JPH02254722A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02254722A JPH02254722A JP7600789A JP7600789A JPH02254722A JP H02254722 A JPH02254722 A JP H02254722A JP 7600789 A JP7600789 A JP 7600789A JP 7600789 A JP7600789 A JP 7600789A JP H02254722 A JPH02254722 A JP H02254722A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関する。
半導体装置として、半導体素子が形成された半導体基板
表面が保護用ポリイミド系樹脂膜で覆われてなるものが
ある。
表面が保護用ポリイミド系樹脂膜で覆われてなるものが
ある。
第３図、および、第４図は、それぞれＰＮＰバイポーラ
トランジスタ棄子が形成された半導体基板表面が保護用
ポリイミド樹脂膜で覆われてなる装置をあられす。
トランジスタ棄子が形成された半導体基板表面が保護用
ポリイミド樹脂膜で覆われてなる装置をあられす。
これらの装置では、半導体基板５１内にコレクタ領域５
２、ベース領域５３およびエミッタ領域５４が形成され
ているとともに、半導体基板５１表面には、例えば熱酸
化Ｓｔｏｗ膜からなる＆＠縁１ｔ！！！５６、ベース電
極５３ａ１エミッタ電極５４ａが形成されている（コレ
クタ電極も図示外における半導体基＠５１表面あるいは
裏面に形成されている）。そして、絶縁膜５６や電極５
３ａ、５４ａの上を覆うようにポリイミド樹脂膜５５が
形成されている。このポリイミド樹脂膜５５は、半導体
素子の機械的保護や耐湿特性向上のために設けられるも
のである。
２、ベース領域５３およびエミッタ領域５４が形成され
ているとともに、半導体基板５１表面には、例えば熱酸
化Ｓｔｏｗ膜からなる＆＠縁１ｔ！！！５６、ベース電
極５３ａ１エミッタ電極５４ａが形成されている（コレ
クタ電極も図示外における半導体基＠５１表面あるいは
裏面に形成されている）。そして、絶縁膜５６や電極５
３ａ、５４ａの上を覆うようにポリイミド樹脂膜５５が
形成されている。このポリイミド樹脂膜５５は、半導体
素子の機械的保護や耐湿特性向上のために設けられるも
のである。
しかしながら、第３図の半導体装置では、高温高湿の雰
囲気に曝した場合、耐電圧特性等が劣化するという問題
がある。これは、高温高湿の雰囲気に曝された場合、ポ
リイミド樹脂膜５５と絶縁膜５６の密着状態が保てず水
分等の侵入による素子特性劣化を招来してしまうからで
ある。
囲気に曝した場合、耐電圧特性等が劣化するという問題
がある。これは、高温高湿の雰囲気に曝された場合、ポ
リイミド樹脂膜５５と絶縁膜５６の密着状態が保てず水
分等の侵入による素子特性劣化を招来してしまうからで
ある。
そこで、第４図の半導体装置では、密着状態を強化する
ため、ポリイミド樹脂との密着性のよいアルミニウム膜
帯５７を絶縁膜５６の上に形成するという方策をとって
いる（特公昭５２−４２６３２号公報）。しかしながら
、この方策は、チップ面積の増加を必要とし大幅なコス
ト上昇を伴うことから、実用性に乏しい。
ため、ポリイミド樹脂との密着性のよいアルミニウム膜
帯５７を絶縁膜５６の上に形成するという方策をとって
いる（特公昭５２−４２６３２号公報）。しかしながら
、この方策は、チップ面積の増加を必要とし大幅なコス
ト上昇を伴うことから、実用性に乏しい。
この発明は、上記の事情に鑑み、チップ面積の増加を伴
うことなく、ポリイミド系樹脂膜の密着信頼性が高い半
導体装置を提供することを課題とする。
うことなく、ポリイミド系樹脂膜の密着信頼性が高い半
導体装置を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、この発明の半導体装置では、
半導体素子が形成された半導体基板表面を覆うポリイミ
ド系樹脂膜を、前記半導体基板の表面に積層形成された
ＣＶＤ二酸化シリコン膜の上に積層形成するようにして
いる。
半導体素子が形成された半導体基板表面を覆うポリイミ
ド系樹脂膜を、前記半導体基板の表面に積層形成された
ＣＶＤ二酸化シリコン膜の上に積層形成するようにして
いる。
半導体素子としては、トランジスタ（例えば、ＣＭＯＳ
トランジスタ、）ぐイボーラトランジスタ、静電誘導ト
ランジスタ等）、サイリスタ（静電誘導サイリスタ等）
が例示されるが、これらに瀬らない、もちろん、複数種
類の半導体素子がひとつの半導体基板に形成されていて
もよい。
トランジスタ、）ぐイボーラトランジスタ、静電誘導ト
ランジスタ等）、サイリスタ（静電誘導サイリスタ等）
が例示されるが、これらに瀬らない、もちろん、複数種
類の半導体素子がひとつの半導体基板に形成されていて
もよい。
ポリイミド系樹脂膜としては、例えば、厚み約５〜７ｎ
程度のポリイミド樹脂膜が使われる。何らかの変性がな
されたポリイミド系樹脂膜が用いられてもよい、ポリイ
ミド樹脂膜は、例えば、感光性液状ポリイミド樹脂組成
物を塗布（コーティング）し、プリベークを経た後、ボ
ンディングバット部等のパターン化のための露光・現像
・リンス処理を行い、ポストベークすることにより形成
される。
程度のポリイミド樹脂膜が使われる。何らかの変性がな
されたポリイミド系樹脂膜が用いられてもよい、ポリイ
ミド樹脂膜は、例えば、感光性液状ポリイミド樹脂組成
物を塗布（コーティング）し、プリベークを経た後、ボ
ンディングバット部等のパターン化のための露光・現像
・リンス処理を行い、ポストベークすることにより形成
される。
一方、ＣＶＤ二酸化シリコン膜（化学反応を伴う気相成
長による二酸化シリコン膜）としては、リンを含むＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）二酸化シリコン膜（ＣＶＤ−ＰＳＧ膜）の上
にリンを含まないＣＶＤ二酸化シリコン膜（ＣＶＤ−Ｎ
ＳＧＩＩＩ）を積層したものが使われる。この場合、ｐ
ｓｃｉ＊とＮＳＣ膜の合計厚みは約０．４〜０゜６１で
あり、このうちＰＳＧｉｌは厚み約０．２〜Ｏ。
長による二酸化シリコン膜）としては、リンを含むＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）二酸化シリコン膜（ＣＶＤ−ＰＳＧ膜）の上
にリンを含まないＣＶＤ二酸化シリコン膜（ＣＶＤ−Ｎ
ＳＧＩＩＩ）を積層したものが使われる。この場合、ｐ
ｓｃｉ＊とＮＳＣ膜の合計厚みは約０．４〜０゜６１で
あり、このうちＰＳＧｉｌは厚み約０．２〜Ｏ。
３ｎ程度、ＮＳＣ膜は厚み約０．２〜０．３ ｎ程度で
ある。もちろん、この発明のＣＶＤ二酸化シリコン膜の
構成はこれに限らない。
ある。もちろん、この発明のＣＶＤ二酸化シリコン膜の
構成はこれに限らない。
ＣｖＤによるＰＳＧｌｌは、Ｓ ｉ Ｈ４ガスおよびＰ
Ｈ，ガスと０８ガスを、減圧下ないし常圧下、温度３０
０〜４００℃で反応させることにより形成することがで
きる。一方、ＣＶＤによるＮＳＣ膜は、３ｔＨ４ガスと
０８ガスを、減圧下ないし常圧下、温度３００〜４００
℃で反応させることにより形成することができる。
Ｈ，ガスと０８ガスを、減圧下ないし常圧下、温度３０
０〜４００℃で反応させることにより形成することがで
きる。一方、ＣＶＤによるＮＳＣ膜は、３ｔＨ４ガスと
０８ガスを、減圧下ないし常圧下、温度３００〜４００
℃で反応させることにより形成することができる。
この発明の半導体装置では、ポリイミド系樹脂膜がＣＶ
Ｄ二酸化シリコン膜の上に形成されているため、高温高
湿の雰囲気に曝しても密着状態が悪化することはない。
Ｄ二酸化シリコン膜の上に形成されているため、高温高
湿の雰囲気に曝しても密着状態が悪化することはない。
普通、ポリイミド系樹脂膜のＣＶＤ二酸化シリコン膜に
対する密着性については余り期待できないが、発明者は
、十分な密着性のあることを見出したのである。もちろ
ん、ＣＶＤ二酸化シリコン膜と半導体基板の密着性は良
好である。そのため、保護機能が高温高湿でＦＭなわれ
ることがなく、半導体装置の信頼性が高まるのである。
対する密着性については余り期待できないが、発明者は
、十分な密着性のあることを見出したのである。もちろ
ん、ＣＶＤ二酸化シリコン膜と半導体基板の密着性は良
好である。そのため、保護機能が高温高湿でＦＭなわれ
ることがなく、半導体装置の信頼性が高まるのである。
例えば、下層がＰＳＧ膜で上層がＮＳＣ膜であるＣＶＤ
二酸化シリコン膜の上にポリイミド樹脂膜を形成した試
験片と、アルミニウム膜の上にポリイミド樹脂膜を形成
した試験片を、１２０℃、１００％ＲＨの高温高湿雰囲
気に曝したところ、２００時間経過後も、密着状態の悪
化はみられなかワた。ポリイミド樹脂膜のＣＶＤ二酸化
シリコン膜に対する密着性は、アルミニウムの場合と同
様、十分であったのである。
二酸化シリコン膜の上にポリイミド樹脂膜を形成した試
験片と、アルミニウム膜の上にポリイミド樹脂膜を形成
した試験片を、１２０℃、１００％ＲＨの高温高湿雰囲
気に曝したところ、２００時間経過後も、密着状態の悪
化はみられなかワた。ポリイミド樹脂膜のＣＶＤ二酸化
シリコン膜に対する密着性は、アルミニウムの場合と同
様、十分であったのである。
なお、従来のように、アルミニウム膜帯を設ける必要が
ないため、チップ面積増加を伴なわないことはいうまで
もない。
ないため、チップ面積増加を伴なわないことはいうまで
もない。
続いて、この発明の半導体装置の実施例を説明する。
第１図は、この発明の一実施例にかかるプレーナ型ＰＮ
Ｐ トランジスタ素子をもつ半導体装置をあられす。
Ｐ トランジスタ素子をもつ半導体装置をあられす。
半導体装置１では、半導体基板２内にコレクタ領域（Ｐ
領域）３、ベース領域（Ｎ領域）４およびエミッタ領域
（Ｐ領域）５が形成されているとともに、半導体基板２
表面には、例えば熱酸化ＳｔＯ□膜からなる絶縁膜２ａ
、ベース電極４ａｓエミツタ電極５ａが形成されている
（コレクタ電極も図示外における半導体基板２表面ある
いは裏面に形成されている）。
領域）３、ベース領域（Ｎ領域）４およびエミッタ領域
（Ｐ領域）５が形成されているとともに、半導体基板２
表面には、例えば熱酸化ＳｔＯ□膜からなる絶縁膜２ａ
、ベース電極４ａｓエミツタ電極５ａが形成されている
（コレクタ電極も図示外における半導体基板２表面ある
いは裏面に形成されている）。
そして、絶縁膜２ａや電極４ａ、５ａの上にまずＣＶＤ
二酸化シリコン膜６が積層形成され、その上にポリイミ
ド樹脂膜７が積層形成されることにより保護膜が設けら
れている。
二酸化シリコン膜６が積層形成され、その上にポリイミ
ド樹脂膜７が積層形成されることにより保護膜が設けら
れている。
ＣＶＤ二酸化シリコン膜６はＣＶＤ−ＰＳＧ膜６ａとＣ
ＶＤ−Ｎ５Ｃ膜６ｂからなる。ポリイミド樹脂膜７は、
ＮＳＣ膜６ｂの上に塗布された樹脂組成物を所定の温度
で加熱硬化させることにより形成されている。ＰＳＧｌ
ｊ！６ａは有害イオンをゲッタリングし半導体基板１に
有害イオンが侵入することを阻止する能力が高い、ポリ
イミド樹脂の有害イオン阻止能力は余り高くないので、
ポリイミド樹脂膜の下側にＣＶＤ−ＰＳＧ膜があると非
常に都合がよい。ポリイミド樹脂膜における高分子化の
程度を上げれば、有害イオン阻止能力の向上が期待でき
るが、この場合、密着性が弱まる可能性がある。
ＶＤ−Ｎ５Ｃ膜６ｂからなる。ポリイミド樹脂膜７は、
ＮＳＣ膜６ｂの上に塗布された樹脂組成物を所定の温度
で加熱硬化させることにより形成されている。ＰＳＧｌ
ｊ！６ａは有害イオンをゲッタリングし半導体基板１に
有害イオンが侵入することを阻止する能力が高い、ポリ
イミド樹脂の有害イオン阻止能力は余り高くないので、
ポリイミド樹脂膜の下側にＣＶＤ−ＰＳＧ膜があると非
常に都合がよい。ポリイミド樹脂膜における高分子化の
程度を上げれば、有害イオン阻止能力の向上が期待でき
るが、この場合、密着性が弱まる可能性がある。
続いて、この発明の半導体装置の他の実施例を説明する
。
。
第２図は、この発明の他の例にかかる表面ゲート型静電
誘導サイリスク素子をもつ半導体装置をあられす。
誘導サイリスク素子をもつ半導体装置をあられす。
半導体装置１１は、半導体基板１２裏面側にアノード領
域（Ｐ”″領域）１４およびアノード電極１４ａを備え
、半導体基板１２表面側にカソード領域（Ｎ＋領領域１
３、ゲート領域ＣＰ”領域）１６、カソード電極１３ａ
およびゲート電極１６ａを備えるとともに、カソード領
域１３とアノード領域１４の間に高圧抵抗領域（Ｎ″領
域１５を備えた表面ゲート型サイリスタ構造を有する。
域（Ｐ”″領域）１４およびアノード電極１４ａを備え
、半導体基板１２表面側にカソード領域（Ｎ＋領領域１
３、ゲート領域ＣＰ”領域）１６、カソード電極１３ａ
およびゲート電極１６ａを備えるとともに、カソード領
域１３とアノード領域１４の間に高圧抵抗領域（Ｎ″領
域１５を備えた表面ゲート型サイリスタ構造を有する。
なお、半導体基板１２表面には、例えば熱酸化５ｔｏｓ
ｌ！Ｉ！からなる絶縁膜１２ａが形成されている。
ｌ！Ｉ！からなる絶縁膜１２ａが形成されている。
そして、絶縁膜１２ａや電１１３ａ、１６ａの上に、ま
ずＣＶＤ二酸化シリコン［１１１７が積層形成され、そ
の上にポリイミド樹脂膜１８が積層形成されることによ
り保護膜が設けられている。
ずＣＶＤ二酸化シリコン［１１１７が積層形成され、そ
の上にポリイミド樹脂膜１８が積層形成されることによ
り保護膜が設けられている。
ＣＶＤ二酸二酸化シリコンマ１７ＶＤ−Ｎ５ＧＰＡ１７
ａとＣＶＤ−ＰＳＧ膜１７ｂからなる。ポリイミド樹脂
膜１８は、ＰＳＧ膜１７ｂの上に塗布された樹脂組成物
を所定の温度で加熱硬化させることにより形成されてい
る。ＰＳＧ膜１７ｂの有害イオン阻止能力に関しては、
先の実施例と同じである。
ａとＣＶＤ−ＰＳＧ膜１７ｂからなる。ポリイミド樹脂
膜１８は、ＰＳＧ膜１７ｂの上に塗布された樹脂組成物
を所定の温度で加熱硬化させることにより形成されてい
る。ＰＳＧ膜１７ｂの有害イオン阻止能力に関しては、
先の実施例と同じである。
静電誘導サイリスク素子は、制御電圧をゲート電極１６
ａに加わえることで、高比抵抗領域（ベース領域）１５
を流れる電流をオン・オフし動作するようになっている
。
ａに加わえることで、高比抵抗領域（ベース領域）１５
を流れる電流をオン・オフし動作するようになっている
。
この発明は、上記実施例に限らない。例えば、第１図の
半導体装置のＣＶＤ二酸化シリコン膜において、同第１
図とは逆にＰＳＧ膜が上側にＮ５ＧｌｌＪ５が下側にく
る構成であったり、あるいは、第２図の半導体装置のＣ
ＶＤ二酸化シリコン膜において、同第２図とは逆にＰＳ
Ｇ膜が下側にＮＳＣ膜が上側にくる構成であったりして
もよい。半導体装置が、第２図の半導体装置においてア
ノード領域１４がＰ“領域でなくＮゝ領領域なっている
静電誘導トランジスタをもつようなものであってもよい
、なお、トランジスタの場合、通常、カソードはソース
と、アノードはドレインと呼ばれる。また、ゲート電極
やカソード電極等の電極形成材料には、アルミニウムや
ドープドポリシリコン等の導電材料が用いられる。
半導体装置のＣＶＤ二酸化シリコン膜において、同第１
図とは逆にＰＳＧ膜が上側にＮ５ＧｌｌＪ５が下側にく
る構成であったり、あるいは、第２図の半導体装置のＣ
ＶＤ二酸化シリコン膜において、同第２図とは逆にＰＳ
Ｇ膜が下側にＮＳＣ膜が上側にくる構成であったりして
もよい。半導体装置が、第２図の半導体装置においてア
ノード領域１４がＰ“領域でなくＮゝ領領域なっている
静電誘導トランジスタをもつようなものであってもよい
、なお、トランジスタの場合、通常、カソードはソース
と、アノードはドレインと呼ばれる。また、ゲート電極
やカソード電極等の電極形成材料には、アルミニウムや
ドープドポリシリコン等の導電材料が用いられる。
以上に述べたように、この発明の半導体装置では、ポリ
イミド系樹脂膜がＣＶＤ二酸化シリコン膜上に形成され
、高温高湿雰囲気に曝されてもポリイミド系樹脂膜の接
着が損なわれることがないため、信頼性が高く、しかも
、チップ面積を増す必要がないため、コストアンプを招
来することもない。
イミド系樹脂膜がＣＶＤ二酸化シリコン膜上に形成され
、高温高湿雰囲気に曝されてもポリイミド系樹脂膜の接
着が損なわれることがないため、信頼性が高く、しかも
、チップ面積を増す必要がないため、コストアンプを招
来することもない。
第１図は、この発明の半導体装置の一実施例をあられす
概略断面図、第２図は、この発明の半導体装置の他の例
をあられす概略断面図、第３図、および、第４図は、そ
れぞれ、従来の半導体装置をあられす概略断面図である
。 １．１１・・・半導体装置 ２．１２・・・半導体基
板 ６．１７・・・ＣＶＤ二酸化シリコン膜 ７１
８・・・ポリイミド樹脂膜 代理人 弁理士 松 本 武 彦
概略断面図、第２図は、この発明の半導体装置の他の例
をあられす概略断面図、第３図、および、第４図は、そ
れぞれ、従来の半導体装置をあられす概略断面図である
。 １．１１・・・半導体装置 ２．１２・・・半導体基
板 ６．１７・・・ＣＶＤ二酸化シリコン膜 ７１
８・・・ポリイミド樹脂膜 代理人 弁理士 松 本 武 彦
Claims (1)
- １ 半導体素子が形成された半導体基板表面がポリイミ
ド系樹脂膜で覆われてなる半導体装置において、前記半
導体基板の表面にＣＶＤ二酸化シリコン膜が積層形成さ
れていて、同ＣＶＤ二酸化シリコン膜の上に前記ポリイ
ミド系樹脂膜が積層形成されていることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7600789A JPH02254722A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7600789A JPH02254722A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254722A true JPH02254722A (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=13592756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7600789A Pending JPH02254722A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479049A (en) * | 1993-02-01 | 1995-12-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state image sensor provided with a transparent resin layer having water repellency and oil repellency and flattening a surface thereof |
| US5828121A (en) * | 1994-07-15 | 1998-10-27 | United Microelectronics Corporation | Multi-level conduction structure for VLSI circuits |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7600789A patent/JPH02254722A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479049A (en) * | 1993-02-01 | 1995-12-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state image sensor provided with a transparent resin layer having water repellency and oil repellency and flattening a surface thereof |
| US5828121A (en) * | 1994-07-15 | 1998-10-27 | United Microelectronics Corporation | Multi-level conduction structure for VLSI circuits |
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