JPS62170918A - 半導体レ−ザモジユ−ル - Google Patents
半導体レ−ザモジユ−ルInfo
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- JPS62170918A JPS62170918A JP1185786A JP1185786A JPS62170918A JP S62170918 A JPS62170918 A JP S62170918A JP 1185786 A JP1185786 A JP 1185786A JP 1185786 A JP1185786 A JP 1185786A JP S62170918 A JPS62170918 A JP S62170918A
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- Japan
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- semiconductor laser
- optical fiber
- polarization
- lens
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信用装置および光応用装置等に光源として
用いられる半導体レーザモジュールに関し、特に偏波面
保存光ファイバを用いた半導体レーザモジュールに関す
るものである。
用いられる半導体レーザモジュールに関し、特に偏波面
保存光ファイバを用いた半導体レーザモジュールに関す
るものである。
従来、この種の偏波面保存光ファイバを用いた半導体レ
ーザモジニールにおいては、第４図に示すように、半導
体レーザ１からの出射光を集束性ロッドレンズ２を用い
て反射防止膜付ガラスブロック３を備えた偏波面保存光
ファイバ４に集光させる構造となっていた。
ーザモジニールにおいては、第４図に示すように、半導
体レーザ１からの出射光を集束性ロッドレンズ２を用い
て反射防止膜付ガラスブロック３を備えた偏波面保存光
ファイバ４に集光させる構造となっていた。
ところで、上述した従来の半導体レーザモジュールにお
いては、偏波面保存光ファイバ４の出力光の主軸方向成
分と主軸に垂直な方向の成分の比、いわゆる消光比は偏
波面保存光フアイバ４自体においては３０ｄＢ以上ある
にもかかわらず、半導体レーザ１自体の消光比で制限さ
れ、 ２０〜２５ｄＢ程度であった。これでは偏波依存性の高
い導波路型光ディバイス（スイッチ、変調器等）を用い
る場合や、光センサとかコヒーレント光伝送への適用に
は不充分であるという問題点があった。
いては、偏波面保存光ファイバ４の出力光の主軸方向成
分と主軸に垂直な方向の成分の比、いわゆる消光比は偏
波面保存光フアイバ４自体においては３０ｄＢ以上ある
にもかかわらず、半導体レーザ１自体の消光比で制限さ
れ、 ２０〜２５ｄＢ程度であった。これでは偏波依存性の高
い導波路型光ディバイス（スイッチ、変調器等）を用い
る場合や、光センサとかコヒーレント光伝送への適用に
は不充分であるという問題点があった。
本発明の目的は上述した問題点に鑑みなされたもので、
偏波面保存光ファイバの光出力の消光比を著しく改善し
ろる半導体レーザモジュールを提供するにある。
偏波面保存光ファイバの光出力の消光比を著しく改善し
ろる半導体レーザモジュールを提供するにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体レーザモジュールは、半導体レーザとレ
ンズとの間、あるいはレンズと偏波面保存光ファイバの
間、またレンズが複数個の場合にはレンズ同志の間に偏
光分離素子を配置した構成とし、もって上述した目的を
達成せんとするものである。
ンズとの間、あるいはレンズと偏波面保存光ファイバの
間、またレンズが複数個の場合にはレンズ同志の間に偏
光分離素子を配置した構成とし、もって上述した目的を
達成せんとするものである。
以下、図に示す実施例を用いて本発明の詳細な説明する
。
。
第１図は本発明に係わる半導体レーザモジニールの実施
例を示す断面図である。半導体レーザ５を内蔵したパッ
ケージ６は金属製ホルダ７の後端側に嵌合固定された構
造となっている。金属製ホルダ７の長手方向略中央部位
置であってかつ軸線上の位置には先球状の集束性ロッド
レンズ８が保持固定されている。さらに、金属製ホルダ
７の先端側には偏波面保存光ファイバ９が配設されてい
ると共に、この偏波面保存光ファイバ９はパイプ１０で
その外周を保護されている。偏波面保存光ファイバ９の
入射端面９ａは光軸と直交する面に対して８度の角度を
もって斜研摩された構造となっており、かつこの入射端
面９ａ側には、偏光分離素子の一種である複屈折性の大
きな方解石板１１が配設されている。この方解石板１１
はその常光方向を偏波面保存光ファイバ９の主軸方向に
一致させた状態で接着固定されている。なお、方解石板
１１の光入射端面１１ａには反射防止膜が設けられてい
る。
例を示す断面図である。半導体レーザ５を内蔵したパッ
ケージ６は金属製ホルダ７の後端側に嵌合固定された構
造となっている。金属製ホルダ７の長手方向略中央部位
置であってかつ軸線上の位置には先球状の集束性ロッド
レンズ８が保持固定されている。さらに、金属製ホルダ
７の先端側には偏波面保存光ファイバ９が配設されてい
ると共に、この偏波面保存光ファイバ９はパイプ１０で
その外周を保護されている。偏波面保存光ファイバ９の
入射端面９ａは光軸と直交する面に対して８度の角度を
もって斜研摩された構造となっており、かつこの入射端
面９ａ側には、偏光分離素子の一種である複屈折性の大
きな方解石板１１が配設されている。この方解石板１１
はその常光方向を偏波面保存光ファイバ９の主軸方向に
一致させた状態で接着固定されている。なお、方解石板
１１の光入射端面１１ａには反射防止膜が設けられてい
る。
偏波面保存光ファイバ９の端末部は半導体レーザ５のＴ
Ｅ成分方向と方解石板１１の常光方向（即ち偏波面保存
光ファイバ９の主軸方向）が一致するように調整された
後、光出力の最も多く得られる位置で支持部材１２を介
して金属製ホルダ７に固定されるように構成されている
。なお、金属製ホルダ７に固定されたケース１３はファ
イバ固定部分を保護するよう形成されている。
Ｅ成分方向と方解石板１１の常光方向（即ち偏波面保存
光ファイバ９の主軸方向）が一致するように調整された
後、光出力の最も多く得られる位置で支持部材１２を介
して金属製ホルダ７に固定されるように構成されている
。なお、金属製ホルダ７に固定されたケース１３はファ
イバ固定部分を保護するよう形成されている。
本実施例の原理を第２図を用いて説明する。半導体レー
ザ５の出射光は直交する２つの偏波成分、半導体レーザ
のＴＥ成分（常光成分）とＴＭ成分（異常光成分）を有
する。通常ＴＥ成分が殆どであり、ＴＭ成分は発振する
以前の光出力レベルで抑制されている。よって、一方の
成分のみを取り出す場合には、ＴＥ成分だけを選び、Ｔ
Ｍ成分を除去すればよいことになる。本実施例ではこの
ＴＥ方向と方解石板１１の常光方向及び偏波面保存光フ
ァイバ９の主軸方向とを一致させている。
ザ５の出射光は直交する２つの偏波成分、半導体レーザ
のＴＥ成分（常光成分）とＴＭ成分（異常光成分）を有
する。通常ＴＥ成分が殆どであり、ＴＭ成分は発振する
以前の光出力レベルで抑制されている。よって、一方の
成分のみを取り出す場合には、ＴＥ成分だけを選び、Ｔ
Ｍ成分を除去すればよいことになる。本実施例ではこの
ＴＥ方向と方解石板１１の常光方向及び偏波面保存光フ
ァイバ９の主軸方向とを一致させている。
第２図ではＴＥ方向を紙面に水平な方向の矢印１４で表
わし、ＴＭ方向を紙面に垂直な点１５で表わしている。
わし、ＴＭ方向を紙面に垂直な点１５で表わしている。
ＴＥ、ＴＭ両成分を含んだ半導体レーザ５の出射光は複
屈折性の殆どない先球状の集束性ロッドレンズ８により
像信変換され、方解石板１１に入射する。ここで、ＴＥ
成分は方解石板１１の常光方向（ＴＥ方向）と一致する
ためスネルの法則に従い直進し、偏波面保存光ファイバ
９に導かれる。しかし、ＴＭ成分は異常光方向（ＴＭ方
向）になるためスネルの法則には従わず、分離され、第
２図に示す様に偏波面保存光ファイバ９には導かれない
。なお、方解石の場合、分離量（５０μｍ）は光軸方向
の厚さの１７１０であるため、偏波面保存光ファイバ９
のコア径１０μｍを考慮し、厚さを５００μｍに選定し
た。
屈折性の殆どない先球状の集束性ロッドレンズ８により
像信変換され、方解石板１１に入射する。ここで、ＴＥ
成分は方解石板１１の常光方向（ＴＥ方向）と一致する
ためスネルの法則に従い直進し、偏波面保存光ファイバ
９に導かれる。しかし、ＴＭ成分は異常光方向（ＴＭ方
向）になるためスネルの法則には従わず、分離され、第
２図に示す様に偏波面保存光ファイバ９には導かれない
。なお、方解石の場合、分離量（５０μｍ）は光軸方向
の厚さの１７１０であるため、偏波面保存光ファイバ９
のコア径１０μｍを考慮し、厚さを５００μｍに選定し
た。
方解石板１１自体の消光比は３５ｄ、Ｂ程度あるが角度
合わせの誤差により実際は３０ｄＢの消光比であった。
合わせの誤差により実際は３０ｄＢの消光比であった。
本実施例では偏光分離素子として方解石を用いたが、こ
れに限定されるものではなく、ルチルや多層膜で構成さ
れる偏光分離素子でもかまわない。
れに限定されるものではなく、ルチルや多層膜で構成さ
れる偏光分離素子でもかまわない。
第３図は本発明に係わる半導体レーザモジュールの実施
例を示す断面図である。半導体レーザ５と球レンズ１６
を内蔵したパッケージ６は、多層膜を用いた偏光分離プ
リズム１７と集束性ロッドレンズ１８を備えた金属製ホ
ルダ７に固定されている。偏波面保存光ファイバ９はパ
イプ１０に保持され、偏波面保存光ファイバ９の入射端
面９ａには反射防止膜付ガラスブロック１９が接着固定
されている。この偏波面保存光ファイバ９の端末部は、
支持部材１２を介して金属製ホルダ７に固定された構成
となっている。
例を示す断面図である。半導体レーザ５と球レンズ１６
を内蔵したパッケージ６は、多層膜を用いた偏光分離プ
リズム１７と集束性ロッドレンズ１８を備えた金属製ホ
ルダ７に固定されている。偏波面保存光ファイバ９はパ
イプ１０に保持され、偏波面保存光ファイバ９の入射端
面９ａには反射防止膜付ガラスブロック１９が接着固定
されている。この偏波面保存光ファイバ９の端末部は、
支持部材１２を介して金属製ホルダ７に固定された構成
となっている。
本実施例は、光学系として球レンズ１６と集束性ロッド
レンズ１８を用いた共焦点複合レンズ系を利用した半導
体レーザモジニールへの適用例であり、この２つのレン
ズ１６．１８の間に偏光分離素子である偏光分離プリズ
ム１７を配設した例である。原理は第１の実施例と同様
に半導体レーザ５の７Ｍ光出力を偏光分離プリズム１７
により除去するものである。
レンズ１８を用いた共焦点複合レンズ系を利用した半導
体レーザモジニールへの適用例であり、この２つのレン
ズ１６．１８の間に偏光分離素子である偏光分離プリズ
ム１７を配設した例である。原理は第１の実施例と同様
に半導体レーザ５の７Ｍ光出力を偏光分離プリズム１７
により除去するものである。
以上説明したように本発明によれば、偏波面保存光ファ
イバを用いた半導体レーデモジュールの光学系の中に偏
光分離素子を配設した構成としたので、半導体レーザの
７Ｍ先出力を偏波面保存光ファイバに導入しないように
することが可能となり、これによって偏波面保存光ファ
イバの光出力の消光比を著しく改善できるという効果を
奏する。
イバを用いた半導体レーデモジュールの光学系の中に偏
光分離素子を配設した構成としたので、半導体レーザの
７Ｍ先出力を偏波面保存光ファイバに導入しないように
することが可能となり、これによって偏波面保存光ファ
イバの光出力の消光比を著しく改善できるという効果を
奏する。
第１図は本発明に係わる半導体レーザモジュールの一実
施例を示す断面図、第２図は第１図に示す実施例の原理
説明図、第３図は本発明に係わる半導体レーデモジュー
ルの他の実施例を示す断面図、第４図は従来の半導体レ
ーザモジュ−／しの一実施例を示す断面図である。 ５・・・・・・半導体レーザ、 ８・・・・・・集束性ロッドレンズ、 ９・・・・・・偏波面保存光ファイバ、１１・・・・・
・方解石板、 １６・・・・・・球レンズ、 １７・・・・・・偏光分離プリズム、 １８・・・・・・集束性ロッドレンズ。 出 願 人 日本電気株式会社
施例を示す断面図、第２図は第１図に示す実施例の原理
説明図、第３図は本発明に係わる半導体レーデモジュー
ルの他の実施例を示す断面図、第４図は従来の半導体レ
ーザモジュ−／しの一実施例を示す断面図である。 ５・・・・・・半導体レーザ、 ８・・・・・・集束性ロッドレンズ、 ９・・・・・・偏波面保存光ファイバ、１１・・・・・
・方解石板、 １６・・・・・・球レンズ、 １７・・・・・・偏光分離プリズム、 １８・・・・・・集束性ロッドレンズ。 出 願 人 日本電気株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザからの出射光を、少なくとも１個のレ
ンズを介して偏波面保存光ファイバに導くよう構成した
半導体レーザモジュールにおいて、少なくとも前記半導
体レーザとレンズの間、あるいはレンズと偏波面保存光
ファイバの間に、偏光分離素子を配置したことを特徴と
する半導体レーザモジュール。 ２、前記レンズが複数個設けられている半導体レーザモ
ジュールにおいて、レンズとレンズの間に偏光分離素子
を配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185786A JPS62170918A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185786A JPS62170918A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170918A true JPS62170918A (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=11789395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185786A Pending JPS62170918A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62170918A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430510U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | ||
| US5229879A (en) * | 1990-09-28 | 1993-07-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser amplifier |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP1185786A patent/JPS62170918A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430510U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | ||
| US5229879A (en) * | 1990-09-28 | 1993-07-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser amplifier |
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