JPS6215841A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6215841A JPS6215841A JP60154682A JP15468285A JPS6215841A JP S6215841 A JPS6215841 A JP S6215841A JP 60154682 A JP60154682 A JP 60154682A JP 15468285 A JP15468285 A JP 15468285A JP S6215841 A JPS6215841 A JP S6215841A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- resistivity
- resin
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は樹脂封止型の半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来、この種の半導体装置は、一般に次のような構造で
あった。即ちり・−ドフレーム上に半導体素子を半田に
よって接着し、外部導出用電極は金属細線によって半導
体素子と接続され、半導体素子を表面保護膜で被膜し、
更に全体が成形封止樹脂で封止されている。
あった。即ちり・−ドフレーム上に半導体素子を半田に
よって接着し、外部導出用電極は金属細線によって半導
体素子と接続され、半導体素子を表面保護膜で被膜し、
更に全体が成形封止樹脂で封止されている。
発明が解決しようとする問題点
表面保護膜の封止樹脂は１０１４Ωａ以上の高抵抗のも
のが用いられていた。そのため半導体素子に逆バイアス
を印加した際、半導体素子に近接した表面保護膜が分極
化するため、しばしば半導体素子表面に悪影響を及ぼし
ていた。例えばＮＰＮトランジスタのコレクタとペース
間に逆バイアスを長時間に亘って印加する時、リーク電
流が増加するものがしばしば発生した。
のが用いられていた。そのため半導体素子に逆バイアス
を印加した際、半導体素子に近接した表面保護膜が分極
化するため、しばしば半導体素子表面に悪影響を及ぼし
ていた。例えばＮＰＮトランジスタのコレクタとペース
間に逆バイアスを長時間に亘って印加する時、リーク電
流が増加するものがしばしば発生した。
問題点を解決するための手段
この問題を解決するために、本発明は半導体チップとそ
の中の所定領域に接続され、外部に導出される金属細線
と、上記半導体チップを覆う樹脂被覆とよシなり、上記
樹脂被覆が、上記半導体チップの表面に直接接し、其の
電気比抵抗の値が１０１０〜１ｏ１３Ω国の範囲である
第１の樹脂層よシなる事を特徴とする半導体装置を提供
するものである。
の中の所定領域に接続され、外部に導出される金属細線
と、上記半導体チップを覆う樹脂被覆とよシなり、上記
樹脂被覆が、上記半導体チップの表面に直接接し、其の
電気比抵抗の値が１０１０〜１ｏ１３Ω国の範囲である
第１の樹脂層よシなる事を特徴とする半導体装置を提供
するものである。
作用
半導体素子の表面保護膜の電気抵抗を低下させることに
より、被膜中で発生する分極作用は皆無になり、高温に
おけるマーク電流の経時的変化を防止し、半導体装置の
信頼性が高くなる。
より、被膜中で発生する分極作用は皆無になり、高温に
おけるマーク電流の経時的変化を防止し、半導体装置の
信頼性が高くなる。
実施例
本発明の実施例を第１図〜第４図について説明する。本
装置は第１図に示すように、次のような構造である。
装置は第１図に示すように、次のような構造である。
即ち、リードフレーム１上に半導体素子２を半田３によ
って接着し、外部導出用電極４は金属細線６によって半
導体素子２と接続され、半導体素子２を、炭素、ゲルマ
ニウム、シリコンを添加して比抵抗を低下させた第１の
被覆６によシ被覆し、次いで第１の被覆６よシ高い比抵
抗を有する被覆８によシ被覆し、最後に全体を成形封止
樹脂７で被覆する。
って接着し、外部導出用電極４は金属細線６によって半
導体素子２と接続され、半導体素子２を、炭素、ゲルマ
ニウム、シリコンを添加して比抵抗を低下させた第１の
被覆６によシ被覆し、次いで第１の被覆６よシ高い比抵
抗を有する被覆８によシ被覆し、最後に全体を成形封止
樹脂７で被覆する。
第２図は、シリコーン樹脂に（例えば東しシリコーン■
製５Ｈ−６１０１−ｉたけ信越化学■製ＫＪＲ９０６０
）に添加物として炭素、ゲルマニウム、硅素を添加した
時の添加量と比抵抗の関係を示したものである。添加量
を増加させると比抵抗は減少し、このような比抵抗の低
い被膜を第１の被覆６として用いる事が出来、添加物の
少い比抵抗の高い被膜を第２の被覆８として用いること
が出来る。また被膜８の代りに、被膜６より高比抵抗の
成形封止樹脂７例えばエポキシ樹脂でもって代用しても
同様の効果が得られる。
製５Ｈ−６１０１−ｉたけ信越化学■製ＫＪＲ９０６０
）に添加物として炭素、ゲルマニウム、硅素を添加した
時の添加量と比抵抗の関係を示したものである。添加量
を増加させると比抵抗は減少し、このような比抵抗の低
い被膜を第１の被覆６として用いる事が出来、添加物の
少い比抵抗の高い被膜を第２の被覆８として用いること
が出来る。また被膜８の代りに、被膜６より高比抵抗の
成形封止樹脂７例えばエポキシ樹脂でもって代用しても
同様の効果が得られる。
第３図は、本発明の第一実施例として、第２図に示すＮ
型比抵抗１００Ω側のシリコーン粉末をシリコーン樹脂
に２０％添加した比抵抗１ｏ１０Ωｃｍの第１の被膜θ
で形成させたのち、第２の被膜８と”して比抵抗１０１
５Ωｃｍのものを被覆させた時の、１００℃におけるリ
ーク電流の経時的変化を示したものである。
型比抵抗１００Ω側のシリコーン粉末をシリコーン樹脂
に２０％添加した比抵抗１ｏ１０Ωｃｍの第１の被膜θ
で形成させたのち、第２の被膜８と”して比抵抗１０１
５Ωｃｍのものを被覆させた時の、１００℃におけるリ
ーク電流の経時的変化を示したものである。
また、第４図には第２図に示すＮ型比抵抗４゜Ωａのゲ
ルマニウム粉末を５％、１０％比抵抗１ｏ１５Ωａのシ
リコーン樹脂に、また第２図に示すＮ型比抵抗１０００
ｃｍのシリコーン粉末を５％。
ルマニウム粉末を５％、１０％比抵抗１ｏ１５Ωａのシ
リコーン樹脂に、また第２図に示すＮ型比抵抗１０００
ｃｍのシリコーン粉末を５％。
１０％、１５％、２０％を比抵抗１ｏ１６Ωａ のポリ
イミド樹脂に添加した第１の被覆６を用いた時の１００
’Ｃに於て電圧印加して１０００時間のリーク電流変化
を示した。また同図には比較のため、無添加のシリコー
ン樹脂及びポリイミド樹脂を第１の被膜６とした時の値
を示した。無添加樹脂の電気分極の程度は半導体チップ
表面の汚染度によってばらついているが、図から明らか
なように、ゲルマニウム粉末及びシリコーン粉末を添加
することにより、リーク電流はやや高くなるが、電圧印
加１０００時間後のリーク電流のばらつきは著しく減少
させることができる。また、第２の被膜８として第１の
被膜よシも高抵抗の例えばエポキシ樹脂のような成形封
止樹脂を用いても同様な効果が得られる。
イミド樹脂に添加した第１の被覆６を用いた時の１００
’Ｃに於て電圧印加して１０００時間のリーク電流変化
を示した。また同図には比較のため、無添加のシリコー
ン樹脂及びポリイミド樹脂を第１の被膜６とした時の値
を示した。無添加樹脂の電気分極の程度は半導体チップ
表面の汚染度によってばらついているが、図から明らか
なように、ゲルマニウム粉末及びシリコーン粉末を添加
することにより、リーク電流はやや高くなるが、電圧印
加１０００時間後のリーク電流のばらつきは著しく減少
させることができる。また、第２の被膜８として第１の
被膜よシも高抵抗の例えばエポキシ樹脂のような成形封
止樹脂を用いても同様な効果が得られる。
次に、抵抗膜の作用について記述する。半導体素子表面
に近接する高抵抗被膜（例えば比抵抗が’ ”５０ ａ
ｍ ）に電圧を印加すると、■電荷とｅ電荷に分極され
、その■電荷やｅ電荷は半導体素子表面に微妙に関係し
、半導体装置の耐圧の低下やリーク電流の増加となり、
その効果は高温になるほど顕著である。それに対して、
本発明による、低比抵抗の第１の被覆を用いると、電圧
印加時にもリーク電流のばらつきをなくしたり、また著
しく減少させることが可能になる。■電荷やｅ電荷の半
導体素子表面への影響が少なくなるからである。
に近接する高抵抗被膜（例えば比抵抗が’ ”５０ ａ
ｍ ）に電圧を印加すると、■電荷とｅ電荷に分極され
、その■電荷やｅ電荷は半導体素子表面に微妙に関係し
、半導体装置の耐圧の低下やリーク電流の増加となり、
その効果は高温になるほど顕著である。それに対して、
本発明による、低比抵抗の第１の被覆を用いると、電圧
印加時にもリーク電流のばらつきをなくしたり、また著
しく減少させることが可能になる。■電荷やｅ電荷の半
導体素子表面への影響が少なくなるからである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、半導体装置の高温に−お
けるリーク電流の安定化と信頼性の向上と、が得られる
。また、ＭＯ８型半導体装置においても高温における電
圧印加に対して、しきい値電圧やリーク電流の安定化に
効果が得られる。
けるリーク電流の安定化と信頼性の向上と、が得られる
。また、ＭＯ８型半導体装置においても高温における電
圧印加に対して、しきい値電圧やリーク電流の安定化に
効果が得られる。
第１図は本発明の実施例による半導体装置の断面図、第
２図は表面保護被膜の不純物添加量に対する比抵抗の特
性図、第３図及び第４図は本ケ旌例のリーク電流の経時
変化に対する効果を示す特性図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
素子、３・・・・・・半田、４・・・・・・外部導出電
極、６・・・・・・金属細線、６・・・・・・第１の表
面保護膜、７・・・・・・成形封止樹脂、８・・・・・
・第２の表面保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図 俸加量（ｕｔｔｙ、）
２図は表面保護被膜の不純物添加量に対する比抵抗の特
性図、第３図及び第４図は本ケ旌例のリーク電流の経時
変化に対する効果を示す特性図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
素子、３・・・・・・半田、４・・・・・・外部導出電
極、６・・・・・・金属細線、６・・・・・・第１の表
面保護膜、７・・・・・・成形封止樹脂、８・・・・・
・第２の表面保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図 俸加量（ｕｔｔｙ、）
Claims (4)
- （１）半導体チップと、その中の所定領域に接続され外
部に導出される金属細線と、上記半導体チップを覆う樹
脂被覆とよりなり、上記樹脂被覆が、上記半導体チップ
の表面に直接に接し、其の電気比抵抗の値が１０＾１＾
０〜１０＾１＾３Ωｃｍの範囲である第１の樹脂層より
なる事を特徴とする半導体装置。 - （２）半導体チップを覆う樹脂層が２重層よりなり、第
１の樹脂層を覆う第２の樹脂層の電気比抵抗の値が１０
＾１＾５Ωｃｍ以上である事を特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。 - （３）第１の樹脂層に炭素、ゲルマニウイ、もしくは硅
素を含有することを特徴とした特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置。 - （４）第２の樹脂層が半導体装置の成形封止樹脂で構成
されている事を特徴として特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154682A JPS6215841A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154682A JPS6215841A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215841A true JPS6215841A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15589610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60154682A Pending JPS6215841A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215841A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01172004U (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-06 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60154682A patent/JPS6215841A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01172004U (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-06 |
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