JPH0992936A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH0992936A JPH0992936A JP18370096A JP18370096A JPH0992936A JP H0992936 A JPH0992936 A JP H0992936A JP 18370096 A JP18370096 A JP 18370096A JP 18370096 A JP18370096 A JP 18370096A JP H0992936 A JPH0992936 A JP H0992936A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- carrier block
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャリアブロック層のポテンシャルバリアを
低減し、駆動電圧の低減化が可能で信頼性の高い半導体
レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板４０の上に、順次、第２ｎ型クラ
ッド層３１、第１ｎ型クラッド層３２、ｎ型キャリアブ
ロック層３３、二重量子井戸構造を持つ活性層３４、Ａ
ｌ組成比が層厚方向に沿って台形型に分布するｐ型キャ
リアブロック層３５、第１ｐ型クラッド層３６、第２ｐ
型クラッド層３７、およびｐ型コンタクト層３９がそれ
ぞれ形成されている。ｐ型コンタクト層３９には、電流
狭窄層が中央のストライプ部を両側から挟むように埋め
込まれている。
低減し、駆動電圧の低減化が可能で信頼性の高い半導体
レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板４０の上に、順次、第２ｎ型クラ
ッド層３１、第１ｎ型クラッド層３２、ｎ型キャリアブ
ロック層３３、二重量子井戸構造を持つ活性層３４、Ａ
ｌ組成比が層厚方向に沿って台形型に分布するｐ型キャ
リアブロック層３５、第１ｐ型クラッド層３６、第２ｐ
型クラッド層３７、およびｐ型コンタクト層３９がそれ
ぞれ形成されている。ｐ型コンタクト層３９には、電流
狭窄層が中央のストライプ部を両側から挟むように埋め
込まれている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光ディスク等
の光記録、光情報処理、レーザプリンタ、レーザ加工、
レーザ医療などに好適に用いられ、高効率で高出力の動
作が可能な半導体レーザ素子に関する。
の光記録、光情報処理、レーザプリンタ、レーザ加工、
レーザ医療などに好適に用いられ、高効率で高出力の動
作が可能な半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの高出力化を目指して、活
性層の両側に禁制帯幅が大きく導波モードを乱さない程
度に厚みの薄いキャリアブロック層を設けることによっ
て、キャリアブロック層の外側に独立した導波機構を設
けることを可能にした半導体レーザが提案されている。
このような構造において、キャリアブロック層は注入キ
ャリアを活性層内へ効率的に閉じ込める機能を有すると
ともに、キャリアブロック層を薄く形成しているため、
外側に形成された導波機構による導波モード制御に影響
しない。そのためキャリアの閉じ込めとは完全に独立し
た導波モード制御が可能である。したがって導波モード
を広げることにより半導体レーザの出射端面において、
レーザ光の局所集中によって起こる瞬時光学損傷を防止
し、端面破壊レベルを高くすることが可能になり、高出
力動作を実現できる。
性層の両側に禁制帯幅が大きく導波モードを乱さない程
度に厚みの薄いキャリアブロック層を設けることによっ
て、キャリアブロック層の外側に独立した導波機構を設
けることを可能にした半導体レーザが提案されている。
このような構造において、キャリアブロック層は注入キ
ャリアを活性層内へ効率的に閉じ込める機能を有すると
ともに、キャリアブロック層を薄く形成しているため、
外側に形成された導波機構による導波モード制御に影響
しない。そのためキャリアの閉じ込めとは完全に独立し
た導波モード制御が可能である。したがって導波モード
を広げることにより半導体レーザの出射端面において、
レーザ光の局所集中によって起こる瞬時光学損傷を防止
し、端面破壊レベルを高くすることが可能になり、高出
力動作を実現できる。
【０００３】図１２（ａ）はキャリアブロック層を有す
る半導体レーザの一例を示す断面図であり、図１２
（ｂ）は各層に対応した禁制帯幅の分布図、図１２
（ｃ）は各層に対応した屈折率の分布図である。こうし
た構造は、キャリア閉じ込め領域と光閉じ込め領域を分
離して形成した周知の分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣ
Ｈ、Separate Confinement Heterostructure）に対し
て、キャリアブロック層によってキャリア閉じ込めの完
全化を図ることから、完全分離閉じ込めヘテロ構造（Pe
rfect ＳＣＨ）と称する（国際公開ＷＯ９３／１６５１
３号）。
る半導体レーザの一例を示す断面図であり、図１２
（ｂ）は各層に対応した禁制帯幅の分布図、図１２
（ｃ）は各層に対応した屈折率の分布図である。こうし
た構造は、キャリア閉じ込め領域と光閉じ込め領域を分
離して形成した周知の分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣ
Ｈ、Separate Confinement Heterostructure）に対し
て、キャリアブロック層によってキャリア閉じ込めの完
全化を図ることから、完全分離閉じ込めヘテロ構造（Pe
rfect ＳＣＨ）と称する（国際公開ＷＯ９３／１６５１
３号）。
【０００４】図１２（ａ）において、ｎ−ＧａＡｓから
成る半導体基板（不図示）の上に、順次、第２ｎ型クラ
ッド層（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）１、第１ｎ型クラッド層
（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）２、ｎ型キャリアブロック層（ｎ
−ＡｌＧａＡｓ）３、活性層（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ）４、ｐ型キャリアブロック層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ）
５、第１ｐ型クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ）６、第２
ｐ型クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ）７がそれぞれ形成
されている。
成る半導体基板（不図示）の上に、順次、第２ｎ型クラ
ッド層（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）１、第１ｎ型クラッド層
（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）２、ｎ型キャリアブロック層（ｎ
−ＡｌＧａＡｓ）３、活性層（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ）４、ｐ型キャリアブロック層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ）
５、第１ｐ型クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ）６、第２
ｐ型クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ）７がそれぞれ形成
されている。
【０００５】図１２（ｂ）に示すように、各キャリアブ
ロック層３、５の禁制帯幅は、活性層４および各クラッ
ド層１、２、６、７の何れより大きくなるように形成さ
れているため、注入されたキャリアが効率良く活性層４
に閉じ込められる。そのためレーザ発振に寄与するキャ
リア数が増加して、発振効率が向上する。
ロック層３、５の禁制帯幅は、活性層４および各クラッ
ド層１、２、６、７の何れより大きくなるように形成さ
れているため、注入されたキャリアが効率良く活性層４
に閉じ込められる。そのためレーザ発振に寄与するキャ
リア数が増加して、発振効率が向上する。
【０００６】また図１２（ｃ）に示すように、第１ｎ型
クラッド層２から第１ｐ型クラッド層６までの各層が高
屈折率部で、第２ｎ型クラッド層１および第２ｐ型クラ
ッド層７が低屈折率部となるスラブ導波路構造が形成さ
れているため、活性層４で発生した光は高屈折率部内に
広がって伝搬する。そのため出射端面での光ピーク強度
が減少して光学損傷が発生し難くなり、高出力動作が可
能になる。
クラッド層２から第１ｐ型クラッド層６までの各層が高
屈折率部で、第２ｎ型クラッド層１および第２ｐ型クラ
ッド層７が低屈折率部となるスラブ導波路構造が形成さ
れているため、活性層４で発生した光は高屈折率部内に
広がって伝搬する。そのため出射端面での光ピーク強度
が減少して光学損傷が発生し難くなり、高出力動作が可
能になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の完全分離閉じ込
めヘテロ構造（ＰＳＣＨ）の半導体レーザにおいて、ｎ
型キャリアブロック層をホール（正孔）ブロックとし
て、ｐ型キャリアブロック層を電子ブロックとして機能
させるには、キャリアブロック層への高ドーピングによ
ってエネルギーバンドを持ち上げる必要がある。
めヘテロ構造（ＰＳＣＨ）の半導体レーザにおいて、ｎ
型キャリアブロック層をホール（正孔）ブロックとし
て、ｐ型キャリアブロック層を電子ブロックとして機能
させるには、キャリアブロック層への高ドーピングによ
ってエネルギーバンドを持ち上げる必要がある。
【０００８】図１３（ａ）はＰＳＣＨ半導体レーザのエ
ネルギーバンド図であり、図１３（ｂ）はｎ型キャリア
ブロック層付近の拡大図、図１３（ｃ）はｐ型キャリア
ブロック層付近の拡大図である。ｎ型キャリアブロック
層では伝導帯のヘテロ界面に、ｐ型キャリアブロック層
では価電子帯のヘテロ界面にスパイク状のポテンシャル
バリアがそれぞれ形成される。
ネルギーバンド図であり、図１３（ｂ）はｎ型キャリア
ブロック層付近の拡大図、図１３（ｃ）はｐ型キャリア
ブロック層付近の拡大図である。ｎ型キャリアブロック
層では伝導帯のヘテロ界面に、ｐ型キャリアブロック層
では価電子帯のヘテロ界面にスパイク状のポテンシャル
バリアがそれぞれ形成される。
【０００９】注入された電子が伝導帯にできたポテンシ
ャルバリアを乗り越え、同様に、注入されたホールが価
電子帯にできたポテンシャルバリアを乗り越えるために
は、一定のエネルギーが必要になる。そのため、電子お
よびホールに余分なエネルギーを付与する必要があり、
このことは半導体レーザの駆動電圧の上昇を招く結果と
なる。
ャルバリアを乗り越え、同様に、注入されたホールが価
電子帯にできたポテンシャルバリアを乗り越えるために
は、一定のエネルギーが必要になる。そのため、電子お
よびホールに余分なエネルギーを付与する必要があり、
このことは半導体レーザの駆動電圧の上昇を招く結果と
なる。
【００１０】さらに、こうしたポテンシャルバリアを乗
り越えたキャリアが量子井戸層へ緩和する場合、余分な
エネルギーは熱に変化するため、活性層の温度の上昇に
よって半導体レーザの信頼性を低下させる要因となる。
り越えたキャリアが量子井戸層へ緩和する場合、余分な
エネルギーは熱に変化するため、活性層の温度の上昇に
よって半導体レーザの信頼性を低下させる要因となる。
【００１１】本発明の目的は、キャリアブロック層のヘ
テロ界面に発生するポテンシャルバリアを低減し、駆動
電圧の低減化が可能で信頼性の高い半導体レーザ素子を
提供することである。
テロ界面に発生するポテンシャルバリアを低減し、駆動
電圧の低減化が可能で信頼性の高い半導体レーザ素子を
提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、活性層の両側
にクラッド層が設けられ、前記活性層および前記クラッ
ド層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリアブロッ
ク層が前記活性層に近接して設けられ、前記キャリアブ
ロック層において、層内から隣りの層との接合面に向う
層厚方向に沿って禁制帯幅が減少する領域が形成されて
いることを特徴とする半導体レーザ素子である。 また本発明は、前記キャリアブロック層の禁制帯幅が最
大となる領域は、少なくともキャリアのトンネル長の４
倍の厚みを有することを特徴とする。 また本発明は、前記キャリアブロック層の接合面におけ
る禁制帯幅は、該キャリアブロック層に隣接する隣接層
の禁制帯幅以上であることを特徴とする。また本発明
は、ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層はそれぞれ活
性層に近い順に第１クラッド層と第２クラッド層を含
み、πを円周率とし、λを発振波長とし、第１クラッド
層の最大屈折率をＮ１および第２クラッド層間の実効厚
みをｄ１とし、第２クラッド層の屈折率をＮ２とし、 Ｖ＝（π・ｄ１／λ）・（Ｎ１2−Ｎ２2）0.5 と定義したとき Ｖ＞π／３ となることを特徴とする。ここで、第１クラッド層の屈
折率が一定の場合は最大屈折率Ｎ１はその一定値をとる
が、第１クラッド層の中で屈折率が分布を持つ場合はそ
の最大値を意味する。また実効厚みｄ１は、前記両第２
クラッド層間の任意の位置（ｘ）における屈折率をＮｗ
（ｘ）とし、第２ｎ型クラッド層の活性層に近い界面の
位置をｘ１および第２ｐ型クラッド層の活性層に近い界
面の位置をｘ２とすると、次の式で求められる。
にクラッド層が設けられ、前記活性層および前記クラッ
ド層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリアブロッ
ク層が前記活性層に近接して設けられ、前記キャリアブ
ロック層において、層内から隣りの層との接合面に向う
層厚方向に沿って禁制帯幅が減少する領域が形成されて
いることを特徴とする半導体レーザ素子である。 また本発明は、前記キャリアブロック層の禁制帯幅が最
大となる領域は、少なくともキャリアのトンネル長の４
倍の厚みを有することを特徴とする。 また本発明は、前記キャリアブロック層の接合面におけ
る禁制帯幅は、該キャリアブロック層に隣接する隣接層
の禁制帯幅以上であることを特徴とする。また本発明
は、ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層はそれぞれ活
性層に近い順に第１クラッド層と第２クラッド層を含
み、πを円周率とし、λを発振波長とし、第１クラッド
層の最大屈折率をＮ１および第２クラッド層間の実効厚
みをｄ１とし、第２クラッド層の屈折率をＮ２とし、 Ｖ＝（π・ｄ１／λ）・（Ｎ１2−Ｎ２2）0.5 と定義したとき Ｖ＞π／３ となることを特徴とする。ここで、第１クラッド層の屈
折率が一定の場合は最大屈折率Ｎ１はその一定値をとる
が、第１クラッド層の中で屈折率が分布を持つ場合はそ
の最大値を意味する。また実効厚みｄ１は、前記両第２
クラッド層間の任意の位置（ｘ）における屈折率をＮｗ
（ｘ）とし、第２ｎ型クラッド層の活性層に近い界面の
位置をｘ１および第２ｐ型クラッド層の活性層に近い界
面の位置をｘ２とすると、次の式で求められる。
【００１３】
【数１】
【００１４】
【作用】本発明に従えば、キャリアブロック層におい
て、層内から接合面に向う層厚方向に沿って禁制帯幅が
減少する領域を形成することによって、キャリアブロッ
ク層のヘテロ界面に発生するスパイク状のポテンシャル
バリアの高さを低く抑えることができる。そのため、キ
ャリアが活性層内に移動し易くなって、半導体レーザの
駆動電圧を増加させる必要がなく、余分な発熱を抑える
ことができる。
て、層内から接合面に向う層厚方向に沿って禁制帯幅が
減少する領域を形成することによって、キャリアブロッ
ク層のヘテロ界面に発生するスパイク状のポテンシャル
バリアの高さを低く抑えることができる。そのため、キ
ャリアが活性層内に移動し易くなって、半導体レーザの
駆動電圧を増加させる必要がなく、余分な発熱を抑える
ことができる。
【００１５】以下、詳細に説明する。図１は、禁制帯幅
がＥg1のｐ型半導体と禁制帯幅がＥg2のｐ型半導体との
ヘテロ接合のエネルギーバンド図であり、図１（ａ）は
接合前、図１（ｂ）は両者を直接接合した状態、図１
（ｃ）は層厚方向に沿って禁制帯幅が変化する領域を設
けて接合した状態である。
がＥg1のｐ型半導体と禁制帯幅がＥg2のｐ型半導体との
ヘテロ接合のエネルギーバンド図であり、図１（ａ）は
接合前、図１（ｂ）は両者を直接接合した状態、図１
（ｃ）は層厚方向に沿って禁制帯幅が変化する領域を設
けて接合した状態である。
【００１６】ヘテロ接合前は、図１（ａ）に示すよう
に、両者の禁制帯幅はＥg1＜Ｅg2の関係にあり、導電型
は何れもｐ型であるからフェルミレベルは価電子帯近傍
に形成される。
に、両者の禁制帯幅はＥg1＜Ｅg2の関係にあり、導電型
は何れもｐ型であるからフェルミレベルは価電子帯近傍
に形成される。
【００１７】両者を直接接合した場合は、両者のフェル
ミレベルが一致するように、接合界面近傍のホールが広
禁制帯幅側から狭禁制帯幅側へ移動すると、電位分布が
変化して、図１（ｂ）に示すエネルギーバンドに変化し
て、価電子帯の接合界面にスパイク状のポテンシャルバ
リアが形成される。この状態では、ホールが図中左方へ
移動する際、ポテンシャルバリアを乗り越えるための余
分なエネルギーが必要になる。
ミレベルが一致するように、接合界面近傍のホールが広
禁制帯幅側から狭禁制帯幅側へ移動すると、電位分布が
変化して、図１（ｂ）に示すエネルギーバンドに変化し
て、価電子帯の接合界面にスパイク状のポテンシャルバ
リアが形成される。この状態では、ホールが図中左方へ
移動する際、ポテンシャルバリアを乗り越えるための余
分なエネルギーが必要になる。
【００１８】一方、層厚方向に沿って禁制帯幅がＥg2か
らＥg1に連続的に変化する領域Ｋを設けて接合した場合
は、図１（ｃ）に示すエネルギーバンドに変化して、価
電子帯の接合界面でのポテンシャルバリアの高さが低く
抑えられる。そのためホールが図中左方へ移動する際、
ポテンシャルバリアを容易に通過できる。
らＥg1に連続的に変化する領域Ｋを設けて接合した場合
は、図１（ｃ）に示すエネルギーバンドに変化して、価
電子帯の接合界面でのポテンシャルバリアの高さが低く
抑えられる。そのためホールが図中左方へ移動する際、
ポテンシャルバリアを容易に通過できる。
【００１９】図２は、ＰＳＣＨ半導体レーザのｐ型キャ
リアブロック層付近のバンド図である。ＰＳＣＨ半導体
レーザにおいて、ホールは価電子帯に形成されたポテン
シャルバリアを乗り越えて量子井戸層に注入される。な
お、伝導帯ではｐ型キャリアブロック層が電子の移動を
阻止している。
リアブロック層付近のバンド図である。ＰＳＣＨ半導体
レーザにおいて、ホールは価電子帯に形成されたポテン
シャルバリアを乗り越えて量子井戸層に注入される。な
お、伝導帯ではｐ型キャリアブロック層が電子の移動を
阻止している。
【００２０】従来のｐ型キャリアブロック層のＡｌ（ア
ルミニウム）組成比は矩形型であって、価電子帯はキャ
リアブロック層の両界面でスパイク状のポテンシャル形
になる。しかし、本発明では、ｐ型キャリアブロック層
のＡｌ組成比をたとえば台形型に形成することによっ
て、価電子帯はキャリアブロック層の両界面でなだらか
に傾斜したポテンシャル形になりピークも抑えられ、ホ
ールの移動が容易になる。
ルミニウム）組成比は矩形型であって、価電子帯はキャ
リアブロック層の両界面でスパイク状のポテンシャル形
になる。しかし、本発明では、ｐ型キャリアブロック層
のＡｌ組成比をたとえば台形型に形成することによっ
て、価電子帯はキャリアブロック層の両界面でなだらか
に傾斜したポテンシャル形になりピークも抑えられ、ホ
ールの移動が容易になる。
【００２１】なお、ここではｐ型キャリアブロック層に
ついて説明したが、ｎ型キャリアブロック層について
も、ホールを電子に、価電子帯を伝導帯にそれぞれ換言
すれば同様な理論が成立する。すなわち、ｎ型キャリア
ブロック層の接合界面において伝導帯側に電子に対する
ポテンシャルバリアが形成されるが、層厚方向に沿って
禁制帯幅が変化する領域Ｋを介在させることで、バリア
の高さを抑制できる。
ついて説明したが、ｎ型キャリアブロック層について
も、ホールを電子に、価電子帯を伝導帯にそれぞれ換言
すれば同様な理論が成立する。すなわち、ｎ型キャリア
ブロック層の接合界面において伝導帯側に電子に対する
ポテンシャルバリアが形成されるが、層厚方向に沿って
禁制帯幅が変化する領域Ｋを介在させることで、バリア
の高さを抑制できる。
【００２２】図３は、ＰＳＣＨ半導体レーザのＡｌ組成
比を概略的に示した分布図である。キャリアブロック層
は禁制帯幅を大きく形成するため、Ａｌ組成比も大きく
なる。量子井戸層はキャリアが集中させるため、その禁
制帯幅は最も小さく、Ａｌ組成比も小さくなる。
比を概略的に示した分布図である。キャリアブロック層
は禁制帯幅を大きく形成するため、Ａｌ組成比も大きく
なる。量子井戸層はキャリアが集中させるため、その禁
制帯幅は最も小さく、Ａｌ組成比も小さくなる。
【００２３】図４は、本発明に係るキャリアブロック層
のＡｌ組成比の例を示す分布図である。図４（ａ）にお
いて、従来のＡｌ組成比の分布形状は矩形型（厚みＤ
０）であったが、本発明では矩形型の両角部を面取りし
たような形状、すなわちキャリアブロック層の内部にＡ
ｌ組成比が平坦な領域（厚みＤ２）と、層内から接合面
に向う層厚方向に沿ってＡｌ組成比が直線的に減少する
領域（厚みＤ１、Ｄ３）とを形成している。なお、Ａｌ
組成比と禁制帯幅との関係は正比例ではないが、Ａｌ組
成比が大きいほど禁制帯幅も大きくなる。
のＡｌ組成比の例を示す分布図である。図４（ａ）にお
いて、従来のＡｌ組成比の分布形状は矩形型（厚みＤ
０）であったが、本発明では矩形型の両角部を面取りし
たような形状、すなわちキャリアブロック層の内部にＡ
ｌ組成比が平坦な領域（厚みＤ２）と、層内から接合面
に向う層厚方向に沿ってＡｌ組成比が直線的に減少する
領域（厚みＤ１、Ｄ３）とを形成している。なお、Ａｌ
組成比と禁制帯幅との関係は正比例ではないが、Ａｌ組
成比が大きいほど禁制帯幅も大きくなる。
【００２４】図４（ｂ）では、Ａｌ組成比の分布形状は
台形型であり、内部にＡｌ組成比が平坦な領域（厚みＤ
２）を有し、層内から接合面に向う層厚方向に沿ってＡ
ｌ組成比が直線的に減少し、界面では隣接層のＡｌ組成
比と一致するように領域（厚みＤ１、Ｄ３）を形成して
いる。
台形型であり、内部にＡｌ組成比が平坦な領域（厚みＤ
２）を有し、層内から接合面に向う層厚方向に沿ってＡ
ｌ組成比が直線的に減少し、界面では隣接層のＡｌ組成
比と一致するように領域（厚みＤ１、Ｄ３）を形成して
いる。
【００２５】厚みＤ１、Ｄ３は、内部の厚みＤ２と同等
以下くらいが好ましいが、キャリアブロック層の機能
上、ｎ型の場合は電子のトンネル長の４倍以上、ｐ型の
場合はホールのトンネル長の４倍以上の厚みＤ２を有す
ることが好ましい。また、キャリアブロック層の接合面
における禁制帯幅は、キャリアブロック層に隣接する隣
接層の禁制帯幅以上であることが好ましい。これによっ
てキャリアを確実にブロックしつつ、禁制帯幅の連結も
滑らかになる。
以下くらいが好ましいが、キャリアブロック層の機能
上、ｎ型の場合は電子のトンネル長の４倍以上、ｐ型の
場合はホールのトンネル長の４倍以上の厚みＤ２を有す
ることが好ましい。また、キャリアブロック層の接合面
における禁制帯幅は、キャリアブロック層に隣接する隣
接層の禁制帯幅以上であることが好ましい。これによっ
てキャリアを確実にブロックしつつ、禁制帯幅の連結も
滑らかになる。
【００２６】図５は、本発明に係るキャリアブロック層
のＡｌ組成比の他の例を示す分布図である。図５（ａ）
は、内部にキャリアのトンネル長の４倍程度の平坦部を
有し、層内から接合面に向う層厚方向に沿って禁制帯幅
が直線的に減少する領域が形成されている。図５（ｂ）
は、内部の平坦部から接合面に向う層厚方向に沿って段
差状に禁制帯幅が減少している。図５（ｃ）は、図５
（ｂ）の段差数が２段であるもので、その他に３段以上
で構成してもよい。図５（ｄ）はＡｌ組成比が非対称に
分布している例である。図５（ｅ）はＡｌ組成比が層厚
方向に沿って直線的に変化し、その変化領域の傾斜が２
種類存在している例である。
のＡｌ組成比の他の例を示す分布図である。図５（ａ）
は、内部にキャリアのトンネル長の４倍程度の平坦部を
有し、層内から接合面に向う層厚方向に沿って禁制帯幅
が直線的に減少する領域が形成されている。図５（ｂ）
は、内部の平坦部から接合面に向う層厚方向に沿って段
差状に禁制帯幅が減少している。図５（ｃ）は、図５
（ｂ）の段差数が２段であるもので、その他に３段以上
で構成してもよい。図５（ｄ）はＡｌ組成比が非対称に
分布している例である。図５（ｅ）はＡｌ組成比が層厚
方向に沿って直線的に変化し、その変化領域の傾斜が２
種類存在している例である。
【００２７】図６は、電子のトンネル確率のキャリアブ
ロック層厚依存性を示す説明図である。一般に矩形のポ
テンシャル障壁を粒子がトンネルする確率はポテンシャ
ル障壁の高さおよび幅と粒子の質量および粒子の持つエ
ネルギーが決まれば一義的に決まる（共立出版 後藤憲
一、他編「量子力学演習」５５ページ）。
ロック層厚依存性を示す説明図である。一般に矩形のポ
テンシャル障壁を粒子がトンネルする確率はポテンシャ
ル障壁の高さおよび幅と粒子の質量および粒子の持つエ
ネルギーが決まれば一義的に決まる（共立出版 後藤憲
一、他編「量子力学演習」５５ページ）。
【００２８】そこでキャリアの平均運動エネルギー＝ｋ
Ｔ／２でのキャリアのトンネル確率が１／ｅとなる膜厚
をトンネル長とする。例えばキャリアブロック層のＡ１
組成比が０．６、これに隣接するクラッド層のＡ１組成
比が０．３の場合、電子のトンネル長は図６のように算
出することができる。
Ｔ／２でのキャリアのトンネル確率が１／ｅとなる膜厚
をトンネル長とする。例えばキャリアブロック層のＡ１
組成比が０．６、これに隣接するクラッド層のＡ１組成
比が０．３の場合、電子のトンネル長は図６のように算
出することができる。
【００２９】また、ｎ型およびｐ型クラッド層を活性層
に近い順に第１クラッド層と第２クラッド層という複数
層のクラッド層で構成し、さらに第２クラッド層にはさ
まれる活性層、キャリアブロック層、第１クラッド層か
らなる光導波路の規格化周波数Ｖをπ／３より大きく形
成することによって、導波モードを理想とするガウス型
に近づけることが可能となる。また活性層領域での導波
モードのピーク強度が減少し、半導体レーザ素子の出射
端面での光学損傷レベルをより高くすることが可能にな
る。またマルチモード化しないためには、規格化周波数
Ｖは２π以下であることが好ましい。
に近い順に第１クラッド層と第２クラッド層という複数
層のクラッド層で構成し、さらに第２クラッド層にはさ
まれる活性層、キャリアブロック層、第１クラッド層か
らなる光導波路の規格化周波数Ｖをπ／３より大きく形
成することによって、導波モードを理想とするガウス型
に近づけることが可能となる。また活性層領域での導波
モードのピーク強度が減少し、半導体レーザ素子の出射
端面での光学損傷レベルをより高くすることが可能にな
る。またマルチモード化しないためには、規格化周波数
Ｖは２π以下であることが好ましい。
【００３０】
（実施例１）図７（ａ）は本発明の一実施例を示す断面
図であり、図７（ｂ）はｐ型キャリアブロック層３５の
Ａｌ組成比を示す分布図である。
図であり、図７（ｂ）はｐ型キャリアブロック層３５の
Ａｌ組成比を示す分布図である。
【００３１】図７（ａ）において、ＭＯＣＶＤ（有機金
属化学気相成長）やＭＢＥ（分子ビーム成長）等の薄膜
製造方法を用いて、ｎ−ＧａＡｓから成る半導体基板４
０の上に、順次、ｎ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓから成る第
２ｎ型クラッド層（厚み０．７μｍ）３１、ｎ−Ａｌ
0.30Ｇａ0.70Ａｓから成る第１ｎ型クラッド層（厚み
０．４μｍ）３２、ｎ−Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓから成る
ｎ型キャリアブロック層（厚み０．０１５μｍ）３３、
ＧａＡｓ／Ａｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓから成る二重量子井戸
構造（ＤＱＷ）を持つ活性層３４、ｐ−Ａｌ0.60Ｇａ
0.40Ａｓから成りＡｌ組成比が台形型のｐ型キャリアブ
ロック層（厚み０．０２５μｍ）３５、ｐ−Ａｌ0.30Ｇ
ａ0.70Ａｓから成る第１ｐ型クラッド層（厚み０．４μ
ｍ）３６、ｐ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓから成る第２ｐ型
クラッド層（厚み０．７μｍ）３７、およびｐ−ＧａＡ
ｓから成るｐ型コンタクト層（厚み２μｍ）３９がそれ
ぞれ形成されている。なお、ｐ型コンタクト層３９に
は、ｎ−ＧａＡｓから成る電流狭窄層（厚み０．３μ
ｍ）３８が中央のストライプ部を両側から挟むように埋
め込まれている。
属化学気相成長）やＭＢＥ（分子ビーム成長）等の薄膜
製造方法を用いて、ｎ−ＧａＡｓから成る半導体基板４
０の上に、順次、ｎ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓから成る第
２ｎ型クラッド層（厚み０．７μｍ）３１、ｎ−Ａｌ
0.30Ｇａ0.70Ａｓから成る第１ｎ型クラッド層（厚み
０．４μｍ）３２、ｎ−Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓから成る
ｎ型キャリアブロック層（厚み０．０１５μｍ）３３、
ＧａＡｓ／Ａｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓから成る二重量子井戸
構造（ＤＱＷ）を持つ活性層３４、ｐ−Ａｌ0.60Ｇａ
0.40Ａｓから成りＡｌ組成比が台形型のｐ型キャリアブ
ロック層（厚み０．０２５μｍ）３５、ｐ−Ａｌ0.30Ｇ
ａ0.70Ａｓから成る第１ｐ型クラッド層（厚み０．４μ
ｍ）３６、ｐ−Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓから成る第２ｐ型
クラッド層（厚み０．７μｍ）３７、およびｐ−ＧａＡ
ｓから成るｐ型コンタクト層（厚み２μｍ）３９がそれ
ぞれ形成されている。なお、ｐ型コンタクト層３９に
は、ｎ−ＧａＡｓから成る電流狭窄層（厚み０．３μ
ｍ）３８が中央のストライプ部を両側から挟むように埋
め込まれている。
【００３２】ｐ型コンタクト層３９の上面および半導体
基板４０の下面には、オーミック電極４１、４２が形成
される。光の共振方向は図７（ａ）紙面垂直方向であ
り、半導体レーザ素子の共振器端面は図７（ａ）紙面に
平行に形成されている。
基板４０の下面には、オーミック電極４１、４２が形成
される。光の共振方向は図７（ａ）紙面垂直方向であ
り、半導体レーザ素子の共振器端面は図７（ａ）紙面に
平行に形成されている。
【００３３】図７（ｂ）に示すように、ｐ型キャリアブ
ロック層３５のＡｌ組成比ｘの分布は台形型を示し、内
部の平坦部がｘ＝０．６で厚みが１５０Å、隣接層との
接合面でｘ＝０．３、Ａｌ組成比が層厚方向に沿って減
少する領域は厚み５０Åである。したがって、ｐ型キャ
リアブロック層３５の禁制帯幅の分布形状も台形に近似
した形状を成している。こうした構成によって、ｐ型キ
ャリアブロック層３５の両接合界面に生ずるポテンシャ
ルバリアの高さを低減でき、ホールが価電子帯を容易に
移動し、活性層３４への注入効率が改善される。
ロック層３５のＡｌ組成比ｘの分布は台形型を示し、内
部の平坦部がｘ＝０．６で厚みが１５０Å、隣接層との
接合面でｘ＝０．３、Ａｌ組成比が層厚方向に沿って減
少する領域は厚み５０Åである。したがって、ｐ型キャ
リアブロック層３５の禁制帯幅の分布形状も台形に近似
した形状を成している。こうした構成によって、ｐ型キ
ャリアブロック層３５の両接合界面に生ずるポテンシャ
ルバリアの高さを低減でき、ホールが価電子帯を容易に
移動し、活性層３４への注入効率が改善される。
【００３４】図８は、半導体レーザ素子の電流−電圧特
性を示すグラフである。図９はｐ型キャリアブロック層
のＡｌ組成比の分布図であり、図９（ａ）は図７の実施
例１、図９（ｂ）は比較例１である。図７の実施例１お
よび比較例１ともに、キャビティ長９００μｍ、電流注
入ストライプ幅５０μｍ、光学コーティングは前面で反
射率１０％、後面で反射率９６％という条件が共通して
いる。比較例１のｐ型キャリアブロック層は厚み２００
Åであって、Ａｌ組成比は均一である。
性を示すグラフである。図９はｐ型キャリアブロック層
のＡｌ組成比の分布図であり、図９（ａ）は図７の実施
例１、図９（ｂ）は比較例１である。図７の実施例１お
よび比較例１ともに、キャビティ長９００μｍ、電流注
入ストライプ幅５０μｍ、光学コーティングは前面で反
射率１０％、後面で反射率９６％という条件が共通して
いる。比較例１のｐ型キャリアブロック層は厚み２００
Åであって、Ａｌ組成比は均一である。
【００３５】図８のグラフを見ると、駆動電圧は比較例
１に対して実施例１の方が約１０％程度低減化している
ことが判る。
１に対して実施例１の方が約１０％程度低減化している
ことが判る。
【００３６】（実施例２）図１０（ａ）は本発明の第２
の実施例を示す断面図であり、図１０（ｂ）はｐ型キャ
リアブロック層３５のＡｌ組成比を示す分布図である。
の実施例を示す断面図であり、図１０（ｂ）はｐ型キャ
リアブロック層３５のＡｌ組成比を示す分布図である。
【００３７】図１０（ａ）において、ＭＯＣＶＤ（有機
金属化学気相成長）やＭＢＥ（分子ビーム成長）等の薄
膜製造方法を用いて、ｎ−ＧａＡｓから成る半導体基板
４０の上に、順次、ｎ−Ａｌ0.27Ｇａ0.73Ａｓから成る
第２ｎ型クラッド層（厚み１．２μｍ）３１、ｎ−Ａｌ
0.10Ｇａ0.90Ａｓから成る第１ｎ型クラッド層（厚み
０．４９μｍ）３２、ｎ−Ａｌ0.40Ｇａ0.60Ａｓから成
り、Ａｌ組成比が台形のｎ型キャリアブロック層（厚み
０．０３μｍ）３３、Ｉｎ0.18Ｇａ0.88Ａｓ／Ａｌ0.10
Ｇａ0.90Ａｓから成る二重量子井戸構造（ＤＱＷ）を持
つ活性層３４、ｐ−Ａｌ0.40Ｇａ0.60Ａｓから成りＡｌ
組成比が台形型のｐ型キャリアブロック層（厚み０．０
３μｍ）３５、ｐ−Ａｌ0.10Ｇａ0.90Ａｓから成る第１
ｐ型クラッド層（厚み０．４９μｍ）３６、ｐ−Ａｌ
0.27Ｇａ0.73Ａｓから成る第２ｐ型クラッド層（厚み
１．２μｍ）３７、およびｐ−ＧａＡｓから成るｐ型コ
ンタクト層（厚み２μｍ）３９がそれぞれ形成されてい
る。なお、ｐ型コンタクト層３９には、ｎ−ＧａＡｓか
ら成る電流狭窄層（厚み０．３μｍ）３８が中央のスト
ライプ部を両側から挟むように埋め込まれている。
金属化学気相成長）やＭＢＥ（分子ビーム成長）等の薄
膜製造方法を用いて、ｎ−ＧａＡｓから成る半導体基板
４０の上に、順次、ｎ−Ａｌ0.27Ｇａ0.73Ａｓから成る
第２ｎ型クラッド層（厚み１．２μｍ）３１、ｎ−Ａｌ
0.10Ｇａ0.90Ａｓから成る第１ｎ型クラッド層（厚み
０．４９μｍ）３２、ｎ−Ａｌ0.40Ｇａ0.60Ａｓから成
り、Ａｌ組成比が台形のｎ型キャリアブロック層（厚み
０．０３μｍ）３３、Ｉｎ0.18Ｇａ0.88Ａｓ／Ａｌ0.10
Ｇａ0.90Ａｓから成る二重量子井戸構造（ＤＱＷ）を持
つ活性層３４、ｐ−Ａｌ0.40Ｇａ0.60Ａｓから成りＡｌ
組成比が台形型のｐ型キャリアブロック層（厚み０．０
３μｍ）３５、ｐ−Ａｌ0.10Ｇａ0.90Ａｓから成る第１
ｐ型クラッド層（厚み０．４９μｍ）３６、ｐ−Ａｌ
0.27Ｇａ0.73Ａｓから成る第２ｐ型クラッド層（厚み
１．２μｍ）３７、およびｐ−ＧａＡｓから成るｐ型コ
ンタクト層（厚み２μｍ）３９がそれぞれ形成されてい
る。なお、ｐ型コンタクト層３９には、ｎ−ＧａＡｓか
ら成る電流狭窄層（厚み０．３μｍ）３８が中央のスト
ライプ部を両側から挟むように埋め込まれている。
【００３８】ｐ型コンタクト層３９の上面および半導体
基板４０の下面には、オーミック電極４１、４２が形成
される。光の共振方向は図１０（ａ）紙面垂直方向であ
り、半導体レーザ素子の共振器端面は図１０（ａ）紙面
に平行に形成されている。
基板４０の下面には、オーミック電極４１、４２が形成
される。光の共振方向は図１０（ａ）紙面垂直方向であ
り、半導体レーザ素子の共振器端面は図１０（ａ）紙面
に平行に形成されている。
【００３９】図１０（ｂ）に示すように、ｎ型およびｐ
型キャリアブロック層３３，３５のＡｌ組成比ｘの分布
は台形型を示し、内部の平坦部がｘ＝０．４で厚みが２
００Å、隣接層との接合面でｘ＝０．１、Ａｌ組成比が
層厚方向に沿って減少する領域は厚み５０Åである。し
たがって、ｎ型およびｐ型キャリアブロック層３３，３
５の禁制帯幅の分布形状も台形に近似した形状を成して
いる。こうした構成によって、ｎ型およびｐ型キャリア
ブロック層３３，３５の両接合界面に生ずるポテンシャ
ルバリアの高さを低減でき、ホールが価電子帯を容易に
移動し、活性層３４への注入効率が改善される。
型キャリアブロック層３３，３５のＡｌ組成比ｘの分布
は台形型を示し、内部の平坦部がｘ＝０．４で厚みが２
００Å、隣接層との接合面でｘ＝０．１、Ａｌ組成比が
層厚方向に沿って減少する領域は厚み５０Åである。し
たがって、ｎ型およびｐ型キャリアブロック層３３，３
５の禁制帯幅の分布形状も台形に近似した形状を成して
いる。こうした構成によって、ｎ型およびｐ型キャリア
ブロック層３３，３５の両接合界面に生ずるポテンシャ
ルバリアの高さを低減でき、ホールが価電子帯を容易に
移動し、活性層３４への注入効率が改善される。
【００４０】図１１は、半導体レーザ素子の電流−電圧
特性を示すグラフである。図１１中の破線は図１０に示
す実施例２のものである。図１１中の実線は比較例２で
あり、ｎ型およびｐ型キャリアブロック層３３，３５の
Ａｌ組成比ｘの分布は内部平坦部がｘ＝０．４で厚みが
２５０Å、隣接層との接合面でｘ＝０．１となる矩形型
である。
特性を示すグラフである。図１１中の破線は図１０に示
す実施例２のものである。図１１中の実線は比較例２で
あり、ｎ型およびｐ型キャリアブロック層３３，３５の
Ａｌ組成比ｘの分布は内部平坦部がｘ＝０．４で厚みが
２５０Å、隣接層との接合面でｘ＝０．１となる矩形型
である。
【００４１】図１０の実施例２および比較例２ともに、
キャビティ長９００μｍ、電流注入ストライプ幅５０μ
ｍ、光学コーティングは前面で反射率１０％、後面で反
射率９６％という条件が共通している。比較例２のｎ型
およびｐ型キャリアブロック層は厚み２５０Åであっ
て、Ａｌ組成比は均一である。
キャビティ長９００μｍ、電流注入ストライプ幅５０μ
ｍ、光学コーティングは前面で反射率１０％、後面で反
射率９６％という条件が共通している。比較例２のｎ型
およびｐ型キャリアブロック層は厚み２５０Åであっ
て、Ａｌ組成比は均一である。
【００４２】図１１のグラフを見ると、駆動電圧は比較
例２に対して実施例２の方が約１０％程度低減化してい
ることが判る。
例２に対して実施例２の方が約１０％程度低減化してい
ることが判る。
【００４３】以上の各実施例において、ｐ型キャリアブ
ロック層３５の禁制帯幅の分布を層厚方向に変化させ、
ｎ型キャリアブロック層３３は一定である例および両方
のキャリアブロック層３３，３５の禁制帯幅の分布を層
厚方向に変化させた例を示したが、ｎ型キャリアブロッ
ク層３３だけに本発明を適用することも可能である。
ロック層３５の禁制帯幅の分布を層厚方向に変化させ、
ｎ型キャリアブロック層３３は一定である例および両方
のキャリアブロック層３３，３５の禁制帯幅の分布を層
厚方向に変化させた例を示したが、ｎ型キャリアブロッ
ク層３３だけに本発明を適用することも可能である。
【００４４】また各実施例において、ＡｌＧａＡｓ系や
ＩｎＧａＡｓ系などの３元系半導体材料を使用する例を
示したが、本発明はＡｌＧａＩｎＰ系やＧａＩｎＡｓＰ
系などの４元系半導体材料にも同様に適用できる。
ＩｎＧａＡｓ系などの３元系半導体材料を使用する例を
示したが、本発明はＡｌＧａＩｎＰ系やＧａＩｎＡｓＰ
系などの４元系半導体材料にも同様に適用できる。
【００４５】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、キ
ャリアブロック層において層内から接合面に向う層厚方
向に沿って禁制帯幅が減少する領域を形成することによ
って、キャリアブロック層のヘテロ界面に発生するスパ
イク状のポテンシャルバリアの高さを低く抑えることが
できる。そのため、キャリアが活性層内に移動し易くな
る。その結果、半導体レーザの駆動電圧を低減でき、し
かも余分な発熱を抑えることができるため、信頼性の高
い半導体レーザが得られる。
ャリアブロック層において層内から接合面に向う層厚方
向に沿って禁制帯幅が減少する領域を形成することによ
って、キャリアブロック層のヘテロ界面に発生するスパ
イク状のポテンシャルバリアの高さを低く抑えることが
できる。そのため、キャリアが活性層内に移動し易くな
る。その結果、半導体レーザの駆動電圧を低減でき、し
かも余分な発熱を抑えることができるため、信頼性の高
い半導体レーザが得られる。
【図１】禁制帯幅がＥg1のｐ型半導体と禁制帯幅がＥg2
のｐ型半導体とのヘテロ接合のエネルギーバンド図であ
り、図１（ａ）は接合前、図１（ｂ）は両者を直接接合
した状態、図１（ｃ）は層厚方向に沿って禁制帯幅が変
化する領域を設けて接合した状態である。
のｐ型半導体とのヘテロ接合のエネルギーバンド図であ
り、図１（ａ）は接合前、図１（ｂ）は両者を直接接合
した状態、図１（ｃ）は層厚方向に沿って禁制帯幅が変
化する領域を設けて接合した状態である。
【図２】ＰＳＣＨ半導体レーザのｐ型キャリアブロック
層付近のバンド図である。
層付近のバンド図である。
【図３】ＰＳＣＨ半導体レーザのＡｌ組成比を概略的に
示した分布図である。
示した分布図である。
【図４】本発明に係るキャリアブロック層のＡｌ組成比
の例を示す分布図である。
の例を示す分布図である。
【図５】本発明に係るキャリアブロック層のＡｌ組成比
の他の例を示す分布図である。
の他の例を示す分布図である。
【図６】電子のトンネル確率のキャリアブロック層厚依
存性を示す説明図である。
存性を示す説明図である。
【図７】図７（ａ）は本発明の一実施例を示す断面図で
あり、図７（ｂ）はｐ型キャリアブロック層３５のＡｌ
組成比を示す分布図である。
あり、図７（ｂ）はｐ型キャリアブロック層３５のＡｌ
組成比を示す分布図である。
【図８】半導体レーザ素子の電流−電圧特性を示すグラ
フである。
フである。
【図９】ｐ型キャリアブロック層のＡｌ組成比の分布図
であり、図９（ａ）は図７実施例、図９（ｂ）は比較例
である。
であり、図９（ａ）は図７実施例、図９（ｂ）は比較例
である。
【図１０】図１０（ａ）は本発明の第２の実施例を示す
断面図であり、図１０（ｂ）はｐ型キャリアブロック層
３５のＡｌ組成比を示す分布図である。
断面図であり、図１０（ｂ）はｐ型キャリアブロック層
３５のＡｌ組成比を示す分布図である。
【図１１】半導体レーザ素子の電流−電圧特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図１２】図１２（ａ）はキャリアブロック層を有する
半導体レーザの一例を示す断面図であり、図１２（ｂ）
は各層に対応した禁制帯幅の分布図、図１２（ｃ）は各
層に対応した屈折率の分布図である。
半導体レーザの一例を示す断面図であり、図１２（ｂ）
は各層に対応した禁制帯幅の分布図、図１２（ｃ）は各
層に対応した屈折率の分布図である。
【図１３】図１３（ａ）はＰＳＣＨ半導体レーザのエネ
ルギーバンド図であり、図１３（ｂ）はｎ型キャリアブ
ロック層付近の拡大図、図１３（ｃ）はｐ型キャリアブ
ロック層付近の拡大図である。
ルギーバンド図であり、図１３（ｂ）はｎ型キャリアブ
ロック層付近の拡大図、図１３（ｃ）はｐ型キャリアブ
ロック層付近の拡大図である。
３１ 第２ｎ型クラッド層 ３２ 第１ｎ型クラッド層 ３３ ｎ型キャリアブロック層 ３４ 活性層 ３５ ｐ型キャリアブロック層 ３６ 第１ｐ型クラッド層 ３７ 第２ｐ型クラッド層 ３８ 電流狭窄層 ３９ ｐ型コンタクト層 ４０ 半導体基板 ４１、４２ オーミック電極
Claims (4)
- 【請求項１】 活性層の両側にクラッド層が設けられ、 前記活性層および前記クラッド層の禁制帯幅以上の禁制
帯幅を有するキャリアブロック層が前記活性層に近接し
て設けられ、 前記キャリアブロック層において、層内から隣りの層と
の接合面に向う層厚方向に沿って禁制帯幅が減少する領
域が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素
子。 - 【請求項２】 前記キャリアブロック層の禁制帯幅が最
大となる領域は、少なくともキャリアのトンネル長の４
倍の厚みを有することを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記キャリアブロック層の接合面におけ
る禁制帯幅は、該キャリアブロック層に隣接する隣接層
の禁制帯幅以上であることを特徴とする請求項１または
２記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層は
それぞれ活性層に近い順に第１クラッド層と第２クラッ
ド層を含み、 πを円周率とし、λを発振波長とし、第１クラッド層の
最大屈折率をＮ１および第２クラッド層間の実効厚みを
ｄ１とし、第２クラッド層の屈折率をＮ２とし、 Ｖ＝（π・ｄ１／λ）・（Ｎ１2−Ｎ２2）0.5 と定義したとき Ｖ＞π／３ となることを特徴とする請求項１、２または３記載の半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18370096A JPH0992936A (ja) | 1995-07-13 | 1996-07-12 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-177748 | 1995-07-13 | ||
| JP17774895 | 1995-07-13 | ||
| JP18370096A JPH0992936A (ja) | 1995-07-13 | 1996-07-12 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992936A true JPH0992936A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=26498180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18370096A Pending JPH0992936A (ja) | 1995-07-13 | 1996-07-12 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992936A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4842631A (en) * | 1988-06-20 | 1989-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of making carbon dioxide and chlorine free fluoride-based glass |
| WO1999016156A1 (en) * | 1997-09-24 | 1999-04-01 | Nippon Sanso Corporation | Semiconductor laser |
| JP2004247503A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2010512666A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス |
| CN109417276A (zh) * | 2016-06-30 | 2019-03-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统 |
-
1996
- 1996-07-12 JP JP18370096A patent/JPH0992936A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4842631A (en) * | 1988-06-20 | 1989-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of making carbon dioxide and chlorine free fluoride-based glass |
| WO1999016156A1 (en) * | 1997-09-24 | 1999-04-01 | Nippon Sanso Corporation | Semiconductor laser |
| US6434178B1 (en) | 1997-09-24 | 2002-08-13 | Nippon Sanso Corporation | Semiconductor laser |
| JP2004247503A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2010512666A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス |
| CN109417276A (zh) * | 2016-06-30 | 2019-03-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统 |
| JPWO2018003551A1 (ja) * | 2016-06-30 | 2019-04-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム |
| US20190148916A1 (en) * | 2016-06-30 | 2019-05-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and laser light source system for welding |
| US10985533B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-04-20 | Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and laser light source system for welding |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Effective date: 20070116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070319 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070910 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071113 |