JPS6217629B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6217629B2 JPS6217629B2 JP2173380A JP2173380A JPS6217629B2 JP S6217629 B2 JPS6217629 B2 JP S6217629B2 JP 2173380 A JP2173380 A JP 2173380A JP 2173380 A JP2173380 A JP 2173380A JP S6217629 B2 JPS6217629 B2 JP S6217629B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- poly
- coating liquid
- liquid composition
- phenyl
- thin film
- Prior art date
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
本発明はフエニル基を有するラダー型オルガノ
シリコーンポリマの薄膜を形成するために使用さ
れる塗布液組成物およびその塗布方法に関するも
のである。 従来、絶縁電線、半導体保護コート、液表示素
子用配向膜などに使用される薄膜形成塗布液は各
種の重合体と各種の溶剤からなつており、その用
途によつて異なることは既に知られているところ
である。 また、フエニル基を有するラダー型オルガノシ
リコーンポリマ、例えばポリフエニルシルセスキ
オキサンはベンゼンに可溶なポリマであり、ベン
ゼン以外の溶剤としてジフエニル、ジフエニルオ
キサイド、これらの混合物、メチルフエニルエー
テル、エチルフエニルエーテル、シクロヘキサ
ン、ベンゾニトリル、メシチレン、デユレン、メ
タジメトキシベンゼン、トルエン、クロロベンゼ
ン、オルトジクロロベンゼン、塩化ジフエニルが
挙げられている（特公昭40―15989号参照）。 しかしながら、フエニル基を有するラダー型オ
ルガノシリコーンポリマを室温で溶解する溶剤
は、上記の溶剤の中でベンゼン、オルトジクロロ
ベンゼン、メタジメトキシベンゼン、クロロベン
ゼン、ベンゾニトリル、メチルフエニルエーテル
であり、その他の溶剤は溶解しにくい。また、ベ
ンゼン、ハロゲン化ベンゼン等はかなり毒性の高
い溶剤であり、作業性、安全衛生上の問題があ
る。 また、上記の溶剤は薄膜形成プロセスの作業
性、均一な薄膜形成基板とのぬれ性等の点から好
ましくない。またメチルフエニルエーテルは沸点
が低く、常温では蒸気圧が高いので好ましくな
い。 したがつて、いずれの薄膜形成方法において
も、塗布液は作業性、安全衛生、均一な薄膜形成
能（基板とのぬれ性）等のすぐれたものであるこ
とが好ましい。 本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点
をなくし、いずれの薄膜形成方法においても実用
上の問題の少ないフエニル基を有するラダー型オ
ルガノシリコーンポリマとそれに対する溶剤から
なる薄膜形成用塗布液組成物およびその塗布方法
を提供するにある。 本発明の特徴とするところは、フエニル基を有
するラダー型オルガノシリコーンポリマの塗布液
組成物において、フエニル基を有するラダー型オ
ルガノシリコーンポリマはその相対粘度が1.1〜
3.0（１％ベンゼン溶液、30℃）のものであり、
その溶剤は主成分が 一般式
シリコーンポリマの薄膜を形成するために使用さ
れる塗布液組成物およびその塗布方法に関するも
のである。 従来、絶縁電線、半導体保護コート、液表示素
子用配向膜などに使用される薄膜形成塗布液は各
種の重合体と各種の溶剤からなつており、その用
途によつて異なることは既に知られているところ
である。 また、フエニル基を有するラダー型オルガノシ
リコーンポリマ、例えばポリフエニルシルセスキ
オキサンはベンゼンに可溶なポリマであり、ベン
ゼン以外の溶剤としてジフエニル、ジフエニルオ
キサイド、これらの混合物、メチルフエニルエー
テル、エチルフエニルエーテル、シクロヘキサ
ン、ベンゾニトリル、メシチレン、デユレン、メ
タジメトキシベンゼン、トルエン、クロロベンゼ
ン、オルトジクロロベンゼン、塩化ジフエニルが
挙げられている（特公昭40―15989号参照）。 しかしながら、フエニル基を有するラダー型オ
ルガノシリコーンポリマを室温で溶解する溶剤
は、上記の溶剤の中でベンゼン、オルトジクロロ
ベンゼン、メタジメトキシベンゼン、クロロベン
ゼン、ベンゾニトリル、メチルフエニルエーテル
であり、その他の溶剤は溶解しにくい。また、ベ
ンゼン、ハロゲン化ベンゼン等はかなり毒性の高
い溶剤であり、作業性、安全衛生上の問題があ
る。 また、上記の溶剤は薄膜形成プロセスの作業
性、均一な薄膜形成基板とのぬれ性等の点から好
ましくない。またメチルフエニルエーテルは沸点
が低く、常温では蒸気圧が高いので好ましくな
い。 したがつて、いずれの薄膜形成方法において
も、塗布液は作業性、安全衛生、均一な薄膜形成
能（基板とのぬれ性）等のすぐれたものであるこ
とが好ましい。 本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点
をなくし、いずれの薄膜形成方法においても実用
上の問題の少ないフエニル基を有するラダー型オ
ルガノシリコーンポリマとそれに対する溶剤から
なる薄膜形成用塗布液組成物およびその塗布方法
を提供するにある。 本発明の特徴とするところは、フエニル基を有
するラダー型オルガノシリコーンポリマの塗布液
組成物において、フエニル基を有するラダー型オ
ルガノシリコーンポリマはその相対粘度が1.1〜
3.0（１％ベンゼン溶液、30℃）のものであり、
その溶剤は主成分が 一般式
【式】
【式】
（但し、式中Ｒは芳香族基、シクロアルカン
環、複素環であり；ｎは３，４，５である。） で表わされる化合物の群中から選択された少なく
とも１種の化合物よりなるものであり、該ポリマ
と該溶剤との割合が0.5：99.5〜20：80の範囲内
であるもの、およびその塗布液組成物を用いて、
好ましくはスピンナーまたは印刷法により薄膜を
形成することにある。さらに詳細には、上記のポ
リマの塗布液組成物における溶剤としては薄膜形
成能、作業性の点から、溶剤の融点は20℃以下で
あり、その沸点は180℃〜300℃であるものが好ま
しい。 本発明において使用できるフエニル基を有する
ラダー型オルガノシリコーンポリマとしては、ポ
リフエニルシルセスキオキサン、ポリ（メチル置
換フエニルシルセスキオキサン）、ポリ（ジメチ
ル置換フエニルシルセスキオキサン）、ポリ（メ
タクロロフエニルシルセスキオキサン）、ポリ
（ナフチルシルセスキオキサン）、ポリ（ビフエニ
ルシルセスキオキサン）、ポリ（フエニル・イソ
ブチルシルセスキオキサン）、ポリ（フエニル・
イソアミルシルセスキオキサン）、ポリ（フエニ
ル・イソヘキシルセスキオキサン）、ポリ（フエ
ニル・ｎ―ヘキシルシルセスキオキサン）、ポリ
（フエニル・ベンジルシルセスキオキサン）、ポリ
（フエニル・βフエネチルシルセスキオキサン）、
ポリ（フエニル・シクロヘキシルシルセスキオキ
サン）、ポリ（メタブロモフエニルシルセスキオ
キサン）、ポリ（メタルフルオロフエニルシルセ
スキオキサン）、ポリ（アミノフエニルシロキサ
ン）、ポリ（チタノフエニルシロキサン）、ポリ
（ボロノフエニルシロキサン）などが挙げられ
る。 本発明において使用できる溶剤としては 一般式
環、複素環であり；ｎは３，４，５である。） で表わされる化合物の群中から選択された少なく
とも１種の化合物よりなるものであり、該ポリマ
と該溶剤との割合が0.5：99.5〜20：80の範囲内
であるもの、およびその塗布液組成物を用いて、
好ましくはスピンナーまたは印刷法により薄膜を
形成することにある。さらに詳細には、上記のポ
リマの塗布液組成物における溶剤としては薄膜形
成能、作業性の点から、溶剤の融点は20℃以下で
あり、その沸点は180℃〜300℃であるものが好ま
しい。 本発明において使用できるフエニル基を有する
ラダー型オルガノシリコーンポリマとしては、ポ
リフエニルシルセスキオキサン、ポリ（メチル置
換フエニルシルセスキオキサン）、ポリ（ジメチ
ル置換フエニルシルセスキオキサン）、ポリ（メ
タクロロフエニルシルセスキオキサン）、ポリ
（ナフチルシルセスキオキサン）、ポリ（ビフエニ
ルシルセスキオキサン）、ポリ（フエニル・イソ
ブチルシルセスキオキサン）、ポリ（フエニル・
イソアミルシルセスキオキサン）、ポリ（フエニ
ル・イソヘキシルセスキオキサン）、ポリ（フエ
ニル・ｎ―ヘキシルシルセスキオキサン）、ポリ
（フエニル・ベンジルシルセスキオキサン）、ポリ
（フエニル・βフエネチルシルセスキオキサン）、
ポリ（フエニル・シクロヘキシルシルセスキオキ
サン）、ポリ（メタブロモフエニルシルセスキオ
キサン）、ポリ（メタルフルオロフエニルシルセ
スキオキサン）、ポリ（アミノフエニルシロキサ
ン）、ポリ（チタノフエニルシロキサン）、ポリ
（ボロノフエニルシロキサン）などが挙げられ
る。 本発明において使用できる溶剤としては 一般式
【式】
【式】
（但し、式中Ｒは芳香族基、シクロアルカン
環、複素環であり；ｎは３，４，５である。） で表わされるものを挙げることができる。上記の
式においてｎを３，４，５としたのは、ｎが６以
上であるものは溶解能が低く実用的でない故であ
る。例としては、
環、複素環であり；ｎは３，４，５である。） で表わされるものを挙げることができる。上記の
式においてｎを３，４，５としたのは、ｎが６以
上であるものは溶解能が低く実用的でない故であ
る。例としては、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】等が
挙げられ、好ましくは２―フエノキシテトラヒド
ロピラン、２―フエノキシテトラヒドロフランで
ある。 本発明に用いるフエニル基を有するラダー型オ
ルガノシリコーンポリマは相対粘度が1.1〜3.0の
ものが良く、好ましいのは1.2〜2.0のものであ
り、相対粘度が1.10以下のポリマは膜強度が弱く
実用的でない。また、相対粘度が3.0以上のポリ
マは前記の溶剤にとけにくい。 本発明に用いる塗布液組成物においては、該ポ
リマと該溶剤の混合割合が0.5：99.5〜20：80、
好ましくは４：96〜12：88である。ポリマの割合
が0.5以下の場合は絶縁保護膜として有用でな
く、また、20以上の場合は塗布液の粘度が高く均
一な膜が得られにくい。 本発明に用いる前記の溶剤に、混合する溶剤と
して、ポリマを溶かす溶剤が融点20℃以下、沸点
180〜300℃であり、しかも水に溶けにくいものを
混合してもよい。例としては、オルトジメトキシ
ベンゼン、メタジメトキシベンゼン等が挙げられ
る。その場合の好ましい混合量は30重量％以下で
ある。 本発明に用いる前記のポリマ組成物の塗布方法
としては、スプレー、ロール、コーター、刷毛塗
り、スピンナー、凸版、オフセツト、フレキソ印
刷等が挙げられる。好ましくは、スピンナー、凸
版、オフセツト、フレキソ印刷による塗布方法で
ある。 本発明に用いる塗布液組成物にはぬれ剤、染
料、顔料、フイラーの添加剤を必要に応じて添加
してもよいものである。 以下に、本発明を実施例につき、およびその効
果の比較のための比較例につきさらに具体的に説
明する。 実施例 １
ロピラン、２―フエノキシテトラヒドロフランで
ある。 本発明に用いるフエニル基を有するラダー型オ
ルガノシリコーンポリマは相対粘度が1.1〜3.0の
ものが良く、好ましいのは1.2〜2.0のものであ
り、相対粘度が1.10以下のポリマは膜強度が弱く
実用的でない。また、相対粘度が3.0以上のポリ
マは前記の溶剤にとけにくい。 本発明に用いる塗布液組成物においては、該ポ
リマと該溶剤の混合割合が0.5：99.5〜20：80、
好ましくは４：96〜12：88である。ポリマの割合
が0.5以下の場合は絶縁保護膜として有用でな
く、また、20以上の場合は塗布液の粘度が高く均
一な膜が得られにくい。 本発明に用いる前記の溶剤に、混合する溶剤と
して、ポリマを溶かす溶剤が融点20℃以下、沸点
180〜300℃であり、しかも水に溶けにくいものを
混合してもよい。例としては、オルトジメトキシ
ベンゼン、メタジメトキシベンゼン等が挙げられ
る。その場合の好ましい混合量は30重量％以下で
ある。 本発明に用いる前記のポリマ組成物の塗布方法
としては、スプレー、ロール、コーター、刷毛塗
り、スピンナー、凸版、オフセツト、フレキソ印
刷等が挙げられる。好ましくは、スピンナー、凸
版、オフセツト、フレキソ印刷による塗布方法で
ある。 本発明に用いる塗布液組成物にはぬれ剤、染
料、顔料、フイラーの添加剤を必要に応じて添加
してもよいものである。 以下に、本発明を実施例につき、およびその効
果の比較のための比較例につきさらに具体的に説
明する。 実施例 １
【表】
【表】
表１の実施例１の行に示すように、塗布液組成
物におけるポリマ濃度が７重量％になるようにポ
リマであるポリフエニルシルセスキオキサン（相
対粘度1.32、１％ベンゼン溶液、30℃）を溶剤で
ある２―フエノキシテトラヒドロピランに溶解し
て塗布液組成物とした。この塗布液組成物を用
い、オフセツト印刷法によりガラス基板（SOG
下地膜を処理したソーダガラス基板）に膜厚1000
Åの薄膜を形成した。作業性は良いものであり、
また表１に示すように、得られた印刷後の塗膜は
ピンホールのない、均一な膜厚のものであつた。
さらに塗膜を250℃、１時間加熱したところ均一
な薄膜となつた。 実施例 ２，３，４，５ 表１の実施例２，３，４，５の各行に示すよう
に、各塗布液組成物におけるポリマ濃度が、それ
ぞれ２，６，10，14重量％になるように実施例１
におけると同一のポリマであるポリフエニルシル
セスキオキサンを溶剤である２―フエノキシテト
ラヒドロピランに溶解させた以外は、実施例１の
場合と同一条件で薄膜形成を行つた。作業性はい
ずれもよく、また得られた結果は表１に示す通り
であつた。 実施例 ６，７，８ 表１の実施例６，７，８の各行に示すように、
各塗布液組成物におけるポリマ濃度が、それぞれ
２，６，10重量％になるようにポリマであるポリ
フエニルシルセスキオキサン（相対粘1.79、１％
ベンゼン溶液、30℃）を溶剤である２―フエノキ
シテトラヒドロピランに溶解させた以外は、実施
例１の場合と同一条件で薄膜形成を行つた。作業
性はいずれもよく、また得られた結果は表１に示
す通りであつた。 実施例 ９，10，11，12 表１の実施例９，10，11，12の各行に示すよう
に、各塗布液組成物におけるポリマ濃度がそれぞ
れ２，６，10，14重量％になるようにポリマであ
るポリフエニルシルセスキオキサン（相対粘度
2.2、１％ベンゼン溶液、30℃）を溶剤である２
―フエノキシテトラヒドロフランに溶解させた以
外は、実施例１の場合と同一条件で薄膜形成を行
つた。作業性はいずれも良く、また得られた結果
は表１に示す通りであつた。 実施例 13 表１の実施例13の行に示すように、塗布液組成
物におけるポリマ濃度が８重量％になるようにポ
リマであるポリ（メタクロロフエニルシルセスキ
オキサン）（相対粘度1.37、１％ベンゼン溶液、
30℃）を溶剤である２―フエノキシテトラヒドロ
ピランに溶解させた以外は、実施例１の場合と同
一条件で薄膜形成を行つた。作業性はよく、また
得られた結果は表１に示す通りであつた。 実施例 14，15，16，17 表１の実施例14，15，16，17の各行に示すよう
に、各塗布液組成物におけるポリマ濃度が、それ
ぞれ２，６，10，14重量％になるようにポリマで
あるポリ（ビフエニルシルセスキオキサン）（相
対粘度1.5、１％ベンゼン溶液、30℃）を溶剤で
ある２―フエノキシテトラヒドロピランに溶解さ
せた以外は、実施例１の場合と同一条件で薄膜形
成を行つた。作業性はいずれもよく、また得られ
た結果は表１に示す通りであつた。 比較例 １，２，３ 表１の比較例１，２，３の各行に示すように、
各塗布液組成物におけるポリマ濃度が、それぞれ
６，10，14重量％になるように、ポリマであるポ
リフエニルシルセスキオキサン（相対粘度1.44、
１％ベンゼン溶液、30℃）を溶剤であるオルトメ
トキシベンゼンに溶解させた以外は、いずれも実
施例１の場合と同一条件で薄膜形成を行つた。こ
れらの組成物は従来例のものにして、ポリマは本
発明に使用できるものとして上記に挙げたものの
一つであるが、溶剤には本発明に使用できるもの
は含まれていないものであり、従つて本発明の塗
布液組成物ではないものである。それらにおける
作業性は悪く、ポンホールがあり、またそれらに
よつて得られた結果は表１に示す通りであつた。 表１における実施例と比較例との結果の比較か
ら、本発明が従来技術の欠点を解決したものであ
ることがわかる。 以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、フエニル基を有するラダー型オルガノシリコ
ーンポリマと前記の本発明で使用できる溶剤とよ
りなる前記に述べたような塗布液組成物を用いる
ことにより良質な薄膜を形成することができ、し
かも作業性がよい。このように形成された良質な
薄膜は液表示素子用配向膜、半導体パツシベーシ
ヨン、電子部品用高耐熱性絶縁膜等に用いること
ができる。このような塗布液組成物は印刷法で塗
膜を形成することにより、作業性の効率向上、簡
略化を図ることのできる。従つて本発明の効用は
極めて大なりと言うことができる。
物におけるポリマ濃度が７重量％になるようにポ
リマであるポリフエニルシルセスキオキサン（相
対粘度1.32、１％ベンゼン溶液、30℃）を溶剤で
ある２―フエノキシテトラヒドロピランに溶解し
て塗布液組成物とした。この塗布液組成物を用
い、オフセツト印刷法によりガラス基板（SOG
下地膜を処理したソーダガラス基板）に膜厚1000
Åの薄膜を形成した。作業性は良いものであり、
また表１に示すように、得られた印刷後の塗膜は
ピンホールのない、均一な膜厚のものであつた。
さらに塗膜を250℃、１時間加熱したところ均一
な薄膜となつた。 実施例 ２，３，４，５ 表１の実施例２，３，４，５の各行に示すよう
に、各塗布液組成物におけるポリマ濃度が、それ
ぞれ２，６，10，14重量％になるように実施例１
におけると同一のポリマであるポリフエニルシル
セスキオキサンを溶剤である２―フエノキシテト
ラヒドロピランに溶解させた以外は、実施例１の
場合と同一条件で薄膜形成を行つた。作業性はい
ずれもよく、また得られた結果は表１に示す通り
であつた。 実施例 ６，７，８ 表１の実施例６，７，８の各行に示すように、
各塗布液組成物におけるポリマ濃度が、それぞれ
２，６，10重量％になるようにポリマであるポリ
フエニルシルセスキオキサン（相対粘1.79、１％
ベンゼン溶液、30℃）を溶剤である２―フエノキ
シテトラヒドロピランに溶解させた以外は、実施
例１の場合と同一条件で薄膜形成を行つた。作業
性はいずれもよく、また得られた結果は表１に示
す通りであつた。 実施例 ９，10，11，12 表１の実施例９，10，11，12の各行に示すよう
に、各塗布液組成物におけるポリマ濃度がそれぞ
れ２，６，10，14重量％になるようにポリマであ
るポリフエニルシルセスキオキサン（相対粘度
2.2、１％ベンゼン溶液、30℃）を溶剤である２
―フエノキシテトラヒドロフランに溶解させた以
外は、実施例１の場合と同一条件で薄膜形成を行
つた。作業性はいずれも良く、また得られた結果
は表１に示す通りであつた。 実施例 13 表１の実施例13の行に示すように、塗布液組成
物におけるポリマ濃度が８重量％になるようにポ
リマであるポリ（メタクロロフエニルシルセスキ
オキサン）（相対粘度1.37、１％ベンゼン溶液、
30℃）を溶剤である２―フエノキシテトラヒドロ
ピランに溶解させた以外は、実施例１の場合と同
一条件で薄膜形成を行つた。作業性はよく、また
得られた結果は表１に示す通りであつた。 実施例 14，15，16，17 表１の実施例14，15，16，17の各行に示すよう
に、各塗布液組成物におけるポリマ濃度が、それ
ぞれ２，６，10，14重量％になるようにポリマで
あるポリ（ビフエニルシルセスキオキサン）（相
対粘度1.5、１％ベンゼン溶液、30℃）を溶剤で
ある２―フエノキシテトラヒドロピランに溶解さ
せた以外は、実施例１の場合と同一条件で薄膜形
成を行つた。作業性はいずれもよく、また得られ
た結果は表１に示す通りであつた。 比較例 １，２，３ 表１の比較例１，２，３の各行に示すように、
各塗布液組成物におけるポリマ濃度が、それぞれ
６，10，14重量％になるように、ポリマであるポ
リフエニルシルセスキオキサン（相対粘度1.44、
１％ベンゼン溶液、30℃）を溶剤であるオルトメ
トキシベンゼンに溶解させた以外は、いずれも実
施例１の場合と同一条件で薄膜形成を行つた。こ
れらの組成物は従来例のものにして、ポリマは本
発明に使用できるものとして上記に挙げたものの
一つであるが、溶剤には本発明に使用できるもの
は含まれていないものであり、従つて本発明の塗
布液組成物ではないものである。それらにおける
作業性は悪く、ポンホールがあり、またそれらに
よつて得られた結果は表１に示す通りであつた。 表１における実施例と比較例との結果の比較か
ら、本発明が従来技術の欠点を解決したものであ
ることがわかる。 以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、フエニル基を有するラダー型オルガノシリコ
ーンポリマと前記の本発明で使用できる溶剤とよ
りなる前記に述べたような塗布液組成物を用いる
ことにより良質な薄膜を形成することができ、し
かも作業性がよい。このように形成された良質な
薄膜は液表示素子用配向膜、半導体パツシベーシ
ヨン、電子部品用高耐熱性絶縁膜等に用いること
ができる。このような塗布液組成物は印刷法で塗
膜を形成することにより、作業性の効率向上、簡
略化を図ることのできる。従つて本発明の効用は
極めて大なりと言うことができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フエニル基を有するラダー型オルガノシリコ
ーンポリマの塗布液組成物において、フエニル基
を有するラダー型オルガノシリコーンポリマはそ
の相対粘度が1.1〜3.0（１％ベンゼン溶液、30
℃）のものであり、その溶剤は主成分が 一般式【式】 【式】 （但し、式中Ｒは芳香族基、シクロアルカン
環、複素環であり；ｎは３，４，５である）で表
わされる化合物の群中から選択された少なくとも
１種の化合物よりなるものであり、該ポリマと該
溶剤との割合が0.5：99.5〜20：80の範囲内であ
ることを特徴とする薄膜形成用塗布液組成物。 ２ 該フエニル基を有するラダー型オルガノシリ
コーンポリマはポリフエニルシルセスキオキサ
ン、ポリ（ｍ―クロロフエニルシルセスキオキサ
ン）、ポリ（ｍ―ブロモフエニルシルセスキオキ
サン）、ポリ（ｍ―フルオロフエニルシルセスキ
オキサン）、ポリ（メチルフエニルシルセスキオ
キサン）、ポリ（ジメチルフエニルシルセスキオ
キサン）、ポリ（ビフエニルシルセスキオキサ
ン）、ポリ（ナフチルシルセスキオキサン）、ポリ
（フエニル・イソブチルシルセスキオキサン）、ポ
リ（フエニル・イソアミルシルセスキオキサ
ン）、ポリアミ、フエニルシロキサン、ポリチタ
ノフエニルシロキサン、ポリボロノフエニルシロ
キサンよりなる群中より選択された１種類の化合
物である特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成用
塗布液組成物。 ３ 該溶剤は２―フエノキシテトラヒドロピラン
または２―フエノキシテトラヒドロフランである
特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成用塗布液組
成物。 ４ フエニル基を有するラダー型オルガノシリコ
ーンポリマの塗布液組成物の塗布方法において、
フエニル基を有するラダー型オルガノシリコーン
ポリマはその相対粘度が1.1〜3.0（１％ベンゼン
溶液、30℃）のものであり、その溶剤は主成分が 一般式【式】 【式】 （但し、式中Ｒは芳香族基、シクロアルカン
環、複素環であり；ｎは３，４，５である）で表
わされる化合物の群中から選択された少なくとも
１種の化合物よりなるものであり、該ポリマと該
溶剤との割合が0.5：99.5〜20：80の範囲内であ
るように溶解せしめてなる塗布液組成物を用い
て、スピンナー法または印刷法により薄膜を形成
せしめることを特徴とする薄膜形成用塗布液組成
物の塗布方法。 ５ 該フエニル基を有するラダー型オルガノシリ
コーンポリマはポリフエニルシルセスキオキサ
ン、ポリ（ｍ―クロロフエニルシルセスキオキサ
ン）、ポリ（ｍ―ブロモフエニルシルセスキオキ
サン）、ポリ（ｍ―フルオロフエニルシルセスキ
オキサン）、ポリ（メチルフエニルシルセスキオ
キサン）、ポリ（ジメチルフエニルシルセスキオ
キサン）、ポリ（ビフエニルシルセスキオキサ
ン）、ポリ（ナフチルシルセスキオキサン）、ポリ
（フエニル・イソブチルシルセスキオキサン）、ポ
リ（フエニル・イソアミルシルセスキオキサ
ン）、ポリアミノフエニルシロキサン、ポリチタ
ノフエニルシロキサン、ポリボロノフエニルシロ
キサンよりなる群中より選択された１種類の化合
物である特許請求の範囲第４項記載の薄膜形成用
塗布液組成物の塗布方法。 ６ 該溶剤は２―フエノキシテトラヒドロピラン
または２―フエノキシテトラヒドロフランである
特許請求の範囲第４項記載の薄膜形成用塗布液組
成物の塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173380A JPS56118465A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Thin film-forming coating liquid composition and its coating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173380A JPS56118465A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Thin film-forming coating liquid composition and its coating method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56118465A JPS56118465A (en) | 1981-09-17 |
| JPS6217629B2 true JPS6217629B2 (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=12063269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173380A Granted JPS56118465A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Thin film-forming coating liquid composition and its coating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56118465A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
| JP6225413B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2017-11-08 | セイコーエプソン株式会社 | 機能層形成用インク、インク容器、吐出装置、機能層の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法 |
-
1980
- 1980-02-25 JP JP2173380A patent/JPS56118465A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56118465A (en) | 1981-09-17 |
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