JPS6215745A - 電荷検出装置を有するイオン注入装置及び蓄積される電荷の制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、加工品のビーム処理中の電荷蓄積を感知する
検出器に関する。

（従来の技術〉 粒子ビーム打込み装置は粒子を加工品に衝突させること
によって加工品を処理するのに利用される。ライディン
グ（Ｒｙｄ　ｉｎｇ　）への米国特許第４，２３４，７
９７号およびパンベニｘト（Ｂｅｎｖｅｎｉｓｔｅ）へ
の米国特許第４，４１９，５８４号は半導体基板をドー
ピングする（不純物を添加する）のに特に適したイオン
ビーム打込みシステムを開示している。これらの２つの
従来技術の特許は、参照により本明細書に記載されてい
る。

半導体ウェーハのような加工品は粒子打込み中、帯電す
る。この帯電の理由は複雑であって、基礎的レベルでは
十分に理解されていない。経験的事実に基づいて、イオ
ンビームそれ自体によって加工品に注入された電荷に加
えて、加工品の近傍に電子またはガスイオンから注入さ
れた別の電荷もあシ得るし、さらにウェーハから放出さ
れる陽イオンおよび電子の両方もあシ得る。

ウェーハの帯電は、打込ビームが中性粒子から構成され
る場合ならびにそれが陽イオンあるいは陰イオンである
場合に生ずる。打込ビームの正味電荷がビームに注入さ
れた電子によって中性にされる場合でも、ウェーハの帯
電が生ずる。

イオン打込中のウェーハの表面における正味電荷は代表
的に正である。該正味電荷から生ずる。加工品表面と近
くにアースしている導体との間の電圧勾配は、種々の理
由から望ましくない。電荷の蓄積によって、加工品を介
して、アースした背板への放電をひき起す。加工品はα
０５３に薄くすることができるので、５００ポルトの表
面電圧によってＩＱ、０００ボルト／ｃｒＲの電界を発
生し、その結果、電気的な破壊となるＯ 表面の電圧勾配は、それに伴う電子と共にイオンビーム
の電荷中立性に反対の影響を与えることがあシ得る。イ
オンビームの電荷中立性は保持されて、高電流密度ビー
ムにおける空間電荷によるビームの破裂を防止する。電
荷中立性は、加工品から上流に向ってイオンビームに低
エネルギー電子をもたらし、イオンの正電荷を補償する
ことによって達成される。加工品における正（負）電圧
のために低エネルギー電子をひきつけ（反発し）、ビー
ムの中立性を破壊し。

そして望ましくないビーム破裂の原因となるのである。

最後だ１表面電圧勾配によって打込みビームを偏向させ
、そのエネルギーを変えることもできる。ビーム偏向に
よって、ウェーハにわたって打込みの分量の分布に許容
できない不均衡をひき起すこともあり得る。これらすべ
ての理由のために、電荷の蓄積から生ずる加工品の表面
における電圧は、許容値、すなわち典型的には１００ボ
ルトより低く、若干の場合には１０ボルトよシ低く、に
保持すべきことが重要である。

正味電荷の蓄積を最小にするために加工品に電子を充満
させる技術が利用されてきた。しかし、この技術を成功
させるために、加工品の電荷を測定する方法が重要であ
る。

電荷測定装置の必要性ならびにその感度と時間応答につ
いての要件は、イオン打込みビームにより正味電荷を加
工品範囲に沈積させることによって、半径Ｒの典型的な
半導体加工品ウェーハディスクを一様に充電することを
考慮すれば明白である。

装置を製造するために、イオン打込み用の半導体の典型
的な数によって、１０Ａ／ｌｒ？のオーダーで電流密度
を発生し、その結果全電流が加工品を帯電させるとすれ
ば、電荷密度は１０コロンプス／イ／秒の割合で増大す
るであろう０電荷の蓄積から生ずる。ボルトでの電位は
１円形の加工品ディスクの中心を通る軸沿いの両点およ
び加工品の周囲に沿った点に対して、判定することがで
きる。

ディスクの中心から距離Ｚの軸沿いの点に対して、一様
な電荷密度σから生ずる電圧Ｖは下記の式により与えら
れる０ Ｖ＝５．６　ｘ　１０！Ｏａ　［（Ｚ”＋Ｒ”）”−Ｚ
　〕（１）電荷により誘導された電界は、加工品の前面
に広くわたっている０式（１）によれば、電圧は、５つ
の加工品半径に等しい、軸沿いの距離においてなお最大
値の１０％となっている。

一様に帯電されたディスクの中心から距離凡の１周辺で
の電圧は下記により与えられる。

■（周辺の）＝五６×１０亀Ｏσ几、（２）これは中心
での電圧の約６５チとなっている〇従って、加工品の電
荷密度が一様である場合でさえ、ビームの経路をひずま
せることのできる放射状電界が存在する。

典型的なイオンビーム打込みの実行によって。

加工品ウェーハの電圧は決して１００ボルトを超えては
ならないこと、そしてできれば１０ポルト以下に保持さ
れるべきことが必要である。

これらの制約のために加工品へ流れる正味の電流に１強
い要件を出している。５センチメートルの半径を有する
、典型的な加工品の中心での電圧は、１ナノアンペアの
正味電流流量を経験する場合に、３６０ボルト／秒の割
合で上る。この電流流量は、加工品に注入される典型的
イオン直流電流のそれの１００万分の１である。

（発明が解決しようとする問題点） 以上から明らかなように、加工品へのビーム打込み中に
あっては、該加工品表面における電荷蓄積の度合を見る
必要があるが、その必要性に応じられるものは、従来、
存在していない◇それゆえ、本発明の目的は、加工品の
ビーム処理中の電荷の分布を正確に測定し得るようにす
ることである。

（問題点を解決するための手段・作用）本発明は１粒子
ビーム処理システムの必要性を十分溝たす精度と感度に
よって、加工品の電荷を測定する。電荷密度および分布
に関する知識を利用して、電荷の蓄積に関連する電界の
強さを損わないようにしている。加工品の完全性が保証
され、ビーム制御は保持されている。

典型的粒子ビームシステムには１粒子ビームを加工品に
向けて粒子を分散させ、加工品表面に接触させるソース
が含まれる。−例として、そのようなシステムは、帯電
イオンビームを通って運動するよう支持された個々のウ
エーノ・の形の半導体材料のドーピングに利用される。

粒子ビームと加工品の表面との間の接触によって電荷の
蓄積を生ずるが、それは加工品の表面に関して位置ぎめ
された電荷検出器によって検出される・該検出器は、加
工品から分離され、それと向き合う導体によって、加工
品上の電荷の分布状態を判定する。該導体は、加工品の
表面における電荷の誘導による電荷の蓄積を経験する。

分離された導体に結合された感知器は、導体における電
荷の蓄積を感知し、よって加工品表面の電荷の蓄積を感
知する。

あるシステムでは、幾つかの半導体ウェーハが回転ディ
スク上に支持されて、帯電イオンのビームを通って運動
し、該ビームによって半導体ウェーハにドーピングを行
なう。このシステムでは、電荷感知器には電荷積分器が
含まれ。

各ウェーハが検出器を通過して回転するにつれて、各ウ
ェーハの電荷密度に比例する時間変化信号を発生する。

粒子イオンビーム衝突の一様性は、そのような技術を利
用して検出することができ、さらに、電荷密度に関する
情報は、電荷の蓄積を制御可能に消散させるのに利用す
ることができる。

この制御された消散は、ウェーハの移動経路に近接して
設置された放電装置を介して達成される。電子は１通常
、各ウェーハ表面に向けられて、ウェーハへの粒子の衝
突から生ずる陽の電荷の蓄積を消散させる。電荷検出器
と消散回路の間に結合された制御回路は、放電の割合を
調整して、該蓄積が発生する場合の電荷蓄積の割合に対
応させる。

良好な検出器は、外被から電気的に分離された正面部を
有する分離外被内に入れられた試験板を有する◎この検
出器は１回転支持体に近接して設置されているので１個
々の集積回路ウェーハが該試験板を通過する際に、ウェ
ーハの電荷が検出される。

上述のことから、本発明の１目的はビーム粒子システム
における帯電を制御し、それによって粒子ビームの加工
品との接触によって生じた電荷の蓄積は監視されておシ
、さらに良好に制御されて電荷の蓄積による問題を回避
していることを理解されたい。

（実施例） 所で図面を見ると、第１図はビーム打込みシステム１０
の概略図である。薄い、半導体ディスク１２の形状をし
た製作品は、イオンビーム１６の正面に一定角速度ωで
回転する支持体上に保持されている０デイスク１２は該
支持体１４と同一面にすることもできるし、あるいは第
２図に示されるように、ある角度（典型的には７°）で
保持されることもできる。

イオン加速装置ソース１８からの陽イオンビーム１６は
、イオン打込み業界においての周知の技術による。加工
品から上流に向っての、低エネルギー電子２０の導入に
よって、電気的に中性に保たれる。イオンビームの中立
性にも拘らず、ディスク１２は、図示されているように
。

典型的には正に帯電する。電子ソース２２は、打込み中
、ディスク上に電子を拡散して加工品との間を往復して
淀れる電流の正味の電気的中立性を維持する。該中立性
からの偏移のためにディスク表面の電荷と電圧を蓄積さ
せる０イオンビームを横断した後、ディスクは試験板３
０の正面を通過するのであるが、該試験板はカバー５４
を有する絶縁外被３２内に入れられており、該カバー（
第２図）は外被３２と試験板３０から電気的に分離され
ている。該正面カバー３４は通常は絶縁体となっている
が、電気的に浮動な導体であってもよい。加工品の表面
がホルダーと同一平面になっている第１図の構成では、
試験板とウェーハを搭載する面との間の間隙は変ること
はないので、該システムのキャパシタンスは一定である
。試験板３０上の誘導電荷は、該試験板がディスクに重
なっている面積に電荷密度を掛けたものの積分によって
与えられる。

試験板上の誘導電荷は、帯電されたディスクが、第３Ａ
図におけるように、試験板の視軸に入る場合に、増大す
る。試験板によって見える電荷の範囲における変化に起
因する初期の過渡応答の後、試験板上の誘導電荷は、第
６Ｂ図に示される位置での間は一定値を獲得する。第３
Ｃ図において、加工品が試験板の視界から移行する場合
、試験板上の誘導電荷は消滅する。

時間の関数としての誘導電荷は、第６図において、積分
器４０へ入力される電流となっている。積分器４０から
の出力信号は、フィードバックコンデンサ４２のキャパ
シタンスによって除算された試験板上の全電荷に比例す
る。積分回路の時定数は、過渡の縁効果に比較すると短
いが、ウェーハが試験板を横断する時間に比較すれば長
い。次いで、積分器の出力電圧は、ウェーハ１２の中心
表面における電荷密度に比例する平均信号を与える。

加工品における一様のならびに非一様の電荷密度から生
ずる電流信号および電圧信号が第４図に示されている。

第４図に示される時間位置ｔｏ、ｔｌおよびｔ２は、そ
れぞれ、第６Ａ図、第３Ｂ図および第３Ｃ図に示される
位置に対応する。

加工品における一様な正電荷分布の結果、第４Ａ■図に
示される電圧分布となる。加工品が試験板３０のそばを
移動する場合には、第４Ａ■図におけるように、電流は
積分器内に流れて、その結果、積分器の出力電圧は第４
Ａ■図に示されるようなものとなる。加工品における電
荷分布が一様でないが、例えば、第４Ｂ■図のように、
ウェーハの中心でピークとなっている鏡型分布である場
合には、出力電圧は積分時定数にわたって平均された電
荷密度に対して比例しており、第４Ｂ■図に示されるよ
うに現われる。

実際には、半導体クエーノ・１２は第２図で概略的に示
されるように、加工品支持体１４に対して７°の角度で
設置されており、従って製作品の表面と支持体とは同一
平面ではない。そこで試験板が回転装置によって移動す
る場合に、変化するキャパシタンスのために電圧が誘導
される。しかし、そのような変化は、ウェーハと試験板
の間の重複部分面積の変化によるそれと基本的に同等で
あって、かつ、上述の過渡信号に含まれる。

誘導電荷のだめの積分時定数は、過渡応答を除去するよ
う選定されるが、一方、ウェーノ・表面にわたってゆっ
くりと変化する適度の電荷を与えている０このことは、
強力な発射ビームを利用する現在の水準の装置製造にと
って適している。ウェーハ支持体の幾何学的配置ならび
に回転速度の両者の不変性によって、幾何学的効果から
生ずる信号の正確なアナログ減算を実用化している。こ
れによってウェーハにわたる電荷分布を測定することが
できる。

すぐれた真空状態において運動する帯電ウェーハの理想
的幾何学的配置では、電荷密度の分布は試験板３０をし
ゃへいせずに正確に測定することができる。イオン打込
み装置の環境は理想にはほど遠い。一般に残留ガスが故
意にシステム内に導入され、ビームの正味電荷を中立化
させる。ビーム粒子の拡散の結果として、広いエネルギ
ー分布状態を有するイオンおよび電子が量的には不揃い
で運動している。これら周囲の帯電粒子は、試験板にぶ
つかるようなことがあれば、試験板測定値を乱すような
電流を生ずるＯ 本発明の１つの特徴として、正面カバー３４による。直
流電流からの試験板の分離がある。

該分離は、加工品の電荷を測定するのに利用される誘導
効果に対してトランスペアレントでなくてはならない。

従って、カバー５４の表面は電気的に分離されることが
必要である０現在利用されている開示例においては、こ
の分離は、表面を絶縁セラミックから作ることにより完
成される。別の実施例では、前表面を薄い導体で作り、
この導体をカバー５４から電気的に絶縁することによっ
て、分離を達成する。

較正 適切に積分された誘導電流は加工品の電荷密度を測定す
る０加工品表面の電圧は理論的には電荷密度から推論で
きる。実際には、電荷誘導子メータは積分器の誘導出力
電圧を測定することによって較正されるが、該出力電圧
は較正された電池を介して、回転する加工品の導電複製
に既知の電荷を置くことから生ずる。様々な条件の下で
の多くのテストにより、前述のように該システムでは加
工品の１０ボルト電位を即座に検出できることが判明し
ている。加工品上で検出できる最小電位は、第３図の積
分器４０に関して示されるように、約２ボルトである。

応答時間 本発明の最も簡単な実施例では、第１図におけるように
、単一試験板３０が置かれてお＃）ｓ従って、加工品の
中心は各打込み量の後、試験板の正面を横断する。典型
的な産業上の応用例では、ディスクは８００　ｒｐｍの
割合で、約１１インチ（１インチは２，５４０．）の平
均半径で回転する。ビームから１５°離れて試験板３０
を回転させることによって、各打込みの５ミリ秒以内に
電荷の測定が行なわれる。この時間は、ディスク上の電
圧を効果的に監視するのには十分の短さであって、該電
圧が所定値を超えないようにしている。

制御 試験板３０からの信号は、ディスク１２に充満する電子
の密度を変えることによって、ディスクの帯電を制御す
るのに利用される。そのような１つの制御装置５０のブ
ロック図が第５図に示されている。積分器からの出力電
圧は、アナログ／ディジタル変換器５２によってゲイジ
タル化される。次いで、該ディジタル化信号は制御装置
５３によって処理され、解釈されそして電子ソース２２
に結合された電子充満制御回路５４に出力される。第５
Ａ図の１実施例では、ソース２２は二次電子エミッタと
なっていて。

１秒あたシの二次電子数が、エミッタにおける一次電子
ソースの加速電圧を制御することによって、容易に制御
される。

電子ソース２２には、タングステン力ンードエミッタ６
０．抽出器グリッド６２および、−次電子を停止させる
ターゲット６４が含まれている。−次電子は３００電子
ボルトまで加速され、ターゲット表面と衝突する場合に
停止する。

次いで二次電子は、−次電子のそれよシはるかに小さい
エネルギーで、ターゲット表面から放出される。ターゲ
ットは殆ど０ポルトにバイアスされているので、電子が
脱出するために必要なエネルギーは、ターゲット材料の
仕事関数となっている。脱出する二次電子数は一次電子
数と、ターゲット材料に対する二次電子収率に。

正比例する。脱出する電子は、仕事関数で開始し、３０
０電子ボルトで終了するエネルギー範囲を有しているが
、最大多数の電子はよシ低いエネルギースペクトルにあ
って、　　２ｓｅＶで最大値となっている。

ターゲット６４は、電子の経路の大部分が打込み表面の
正面でイオンビーム１６と交差するように１位置ぎめさ
れている。これは、イオンビームが無い場合に、打込み
面の負の帯電化が最小にされるという点に重要な特徴と
なっているＯ 電子ソース制御装置５４にはフィラメント電源７０、カ
ソードバイアス電源７２および、ソース２２の一次電子
流を制御する電子回路が含まれている。−次電子流は、
フィラメント電源７０の出力を変えることによって制御
される。

フィラメント電源の出力は、制御装置５３からの一次電
流人力７６とフィードバンクした一次電流入力７８との
間における差の仕事関数として制御される０これら２信
号における差は電源７０に結合されて、カソードを通る
電流を制御する。増幅器Ｕ１は、−次電流Ｉｐに比例す
る出力電圧を発生する０増幅器Ｕ２は、二次電流ｌ５ｅ
ｃに比例する出力電圧を発生する。増幅器Ｕ３は、プリ
セットカソード電圧Ｖｃとフィードバックカンード電圧
との間の差の関数として、　ＦＦＴ（１０）のゲート／
ソース電圧を制御することによって、カソード電圧を制
御する０増幅器Ｕ４はカソード電圧に比例する出力電圧
を発生する。

第５Ａ図において１重要な２つの電流ループ、−次ルー
プと二次ループがある。−次ループ電流は１オーム抵抗
器Ｒ１によって測定され、一方、二次電流ループは１オ
ーム抵抗器Ｒ２によって測定される。第５Ａ図の回路に
対して、説明されている電流についての下記の関係が保
持される。

１１＝Ｉｐ Ｉ２＝Ｉｐ−Ｉ冠 ｌ３＝Ｉｓｅｅ Ｉｐ　＝カソードから放出された一次電流Ｉ冠＝ターゲ
ット面から放出された二次電流単一試験板３０は、支持
体の各回転中、つ工−ハ１２の与えられた弧状区分にわ
たる電荷の分布を判定する。該支持体が、商業的なイオ
ン打込み装置でよく行なわれるように１回転中にビーム
を横切って移動する場合、試験板３０は。

その正面で弧状区分の電荷分布を測定する。試験板は１
丁度、イオン打込みを受けたばかりの弧状部分を測定す
るよう位置ぎめされているので、単一の試験板が一般に
多くの応用例に適し−ている。

しかし、本発明は、単一弧状部の代シに全加工品にわた
って電荷分布を測定することに８易に拡張することがで
きる。複数の独立した試験板も１回転支持体の正面に適
切な方法で配置される。回転ウェーハと複数試験板の表
面間に１つの絶縁窓を有する単−区画内に、独立電荷銹
導子メータを入れることができるし、あるいは独立した
区画内にそれぞれ入れることもできる。

唯一の要件は、試験板はアース面によって相互に電気的
に絶縁され、個々の試験板からの電流は個々の電子回路
によって処理されるべきだということである。

本発明について特定的に説明してきたが１本発明は、添
付の特許請求の範囲の精神あるいは範囲内におけるすべ
ての変更例を含んでいることを意図するものである。

（発明の効果） 以上説明したように本発明は、加工品の表面における電
荷が、その正面に置かれた分離試験板導体の表面に、等
しくかつ反対の電荷を誘導するという原理に基づき、加
工品を、それに比較して小さい寸法の試験板の正面を既
知の速度で移動させ、該試験板上の誘導電荷の時間分布
の測定するようにしたから、ボンバード加工品上の空間
的な電荷の分布の度合いを検出することができる。よっ
て、イオンボンバードメント中、与えられた加工品の表
面電圧分布を監視すること、装置のユーザに対して、加
工品が表面電圧分布の特定の値あるいは限度の下で打込
まれたことを保証すること、および加工品の電荷を補償
する電荷測定信号を装置にフィードバックすることによ
って、加工品における表面電荷分布を制御すること、等
が可能となり、半導体産業にとって重要な様々な目的に
対して有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図はイオン打込み用粒子ビームシステムの斜視図、 第２図は個々の半導体ウェーハと電荷検出器との関係を
示す、第１図の装置の立面図、第３Ａから第３Ｃ図は検
出器とイオン打込みされている多数の半導体ウェーハと
の間の時間変化関係を示す図。 第４Ａ図と第４Ｂ図は、第３図の検出器に対する電圧、
電流および出力信号の波形図。 第５図は、加工品の表面に蓄積されている陽電荷を放電
させるのに利用する制御装置の概略図、 第５Ａ図は電子ソースと制御回路の概略図。 を示す〇 図中、１０はビーム打込み装置、１２は製作品、１４は
支持体、３０は試験板、３２は外被をそれぞれ示す。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）加工品に粒子ビームを向け該粒子を分布させて該
   加工品表面に接触させ、該接触の結果、前記表面に電荷
   の蓄積をひき起すシステムにおいて、前記加工品表面か
   ら電気的に分離され、かつ、それに近接して設置されて
   前記加工品表面の電荷によって該導体の電荷を誘導する
   導体と、該導体上の電荷の蓄積を感知する感知手段、と
   を備えていることを特徴とする、ビーム打込み用電荷密
   度検出器。
2. （２）前記加工品が、１つ以上の半導体ウェーハが取付
   けられ且つ回転する伝導支持体を備えるシステムにおい
   て利用されるものであって、前記感知手段は、前記ウェ
   ーハが検出器を通過して回転する場合、各ウェーハの電
   荷密度に比例する時間変化信号を取得する電荷積分器を
   備えていることを特徴とする、特許請求の範囲第１項に
   記載のビーム打込み用電荷密度検出器。
3. （３）粒子ビームを発生するソースと、 該ビームを通して１つ以上の加工品を移動 させて前記加工品を処理する回転支持体と、該支持体に
   隣接して取付けられ、加工品が 処理されている場合、加工品上の電荷の蓄積を感知する
   検出器であって、加工品から分離され、該加工品がそれ
   を通過する場合、誘導によって帯電する導体と、 前記支持体に隣接して取付けられ、前記加 工品を制御可能に放電させる電荷消散手段と、前記導体
   を該電荷消散手段に結合し、該導 体によって感知された電荷に応答して、前記１つ以上の
   加工品の放電を調整する制御回路と、 を備えていることを特徴とするビーム打込 み用電荷密度検出器。
4. （４）前記支持体は導体であり、そして加工品は、該支
   持体に設置され、帯電粒子のイオンビームによって処理
   される半導体ウェーハを備えていることを特徴とする、
   特許請求の範囲第３項記載のビーム打込み用電荷密度検
   出器。
5. （５）前記制御回路は、前記電荷が別記導体上に誘導さ
   れる場合に、電荷を積分する手段を備えていることを特
   徴とする、特許請求の範囲第３項記載のビーム打込み用
   電荷密度検出器。
6. （６）ビーム粒子の加工品表面との接触によって生ずる
   電荷を検出する方法であって、 粒子ビームを加工品表面に向け、前記表面 との接触によって前記表面に帯電領域を作り出す段階と
   、 導体を前記加工品表面に隣接して位置ぎめ する段階と、 帯電領域が導体上に反対の電荷を誘導する ように、導体に関して加工品を移動する段階と、 導体上の該反対の電荷を感知する段階と、 から成ることを特徴とする電荷検出方法。
7. （７）加工品は半導体ウェーハを設置するための回転可
   能に取付けた支持体を備えており、そして位置ぎめ段階
   は該ウェーハを導体を通過して回転させることによって
   実行されることを特徴とする、特許請求の範囲第６項記
   載の電荷検出方法。
8. （８）感知する段階は導体上に誘導された電荷を積分す
   ることによって達成されることを特徴とする、特許請求
   の範囲第７項記載の電荷検出方法。
9. （９）さらに、感知された電荷に関する強度で前記表面
   に帯電粒子を向けることによって、加工品表面を放電さ
   せる段階から成ることを特徴とする特許請求の範囲第６
   項記載の電荷検出方法。
10. （１０）イオンビームを発生するイオンソースと、該イ
    オンビームを通って１つ以上の加工品 を移動させ、該加工品を処理する回転可能支持体と、 該支持体に隣接して設置され、加工品が処 理される場合、その上における電荷の蓄積を感知する検
    出器であって、 加工品の通路に隣接して取付けられ、帯電 加工品がこれを通過する場合、誘導により帯電するよう
    にした導体と、 前記加工品の通路と前記導体との間に位置 ぎめされて、検出器の領域での電荷との接触から導体を
    分離する分離手段と、 前記支持体に隣接して取付けられ、前記加 工品を制御可能に放電させる電荷消散手段と、前記導体
    を該電荷消散手段に結合して、検 出器によって感知された電荷に応答して、前記１つ以上
    の加工品の放電を調整する制御回路と、 を備えていることを特徴とするビーム打込 み用電荷密度検出器。
11. （１１）前記制御回路は、加工品が検出器の正面を通過
    する場合、電圧勾配を測定する手段を備えていることを
    特徴とする、特許請求の範囲第１０項記載のビーム打込
    み用電荷密度検出器。
12. （１２）電荷消散手段は電子を放出するカソードと該カ
    ソードからの電子を遮断し、加工品上の電荷を消散させ
    る二次電子を放出するアノードとを備えており、そして
    制御回路は前記カソードから放出された電子流を制御す
    る手段を有していることを特徴とする、特許請求の範囲
    第１０項記載のビーム打込み用電荷密度検出器。