JPS6218071Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6218071Y2 JPS6218071Y2 JP1981117639U JP11763981U JPS6218071Y2 JP S6218071 Y2 JPS6218071 Y2 JP S6218071Y2 JP 1981117639 U JP1981117639 U JP 1981117639U JP 11763981 U JP11763981 U JP 11763981U JP S6218071 Y2 JPS6218071 Y2 JP S6218071Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- lead
- reflector
- semiconductor light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体発光表示装置に関する。
従来の半導体発光表示装置を図面を用いて説明
する。PN接合１の形成された発光ダイオード２
がリード３上に固定され、その電極が金属ワイヤ
４で他のリード９に電気的に接続されている。発
光ダイオード２は反射体５で囲まれており、反射
体５とダイオード２との間が透光性樹脂６で封止
されている。発光ダイオード２のPN接合部１か
ら発光された光は、一部は直接に、また残りの大
部分は反射体５によつて反射されて反射体上部の
発光表示面７から外部に照射される。
する。PN接合１の形成された発光ダイオード２
がリード３上に固定され、その電極が金属ワイヤ
４で他のリード９に電気的に接続されている。発
光ダイオード２は反射体５で囲まれており、反射
体５とダイオード２との間が透光性樹脂６で封止
されている。発光ダイオード２のPN接合部１か
ら発光された光は、一部は直接に、また残りの大
部分は反射体５によつて反射されて反射体上部の
発光表示面７から外部に照射される。
第２図はその製造工程を説明する工程図であ
る。また第３図は反射体５の裏面図である。リー
ドフレーム８に、発光ダイオード２を固定し、ボ
ンデイングワイヤ４による接続を行なう。このリ
ードフレーム８を反射体５の裏面よりその中心開
口部９に挿入する。そして透光性樹脂で固定す
る。この際、治具を用いてリードフレーム８の反
射体５に対する高さＨを規定することにより発光
ダイオードの位置設定を行なう。
る。また第３図は反射体５の裏面図である。リー
ドフレーム８に、発光ダイオード２を固定し、ボ
ンデイングワイヤ４による接続を行なう。このリ
ードフレーム８を反射体５の裏面よりその中心開
口部９に挿入する。そして透光性樹脂で固定す
る。この際、治具を用いてリードフレーム８の反
射体５に対する高さＨを規定することにより発光
ダイオードの位置設定を行なう。
以上のような従来の半導体発光表示装置におい
ては、発光素子の位置のバラつきが大きいという
欠点があつた。すなわちリードフレームと反射体
の位置関係を治具で決定しても、フレームのゆが
みやそりによつて発光素子が所望の位置に設定さ
れないことが多いからである。このように発光素
子の位置にバラつきが生じると、発光表示面での
輝度もそれに応じて変化することになる。従つ
て、例えばこのような半導体発光表示装置を複数
個並べて文字・数字等を表示する際に、個々の輝
度が異なるため全体として輝度ムラが生じてしま
う。これは、製品としての価値を著しく低下させ
る。
ては、発光素子の位置のバラつきが大きいという
欠点があつた。すなわちリードフレームと反射体
の位置関係を治具で決定しても、フレームのゆが
みやそりによつて発光素子が所望の位置に設定さ
れないことが多いからである。このように発光素
子の位置にバラつきが生じると、発光表示面での
輝度もそれに応じて変化することになる。従つ
て、例えばこのような半導体発光表示装置を複数
個並べて文字・数字等を表示する際に、個々の輝
度が異なるため全体として輝度ムラが生じてしま
う。これは、製品としての価値を著しく低下させ
る。
本考案は以上述べたような従来技術の欠点を改
良し、発光素子の位置決めが精度よく容易に行な
えるような半導体発光表示装置を提供することを
目的とする。
良し、発光素子の位置決めが精度よく容易に行な
えるような半導体発光表示装置を提供することを
目的とする。
次に本考案を図面を用いて詳細に説明する。第
４図は本考案による半導体発光表示装置の一実施
例の横断面図である。PN接合４１の形成された
発光ダイオード４２が半田等で金属リード４３上
に固定されている。またその電極がＡμ細線など
のボンデイングワイヤ４４によつてもう一方のリ
ード４９に電気的に接続されている。発光ダイオ
ード４２の周囲を囲むようにして、シリコン樹脂
等を成型した反射体４５が配置されている。発光
ダイオード４２と反射体４５の間は、透光性樹脂
４６で封止されている。発光ダイオード４２から
発光された光は、一部は直接に、またその他大部
分は反射体４５によつて反射されて発光表示面４
７から外部に照射される。前記リード４３，４９
は、それぞれ突起部４８，５０を有している。こ
の突起部４８，５０が反射体４５の第１のリード
ガイド５１，５２と係合し、またリード全体が第
２のリードガイド５３によつて挾まれている。第
５図ａは反射体４５の裏面図、第５図ｂはＡ−
A′線断面図、第５図ｃはＢ−B′線断面図であ
る。これらを参照して反射体４５に形成された２
つのリードガイドを説明する。
４図は本考案による半導体発光表示装置の一実施
例の横断面図である。PN接合４１の形成された
発光ダイオード４２が半田等で金属リード４３上
に固定されている。またその電極がＡμ細線など
のボンデイングワイヤ４４によつてもう一方のリ
ード４９に電気的に接続されている。発光ダイオ
ード４２の周囲を囲むようにして、シリコン樹脂
等を成型した反射体４５が配置されている。発光
ダイオード４２と反射体４５の間は、透光性樹脂
４６で封止されている。発光ダイオード４２から
発光された光は、一部は直接に、またその他大部
分は反射体４５によつて反射されて発光表示面４
７から外部に照射される。前記リード４３，４９
は、それぞれ突起部４８，５０を有している。こ
の突起部４８，５０が反射体４５の第１のリード
ガイド５１，５２と係合し、またリード全体が第
２のリードガイド５３によつて挾まれている。第
５図ａは反射体４５の裏面図、第５図ｂはＡ−
A′線断面図、第５図ｃはＢ−B′線断面図であ
る。これらを参照して反射体４５に形成された２
つのリードガイドを説明する。
反射体４５の裏面には略長方形の底面部を有す
る凹状部が形成されている。この底面部に前記リ
ード４３，４９を挿入できる幅と厚さとを持つた
開口部５４が形成されている。この状部の側壁
に、前記開口部５４にリード４３，４９を挿入し
た際に、その突起部４８，５０が係合するような
溝部を設け第１のリードガイド５１，５２として
いる。また前記開口部５４のリード面に平行な長
手方向の一対の縁辺部を突出させて第２のリード
ガイド５３が形成されている。リードを開口部５
４に挿入した際にこのリードガイド５３がリード
面を挾むような構造になつている。
る凹状部が形成されている。この底面部に前記リ
ード４３，４９を挿入できる幅と厚さとを持つた
開口部５４が形成されている。この状部の側壁
に、前記開口部５４にリード４３，４９を挿入し
た際に、その突起部４８，５０が係合するような
溝部を設け第１のリードガイド５１，５２として
いる。また前記開口部５４のリード面に平行な長
手方向の一対の縁辺部を突出させて第２のリード
ガイド５３が形成されている。リードを開口部５
４に挿入した際にこのリードガイド５３がリード
面を挾むような構造になつている。
以上のような構成によつて本考案の半導体発光
表示装置は、製造工程において発光素子の位置決
めが非常に容易にしかも正確にできる。すなわち
リードの突起部４８，５０と反射体４５の第１の
リードガイド５１，５２とが係合してリードの反
射体に対する上下・左右の位置を規定する。ま
た、第２のリードガイドによつてリードを反射体
に対して垂直に保ち、精度よく挿入できる。これ
らの２つのリードガイドによつて反射体に対して
リードを確実に安定し支持できる。この結果、従
来のように発光素子の位置にバラツキが起こる恐
れがない。従つて輝度が均一な発光表示装置を作
ることができる。また反射体はシリコン樹脂を型
に入れて成形すればよく、複雑な形でも簡単に大
量に作ることができるので従来よりも工程が複雑
になるということはない。このように本考案によ
れば輝度ムラのない、しかも大量生産に適した半
導体発光表示装置を提供することができる。
表示装置は、製造工程において発光素子の位置決
めが非常に容易にしかも正確にできる。すなわち
リードの突起部４８，５０と反射体４５の第１の
リードガイド５１，５２とが係合してリードの反
射体に対する上下・左右の位置を規定する。ま
た、第２のリードガイドによつてリードを反射体
に対して垂直に保ち、精度よく挿入できる。これ
らの２つのリードガイドによつて反射体に対して
リードを確実に安定し支持できる。この結果、従
来のように発光素子の位置にバラツキが起こる恐
れがない。従つて輝度が均一な発光表示装置を作
ることができる。また反射体はシリコン樹脂を型
に入れて成形すればよく、複雑な形でも簡単に大
量に作ることができるので従来よりも工程が複雑
になるということはない。このように本考案によ
れば輝度ムラのない、しかも大量生産に適した半
導体発光表示装置を提供することができる。
第１図は、従来の半導体発光表示装置の断面図
である。第２図は、従来の工程を示す断面図であ
る。第３図は、従来の反射体の裏面図である。第
４図は、本考案の半導体発光表示装置の断面図で
ある。第５図ａは、本考案の反射体の裏面図で、
第５図ｂはそのＡ−A′線断面図、第５図ｃはそ
のＢ−B′線断面図である。 ４２……発光素子、４３，４９……リード、４
５……反射体、４７……表示部、４８，５０……
突起、５１，５２……第１のリードガイド、５３
……第２のリードガイド。
である。第２図は、従来の工程を示す断面図であ
る。第３図は、従来の反射体の裏面図である。第
４図は、本考案の半導体発光表示装置の断面図で
ある。第５図ａは、本考案の反射体の裏面図で、
第５図ｂはそのＡ−A′線断面図、第５図ｃはそ
のＢ−B′線断面図である。 ４２……発光素子、４３，４９……リード、４
５……反射体、４７……表示部、４８，５０……
突起、５１，５２……第１のリードガイド、５３
……第２のリードガイド。
Claims (1)
- 半導体発光素子と、この発光素子が載置されま
たこの素子と外部との電気的接続をおこなうため
のリードと、一方の開口部から前記半導体発光素
子が挿入され、他方の開口部には前記半導体発光
素子からの光を外方に照光する表示面が設けら
れ、且つ前記半導体発光素子からの光を反射され
るように構成された反射体とからなる半導体発光
表示装置において前記リードが前記反射体の一方
の開口部に挿入される際に、この開口部において
前記リードが反射体の一部に係止されその挿入深
さが規定されるとともに、前記開口部の縁辺部の
相対する一部により前記リードを挾むようにした
ことを特徴とする半導体発光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981117639U JPS5825055U (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 半導体発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981117639U JPS5825055U (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 半導体発光表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825055U JPS5825055U (ja) | 1983-02-17 |
| JPS6218071Y2 true JPS6218071Y2 (ja) | 1987-05-09 |
Family
ID=29911800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981117639U Granted JPS5825055U (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 半導体発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5825055U (ja) |
-
1981
- 1981-08-10 JP JP1981117639U patent/JPS5825055U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5825055U (ja) | 1983-02-17 |
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