JPS6215871A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6215871A JPS6215871A JP15417985A JP15417985A JPS6215871A JP S6215871 A JPS6215871 A JP S6215871A JP 15417985 A JP15417985 A JP 15417985A JP 15417985 A JP15417985 A JP 15417985A JP S6215871 A JPS6215871 A JP S6215871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- semiconductor layer
- electrode
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 11
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06203—Transistor-type lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■発明の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関するものである。
半導体レーザとトランジスタとを同一基板上に作り付け
た（通例、モノリシックと称している）１、いわゆる○
Ｅ Ｉ Ｃ（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｉｎｔ、
ｅｇｒａｔ、ｅｄｃｉｖｃＴ＋ｉｔ、）は既に多数の例
がある。その中で、半導体レーザの上に、高比抵抗層を
介して、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を作り付け
た例がある。たとえば、松枝他；日本応用物理学会誌（
Ｊａｐａｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ） Ｖｏ
ｌ、２０ （１９８１）Ｓｕｐｐｌ、２ｏ−ｉｌ ｐｐ
、１９３−１９７等である。本発明は。
た（通例、モノリシックと称している）１、いわゆる○
Ｅ Ｉ Ｃ（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｉｎｔ、
ｅｇｒａｔ、ｅｄｃｉｖｃＴ＋ｉｔ、）は既に多数の例
がある。その中で、半導体レーザの上に、高比抵抗層を
介して、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を作り付け
た例がある。たとえば、松枝他；日本応用物理学会誌（
Ｊａｐａｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ） Ｖｏ
ｌ、２０ （１９８１）Ｓｕｐｐｌ、２ｏ−ｉｌ ｐｐ
、１９３−１９７等である。本発明は。
静電誘導型、あるいはパリスティック型のトランジスタ
を用いることによって、これら従来例よりもさらに大幅
な高速度イヒを実現させる。
を用いることによって、これら従来例よりもさらに大幅
な高速度イヒを実現させる。
なお、静電誘導型トランジスタ、あるいは、パリスティ
ック型トランジスタ自体に関しては、０ＦＩＣとは別に
、文献が多い。例えば、゛西沢他（Ｊ 、ＮｉＮ１５ｈ
ｉｚａ、 ｅｔ ａｌ） ；アイ・イー・イー・イート
ランズアクション エレクトロン デバイス（Ｉ Ｅ
Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ、 Ｅ １ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ）、 Ｅ Ｄ−２２゜ｐｐ、１ｌ８５−１９７
（Ａｕ、１９７５）、あるいは、日経エレクトロニクス
：解説； １９８１年３月１６日号ｐｐ、 １０ｇ−１
２８゜等である。
ック型トランジスタ自体に関しては、０ＦＩＣとは別に
、文献が多い。例えば、゛西沢他（Ｊ 、ＮｉＮ１５ｈ
ｉｚａ、 ｅｔ ａｌ） ；アイ・イー・イー・イート
ランズアクション エレクトロン デバイス（Ｉ Ｅ
Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ、 Ｅ １ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ）、 Ｅ Ｄ−２２゜ｐｐ、１ｌ８５−１９７
（Ａｕ、１９７５）、あるいは、日経エレクトロニクス
：解説； １９８１年３月１６日号ｐｐ、 １０ｇ−１
２８゜等である。
本発明は超高速度での変調動作が可能な半導体レーザを
提供するものである。具体的には、ＩＧｂｉｔ／ ｓ以
上の変調速度をも実現し得るものである。
提供するものである。具体的には、ＩＧｂｉｔ／ ｓ以
上の変調速度をも実現し得るものである。
レーザとモノリシックに集積化するトランジスタとして
、静電誘導型あるいは、パリスティック型を利用するこ
とによって、従来以上の高速度動作を達成した。特に静
電誘導型あるいはパリスティック型のトランジスタを、
レーザダイオード自体に組み込むか、または、近距離に
作り付けることによって、配線等にまつわる浮遊インピ
ーダンスを低減させ、これらトランジスタの本来の高速
性を生かした。
、静電誘導型あるいは、パリスティック型を利用するこ
とによって、従来以上の高速度動作を達成した。特に静
電誘導型あるいはパリスティック型のトランジスタを、
レーザダイオード自体に組み込むか、または、近距離に
作り付けることによって、配線等にまつわる浮遊インピ
ーダンスを低減させ、これらトランジスタの本来の高速
性を生かした。
以下、実施例に従って本発明の詳細な説明する。
先ず、ｎ型Ｑ ａ Ａ ｓ基板を用いた例を述べる。第
１図に本発明の代表例の断面構造を示す。
１図に本発明の代表例の断面構造を示す。
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板（８）の上に、Ｍ ＯＣＶ Ｄ
（Ｍ ｅｊａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、Ｓｅ
をドープしたｎ型Ｇａ０１５６Ａ Ｑ ｏ、ａ５Ａｓク
ラッド層（７）を２〜５μｍの厚さに形成する。
（Ｍ ｅｊａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、Ｓｅ
をドープしたｎ型Ｇａ０１５６Ａ Ｑ ｏ、ａ５Ａｓク
ラッド層（７）を２〜５μｍの厚さに形成する。
次いで、アンドープＧａＡｓ（５）及びアンドープＧａ
ｏ、 ７ Ａ Ｑ ｏ、 ａ Ａｓ（６）を各々５〜ｌ
Ｏｎｍ及び２〜１０ｎｍの厚さに、交互に、３〜１０圓
繰り返した超格子でできた活性層を形成する。活性層は
通常のものでも勿論良い。更にＺｎをドープしたｐ型あ
るいはアンドープのＧ ａ ｏ、 ６６ Ａ Ｑ ｏ、
４６ Ａ ｓクラッド層（４）を０．２〜１μｍの厚さ
にＳｅをドープして、キャリア濃度をＩ Ｘ １０ ”
Ｘ １ ’Ｘ１０１９ｃｍ−３にしたｎ型ＧａＡｓ光
吸収・グー１〜層（３）を０．５〜１．０μｍの厚さに
成長させる。しかる後に、光吸収・ゲート層の一部を蝕
刻除去し、幅１．０〜１０μｍの溝（１４）を作る。こ
の上に再びＭＯＣＶＤ法によって、Ｚｎをドープしたｐ
型あるいはアンドープのＧ ａ ｏ、 ５６ Ａ Ｑ
ｏ、 ４ｓ Ａ Ｓクラッド層１．０〜４．０ μｍ（
２）、Ｓｅをドープしたｎ型Ｇ ａ Ａ ｓキャラプ層
０．１〜Ｌ、０２ｍ（１）を成長させる。次に、レーザ
の発光に関与する部分を残し、キャップ層（１）及びク
ラッド層（２）を蝕刻除去し、光吸収・ゲート層（３）
を露出させる。この上にリフトオフ法を用いて金属電極
（１１）を形成する。即ち、Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ合
金を用いて、蒸着後、Ｈ２気流中で４００℃（±１０℃
）の温度でアロイングを行い、オーミック接触を作った
。レーザのｐ側電極（１０）は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｕの蒸
着とりフトオフ。
ｏ、 ７ Ａ Ｑ ｏ、 ａ Ａｓ（６）を各々５〜ｌ
Ｏｎｍ及び２〜１０ｎｍの厚さに、交互に、３〜１０圓
繰り返した超格子でできた活性層を形成する。活性層は
通常のものでも勿論良い。更にＺｎをドープしたｐ型あ
るいはアンドープのＧ ａ ｏ、 ６６ Ａ Ｑ ｏ、
４６ Ａ ｓクラッド層（４）を０．２〜１μｍの厚さ
にＳｅをドープして、キャリア濃度をＩ Ｘ １０ ”
Ｘ １ ’Ｘ１０１９ｃｍ−３にしたｎ型ＧａＡｓ光
吸収・グー１〜層（３）を０．５〜１．０μｍの厚さに
成長させる。しかる後に、光吸収・ゲート層の一部を蝕
刻除去し、幅１．０〜１０μｍの溝（１４）を作る。こ
の上に再びＭＯＣＶＤ法によって、Ｚｎをドープしたｐ
型あるいはアンドープのＧ ａ ｏ、 ５６ Ａ Ｑ
ｏ、 ４ｓ Ａ Ｓクラッド層１．０〜４．０ μｍ（
２）、Ｓｅをドープしたｎ型Ｇ ａ Ａ ｓキャラプ層
０．１〜Ｌ、０２ｍ（１）を成長させる。次に、レーザ
の発光に関与する部分を残し、キャップ層（１）及びク
ラッド層（２）を蝕刻除去し、光吸収・ゲート層（３）
を露出させる。この上にリフトオフ法を用いて金属電極
（１１）を形成する。即ち、Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ合
金を用いて、蒸着後、Ｈ２気流中で４００℃（±１０℃
）の温度でアロイングを行い、オーミック接触を作った
。レーザのｐ側電極（１０）は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｕの蒸
着とりフトオフ。
ｎ側電極（１２）は、Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ合金、Ｃ
ｒ、Ａｕの蒸着によって作った。発光面となる両面をへ
き開によって形成する。
ｒ、Ａｕの蒸着によって作った。発光面となる両面をへ
き開によって形成する。
さらに効果的な変調動作を期するため、光吸収・ゲート
層の蝕刻に当って、溝部に当たる所に。
層の蝕刻に当って、溝部に当たる所に。
ホトレジスト膜を、局所的に硬化させる（精密なホトマ
スク、あるいはホログラフィックな光照射による）こと
によって、第１図の９に示すような、微細なｎ型ＧａＡ
ｓを、島状に残留させる。このｎ型ＧａＡｇの品番よ、
−辺が０．０１〜０．２μｍの直方体あ乞いは、断面が
、−辺０．Ｏ１〜０．２μｍの長方形の櫛歯状のグリッ
ドである。このグリッドは電気的に、両側の光吸収層（
３）にゲート層と併用して接続されるようなパターンを
成すと効果的である。第２図（ａ）、 （ｂ）は各々に
パターンの例を示す平面図である。グリッドの方向は、
レーザ・スートライプと平行、あるいは直交、あるいは
ある角度を持つ様にしても良い。
スク、あるいはホログラフィックな光照射による）こと
によって、第１図の９に示すような、微細なｎ型ＧａＡ
ｓを、島状に残留させる。このｎ型ＧａＡｇの品番よ、
−辺が０．０１〜０．２μｍの直方体あ乞いは、断面が
、−辺０．Ｏ１〜０．２μｍの長方形の櫛歯状のグリッ
ドである。このグリッドは電気的に、両側の光吸収層（
３）にゲート層と併用して接続されるようなパターンを
成すと効果的である。第２図（ａ）、 （ｂ）は各々に
パターンの例を示す平面図である。グリッドの方向は、
レーザ・スートライプと平行、あるいは直交、あるいは
ある角度を持つ様にしても良い。
レーザＰ側電極（１０）の下に、たとえばＺｎを拡散し
、電流径路の抵抗を減らすと、さらに高速化に有利であ
る。この拡散フロントは、第１図に１３で示す。特に、
このフロントを、ゲートの島あるいはグリッド（第１図
９）に接近させ、その距離が０．５μｍ以下になると、
この間の電子走行距離が、平均自由工程°と同程度にな
るため、パリスティック効果による高速化が生じる。
、電流径路の抵抗を減らすと、さらに高速化に有利であ
る。この拡散フロントは、第１図に１３で示す。特に、
このフロントを、ゲートの島あるいはグリッド（第１図
９）に接近させ、その距離が０．５μｍ以下になると、
この間の電子走行距離が、平均自由工程°と同程度にな
るため、パリスティック効果による高速化が生じる。
以上のようにして作成した素子の動作を確認して次の結
果を得た。
果を得た。
レーザ閾値、１５〜５０ｍＡ。
発振波長０．７７−０．８５ ａｍ。
ゲーｌ〜印加電圧（ピーク値）０．５〜１．ＯＶ。
変調周波数１〜５ＧＨｚ。
電流注入のために、レーザ動作時には活性領域において
、キャリア濃度が不純物濃度を越え、不純物等による静
電場をスクリーニングするので、本素子は、静電誘動型
あるいは、パリスティック型の三端子素子として動作す
る。特に、第１図２及び４のクラッド層における不純物
濃度を低く保って設計するとこの効果が顕著になる。
、キャリア濃度が不純物濃度を越え、不純物等による静
電場をスクリーニングするので、本素子は、静電誘動型
あるいは、パリスティック型の三端子素子として動作す
る。特に、第１図２及び４のクラッド層における不純物
濃度を低く保って設計するとこの効果が顕著になる。
以上の構造を基本とすれば、半絶縁性のＧ ａ Ａ ｓ
基板上に、先ずｎ型の導電層を成長させて、その上に、
第１図の（１）〜（７）の各層を形成させ同様の構成を
作成しても良い。このように本発明は半絶縁性Ｇ ａ
Ａ ｓ基板を用いた○ＥＩＣ作成にも適用される。
基板上に、先ずｎ型の導電層を成長させて、その上に、
第１図の（１）〜（７）の各層を形成させ同様の構成を
作成しても良い。このように本発明は半絶縁性Ｇ ａ
Ａ ｓ基板を用いた○ＥＩＣ作成にも適用される。
さらに、ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系を用いた、発振金属
シリサイド等の、導電性の高い材料も利用できる。その
場合は、Ｇａ Ａ ｓ等化合物半導体との界面の整合性
に十分注意を払い、グラホエピタキシー、あるいは、イ
オンビームを利用した直接描画的な選択成長等の技術を
適用するのが良い。
シリサイド等の、導電性の高い材料も利用できる。その
場合は、Ｇａ Ａ ｓ等化合物半導体との界面の整合性
に十分注意を払い、グラホエピタキシー、あるいは、イ
オンビームを利用した直接描画的な選択成長等の技術を
適用するのが良い。
第１図は本発明の半導体レーザの断面図、第２図はゲー
ト部の平面図を示している。 ■・・・キャップ層、２・・・ｐ型クラッド層、３・・
・光吸収・ゲート層、４・・・Ｐ型クラッド層、５・・
・超格子 ウェル層、６・・・超格子 バリヤ層、７・
・・ｎ型クラッド層、８・・・ｎ型基板、９・・・ゲー
ト（島あるいはグリッド）、１０・・・Ｐ側電極、１１
・・ゲート電極、１２・・・ｎ側電極、１３・・・Ｐ側
拡散フロント。
ト部の平面図を示している。 ■・・・キャップ層、２・・・ｐ型クラッド層、３・・
・光吸収・ゲート層、４・・・Ｐ型クラッド層、５・・
・超格子 ウェル層、６・・・超格子 バリヤ層、７・
・・ｎ型クラッド層、８・・・ｎ型基板、９・・・ゲー
ト（島あるいはグリッド）、１０・・・Ｐ側電極、１１
・・ゲート電極、１２・・・ｎ側電極、１３・・・Ｐ側
拡散フロント。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上にレーザ発振のための第１のクラッド
層、活性層、および第２のクラッド層を有し、この第２
のクラッド層上に当該レーザ光を吸収する第４の半導体
層を設け、第４の半導体層中に開孔を設け、この開孔内
に所定のグリッド層を配し、このグリッド層は前記第４
の半導体層に接続され、前記開孔を含んで第４の半導体
層上に第５の半導体層を少なくとも配し、前記半導体基
板側に第１の電極、前記第５の半導体層上に第２の電極
、第４の半導体層より第３の電極を各々取り出し、且、
レーザ発振のための共振器を構成する手段を有すること
を特徴とする半導体レーザ装置。 ２、前記活性層が超格子構造を有して成ることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 ３、前記第２の電極下にこれに接して不純物領域を設け
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の半導体レーザ装置。 ４、前記第２の電極下にこれと接して設けられた不純物
領域の第５の半導体層中のフロントと前記グリッド層と
の距離が０．５μｍ以下なることを特徴とする特許請求
の範囲第３項記載の半導体レーザ装置。 ５、前記第５の半導体層上に更にキャップ層として少な
くとも第６の半導体層が設けられていることを特許請求
の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15417985A JPS6215871A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15417985A JPS6215871A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215871A true JPS6215871A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15578560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15417985A Pending JPS6215871A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215871A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290280A (en) * | 1976-01-22 | 1977-07-29 | Nec Corp | Semiconductor laser element |
| JPS5710992A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor device and manufacture therefor |
| JPS589388A (ja) * | 1981-07-09 | 1983-01-19 | Olympus Optical Co Ltd | 光変調集積素子 |
| JPS59987A (ja) * | 1982-06-26 | 1984-01-06 | Semiconductor Res Found | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP15417985A patent/JPS6215871A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290280A (en) * | 1976-01-22 | 1977-07-29 | Nec Corp | Semiconductor laser element |
| JPS5710992A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor device and manufacture therefor |
| JPS589388A (ja) * | 1981-07-09 | 1983-01-19 | Olympus Optical Co Ltd | 光変調集積素子 |
| JPS59987A (ja) * | 1982-06-26 | 1984-01-06 | Semiconductor Res Found | 半導体レ−ザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4932033A (en) | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same | |
| US4987468A (en) | Lateral heterojunction bipolar transistor (LHBT) and suitability thereof as a hetero transverse junction (HTJ) laser | |
| US5751754A (en) | Semiconductor laser including tunnel diode for reducing contact resistance | |
| EP0033137B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH07135369A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US5164797A (en) | Lateral heterojunction bipolar transistor (LHBT) and suitability thereof as a hetero transverse junction (HTJ) laser | |
| JPH0143472B2 (ja) | ||
| US5345464A (en) | Semiconductor laser | |
| KR100486470B1 (ko) | 반도체레이저소자 | |
| JPH01239980A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5228048A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH04184973A (ja) | 長波長光送信ｏｅｉｃ | |
| JPS6215871A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2789644B2 (ja) | 光変調器 | |
| JPH0945999A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JP3801410B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH07115251A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3403915B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01184972A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0992936A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS63133587A (ja) | 埋込み構造半導体レ−ザ | |
| Zucker et al. | Intensity modulation at 1.06 μm wavelength using ultranarrow GaInAsP quantum wells | |
| JP3233167B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6261383A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPS6297384A (ja) | 半導体レ−ザ装置 |