JPS6216549B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6216549B2 JPS6216549B2 JP53020461A JP2046178A JPS6216549B2 JP S6216549 B2 JPS6216549 B2 JP S6216549B2 JP 53020461 A JP53020461 A JP 53020461A JP 2046178 A JP2046178 A JP 2046178A JP S6216549 B2 JPS6216549 B2 JP S6216549B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- precious metal
- lead frame
- strike
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は部分的に貴金属めつきが施されたリー
ドフレームを用いて製造された半導体装置に関
し、特に半導体装置用リードフレームの部分めつ
きに於いて、特にマスキングなしで、部分的に銀
めつき又は、金めつき等を施すめつき方法に関す
る。
ドフレームを用いて製造された半導体装置に関
し、特に半導体装置用リードフレームの部分めつ
きに於いて、特にマスキングなしで、部分的に銀
めつき又は、金めつき等を施すめつき方法に関す
る。
半導体装置用リードフレームは、一般に比較的
低廉な鉄や銅又は、それらの合金等を素材とし
て、これを所定の寸法形状にプレス又は、エツチ
ング法等により成形し、これに素子の接着性や、
電極リードの金属細線のボンデイング性を良好な
らしめる為、所定めつき膜厚の銀、あるいは金
等、高価な貴金属のめつき膜を形成している。
低廉な鉄や銅又は、それらの合金等を素材とし
て、これを所定の寸法形状にプレス又は、エツチ
ング法等により成形し、これに素子の接着性や、
電極リードの金属細線のボンデイング性を良好な
らしめる為、所定めつき膜厚の銀、あるいは金
等、高価な貴金属のめつき膜を形成している。
従来、この銀又は、金等のめつき膜は、リード
成形されたリードフレーム基体の表面全体をめつ
き被覆していた為、リードフレームの価格はどう
しても高価にならざるを得なかつた。
成形されたリードフレーム基体の表面全体をめつ
き被覆していた為、リードフレームの価格はどう
しても高価にならざるを得なかつた。
現在、リードフレームの価格を大巾に低減する
方法として銀あるいは金等のめつき所要量を極力
減少させる部分めつき法が採用されつつある。す
なわちリードフレームのうち素子の接着部分や、
リード線のボンデイング部分等、機能的に必要な
箇所にのみ、銀あるいは金等のめつき膜を形成す
ることにより銀あるいは金等の所要量を減少させ
る部分めつき法の採用である。
方法として銀あるいは金等のめつき所要量を極力
減少させる部分めつき法が採用されつつある。す
なわちリードフレームのうち素子の接着部分や、
リード線のボンデイング部分等、機能的に必要な
箇所にのみ、銀あるいは金等のめつき膜を形成す
ることにより銀あるいは金等の所要量を減少させ
る部分めつき法の採用である。
従来、部分めつき方法の一つとして、リードフ
レームのめつきの必要でない箇所を液状樹脂ある
いは、樹脂テープで被覆し、然る後リードフレー
ム全体をめつき浴中に浸漬し、めつきを行なつた
後、マスキングを剥離する方法がある。この様な
部分めつき方式は、コイル状リードフレームの連
続めつきで行なわれることが多い。バツチ式の部
分めつき方法としては、リードフレームの一部を
ゴム等により機械的に被覆し、被覆されていない
箇所にめつき液を噴き上げ等の方法により接触さ
せる方法がある。
レームのめつきの必要でない箇所を液状樹脂ある
いは、樹脂テープで被覆し、然る後リードフレー
ム全体をめつき浴中に浸漬し、めつきを行なつた
後、マスキングを剥離する方法がある。この様な
部分めつき方式は、コイル状リードフレームの連
続めつきで行なわれることが多い。バツチ式の部
分めつき方法としては、リードフレームの一部を
ゴム等により機械的に被覆し、被覆されていない
箇所にめつき液を噴き上げ等の方法により接触さ
せる方法がある。
これらのめつき方式では、確かにめつき材料費
の節約にはなるが、マスキングの材料費や装置の
面で高価なものになる欠点がある。この様な欠点
に加えて、リードフレームの素材が鉄を主成分と
したものである場合、さびを防ぐ目的から、銀め
つきの前に、全面に銅あるいはニツケルめつきを
施す必要があり、然る後、上記のような部分めつ
き方式を行なつた場合、工数面でも多大の費用を
要することになる。
の節約にはなるが、マスキングの材料費や装置の
面で高価なものになる欠点がある。この様な欠点
に加えて、リードフレームの素材が鉄を主成分と
したものである場合、さびを防ぐ目的から、銀め
つきの前に、全面に銅あるいはニツケルめつきを
施す必要があり、然る後、上記のような部分めつ
き方式を行なつた場合、工数面でも多大の費用を
要することになる。
本発明は、鉄を主成分とする素材のリードフレ
ームに、さび等の不具合を生じさせることなく、
且つ、マスキングもなしに安価な方法で部分銀め
つき又は、部分金めつき等を行なう方法を提供す
ることにある。
ームに、さび等の不具合を生じさせることなく、
且つ、マスキングもなしに安価な方法で部分銀め
つき又は、部分金めつき等を行なう方法を提供す
ることにある。
次に、部分銀めつきの実施例を図面を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は、一般的に半導体装置に用いられるリ
ードフレームの一例である。三本一組となつたリ
ード１１，１２，１３はその先端部は帯状帯１４
で固定され他の先端は枠板１０に連絡せしめられ
ている。７は素子のマウント及び細線のボンデイ
ングに必要な箇所であり、例えば、銀あるいは金
等の貴金属めつきが必要な範囲を示す。８は、半
導体製品としてプリント基板などに半田付される
箇所であり、一般に、予備半田が施される範囲で
ある。
ードフレームの一例である。三本一組となつたリ
ード１１，１２，１３はその先端部は帯状帯１４
で固定され他の先端は枠板１０に連絡せしめられ
ている。７は素子のマウント及び細線のボンデイ
ングに必要な箇所であり、例えば、銀あるいは金
等の貴金属めつきが必要な範囲を示す。８は、半
導体製品としてプリント基板などに半田付される
箇所であり、一般に、予備半田が施される範囲で
ある。
次に、第１図の箇所７の範囲にのみ、所定の厚
さの銀めつきを施すめつき方法の実施例につい
て、第２図、第３図を用い説明する。ここで、第
２図、第３図のリードフレームは、第１図のＡ―
A′断面にて表わしてある。
さの銀めつきを施すめつき方法の実施例につい
て、第２図、第３図を用い説明する。ここで、第
２図、第３図のリードフレームは、第１図のＡ―
A′断面にて表わしてある。
第２図は、第１図に示す構造をした鉄を主成分
としたリードフレーム素材１に予め銅めつき２を
厚さ0.5μ以上施行したものの表面に、ストライ
ク銀めつき３をめつき浴の表面４の位置まで行な
うことを示したものである。
としたリードフレーム素材１に予め銅めつき２を
厚さ0.5μ以上施行したものの表面に、ストライ
ク銀めつき３をめつき浴の表面４の位置まで行な
うことを示したものである。
第３図は、ストライク銀めつきの後、本銀めつ
き５をめつき浴の表面６の位置まで施行すること
を示す。ここで表面４と６の間は、数mm以上の距
離があるのが望ましい。
き５をめつき浴の表面６の位置まで施行すること
を示す。ここで表面４と６の間は、数mm以上の距
離があるのが望ましい。
この理由を以下に述べる。
即ち、ストライク銀めつき浴の表面４の位置に
於いては、めつき液が表面張力によりリード線周
囲にはい上る。そしてこの部分は初期的には、銀
めつきがされても銀イオンの供給が悪い為、表面
が腐食され易い状態にあり、特に、銅や鉄は腐食
され易い。従つて、前記表面４の位置でも本銀め
つきを行なう等、長時間めつき浴に浸漬するのは
好ましくなく腐食を最小限に抑える為には、スト
ライク銀めつき程度の浸漬時間にとどめておく必
要がある。ここで、銅めつき層２の厚さは、0.5
μ以上を必要とし、表面は緻密な方が望ましく、
この為には、いわゆるPR法等の採用が適してい
る。
於いては、めつき液が表面張力によりリード線周
囲にはい上る。そしてこの部分は初期的には、銀
めつきがされても銀イオンの供給が悪い為、表面
が腐食され易い状態にあり、特に、銅や鉄は腐食
され易い。従つて、前記表面４の位置でも本銀め
つきを行なう等、長時間めつき浴に浸漬するのは
好ましくなく腐食を最小限に抑える為には、スト
ライク銀めつき程度の浸漬時間にとどめておく必
要がある。ここで、銅めつき層２の厚さは、0.5
μ以上を必要とし、表面は緻密な方が望ましく、
この為には、いわゆるPR法等の採用が適してい
る。
次に、本銀めつきを行なう際には、リードフレ
ームを数mm、一例では、５〜10mm位引き上げてや
れば、本銀めつき液表面６の位置に於いては、ス
トライク銀層３があり、銀表面は、めつき液のは
い上りによる腐食を受け難い為、安定である。こ
こで腐食を受けない為のストライク銀層３の厚さ
は、0.2μ以上を必要とする。
ームを数mm、一例では、５〜10mm位引き上げてや
れば、本銀めつき液表面６の位置に於いては、ス
トライク銀層３があり、銀表面は、めつき液のは
い上りによる腐食を受け難い為、安定である。こ
こで腐食を受けない為のストライク銀層３の厚さ
は、0.2μ以上を必要とする。
かようにしてめつきされたリードフレームは、
銀めつき層５の表面に素子及び細線のボンデイン
グが可能であり、銀めつき層５を除く表面部分は
銅めつき層２及びストライク銀めつき層３がある
為、溶融半田による被覆が可能であり、リードフ
レーム全面に銀めつき層を設けた場合と特性上何
ら遜色がない。これに加えて、マスキングも不必
要な為、加工工数も増えることなくめつきが可能
であり、大巾な銀めつき材料費の低減が可能であ
る。
銀めつき層５の表面に素子及び細線のボンデイン
グが可能であり、銀めつき層５を除く表面部分は
銅めつき層２及びストライク銀めつき層３がある
為、溶融半田による被覆が可能であり、リードフ
レーム全面に銀めつき層を設けた場合と特性上何
ら遜色がない。これに加えて、マスキングも不必
要な為、加工工数も増えることなくめつきが可能
であり、大巾な銀めつき材料費の低減が可能であ
る。
第１図は、一般的なリードフレーム形状を示す
平面図、第２図は、ストライク銀めつき中のリー
ドフレームの断面図、第３図は、本銀めつき中の
リードフレームの断面図を示す。 １……リードフレーム素材、２……銀めつき
層、３……ストライク銀めつき層、５……本銀め
つき層、１０……枠板、１１，１２，１３……リ
ード。
平面図、第２図は、ストライク銀めつき中のリー
ドフレームの断面図、第３図は、本銀めつき中の
リードフレームの断面図を示す。 １……リードフレーム素材、２……銀めつき
層、３……ストライク銀めつき層、５……本銀め
つき層、１０……枠板、１１，１２，１３……リ
ード。
Claims (1)
- １ 所定部をめつき浴に浸漬し、電解めつきを行
ない、その他の箇所はめつき浴液面の外部に出し
てめつき層を設けない部分貴金属めつき方法に於
いて、前記リードフレームの所要部にストライク
貴金属めつきを行い、次いで該ストライク貴金属
めつきの必要とする箇所に本貴金属めつきを行う
に際し、前記ストライク貴金属めつきは前記必要
とする箇所よりやや深くめつき浴中に浸漬してめ
つきし、前記本貴金属めつきは前記ストライク貴
金属めつき時よりも浅く前記リードフレームを前
記めつき浴中に浸漬してめつきし、もつて前記必
要とする箇所に所定の厚さを有するように段差を
設けて貴金属をめつきすることを特徴とした半導
体装置用リードフレームの部分めつき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046178A JPS54113255A (en) | 1978-02-23 | 1978-02-23 | Partial plating method of lead frame for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046178A JPS54113255A (en) | 1978-02-23 | 1978-02-23 | Partial plating method of lead frame for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54113255A JPS54113255A (en) | 1979-09-04 |
| JPS6216549B2 true JPS6216549B2 (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=12027710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2046178A Granted JPS54113255A (en) | 1978-02-23 | 1978-02-23 | Partial plating method of lead frame for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54113255A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0425691A4 (en) * | 1989-05-01 | 1993-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Lead frame for semiconductor devices |
-
1978
- 1978-02-23 JP JP2046178A patent/JPS54113255A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54113255A (en) | 1979-09-04 |
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