JPS62178928A - 液晶表示体製造方法 - Google Patents
液晶表示体製造方法Info
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- JPS62178928A JPS62178928A JP61021389A JP2138986A JPS62178928A JP S62178928 A JPS62178928 A JP S62178928A JP 61021389 A JP61021389 A JP 61021389A JP 2138986 A JP2138986 A JP 2138986A JP S62178928 A JPS62178928 A JP S62178928A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＩＭ液晶表示体の製造方法に閃する〔発明の
概要〕 本発明はＭＩＭ液晶表示体の製造方法において、ＭＩＭ
素子により制御されるフルカラー画像表若しくは膜残り
により、表示上周囲よりコントラストが白く勧察される
欠陥、即ち白欠陥をレーザービームにより電気的に断線
せしめ、黒欠陥へと転換させることで欠陥の存在を視覚
的に見立ちに＜＜シ、製造上の歩留りを補填するもので
ある。
概要〕 本発明はＭＩＭ液晶表示体の製造方法において、ＭＩＭ
素子により制御されるフルカラー画像表若しくは膜残り
により、表示上周囲よりコントラストが白く勧察される
欠陥、即ち白欠陥をレーザービームにより電気的に断線
せしめ、黒欠陥へと転換させることで欠陥の存在を視覚
的に見立ちに＜＜シ、製造上の歩留りを補填するもので
ある。
従来のＭＩＭ液晶表示体の製造方法は、「Ｓより
工 ＮＴ Ｅ ＲＮＡＴ 工 ０ＮＡＬ Ｓ
ＹＭ’ＰＯ８工 ＵＭ Ｄ 工 ＧＥＳＴ
ＯＦ ＴＥ（！ＨＮ 工 ＯＡＩ、 Ｐ
ＡＰＫＲ３／ＶＯＬＵＭＫ ＸＶ／ＩＥ３ＳＮ ０
０９７−９６６ｘ」のＰ、３０７ Ｆｉｇ、９の写真
より推測されるように、ポジ表示でレーザービーム等に
より欠陥転換する工程をもたなかった。
工 ＮＴ Ｅ ＲＮＡＴ 工 ０ＮＡＬ Ｓ
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ＯＦ ＴＥ（！ＨＮ 工 ＯＡＩ、 Ｐ
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０９７−９６６ｘ」のＰ、３０７ Ｆｉｇ、９の写真
より推測されるように、ポジ表示でレーザービーム等に
より欠陥転換する工程をもたなかった。
しかし従来技術では製造上何らかの理由で発生する欠陥
を転換できず、黒欠陥と白欠陥が混在し製造上の歩留り
を低下させるという問題点を有する。そこで本発明はカ
ラーのネガ表示とレーザービームを用いて白欠陥を黒欠
陥へと転換することで、総て視覚上見立ちにくい黒欠陥
にして製造上の歩留りを補填しＭＩＭ液晶表示体の量産
を可能にすることを目的とする。
を転換できず、黒欠陥と白欠陥が混在し製造上の歩留り
を低下させるという問題点を有する。そこで本発明はカ
ラーのネガ表示とレーザービームを用いて白欠陥を黒欠
陥へと転換することで、総て視覚上見立ちにくい黒欠陥
にして製造上の歩留りを補填しＭＩＭ液晶表示体の量産
を可能にすることを目的とする。
本発明の液晶表示体製造方法は、基体内部にＭＩＭ素子
を有し、該素子の非線形性を用いて液晶層の印加電圧を
制御する機構をもつ液晶表示体の製造方法に於て、 α） 絶縁基板上に該素子を含む電極パターンを形成す
る工程と、 ｂ） もう一方の絶縁基板上に電極パターン及びカラー
フィルターを形成する工程と、Ｃ） 上記２枚の基板に
ＴＮ液晶を水平配向させる配向膜を形成する工程と、 ｄ） 上記２枚の基板を電極パターン面を内側にして各
電極パターンが所定の位置を保ち且つ液晶層となる所定
の間隔をもって接合材を介して一体化する工程と、 ６） 前記液晶層にＴＮ液晶を封入する工程とｆ） 偏
光板を平行ニコルに該セルを挾んで接着する工程と、 ！Ｉ） ＭＩＭ素子を構成する絶縁膜の破壊により非
線形性を失なった該素子若しくはフォトリソグラフィー
で所定のパターン以外にＭＩＭ及び画素を構成する金属
の膜残りにより該素子の動作特性が所定の特性から逸脱
した場合の該膜残りに対してレーザービームを選択的に
照射し、熱により照射部分の金属を昇華させることによ
り電気的に断線させる工程とを具備することを特徴とす
る。
を有し、該素子の非線形性を用いて液晶層の印加電圧を
制御する機構をもつ液晶表示体の製造方法に於て、 α） 絶縁基板上に該素子を含む電極パターンを形成す
る工程と、 ｂ） もう一方の絶縁基板上に電極パターン及びカラー
フィルターを形成する工程と、Ｃ） 上記２枚の基板に
ＴＮ液晶を水平配向させる配向膜を形成する工程と、 ｄ） 上記２枚の基板を電極パターン面を内側にして各
電極パターンが所定の位置を保ち且つ液晶層となる所定
の間隔をもって接合材を介して一体化する工程と、 ６） 前記液晶層にＴＮ液晶を封入する工程とｆ） 偏
光板を平行ニコルに該セルを挾んで接着する工程と、 ！Ｉ） ＭＩＭ素子を構成する絶縁膜の破壊により非
線形性を失なった該素子若しくはフォトリソグラフィー
で所定のパターン以外にＭＩＭ及び画素を構成する金属
の膜残りにより該素子の動作特性が所定の特性から逸脱
した場合の該膜残りに対してレーザービームを選択的に
照射し、熱により照射部分の金属を昇華させることによ
り電気的に断線させる工程とを具備することを特徴とす
る。
本発明の上記構成によれば、ネガ表示は液晶層に電圧が
印加されると黒から白へコントラストが変化するから、
ＭＩＭ素子と画累若しくは所定の位置にある各画素と端
子とを接続する配線とＭＩＭ累子をレーザービームによ
る熱で断線させることで総て黒欠陥へと転換できる。一
方、視覚上の目立ち易さの点で白欠陥と黒欠陥を比較し
た場合カラー表示はパネル後部のバックライトの光を液
晶層を透過させて観察することになるから、白欠陥はい
わばバックライトの光の洩れに当たり、黒欠陥より認識
し易いという差が生ずる。以上より致命欠陥となる白欠
陥の発生したパネルを黒欠陥へ転換し歩留りを補填させ
ることができる。
印加されると黒から白へコントラストが変化するから、
ＭＩＭ素子と画累若しくは所定の位置にある各画素と端
子とを接続する配線とＭＩＭ累子をレーザービームによ
る熱で断線させることで総て黒欠陥へと転換できる。一
方、視覚上の目立ち易さの点で白欠陥と黒欠陥を比較し
た場合カラー表示はパネル後部のバックライトの光を液
晶層を透過させて観察することになるから、白欠陥はい
わばバックライトの光の洩れに当たり、黒欠陥より認識
し易いという差が生ずる。以上より致命欠陥となる白欠
陥の発生したパネルを黒欠陥へ転換し歩留りを補填させ
ることができる。
以下に本発明に基づ〈実施例を詳細に述べる。
絶縁基板にガラス基板を用い、ＭＩＭＸ子はガラス基板
上にタンタルを５０００Ｘ以下の膜厚でスパッタ法によ
り形成し、フォトリソグラフィーにより所定のパターン
を形成した後、クエン酸溶液による陽極酸化法にて該タ
ンタル表面に１０００１以下の膜厚で五酸化タンタルを
形成させた二しかる後にクロムを蒸着法若しくはスパッ
タ法にて３０００Ｘ以下の膜厚で前記基板表面に形成し
、フォトリソグラフィーにより所定のパターンを形成し
ＭＩＭ素子を得た。次に工ＴＯをスパッタ法若しくは蒸
着法を用いて２０００Ｘ以下の膜厚で成膜しフォトリソ
グラフィーにより画素１１Ｌ極を形成した。このときの
基板断面図を第１図に示す。
上にタンタルを５０００Ｘ以下の膜厚でスパッタ法によ
り形成し、フォトリソグラフィーにより所定のパターン
を形成した後、クエン酸溶液による陽極酸化法にて該タ
ンタル表面に１０００１以下の膜厚で五酸化タンタルを
形成させた二しかる後にクロムを蒸着法若しくはスパッ
タ法にて３０００Ｘ以下の膜厚で前記基板表面に形成し
、フォトリソグラフィーにより所定のパターンを形成し
ＭＩＭ素子を得た。次に工ＴＯをスパッタ法若しくは蒸
着法を用いて２０００Ｘ以下の膜厚で成膜しフォトリソ
グラフィーにより画素１１Ｌ極を形成した。このときの
基板断面図を第１図に示す。
さて、もう一方の絶縁基板だが、やはりガラス基板を用
い、ＣＶＤ法による酸化錫若しくはスバッタ法による工
ＴＯを双方共に２０００λ以下で成膜しフォトリソグラ
フィーにより電極パターンを形成した。然る後に加色法
による色の三要素である赤、緑、青から成るカラーフイ
“ルターを該電極パターン上に２μｍ以下の膜厚で形成
した。このときの基板断面図を第２図に示す。
い、ＣＶＤ法による酸化錫若しくはスバッタ法による工
ＴＯを双方共に２０００λ以下で成膜しフォトリソグラ
フィーにより電極パターンを形成した。然る後に加色法
による色の三要素である赤、緑、青から成るカラーフイ
“ルターを該電極パターン上に２μｍ以下の膜厚で形成
した。このときの基板断面図を第２図に示す。
この様にして製造した２枚の基板にアミノシラン処理を
した後、ざリイミド膜を２０００Ｘ以下の膜厚で形成し
、ラビング法により水平配向させた配向膜を形成した。
した後、ざリイミド膜を２０００Ｘ以下の膜厚で形成し
、ラビング法により水平配向させた配向膜を形成した。
次にミクロパール（積木ファインケミカルの登録商標）
を用いて液晶層となる所定の間隔を保ちながら、熱硬化
若しくは紫外線硬化型の接合材を介して２枚の基板上に
形成された［極パターンが所定の位置関係になるように
接合材を用いて一体化した。
を用いて液晶層となる所定の間隔を保ちながら、熱硬化
若しくは紫外線硬化型の接合材を介して２枚の基板上に
形成された［極パターンが所定の位置関係になるように
接合材を用いて一体化した。
さらにこうして製造されたセルに、真空中で液晶封入口
に液晶を所定量滴下させて封入した後、エポキシ系若し
くは紫外線硬化型アクリル系の接着剤を用いて液晶封入
口を塞いだ。
に液晶を所定量滴下させて封入した後、エポキシ系若し
くは紫外線硬化型アクリル系の接着剤を用いて液晶封入
口を塞いだ。
次に前記液晶セルの両面に、偏光板を平行ニコルに接着
して液晶表示体を完成した。このときの基板の断面図を
第３図に示す。
して液晶表示体を完成した。このときの基板の断面図を
第３図に示す。
さて、こうして完成した液晶表示体を点灯させて白欠陥
及び黒欠陥の総数が数個程度のものを選別し、フォトマ
スク修正用のレーザリペアという装置に選別した液晶表
面体を設置し、前記点灯検査に於いて白欠陥だった箇所
のＭＩＭ素子と画素若しくは所定の位置にある各画素と
端子とを接続する配線とＭＩＭ素子をレーザービームに
より断線させ、黒欠陥に転換した。膜残りにより白欠陥
となっている箇所は、該膜残りにレーザービームを照射
し同様に黒欠陥へと転換させたが、膜残りの程度が微小
なものは、正常な累子へと回復したものもいくつか見ら
れた。
及び黒欠陥の総数が数個程度のものを選別し、フォトマ
スク修正用のレーザリペアという装置に選別した液晶表
面体を設置し、前記点灯検査に於いて白欠陥だった箇所
のＭＩＭ素子と画素若しくは所定の位置にある各画素と
端子とを接続する配線とＭＩＭ素子をレーザービームに
より断線させ、黒欠陥に転換した。膜残りにより白欠陥
となっている箇所は、該膜残りにレーザービームを照射
し同様に黒欠陥へと転換させたが、膜残りの程度が微小
なものは、正常な累子へと回復したものもいくつか見ら
れた。
以上述べた様に、製造上の欠陥を目立ちにくく転換させ
、歩留を補填させることができた。
、歩留を補填させることができた。
以上述べた様に本発明によれば、ネガ表示を用いるので
画素間隙が遮光され、余分な光洩れがなくなるので表示
画像が鮮明に見え、一方製造上で画素数万個当り数個の
欠陥発生は不可避であり、レーザービームによる欠陥転
換により実用上問題ない欠陥状態に改善される為、ＭＩ
Ｍ素子を用いた液晶表示体の製造上の歩留りを補填し量
産実現を可能にするものである。
画素間隙が遮光され、余分な光洩れがなくなるので表示
画像が鮮明に見え、一方製造上で画素数万個当り数個の
欠陥発生は不可避であり、レーザービームによる欠陥転
換により実用上問題ない欠陥状態に改善される為、ＭＩ
Ｍ素子を用いた液晶表示体の製造上の歩留りを補填し量
産実現を可能にするものである。
第１図はＭＩＭ素子側基板の断面図。
１・・・・・・ＭＩＭ素子
２・・・・・・工ＴＯ画素電極
３・・・・・・ガラス基板
４・・・・・・配線電極
第２図はカラーフィルター側基板の断面図。
１・・・・・・カラーフィルタ一層
２・・・・・・工ＴＯ走査電極
３・・・・・・ガラス基板
第５図は該液晶表示体の断面図。
１・・・・・・ガラス基板
２・・・・・・スペーサー
３・・・・・・ＭＩＭ累子
４・・・・・・工Ｔｏ走査電極
５・・・・・・工ＴＯ画素電極
６・・・・・・配線電極
７・・・・・・カラーフィルタ一層
８・・・・・・液晶層
９・・・・・・上偏光板
１０・・・下偏光板
以 上
出願人 セイコーエプソン株式会社
第２図
Ｑ−ハ クフイ１
海鳥表示４１ｆＴ而口
第う図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体内部にＭＩＭ素子を有し、該素子の非線形性を用い
て液晶層の印加電圧を制御する機構をもつ液晶表示体の
製造方法に於て、 ａ）絶縁基板上に該素子を含む電極パターンを形成する
工程と、 ｂ）もう一方の絶縁基板上に電極パターン及びカラーフ
ィルターを形成する工程と、 ｃ）上記２枚の基板にＴＮ液晶を水平配向させる配向膜
を形成する工程と、 ｄ）上記２枚の基板を電極パターン面を内側にして各電
極パターンが所定の位置を保ち且つ液晶層となる所定の
間隔をもって接合材を介して一体化する工程と、 ｅ）前記液晶層にＴＮ液晶を封入する工程とｆ）偏光板
を平行ニコルに該セルを挾んで接着する工程と、 ｇ）ＭＩＭ素子を構成する絶縁膜の破壊により非線形を
失なった該素子若しくはフォトリソグラフィーで所定の
パターン以外にＭＩＭ及び画素を構成する金属の膜残り
により該素子の動作特性が所定の特性から逸脱した場合
の該膜残りに対してレーザービームを選択的に照射し、
熱により照射部分の金属を昇華させることにより電気的
に断線させる工程とを具備することを特徴とする液晶表
示体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61021389A JPS62178928A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 液晶表示体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61021389A JPS62178928A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 液晶表示体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62178928A true JPS62178928A (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=12053713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61021389A Pending JPS62178928A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 液晶表示体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62178928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153519A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置のトリミング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197591A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display unit |
| JPS5823017A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶パネルの欠陥修正方法 |
-
1986
- 1986-02-03 JP JP61021389A patent/JPS62178928A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197591A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display unit |
| JPS5823017A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶パネルの欠陥修正方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153519A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置のトリミング方法 |
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