JPS62165973A - 赤外線検知装置 - Google Patents
赤外線検知装置Info
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- JPS62165973A JPS62165973A JP61008409A JP840986A JPS62165973A JP S62165973 A JPS62165973 A JP S62165973A JP 61008409 A JP61008409 A JP 61008409A JP 840986 A JP840986 A JP 840986A JP S62165973 A JPS62165973 A JP S62165973A
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- JP
- Japan
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- substrate
- diode
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- infrared
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
- H10F39/1575—CCD or CID infrared image sensors of the hybrid type
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
赤外線を高感度に検知するＨ ｇ ＋−ｘ ＣｄヶＴｅ
結晶を用いて形成した赤外線検知素子と、この赤外線検
知素子で光電変換された信号を処理し、Ｓｉ基板を用い
て形成した電荷結合素子（以下ＣＣＤと称する）とを別
個に用意し、検知素子の光電変換部であるダイオードと
、ＣＣＤの入力ダイオードとを導電性電極にて結合した
ハイブリッド型赤外線検知装置である。そして、この赤
外線検知素子のダイオードを形成するための不純物原子
導入層の周辺領域のＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ結
晶が、他の領域に於げるＨ ｇ Ｉ−ｘＣｄ ｘ Ｔ
ｅ結晶よりＸ値が高い組成変動層として形成し、このダ
イオード周辺部に於ける表面リーク電流を低下させて検
知素子の信号注入効率を向上させるようにしたもの。
結晶を用いて形成した赤外線検知素子と、この赤外線検
知素子で光電変換された信号を処理し、Ｓｉ基板を用い
て形成した電荷結合素子（以下ＣＣＤと称する）とを別
個に用意し、検知素子の光電変換部であるダイオードと
、ＣＣＤの入力ダイオードとを導電性電極にて結合した
ハイブリッド型赤外線検知装置である。そして、この赤
外線検知素子のダイオードを形成するための不純物原子
導入層の周辺領域のＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ結
晶が、他の領域に於げるＨ ｇ Ｉ−ｘＣｄ ｘ Ｔ
ｅ結晶よりＸ値が高い組成変動層として形成し、このダ
イオード周辺部に於ける表面リーク電流を低下させて検
知素子の信号注入効率を向上させるようにしたもの。
本発明はＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅの化合物半導
体基板に形成した赤外線検知素子と、Ｓｉの半導体基板
に形成したＣＣＤとを結合した赤外線検知装置に関する
。
体基板に形成した赤外線検知素子と、Ｓｉの半導体基板
に形成したＣＣＤとを結合した赤外線検知装置に関する
。
赤外線を高感度に検知するＨ ｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ
Ｔ ｅのような化合物半導体結晶に光起電力型赤外線検
知素子を形成し、ＩＣ等の加工技術が確率されたＳｔ等
の半導体基板に、赤外線検知素子で光電変換された信号
を処理するＣＯＤを形成し、これら赤外線検知素子の光
電変換部であるダイオードと、ＣＣＤの信号入力部の入
力ダイオードとをインジウム（Ｉｎ）等の金属にて結合
したハイブリッド型■ＲＣＣＤのような赤外線検知装置
は周知である。
Ｔ ｅのような化合物半導体結晶に光起電力型赤外線検
知素子を形成し、ＩＣ等の加工技術が確率されたＳｔ等
の半導体基板に、赤外線検知素子で光電変換された信号
を処理するＣＯＤを形成し、これら赤外線検知素子の光
電変換部であるダイオードと、ＣＣＤの信号入力部の入
力ダイオードとをインジウム（Ｉｎ）等の金属にて結合
したハイブリッド型■ＲＣＣＤのような赤外線検知装置
は周知である。
このようなＩ ＲＣＯＤのような赤外線検知装置は、装
置を構成する赤外線検知素子の表面リーク電流を少な（
し、光電変換された信号のＣＯＤへの注入効率を高める
ことが要望されている。
置を構成する赤外線検知素子の表面リーク電流を少な（
し、光電変換された信号のＣＯＤへの注入効率を高める
ことが要望されている。
第６図に示すように、このような（ＲＣＣＤは、Ｐ型の
Ｈｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ基板１の表面に硫化亜
鉛（Ｚ ｎ Ｓ）のような絶縁層２が形成された後、所
定のパターンに開口され、その開口部を通じて基板１に
硼素（Ｂ）原子がイオン注入法等を用いて導入され、Ｎ
＋層３が形成されてＰＮ＋接合ダイオードが形成され、
光起電力型赤外線検知素子４が形成されている。
Ｈｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ基板１の表面に硫化亜
鉛（Ｚ ｎ Ｓ）のような絶縁層２が形成された後、所
定のパターンに開口され、その開口部を通じて基板１に
硼素（Ｂ）原子がイオン注入法等を用いて導入され、Ｎ
＋層３が形成されてＰＮ＋接合ダイオードが形成され、
光起電力型赤外線検知素子４が形成されている。
更にこれとは別個にＰ型のＳｉ基板５の表面には５ｉ０
２腰６を介してポリＳｔよりなる入力ゲート電極７、並
びに蓄積ゲート電極８が形成され、またこの５ｉ０２膜
６が開口された後、燐（Ｐ）原子等がイオン注入されて
Ｎ型層９が形成され、赤外線検知素子の信号入力部の入
力ダイオードが形成されてＣＣＤｌ０が形成されている
。
２腰６を介してポリＳｔよりなる入力ゲート電極７、並
びに蓄積ゲート電極８が形成され、またこの５ｉ０２膜
６が開口された後、燐（Ｐ）原子等がイオン注入されて
Ｎ型層９が形成され、赤外線検知素子の信号入力部の入
力ダイオードが形成されてＣＣＤｌ０が形成されている
。
このＨｇ ＋−ｘ Ｃ４Ｘ Ｔ ｅ基板１に形成された
赤外線検知素子４のダイオードと、Ｓｉ基板５に形成さ
れているＣＣＤｌ０の入力ダイオードとは、Ｉｎの金属
電極１１を用いて結合されてＩＲＣＯＤが形成されてい
る。
赤外線検知素子４のダイオードと、Ｓｉ基板５に形成さ
れているＣＣＤｌ０の入力ダイオードとは、Ｉｎの金属
電極１１を用いて結合されてＩＲＣＯＤが形成されてい
る。
そして赤外線検知素子４で得られた検知信号は、基板１
とＮ＋層３との間のＰＮ接合に形成されたダイオードよ
り、ＣＣＤｌ０の入力ダイオードに注入され、この入力
ゲート電極７に電圧を印加することで、Ｍ積ゲート電極
８下に蓄えられ、次の動作、例えば信号転送動作等に備
えるようになっている。
とＮ＋層３との間のＰＮ接合に形成されたダイオードよ
り、ＣＣＤｌ０の入力ダイオードに注入され、この入力
ゲート電極７に電圧を印加することで、Ｍ積ゲート電極
８下に蓄えられ、次の動作、例えば信号転送動作等に備
えるようになっている。
このようなＩ ＲＣＯＤの等価回路を示すと第７図のよ
うになる。
うになる。
図示するように赤外線検知素子のゼロバイアス抵抗１５
をＲｏ 、ＣＣＤの入力ダイオードの入力コンダクタン
スをｇｍとすると、赤外線検知素子の信号注入効率は第
（１）式に示すようになる。
をＲｏ 、ＣＣＤの入力ダイオードの入力コンダクタン
スをｇｍとすると、赤外線検知素子の信号注入効率は第
（１）式に示すようになる。
Ｒｏ ／ （ＲＱ ＋ １／ ｇｍＬ”−”−−ｆｌ）
従ってＲＯが大きくなれば注入効率はＩに近ずき大きく
なる。
従ってＲＯが大きくなれば注入効率はＩに近ずき大きく
なる。
ところで赤外線検知素子の動作温度（７７Ｋ ）では、
Ｒｏを決めているのは表面リーク電流であり、リーク電
流が増加するとＲＯは減少する。
Ｒｏを決めているのは表面リーク電流であり、リーク電
流が増加するとＲＯは減少する。
この表面リーク電流は、赤外線検知素子のダイオードを
形成するＮ＋層３の周辺長に依存するため、Ｂ原子が注
入されて形成されるＮ＋層３の面積を小さくし、それに
よってダイオードの面積を小さくすると減少するが、こ
のようにすると赤外線検知素子受光面積の減少となるた
め、信号量の低下を招（といった問題点を生じる。
形成するＮ＋層３の周辺長に依存するため、Ｂ原子が注
入されて形成されるＮ＋層３の面積を小さくし、それに
よってダイオードの面積を小さくすると減少するが、こ
のようにすると赤外線検知素子受光面積の減少となるた
め、信号量の低下を招（といった問題点を生じる。
また表面リーク電流は、Ｈｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ
ｅ基板１の表面付近でのＮ” Ｐ接合部におけるトンネ
ル電流が主であり、このｌ・ンネル電流は基板ｌを形成
する化合物半導体のエネルギーギヤツブ（εｇ）に依存
し、εｇが大きい程トンネル電流は小さくなる。
ｅ基板１の表面付近でのＮ” Ｐ接合部におけるトンネ
ル電流が主であり、このｌ・ンネル電流は基板ｌを形成
する化合物半導体のエネルギーギヤツブ（εｇ）に依存
し、εｇが大きい程トンネル電流は小さくなる。
ここでＨｇ ｌ−Ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ結晶に於いてｘ
＝１、即ちＣｄＴｅ結晶の場合はεｇ ＝ｌｅＶとなる
が、Ｘ〈１になるとεｇ＜１ｅＶとなる。
＝１、即ちＣｄＴｅ結晶の場合はεｇ ＝ｌｅＶとなる
が、Ｘ〈１になるとεｇ＜１ｅＶとなる。
従ってＮ＋層３が形成され、Ｎ”−Ｐ接合部が基板表面
に表れている領域、即ちダイオードの周辺部で、Ｈｇ
＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅの結晶のＸ値を大きくすると
表面リーク電流が小さくなる。
に表れている領域、即ちダイオードの周辺部で、Ｈｇ
＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅの結晶のＸ値を大きくすると
表面リーク電流が小さくなる。
本発明は上記した事項に鑑みて成されたもので、ＩＲＣ
ＣＤを構成する赤外線検知素子のダイオードを形成する
Ｎ＋層の周辺部がＸ値の高いＨｇ ５ｘＣｄｘＴｅの組
成変動層で形成されるようにして、表面リーク電流を減
少させ、Ｒｏを大きくして赤外線検知素子の信号注入効
率を高めたＩ ＲＣＯＤの提供を目的とする。
ＣＤを構成する赤外線検知素子のダイオードを形成する
Ｎ＋層の周辺部がＸ値の高いＨｇ ５ｘＣｄｘＴｅの組
成変動層で形成されるようにして、表面リーク電流を減
少させ、Ｒｏを大きくして赤外線検知素子の信号注入効
率を高めたＩ ＲＣＯＤの提供を目的とする。
本発明のＩ ＲＣＣＤは、赤外線検知素子の光電変換部
であるダイオードを形成するためにＨｇ ＋−ｘＣｄｘ
Ｔｅ基板に設けられた不純物原子導入層３の周辺領域に
於けるＨ ｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ ｌの結晶が
、前記不純物原子導入層３の周辺領域以外の領域に於け
るＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ ｘＴ ｅの結晶よりも、Ｘ値を
大きくした組成変動層２２にて形成されている。
であるダイオードを形成するためにＨｇ ＋−ｘＣｄｘ
Ｔｅ基板に設けられた不純物原子導入層３の周辺領域に
於けるＨ ｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ ｌの結晶が
、前記不純物原子導入層３の周辺領域以外の領域に於け
るＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ ｘＴ ｅの結晶よりも、Ｘ値を
大きくした組成変動層２２にて形成されている。
本発明のＩＲＣＣＤは、赤外線検知素子のダイオードを
形成する不純物原子導入層３の周囲に於けるＨｇ＋−ｘ
ｃｄｘＴｅ結晶のＸ値を高くした組成変動層２２を設け
ることで、このダイオードの周辺部に於ける結晶のエネ
ルギーギャップを大きくし、それによってダイオードの
表面リーク電流を小さくして、ダイオードの信号注入効
率を増大させるようにする。
形成する不純物原子導入層３の周囲に於けるＨｇ＋−ｘ
ｃｄｘＴｅ結晶のＸ値を高くした組成変動層２２を設け
ることで、このダイオードの周辺部に於ける結晶のエネ
ルギーギャップを大きくし、それによってダイオードの
表面リーク電流を小さくして、ダイオードの信号注入効
率を増大させるようにする。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明のＩ ＲＣＣＤに於ける赤外線検知素子
の要部構造を示す断面図で、図示するようにＰ型のＨｇ
＋−ｘ Ｃｄ ＸＴ ｅ基板１には、Ｂ原子がイオン
注入されてＮ＋層３が形成されている。
の要部構造を示す断面図で、図示するようにＰ型のＨｇ
＋−ｘ Ｃｄ ＸＴ ｅ基板１には、Ｂ原子がイオン
注入されてＮ＋層３が形成されている。
この基板１のＮ“層３０周辺領域には、その上に選択的
に形成されたＣｄＴｅの結晶層２１と、その下のＨｇ
＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ基板との相互拡散によってＸ
値が他の領域よりも大きいＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ
ｅの組成変動層２２が形成されている。
に形成されたＣｄＴｅの結晶層２１と、その下のＨｇ
＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ ｅ基板との相互拡散によってＸ
値が他の領域よりも大きいＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ
ｅの組成変動層２２が形成されている。
更に基板１上にＺｎＳのような絶縁膜２が形成された後
、所定のパターンに開口され、前記形成されたＮ＋層３
に接触するようにＩｎよりなる金属電極１１が所定のパ
ターンに接続形成されている。
、所定のパターンに開口され、前記形成されたＮ＋層３
に接触するようにＩｎよりなる金属電極１１が所定のパ
ターンに接続形成されている。
このようにすれば、赤外線検知素子のダイオードを形成
するＮ＋領域３の周辺領域が、他の領域よりＸ値の大き
い、従ってエルギーギャップの大きいＨｇ＋−ｘＣｄｘ
Ｔｅの組成変動層２２で形成されているため、その部分
でトンネル電流が少なくなり、従ってダイオード周辺部
における表面リーグ電流も少なくなる。そのため、赤外
線検知素子のＲａも大きくなり、検知素子の信号注入効
率も向上する。
するＮ＋領域３の周辺領域が、他の領域よりＸ値の大き
い、従ってエルギーギャップの大きいＨｇ＋−ｘＣｄｘ
Ｔｅの組成変動層２２で形成されているため、その部分
でトンネル電流が少なくなり、従ってダイオード周辺部
における表面リーグ電流も少なくなる。そのため、赤外
線検知素子のＲａも大きくなり、検知素子の信号注入効
率も向上する。
このような赤外線検知素子の製造方法に付いて述べる。
まず第２図に示すようにＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ
ｅ基板１上に厚さが５μｍ程度のＣｄＴｅの結晶層２１
を分子線エビクキシャル成長法等を用いて形成する。
ｅ基板１上に厚さが５μｍ程度のＣｄＴｅの結晶層２１
を分子線エビクキシャル成長法等を用いて形成する。
次いで第３図に示すように該基板１上にホトレジスト膜
（図示せず）を形成後、所定のパターンにホトリソグラ
フィ法を用いて開口し、このホトレジスト膜をマスクと
して、基板１に形成するＮ＋層上のＣｄＴｅの結晶層２
１の領域をエツチング除去し、開口部２３を形成する。
（図示せず）を形成後、所定のパターンにホトリソグラ
フィ法を用いて開口し、このホトレジスト膜をマスクと
して、基板１に形成するＮ＋層上のＣｄＴｅの結晶層２
１の領域をエツチング除去し、開口部２３を形成する。
次いで第４図に示すように基板１を真空中で約５００°
Ｃの温度で、２時間程度加熱することで、Ｈｇ、ｘＣ
ｄｘＴｅの基板１と、基板１上に形成されたＣｄＴｅ結
晶層２１との相互拡散により、Ｘ値が他の領域よりも高
いＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ ｘ Ｔ ｅの組成変動層２２を
、基板１に形成されるべきＮ＋層３の周囲に予め形成す
る。
Ｃの温度で、２時間程度加熱することで、Ｈｇ、ｘＣ
ｄｘＴｅの基板１と、基板１上に形成されたＣｄＴｅ結
晶層２１との相互拡散により、Ｘ値が他の領域よりも高
いＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ ｘ Ｔ ｅの組成変動層２２を
、基板１に形成されるべきＮ＋層３の周囲に予め形成す
る。
この時、Ｘ値の高いＨｇ１−ｘＣｄ、Ｔｅの組成変動層
２２は、深さが約５μｍで形成されるが、後の工程で形
成されるＮ＋領領域方向にも矢印へで示すように拡散し
て拡がる。また形成される組成変動層２２の深さは、加
熱処理温度、加熱時間、禎層されるＣｄＴｅ結晶層２１
の厚さによって異なり、これ等の条件を適宜選択して組
成変動層２２の深さ、および横方向に拡散する寸法をＳ
ｊＭ整すると良い。
２２は、深さが約５μｍで形成されるが、後の工程で形
成されるＮ＋領領域方向にも矢印へで示すように拡散し
て拡がる。また形成される組成変動層２２の深さは、加
熱処理温度、加熱時間、禎層されるＣｄＴｅ結晶層２１
の厚さによって異なり、これ等の条件を適宜選択して組
成変動層２２の深さ、および横方向に拡散する寸法をＳ
ｊＭ整すると良い。
次いで第５図に示すようにＣｄ Ｔ ｅ結晶層２１をマ
スクとしてＢ原子をイオン注入してＮ＋層３を形成する
。
スクとしてＢ原子をイオン注入してＮ＋層３を形成する
。
この時Ｎ＋層３の周辺領域は、前記した組成変動層２２
内に形成されることになる。
内に形成されることになる。
次いで前記した第１図に示すように、ＺｎＳのような絶
縁膜２を蒸着により形成した後、電極接続部を開口し、
電極工１を接続形成して赤外線検知素子を形成する。
縁膜２を蒸着により形成した後、電極接続部を開口し、
電極工１を接続形成して赤外線検知素子を形成する。
以上述べたように、本発明の赤外線検知装置によれば、
装置を構成する赤外線検知素子のダイオードを形成する
Ｐ−Ｎ＋接合部の周辺領域がＸ値の高いＨｇｌ、ｘＣｄ
ｘＴｅの組成変動層にて形成されているため、表面リー
ク電流の小さい信号注入効率の大きい赤外線検知装置が
得られる効果がある。
装置を構成する赤外線検知素子のダイオードを形成する
Ｐ−Ｎ＋接合部の周辺領域がＸ値の高いＨｇｌ、ｘＣｄ
ｘＴｅの組成変動層にて形成されているため、表面リー
ク電流の小さい信号注入効率の大きい赤外線検知装置が
得られる効果がある。
第１図は本発明の赤外線検知装置の一実施例の要部を示
す断面図、 第２図より第５図迄は、本実施例の装置の製造方法を工
程順に示す断面図、 第６図は従来の赤外線検知装置の要部構造を示す断面図
、 第７図は第６図に示す装置の等価回路を示す図である。 図に於いて、 １はＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ ｘＴ ｅ基板、２は絶縁膜、
３はＮ＋層、１１は電極、２１はＣｄ Ｔ ｅ結晶層、
２２は組成変動層、２３は開口部、矢印Ａは組成変動層
の拡散方向を示す矢印である。 藉ε７Ｔ緯ｙ印猪ル閣１禮鐸酎韻図 第 １ 図 ｚトイトロ月グ＋＜ｒＪ！ｆｓｃｄｒｅ％！百Ｉａノ嘔
１刃プ互に゛工禄の第 ２図 千充明Ｗ装ｆｆ−ｔｔ） Ｃｄ ＴＣ工・ンチΔ“丁ｊ
’ｆｆＪ第 ３ 図 １ｆｅｑノ装動朗皮灸靭」肪゛工扛ロ 第 ４ 図 ＊ｉｅ月／ｌ’ｉ；Ｓｉ／ＩＮ”）腎ｆ＋Ａ’ｌネ孟し
］第 ５ 図 第 ６ 図 ｔ７１線杖如劉１卆西ロ路口 第 ７ 図
す断面図、 第２図より第５図迄は、本実施例の装置の製造方法を工
程順に示す断面図、 第６図は従来の赤外線検知装置の要部構造を示す断面図
、 第７図は第６図に示す装置の等価回路を示す図である。 図に於いて、 １はＨｇ ＋−ｘ Ｃｄ ｘＴ ｅ基板、２は絶縁膜、
３はＮ＋層、１１は電極、２１はＣｄ Ｔ ｅ結晶層、
２２は組成変動層、２３は開口部、矢印Ａは組成変動層
の拡散方向を示す矢印である。 藉ε７Ｔ緯ｙ印猪ル閣１禮鐸酎韻図 第 １ 図 ｚトイトロ月グ＋＜ｒＪ！ｆｓｃｄｒｅ％！百Ｉａノ嘔
１刃プ互に゛工禄の第 ２図 千充明Ｗ装ｆｆ−ｔｔ） Ｃｄ ＴＣ工・ンチΔ“丁ｊ
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］第 ５ 図 第 ６ 図 ｔ７１線杖如劉１卆西ロ路口 第 ７ 図
Claims (2)
- （１）水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＿１＿−＿ｘＣ
ｄ＿ｘＴｅ）よりなる化合物半導体基板（１）に形成し
た赤外線検知素子（４）の光電変換部であるダイオード
と、前記赤外線検知素子（４）で光電変換された信号を
処理する電荷結合素子（１０）の入力ダイオードとを導
電性電極（１１）で結合した構成に於いて、前記赤外線
検知素子（４）の光電変換部のダイオードを形成するた
めにＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅ基板（１）に設けら
れた不純物原子導入層（３）の周辺領域に於けるＨｇ＿
１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅの結晶が、前記不純物原子導入
層（３）の周辺領域以外の領域に於けるＨｇ＿１＿−＿
ｘＣｄ＿ｘＴｅの結晶よりも、ｘ値を大きくした組成変
動層（２２）として形成されていることを特徴とする赤
外線検知装置。 - （２）前記組成変動層（２２）が、Ｈｇ＿１＿−＿ｘＣ
ｄ＿ｘＴｅ基板（１）と、該基板（１）の不純物原子導
入層（３）以外の領域上に選択的に形成されたテルル化
カドミウム（ＣｄＴｅ）結晶層（２１）との相互拡散に
より形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の赤外線検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008409A JPS62165973A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 赤外線検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008409A JPS62165973A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 赤外線検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165973A true JPS62165973A (ja) | 1987-07-22 |
Family
ID=11692351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61008409A Pending JPS62165973A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 赤外線検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165973A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187994A (en) * | 1990-10-23 | 1993-02-23 | Teijin Seiki Co., Ltd. | Rotary motion to longitudinal motion converting mechanism |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP61008409A patent/JPS62165973A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187994A (en) * | 1990-10-23 | 1993-02-23 | Teijin Seiki Co., Ltd. | Rotary motion to longitudinal motion converting mechanism |
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