JPS6218020A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS6218020A JPS6218020A JP60157459A JP15745985A JPS6218020A JP S6218020 A JPS6218020 A JP S6218020A JP 60157459 A JP60157459 A JP 60157459A JP 15745985 A JP15745985 A JP 15745985A JP S6218020 A JPS6218020 A JP S6218020A
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- Japan
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- charge
- current
- semiconductor substrates
- electrified
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程中イオン注入工程に用い
る半導体製造装置に関する。
る半導体製造装置に関する。
半導体の集積化が進み、パターンの一層の微細化が進む
につれて、不純物ドーピングの高精度化・浅いＰＮ接合
の形成などの要求から、現在不純物のドーピングはほと
んどイオン注入によっている。
につれて、不純物ドーピングの高精度化・浅いＰＮ接合
の形成などの要求から、現在不純物のドーピングはほと
んどイオン注入によっている。
従来ＭＯＳトランジスタのＳＤ拡散層を形成する際、宜
蓋補メ士ソ汁ス抱習か田１へイ６〜只ｍＡ州昨のイオン
ビーム電流で７５Ａｓ＋・３１＋・１１ｉ３＋などの不
純物源を打ち込んでいるが、第２図（ａ）に示す様に、
半導体基板１の中央部で正電荷の帯電９が起こシ、この
ため不純物イオンビーム３が曲げられ、半導体基板１の
中央部の不純物濃度が外周よシも減少するという問題が
あった。
蓋補メ士ソ汁ス抱習か田１へイ６〜只ｍＡ州昨のイオン
ビーム電流で７５Ａｓ＋・３１＋・１１ｉ３＋などの不
純物源を打ち込んでいるが、第２図（ａ）に示す様に、
半導体基板１の中央部で正電荷の帯電９が起こシ、この
ため不純物イオンビーム３が曲げられ、半導体基板１の
中央部の不純物濃度が外周よシも減少するという問題が
あった。
従来この問題を解消するために第２図（ｂ）に示すよう
に、−次電子放出フィラメント５よシ発した一次電子７
を金属ターゲット６に照射し、金属ターグット６よシ発
する２次電子８を基板１に照射して正イオンの電荷を打
ち消す方法がとられていたが、照射する電子イオンの量
が適切でないときには、逆に電子によυ負電荷の帯電が
起こったシ照射電子量が不足して完全に帯電を消去出来
なかった。
に、−次電子放出フィラメント５よシ発した一次電子７
を金属ターゲット６に照射し、金属ターグット６よシ発
する２次電子８を基板１に照射して正イオンの電荷を打
ち消す方法がとられていたが、照射する電子イオンの量
が適切でないときには、逆に電子によυ負電荷の帯電が
起こったシ照射電子量が不足して完全に帯電を消去出来
なかった。
本発明の目的は２次電子の照射により正電荷の帯電を防
ぎ、面内均一な不純物濃度を得ることを可能ならしめた
半導体装置の製造装置を提供することにある。
ぎ、面内均一な不純物濃度を得ることを可能ならしめた
半導体装置の製造装置を提供することにある。
よシ半導体基板上に帯電する電荷量を測定する手段と、
測定した電荷量に基づき帯電を打ち消す逆極性の電荷を
半導体基板に適正量照射する手段を有している。
測定した電荷量に基づき帯電を打ち消す逆極性の電荷を
半導体基板に適正量照射する手段を有している。
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第１図において、半導体基板１を搭載して回転するディ
スク２の表面に不純物イオンビーム照射ステーションＩ
と、基板１上に帯電、した電荷量の測定ステーション■
とを設定し、イオンビーム照射ステーションＩには不純
物イオンビーム照射源３ａと、−次電子放出フィラメン
ト５と、金属ターゲット６とを備えている。一方、測定
ステージ目ン■には半導体基板上に帯電した電荷量を測
定する装置としてチャージアップセンサ４を設置し、該
センサ４の出力信号に基づいてフィラメントの通電電流
を制御する。
スク２の表面に不純物イオンビーム照射ステーションＩ
と、基板１上に帯電、した電荷量の測定ステーション■
とを設定し、イオンビーム照射ステーションＩには不純
物イオンビーム照射源３ａと、−次電子放出フィラメン
ト５と、金属ターゲット６とを備えている。一方、測定
ステージ目ン■には半導体基板上に帯電した電荷量を測
定する装置としてチャージアップセンサ４を設置し、該
センサ４の出力信号に基づいてフィラメントの通電電流
を制御する。
実施例において、半導体基板１はディスク２に取シ付け
られ回転している。不、鈍物イオンビーム３によって半
導体基板１が帯電されると、測定ステージせン■にてチ
ャージアップセンサ４に誘起電圧が出力される。その誘
起電圧に基づきフィラメント５に電流を流し、−次電子
７をターゲット６に当て２次電子８を照射させる。した
がってその電流を制御し、適正な電流を通電することに
よって帯電した正電荷を打ち消すことができる。
られ回転している。不、鈍物イオンビーム３によって半
導体基板１が帯電されると、測定ステージせン■にてチ
ャージアップセンサ４に誘起電圧が出力される。その誘
起電圧に基づきフィラメント５に電流を流し、−次電子
７をターゲット６に当て２次電子８を照射させる。した
がってその電流を制御し、適正な電流を通電することに
よって帯電した正電荷を打ち消すことができる。
以上説明したように本発明によれば、半導体基板上に帯
電した電荷を検出しその値に基づき２次電子照射装置を
制御することにより、面内均一な不純物の打ち込みがで
きる効果を有するものである。
電した電荷を検出しその値に基づき２次電子照射装置を
制御することにより、面内均一な不純物の打ち込みがで
きる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図（、）
は従来方式による不純物濃度にがたよシが生ずる理由の
説明図、第２図（ｂ）は正電荷を打ち消す方法の説明図
である。 １・・・半導体基板、２・・・基板取付用ディスク、３
・・・不純物イオンビーム、３ａ・・・ビーム照射源、
４・・・チャージアップセンサー、５・・・−次電子放
出フィラメント、６・・・金属ターゲット、７・・・−
次電子、８・・・２次電子、９・・・帯電した電荷。
は従来方式による不純物濃度にがたよシが生ずる理由の
説明図、第２図（ｂ）は正電荷を打ち消す方法の説明図
である。 １・・・半導体基板、２・・・基板取付用ディスク、３
・・・不純物イオンビーム、３ａ・・・ビーム照射源、
４・・・チャージアップセンサー、５・・・−次電子放
出フィラメント、６・・・金属ターゲット、７・・・−
次電子、８・・・２次電子、９・・・帯電した電荷。
Claims (1)
- （１）イオン注入により半導体基板上に帯電する電荷量
を測定する手段と、その測定した電荷量に基づき、帯電
を打ち消す逆極性の電荷を半導体基板上に適正量照射す
る手段とを有することを特徴とする半導体装置の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60157459A JPS6218020A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60157459A JPS6218020A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218020A true JPS6218020A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15650122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60157459A Pending JPS6218020A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218020A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6264039A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置用電子シヤワ−装置 |
| JPS62150643A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
| JPH01244386A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Marine Instr Co Ltd | 音波到来方位検出装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215745A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-24 | イ−トン コ−ポレ−シヨン | 電荷検出装置を有するイオン注入装置及び蓄積される電荷の制御方法 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP60157459A patent/JPS6218020A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215745A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-24 | イ−トン コ−ポレ−シヨン | 電荷検出装置を有するイオン注入装置及び蓄積される電荷の制御方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6264039A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置用電子シヤワ−装置 |
| JPS62150643A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
| JPH01244386A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Marine Instr Co Ltd | 音波到来方位検出装置 |
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