてフオトダイオード３２とEL３
６とを近接して同一透明基板３１上に併設したこ
とにより、EL３６からの光が効率よく原稿に照
射されることとなり、また原稿に近接して照明
し、かつ受光するため少ない消費電力で確実に画
像検出することができる。したがつて照明効率の
向上、装置の大幅な小型化を図ることができる。
６とを近接して同一透明基板３１上に併設したこ
とにより、EL３６からの光が効率よく原稿に照
射されることとなり、また原稿に近接して照明
し、かつ受光するため少ない消費電力で確実に画
像検出することができる。したがつて照明効率の
向上、装置の大幅な小型化を図ることができる。
第１０図は第９図の実施例において、EL３６
からの散乱光、回折光の影響を少なくするため、
透明基板３１に凹部４５を形成し、かつその凹部
４５の底部に図示の如くθ゜の傾きを形成して
Ｓ／Ｎ比を向上させたものである。その他の構造
は第９図のものと同一なので説明は省略する。
からの散乱光、回折光の影響を少なくするため、
透明基板３１に凹部４５を形成し、かつその凹部
４５の底部に図示の如くθ゜の傾きを形成して
Ｓ／Ｎ比を向上させたものである。その他の構造
は第９図のものと同一なので説明は省略する。
以上の通り本発明によれば、光検出素子として
のフオトダイオードと照明光源としてのエレクト
ロルミネセンスとを同一透明基板上に併設したこ
とにより、従来の如き大型照明ならびに集光等の
ための光学系が不要となり、原稿画像を等倍で得
られ、しかも照明効率が改善され、利用装置を大
幅に小型化しうる等倍光センサを提供することが
できる。
のフオトダイオードと照明光源としてのエレクト
ロルミネセンスとを同一透明基板上に併設したこ
とにより、従来の如き大型照明ならびに集光等の
ための光学系が不要となり、原稿画像を等倍で得
られ、しかも照明効率が改善され、利用装置を大
幅に小型化しうる等倍光センサを提供することが
できる。
第１図〜第４図は本発明の実施例Ｉを示し、第
１図はイメージセンサの概要を示す外観斜視図、
第２図はフオトダイオードの配列状態を示す部分
拡大断面図、第３図は同平面図、第４図は第３図
における―断面でみたフオトダイオードおよ
びエレクトロルミネセンスの構造を示す断面図で
ある。第５図〜第７図は本発明の実施例を示
し、第５図はフオトダイオードの配列状態とエレ
クトロルミネセンスの形成状態を示す部分拡大断
面、第６図は同平面図、第７図は第６図の―
断面でみたフオトダイオードとエレクトロルミネ
センスの構造を示す断面図である。第８図〜第１
３図は本発明の実施例を示し、第８図はイメー
ジセンサの概要を示す外観斜視図、第９図はフオ
トダイオードとエレクトロルミネセンスの構造を
示す断面図、第１０図はエレクトロルミネセンス
を傾斜させた場合の構造例を示す断面図、第１１
図はエレクトロルミネセンスの発光走査駆動回路
の例を示す回路図、第１２図はエレクトロルミネ
センスの駆動信号のタイミングチヤート、第１３
図は駆動信号の波形例を示す波形図である。 １…透明基板、２…光検出部、３…エレクトロ
ルミネセンス、６…原稿、７…フオトダイオー
ド、３１…透明基板、３２…光検出部、３３…原
稿、３４…フオトダイオード、３６…エレクトロ
ルミネセンス。
１図はイメージセンサの概要を示す外観斜視図、
第２図はフオトダイオードの配列状態を示す部分
拡大断面図、第３図は同平面図、第４図は第３図
における―断面でみたフオトダイオードおよ
びエレクトロルミネセンスの構造を示す断面図で
ある。第５図〜第７図は本発明の実施例を示
し、第５図はフオトダイオードの配列状態とエレ
クトロルミネセンスの形成状態を示す部分拡大断
面、第６図は同平面図、第７図は第６図の―
断面でみたフオトダイオードとエレクトロルミネ
センスの構造を示す断面図である。第８図〜第１
３図は本発明の実施例を示し、第８図はイメー
ジセンサの概要を示す外観斜視図、第９図はフオ
トダイオードとエレクトロルミネセンスの構造を
示す断面図、第１０図はエレクトロルミネセンス
を傾斜させた場合の構造例を示す断面図、第１１
図はエレクトロルミネセンスの発光走査駆動回路
の例を示す回路図、第１２図はエレクトロルミネ
センスの駆動信号のタイミングチヤート、第１３
図は駆動信号の波形例を示す波形図である。 １…透明基板、２…光検出部、３…エレクトロ
ルミネセンス、６…原稿、７…フオトダイオー
ド、３１…透明基板、３２…光検出部、３３…原
稿、３４…フオトダイオード、３６…エレクトロ
ルミネセンス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板と、 この透明基板の被検出対象側の第１面上に形成
されたフオトダイオードと、 前記透明基板の前記第１面と反対側の第２面上
に形成されたエレクトロルミネセンスとを備え、 このエレクトロルミネセンスから照射された光
が、前記透明基板を透過して前記被検出対象に達
し、前記被検出対象によつて反射された光を前記
フオトダイオードにより受光することを特徴とす
る等倍型光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7586380A JPS571930A (en) | 1980-06-05 | 1980-06-05 | Equal magnification type photosensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7586380A JPS571930A (en) | 1980-06-05 | 1980-06-05 | Equal magnification type photosensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS571930A JPS571930A (en) | 1982-01-07 |
| JPS6215814B2 true JPS6215814B2 (ja) | 1987-04-09 |
Family
ID=13588506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7586380A Granted JPS571930A (en) | 1980-06-05 | 1980-06-05 | Equal magnification type photosensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS571930A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102219705B1 (ko) * | 2014-05-09 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 분광 센서 및 이를 채용한 분광기 |
| EP2942618B1 (en) * | 2014-05-09 | 2017-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd | Spectro-sensor and spectrometer employing the same |
| EP3664162A1 (en) * | 2017-11-15 | 2020-06-10 | Kaneka Corporation | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54176391U (ja) * | 1978-06-01 | 1979-12-13 | ||
| JPS5555228A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Optical element |
-
1980
- 1980-06-05 JP JP7586380A patent/JPS571930A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS571930A (en) | 1982-01-07 |
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