JPS62165953A - 樹脂封止形半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止形半導体集積回路装置における配
線構造に関するものである。

〔従来の技術〕

第８図は、従来の配線構造の一例を示す。（１）はモー
ルド樹脂、（２）は表面保護膜、　（３）（４）は絶縁
膜、（５）は８ｉ基板、（６）はＭ配゛線、（８）はモ
ールド樹脂より加わる横方向のストレスである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来、チップのモールド成型時や、成型後に温度サイク
ルを繰り返した場合、横方向の強いストレス（８）が、
モールド樹脂（１）より、Ｓｉ基板（５）上に突出して
いるＭ配線（６）に加わり、これをスライドさせ、断線
不良を発生していた。

この発明は、前記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、モールド樹脂によるＭ配線へのストレ
スを弱め、Ｍ配線の断線を防止することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る樹脂封止形半導体集積回路装置１！は、
Ｍ配線の両側に、選択的に絶縁膜を形成するようにした
ものである。

〔作用〕

この発明による選択的に形成された絶縁膜は、モールド
樹脂による横方向のストレスからＭ配線を保護し、断線
による不良を抑制する。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を図に従って説明する。

第１図は、この発明の一実施例による樹脂封止形半導体
集積回路装置の断面構造を示し、第２図は・その製造フ
ローに従った断面構造の変化を示す。

第２図ａは、前もって、シリコン基板Ｃ５）上にＭ配線
する両側をＬＯＣＯ８（ＬＯＣａ　Ｉ　０ｘｉｄａｔｉ
ｏｎ　ｏｆ　８ｉ１ｉｃｏｎ〕により選択的【酸化し、
絶縁膜（７）を形成した状態である。第２１図すは、絶
縁膜＋３）　（４）を形成した状態である。第２図Ｃは
、Ｍ配線（６）を形成し、その上に表面保護膜（２）を
形成した状態である。これら第２図、〜。の工程により
、最終的なＡｌｌ！！８線（６）上の表面保護膜（２）
の昼さけ、選択的に形成された絶縁膜（７）上のそれよ
り低くなる。このような配線構造（第１図）のＡｚ配線
（６）に、モールド樹脂（１）より横方向のストレス（
８）が加わった場合、このストレス（８）は、選択的に
形成された絶縁膜（７）およびこの」−に形成されたＭ
　（２１（３）　（＋１により弱められる。

上記の配線構造は、横方向のストレスのかかりやすい半
導体集積回路装置の周辺に施すと効果が顕著である。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明は、配線の両側に選択的に絶縁膜
を形成したので、モールド樹脂による横方向のストレス
から配線を保護し、配線の断線を抑制することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体集積回路装置
の断面図、第２図はその製造工程に従った断面図、第８
図は従来の半導体集積回路装ｊｆの断面図である。 （１）はモールド樹脂、（２）は表面保護膜、（３）　
（４１は絶縁膜、（５）はＳｉ基板、（６）はＭ配線、
（７）は選択的に形成した絶縁膜、（８）は横方向のス
トレスで、ｆ）る。 なお、各図中の同一符号は、同一または相当部分を示す
。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）配線に沿つた両側に選択的に絶縁膜を形成し、上
   記配線に加わる横方向のストレスを、上記絶縁膜により
   抑制することを特徴とする樹脂封止形半導体集積回路装
   置。
2. （２）配線をＡｌで形成したことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体集積回路装置。
3. （３）配線及び絶縁膜を半導体集積回路装置の周辺部に
   形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
   ２項記載の樹脂封止形半導体集積回路装置。
4. （４）配線上に延在する表面保護膜の高さが、絶縁膜上
   に延在する表面保護膜の高さより低いことを特徴とする
   特許請求の範囲第１〜３項の何れかに記載の樹脂封止形
   半導体集積回路装置。