JPS62159449A - 多層配線構造の製造法 - Google Patents
多層配線構造の製造法Info
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- JPS62159449A JPS62159449A JP61001129A JP112986A JPS62159449A JP S62159449 A JPS62159449 A JP S62159449A JP 61001129 A JP61001129 A JP 61001129A JP 112986 A JP112986 A JP 112986A JP S62159449 A JPS62159449 A JP S62159449A
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
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- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路、ノ（プルメモリ素子等の電
子回路部品における多層配線構造の製造法に関する。
子回路部品における多層配線構造の製造法に関する。
（従来の技術）
従来、半導体集積回路等における多層配線構造の製造法
としては、パターン形成された配線層を有する基板上に
真空蒸着、ＣＶＤ（ケキカルペーパーデポジション）等
の気相成長法により５ｉｆｔ、 ＳｉＮ等からなる眉間
絶縁膜を形成し、スルーホールを開孔した後、上層配線
法を形成する方法が用いられている。しかし、気相成長
法によって層間絶縁膜を形成する方法では、第３図のよ
うに下層配線層２の段差が眉間絶縁膜３形成後もそのま
ま浅見上層配線層４を形成した際、上記段差部分で配線
層がきわめて薄くなり配線切れが起こりやすいという問
題があった。第３図において１は基体である。
としては、パターン形成された配線層を有する基板上に
真空蒸着、ＣＶＤ（ケキカルペーパーデポジション）等
の気相成長法により５ｉｆｔ、 ＳｉＮ等からなる眉間
絶縁膜を形成し、スルーホールを開孔した後、上層配線
法を形成する方法が用いられている。しかし、気相成長
法によって層間絶縁膜を形成する方法では、第３図のよ
うに下層配線層２の段差が眉間絶縁膜３形成後もそのま
ま浅見上層配線層４を形成した際、上記段差部分で配線
層がきわめて薄くなり配線切れが起こりやすいという問
題があった。第３図において１は基体である。
そこでこれを改良するために、眉間絶縁膜の形成を芳香
族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とから得
られ念ポリアミック酸の溶液を塗布、硬化して行なう方
法が提案され（特公昭５１−４４８７１号公報）実用化
されている。
族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とから得
られ念ポリアミック酸の溶液を塗布、硬化して行なう方
法が提案され（特公昭５１−４４８７１号公報）実用化
されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、近年半導体集積回路等の電子部品における集積
度の向上はめざましく、配線構造もますまず多層化され
、配線段差の平坦化に対する必要性は一層増大してきて
いる。上記芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸か
ら得られるポリアミック酸では、ポリアミック酸の溶媒
に対する溶解性が非常に低く、溶液を高濃度化すること
ができないため、上記配線段差の平坦化性が十分でなく
。
度の向上はめざましく、配線構造もますまず多層化され
、配線段差の平坦化に対する必要性は一層増大してきて
いる。上記芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸か
ら得られるポリアミック酸では、ポリアミック酸の溶媒
に対する溶解性が非常に低く、溶液を高濃度化すること
ができないため、上記配線段差の平坦化性が十分でなく
。
２層以上の多層配線構造の製造は困難であった。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、これら従来技術の欠点に鑑み鋭意検討し
た結果、パターンの形成された配線層を有する基材上に
塗布するポリアミック酸溶液を高濃度化する程、配線段
差の平坦化率が向上すること、また、ポリアミック酸溶
液を高濃度化するためには、低分子量のエステルオリゴ
マー化することが効果的であることを見い出し本発明に
到達した。
た結果、パターンの形成された配線層を有する基材上に
塗布するポリアミック酸溶液を高濃度化する程、配線段
差の平坦化率が向上すること、また、ポリアミック酸溶
液を高濃度化するためには、低分子量のエステルオリゴ
マー化することが効果的であることを見い出し本発明に
到達した。
本発明は、パターンの形成された配線層を有する基材上
に、芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール及び
／又はアルコール誘導体とを反応させて得られる芳香族
テトラカルボン酸エステルに、芳香族ジアミン及び／又
はジアミノシロキサンを反応させて得られるポリアミッ
ク酸エステルオリゴマーの溶液を塗布し、硬化して層間
絶縁膜としたのちスルーホールを形成し、その後上層配
線層を形成することを特徴とする多層配線構造の製造法
に関する。
に、芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール及び
／又はアルコール誘導体とを反応させて得られる芳香族
テトラカルボン酸エステルに、芳香族ジアミン及び／又
はジアミノシロキサンを反応させて得られるポリアミッ
ク酸エステルオリゴマーの溶液を塗布し、硬化して層間
絶縁膜としたのちスルーホールを形成し、その後上層配
線層を形成することを特徴とする多層配線構造の製造法
に関する。
、本発明におけるパターンの形成された配線層を有する
基材とは２例えば、 ＡＩ！配線層を形成したシリコ
ン半導体基板ｖ Ｃｕ配線層を形成したセラミックハ
イフリット基板等を指す。
基材とは２例えば、 ＡＩ！配線層を形成したシリコ
ン半導体基板ｖ Ｃｕ配線層を形成したセラミックハ
イフリット基板等を指す。
また２本発明におけるポリアミック酸エステルオリゴマ
ーは、必要に応じて溶媒の存在下で芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物とアルコール及び／又はアルコール誘導体
とを反応させて得られる芳香族テトラカルボン酸エステ
ルに、芳香族ジアミン及び／又はジアミノシロキサンを
反応させテ得られる。この際必要に応じて芳香族テトラ
カルボン酸エステルとともに芳香族テトラカルボン酸二
無水物を併用し、生成するポリアミック酸エステルオリ
ゴマーの分子量を調整することも可能である。芳香族テ
トラカルボン酸二無水物を併用する場合には、芳香族テ
トラカルボン酸エステルを合成する際に用いるアルコー
ル及び／又はアルコール誘導体の量を芳香族テトラカル
ボン酸二無水物の当量より少なくして二無水物を残す様
にしてもよいし、また、後で芳香族ジアミン及び／又は
ジアミノシロキサンと反応させる際に新たに添加しても
よい。
ーは、必要に応じて溶媒の存在下で芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物とアルコール及び／又はアルコール誘導体
とを反応させて得られる芳香族テトラカルボン酸エステ
ルに、芳香族ジアミン及び／又はジアミノシロキサンを
反応させテ得られる。この際必要に応じて芳香族テトラ
カルボン酸エステルとともに芳香族テトラカルボン酸二
無水物を併用し、生成するポリアミック酸エステルオリ
ゴマーの分子量を調整することも可能である。芳香族テ
トラカルボン酸二無水物を併用する場合には、芳香族テ
トラカルボン酸エステルを合成する際に用いるアルコー
ル及び／又はアルコール誘導体の量を芳香族テトラカル
ボン酸二無水物の当量より少なくして二無水物を残す様
にしてもよいし、また、後で芳香族ジアミン及び／又は
ジアミノシロキサンと反応させる際に新たに添加しても
よい。
溶解性、硬化時の発泡等の点から芳香族テトラカルボン
酸二無水物１モルに対し、アルコール及び／又はアルコ
ール誘導体１．５〜２モルを反応させることが好ましい
。
酸二無水物１モルに対し、アルコール及び／又はアルコ
ール誘導体１．５〜２モルを反応させることが好ましい
。
また、必要に応じて用いられる溶媒としてはブチルセロ
ソルブ等のエーテルグリコール系溶媒。
ソルブ等のエーテルグリコール系溶媒。
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、 Ｎ、 Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキサイド等のアミド系溶媒等の１種または２種以
上が用いられる。
セトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキサイド等のアミド系溶媒等の１種または２種以
上が用いられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物は、一般式０式％
（ここでＲ１は４価の芳香族炭化水素基である。）で示
されるが２例えば、ａ、３：４．４’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
３．ご４．４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物
、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２．
５．６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、Ｚ＆６
，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、λ１１−
ピリジンテトラカルボン酸二無水物、 １．４． ｓ、
ｓ−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３．４，
９．１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、４．４
’−スルホニルシフタル酸二無水物などがあり、これら
は１種又は２１１以上が用いられる。
されるが２例えば、ａ、３：４．４’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
３．ご４．４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物
、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２．
５．６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、Ｚ＆６
，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、λ１１−
ピリジンテトラカルボン酸二無水物、 １．４． ｓ、
ｓ−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３．４，
９．１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、４．４
’−スルホニルシフタル酸二無水物などがあり、これら
は１種又は２１１以上が用いられる。
また、芳香族テトラカルボン酸二無水物をエステル化す
るアルコール及びアルコール誘導体としては、メタノー
ル、エタノール、プロパツール。
るアルコール及びアルコール誘導体としては、メタノー
ル、エタノール、プロパツール。
イソプロピルアルコール、ブタノール等の１価アルコー
ル、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリ
セリン、トリメチロールプロパン等の多価アルコール、
セロソルブ類、カルピトール類などがあり、これらの１
ｍまたは２種以上が用いられる。アルコールとアルコー
ル誘導体とを併用してもよい。
ル、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリ
セリン、トリメチロールプロパン等の多価アルコール、
セロソルブ類、カルピトール類などがあり、これらの１
ｍまたは２種以上が用いられる。アルコールとアルコー
ル誘導体とを併用してもよい。
また２本発明に用いられる芳香族ジアミンは一般式
％式％
（ここでＲ２は２価の芳香族炭化水素基である。）で示
されるが２例えば、４．４’−ジアミノジフェニルエー
テル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン。
されるが２例えば、４．４’−ジアミノジフェニルエー
テル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン。
４、４’ −ジアミノジフェニルスルホン、４．４’−
ジアミノジフェニルサルファイド、ベンジジン、メタフ
ェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン。
ジアミノジフェニルサルファイド、ベンジジン、メタフ
ェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン。
１．５−ナフタレンジアミン、２．６−ナフタレンジア
ミン等があシ、これらは１種または２種以上が用いられ
る。
ミン等があシ、これらは１種または２種以上が用いられ
る。
また本発明に用いられるジアミノシロキサンは一般式
（ここでＦＬｓは炭素数１〜］０の２価の炭化水素基。
几４ｐ ＲＬ Ｒ６＊ Ｒ？は炭素数１〜１０の１価の
炭化水素基であり、これらは同一であっても相違しても
よい。ｎｆ′１ｌ−１０の整数である）で示され。
炭化水素基であり、これらは同一であっても相違しても
よい。ｎｆ′１ｌ−１０の整数である）で示され。
例えば。
ＣＨｓ ＣＨｓ
Ｃ６Ｈ５Ｃ６Ｈ５
等があり、これらは１種または２１１以上が用いられる
。
。
芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとは併用してもよ
い。
い。
本発明における芳香族テトラカルボン酸二無水物のエス
テル化反応の反応温度は使用する溶媒。
テル化反応の反応温度は使用する溶媒。
アルコール及びアルコール誘導体によって異なシ。
特に制限はないが２例えば３． ｓ： ４．４’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物をＮ−メチル−２
−ピロリドン中でエタノールを用いてエステル化する場
合には８０℃〜１５０℃の反応温度が好ましい。
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物をＮ−メチル−２
−ピロリドン中でエタノールを用いてエステル化する場
合には８０℃〜１５０℃の反応温度が好ましい。
芳香族ナト２カルボン酸エステルおよび必要に応じて芳
香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン及び／
又はジアミノシロキサンとの反応は、生成したポリアミ
ック酸エステルオリゴマーを硬化して得られるポリイミ
ド樹脂の耐熱性を最良とするために芳香族テトラカルボ
ン酸エステル（芳香族テトラカルボン酸二無水物を用い
る場合にはそれとの総和）と、芳香族ジアミン及び／又
はジアミノシロキサンとをほぼ等モルとして行なうこと
が好ましい。またこの反応温度は、高すぎると生成する
ポリアミック酸エステルオリゴマーがイミド化し、溶解
性が落ちて析出してしまうため、高くとも９０℃までの
反応温度で行なうことが好ましい。
香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン及び／
又はジアミノシロキサンとの反応は、生成したポリアミ
ック酸エステルオリゴマーを硬化して得られるポリイミ
ド樹脂の耐熱性を最良とするために芳香族テトラカルボ
ン酸エステル（芳香族テトラカルボン酸二無水物を用い
る場合にはそれとの総和）と、芳香族ジアミン及び／又
はジアミノシロキサンとをほぼ等モルとして行なうこと
が好ましい。またこの反応温度は、高すぎると生成する
ポリアミック酸エステルオリゴマーがイミド化し、溶解
性が落ちて析出してしまうため、高くとも９０℃までの
反応温度で行なうことが好ましい。
次にこうして得られたポリアミック酸エステルオリゴマ
ー溶液を、あらかじめパターンの形成された配線層を有
する基材上に、スピンナ等を用いて塗布し、１００〜２
００℃好ましくは１２０〜１８０℃の温度で好１しくけ
１〜２時間乾燥した後、３００〜４００℃好ましくは３
２０〜３８０℃の温度で好ましくは１〜２時間硬化する
ことによりポリイミドの層間絶縁膜が得られる。
ー溶液を、あらかじめパターンの形成された配線層を有
する基材上に、スピンナ等を用いて塗布し、１００〜２
００℃好ましくは１２０〜１８０℃の温度で好１しくけ
１〜２時間乾燥した後、３００〜４００℃好ましくは３
２０〜３８０℃の温度で好ましくは１〜２時間硬化する
ことによりポリイミドの層間絶縁膜が得られる。
こうして得られた層間絶縁膜上に通常のホトレソグラフ
イ一工程によってレジストパターンを形成した後、ヒド
ラジン系エッチャントを用たウェットエツチングもしく
は０２プラズマによるドライエツチング等の方法で所定
の部位にスルーホールを開孔する。
イ一工程によってレジストパターンを形成した後、ヒド
ラジン系エッチャントを用たウェットエツチングもしく
は０２プラズマによるドライエツチング等の方法で所定
の部位にスルーホールを開孔する。
次に、上記のスルーホールを形成した層間絶縁膜上に上
層配線層を真空蒸着、ＣＶＤ等の方法を用いて形成する
ことによシ本発明の多層配線構造が得られる。
層配線層を真空蒸着、ＣＶＤ等の方法を用いて形成する
ことによシ本発明の多層配線構造が得られる。
また、さらに上層配線層をパターニングし、上記プロセ
スをくシ返すことによシ、配線層と絶縁層の多層化され
た構造を形成することができる。
スをくシ返すことによシ、配線層と絶縁層の多層化され
た構造を形成することができる。
（実施例）
以下、実施例、比較例を用いて本発明を説明する。
実施例１
ａ、ポリアミック酸エステルオリゴマー溶液の合成
３、３： ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物３１２１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン６９
．１９に添加し、８０℃まで加熱した後エタノール９．
２１９を加え、１００℃で２時間反応させベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸エステルとした。
二無水物３１２１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン６９
．１９に添加し、８０℃まで加熱した後エタノール９．
２１９を加え、１００℃で２時間反応させベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸エステルとした。
次にこの液に４．４′−ジアミノジフェニルエーテル２
０．０１９を添加し、８０°Ｃで３時間反応させた。
０．０１９を添加し、８０°Ｃで３時間反応させた。
得られたポリアミック酸エステルオリゴマー溶液は２５
℃で２ボイズの粘度であった。
℃で２ボイズの粘度であった。
ｂ、多層配線層の形成
次に厚さ１μｍで幅１．０〜５．０μｍのＡＡ配線パタ
ーンを真空蒸着および通常のホトリソプロセスで形成し
たシリコンウェファ上に、スピンナー塗布材を用いて３
０００ ｒｐｍ／３０ ＳｅＣｆ上記ポリアミック酸エ
ステルオリゴマー液を塗布した。
ーンを真空蒸着および通常のホトリソプロセスで形成し
たシリコンウェファ上に、スピンナー塗布材を用いて３
０００ ｒｐｍ／３０ ＳｅＣｆ上記ポリアミック酸エ
ステルオリゴマー液を塗布した。
その後、１５０℃で１時間乾燥、３５０℃で１時間硬化
し、ポリイミドの層間絶縁膜とした。ポリイミド膜の厚
みは２μｍであった。次に通常のホトリソプロセスでレ
ジストパターンを形成した後。
し、ポリイミドの層間絶縁膜とした。ポリイミド膜の厚
みは２μｍであった。次に通常のホトリソプロセスでレ
ジストパターンを形成した後。
ヒドラジンとエチレンジアミンからなるエツチング液で
上記ポリイミド膜にスルーホールを開孔シた。
上記ポリイミド膜にスルーホールを開孔シた。
その後、上層ＡＪ配線層を真空蒸着法によって形成し、
第１図の様な多層配線構造を得た。図において５はポリ
イミドの層間絶縁膜、１，２および４は第３図と同じで
ある。
第１図の様な多層配線構造を得た。図において５はポリ
イミドの層間絶縁膜、１，２および４は第３図と同じで
ある。
こうして得られた多層配線構造の下層配線段差平坦化率
を第２図のａ、ｂの値から次式によシ求めたところおよ
そ９０％であった。
を第２図のａ、ｂの値から次式によシ求めたところおよ
そ９０％であった。
実施例２
３、３：４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物３２．２１９をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド６
９．１９に添加し、８０℃まで加熱した後エタノール８
．２９９を加え、１００℃で２時間反応させベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸エステルとした。
無水物３２．２１９をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド６
９．１９に添加し、８０℃まで加熱した後エタノール８
．２９９を加え、１００℃で２時間反応させベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸エステルとした。
次にこの液に４．４′−ジアミノジフェニルエーテル１
９．０１９と１，３−ビス（３−アミノプロピル）１、
１．３．３−テトラメチルジシロキサン０．７４９を加
え８０℃で２時間反応させた。こうして得られたシロキ
サン結合を含むポリアミック酸エステルオリゴマー溶液
は２５℃で３ボイズの粘度であった。次にこの溶液を用
いて実施例１と同様にして厚さ２μｍの層間絶縁膜をも
つ多層配線構造を形成し、その平坦化率を求めたところ
およそ９５％であった。
９．０１９と１，３−ビス（３−アミノプロピル）１、
１．３．３−テトラメチルジシロキサン０．７４９を加
え８０℃で２時間反応させた。こうして得られたシロキ
サン結合を含むポリアミック酸エステルオリゴマー溶液
は２５℃で３ボイズの粘度であった。次にこの溶液を用
いて実施例１と同様にして厚さ２μｍの層間絶縁膜をも
つ多層配線構造を形成し、その平坦化率を求めたところ
およそ９５％であった。
比較例１
ａ、 ３： ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物と４．４′−ジアミノジフェニルエーテルカ
ラ公知の方法によって合成されたポリアミック酸溶液（
濃度１５％、粘度１０Ｐｓ）を用いて、実施例１と同様
にして厚さ２μｍの層間絶縁膜をもつ多層配線構造を形
成した。こうして得られた多層配線構造の平坦化率を実
施例１と同様にして求めたところおよそ３０％であった
。
酸二無水物と４．４′−ジアミノジフェニルエーテルカ
ラ公知の方法によって合成されたポリアミック酸溶液（
濃度１５％、粘度１０Ｐｓ）を用いて、実施例１と同様
にして厚さ２μｍの層間絶縁膜をもつ多層配線構造を形
成した。こうして得られた多層配線構造の平坦化率を実
施例１と同様にして求めたところおよそ３０％であった
。
（発明の効果）
本発明によれば、下層配線層の段差を層間絶縁層によっ
てほぼ完全に平坦化出来るため、多層配線化による段差
の発生がほとんどなく、従って配線の信頼性が飛躍的に
向上する。
てほぼ完全に平坦化出来るため、多層配線化による段差
の発生がほとんどなく、従って配線の信頼性が飛躍的に
向上する。
第１図は２本発明の一実施例になる多層配線構造の断面
図、第２図は、平坦化率評価法パターンの断面図および
第３図は、気相成長法によるＳｉｇｈ膜を眉間絶縁膜と
した従来法による多層配線構造の断面図を示す。 符号の説明 １・・・基材 ２・・・下層配線層３
・・・層間絶縁膜 ４・・・上層配線層５・
・・ポリイミドの眉間絶縁膜 代理人 弁理士 若 林 邦 彦 ゝ（− 第１ 口 第２図 ｈ ５ 口
図、第２図は、平坦化率評価法パターンの断面図および
第３図は、気相成長法によるＳｉｇｈ膜を眉間絶縁膜と
した従来法による多層配線構造の断面図を示す。 符号の説明 １・・・基材 ２・・・下層配線層３
・・・層間絶縁膜 ４・・・上層配線層５・
・・ポリイミドの眉間絶縁膜 代理人 弁理士 若 林 邦 彦 ゝ（− 第１ 口 第２図 ｈ ５ 口
Claims (1)
- １、パターンの形成された配線層を有する基材上に、芳
香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール及び／又は
アルコール誘導体とを反応させて得られる芳香族テトラ
カルボン酸エステルに芳香族ジアミン及び／又はジアミ
ノシロキサンを反応させて得られるポリアミツク酸エス
テルオリゴマーの溶液を塗布し、硬化して層間絶縁膜と
したのちスルホールを形成し、その後上層配線層を形成
することを特徴とする多層配線構造の製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001129A JPH069222B2 (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 多層配線構造の製造法 |
| GB8700065A GB2188191B (en) | 1986-01-07 | 1987-01-05 | Process for producing multilayer wiring structure |
| DE3700301A DE3700301C2 (de) | 1986-01-07 | 1987-01-07 | Verfahren zur Herstellung einer Vielschicht-Verdrahtungsstruktur |
| GB8902665A GB2211352B (en) | 1986-01-07 | 1989-02-07 | Multilayer wiring structure |
| US07/593,309 US5165957A (en) | 1986-01-07 | 1990-10-04 | Process for producing multilayer wiring structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001129A JPH069222B2 (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 多層配線構造の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159449A true JPS62159449A (ja) | 1987-07-15 |
| JPH069222B2 JPH069222B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=11492833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61001129A Expired - Lifetime JPH069222B2 (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 多層配線構造の製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5165957A (ja) |
| JP (1) | JPH069222B2 (ja) |
| DE (1) | DE3700301C2 (ja) |
| GB (2) | GB2188191B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310862A (en) * | 1991-08-20 | 1994-05-10 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive polyimide precursor compositions and process for preparing same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268193A (en) * | 1988-06-28 | 1993-12-07 | Amoco Corporation | Low dielectric constant, low moisture uptake polyimides and copolyimides for interlevel dielectrics and substrate coatings |
| US5708300A (en) * | 1995-09-05 | 1998-01-13 | Woosley; Alan H. | Semiconductor device having contoured package body profile |
| DE19811878C2 (de) * | 1998-03-18 | 2002-09-19 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen |
| JP2001288362A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Hitachi Ltd | 耐熱性樹脂組成物及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57168943A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | Coating liquid for thin film formation |
| JPS59229839A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3037966A (en) * | 1960-04-01 | 1962-06-05 | Union Carbide Corp | Method for producing polyimides from diamines and di-acid di-ester derivatives of dianhydrides |
| DE1261672B (de) * | 1962-12-04 | 1968-02-22 | Beck & Co G M B H Dr | Verfahren zur Herstellung von Polykondensationsprodukten |
| JPS5144871B2 (ja) * | 1971-09-25 | 1976-12-01 | ||
| US4030948A (en) * | 1975-07-21 | 1977-06-21 | Abe Berger | Polyimide containing silicones as protective coating on semiconductor device |
| EP0019391B1 (en) * | 1979-05-12 | 1982-10-06 | Fujitsu Limited | Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure |
| DE3065150D1 (en) * | 1979-06-21 | 1983-11-10 | Fujitsu Ltd | Improved electronic device having multilayer wiring structure |
| JPS57181146A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
| US4528216A (en) * | 1983-02-24 | 1985-07-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for forming heat-resistant resin films of polyimide and organosilicic reactants |
| JPS601846A (ja) * | 1983-06-18 | 1985-01-08 | Toshiba Corp | 多層配線構造の半導体装置とその製造方法 |
| US4656050A (en) * | 1983-11-30 | 1987-04-07 | International Business Machines Corporation | Method of producing electronic components utilizing cured vinyl and/or acetylene terminated copolymers |
| JPS60120723A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電子装置 |
| US4871619A (en) * | 1983-11-30 | 1989-10-03 | International Business Machines Corporation | Electronic components comprising polymide dielectric layers |
| US4699803A (en) * | 1983-11-30 | 1987-10-13 | International Business Machines Corporation | Method for forming electrical components comprising cured vinyl and/or acetylene terminated copolymers |
| US4654223A (en) * | 1983-11-30 | 1987-03-31 | International Business Machines Corporation | Method for forming a film of dielectric material on an electric component |
| JPS60119730A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ポリイミド誘導体薄膜の形成方法 |
| US4603195A (en) * | 1983-12-30 | 1986-07-29 | International Business Machines Corporation | Organosilicon compound and use thereof in photolithography |
| DE3407799A1 (de) * | 1984-03-02 | 1985-09-05 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zur herstellung einer multilayer-hybridschaltung |
| US4586997A (en) * | 1984-10-19 | 1986-05-06 | General Electric Company | Soluble silicone-imide copolymers |
| US4568601A (en) * | 1984-10-19 | 1986-02-04 | International Business Machines Corporation | Use of radiation sensitive polymerizable oligomers to produce polyimide negative resists and planarized dielectric components for semiconductor structures |
| DE3506524A1 (de) * | 1985-02-25 | 1986-08-28 | Akzo Gmbh, 5600 Wuppertal | Flexible polyimid-mehrschichtlaminate |
| JPH0791509B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1995-10-04 | 住友化学工業株式会社 | 半導体用絶縁膜形成塗布液 |
-
1986
- 1986-01-07 JP JP61001129A patent/JPH069222B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-01-05 GB GB8700065A patent/GB2188191B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-07 DE DE3700301A patent/DE3700301C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-07 GB GB8902665A patent/GB2211352B/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-04 US US07/593,309 patent/US5165957A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57168943A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | Coating liquid for thin film formation |
| JPS59229839A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310862A (en) * | 1991-08-20 | 1994-05-10 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive polyimide precursor compositions and process for preparing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2188191B (en) | 1990-08-22 |
| DE3700301A1 (de) | 1987-07-09 |
| GB8700065D0 (en) | 1987-02-11 |
| JPH069222B2 (ja) | 1994-02-02 |
| GB2211352A (en) | 1989-06-28 |
| GB2211352B (en) | 1990-07-11 |
| US5165957A (en) | 1992-11-24 |
| GB8902665D0 (en) | 1989-03-30 |
| DE3700301C2 (de) | 1994-03-24 |
| GB2188191A (en) | 1987-09-23 |
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