JPS63200550A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS63200550A JPS63200550A JP62033862A JP3386287A JPS63200550A JP S63200550 A JPS63200550 A JP S63200550A JP 62033862 A JP62033862 A JP 62033862A JP 3386287 A JP3386287 A JP 3386287A JP S63200550 A JPS63200550 A JP S63200550A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- recess
- semiconductor element
- thickness
- lead
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子載置部が内部リード、外部リード
々概して同一平面に設けられた半導体素子を搭載する半
導体リードフレームに関するもので、半導体素子載置部
の材料の厚さを大きくすることにより、凹部を設けるな
ど加工を容易にし、且つ加工による組立工程などへの影
響を除去するものである。
々概して同一平面に設けられた半導体素子を搭載する半
導体リードフレームに関するもので、半導体素子載置部
の材料の厚さを大きくすることにより、凹部を設けるな
ど加工を容易にし、且つ加工による組立工程などへの影
響を除去するものである。
従来の技術
従来のリードフレームの半導体素子載置部に凹部を設け
た場合の平面図および断面図が第3図a、bである。半
導体素子載置部1は材料の厚さが小さいため凹部4を設
ける加工により、反対面には凸部8が形成されている。
た場合の平面図および断面図が第3図a、bである。半
導体素子載置部1は材料の厚さが小さいため凹部4を設
ける加工により、反対面には凸部8が形成されている。
かかるリードフレームに半導体素子を搭載し、封止用樹
脂で被覆して使用されている。
脂で被覆して使用されている。
発明が解決しようとする問題点
従来の内部リード、外部リードと概して同一平面に半導
体素子載置部を有するリードフレームは、材料の厚さが
小さいため、半導体素子載置部の一面に凹部を設ける加
工をすると他の面に、凸部が形成されるため、素子を搭
載する、素子と内部リード部2を金線5で接続するなど
いわゆる組立工程において、装置表面からリードフレー
ムが浮き上るため、組立の作業性を著しく阻害するとい
う欠点がある。これを避ける一方法として、装置側表面
に溝を設ける手段が用いられるが、半導体素子載置部の
寸法が異なるごとに、溝寸法も変更の必要があり実用的
でない。本発明はこのような問題を解決するもので、容
易に四部加工ができて、且つ、組立作業の容易性を確保
することを目的とする。
体素子載置部を有するリードフレームは、材料の厚さが
小さいため、半導体素子載置部の一面に凹部を設ける加
工をすると他の面に、凸部が形成されるため、素子を搭
載する、素子と内部リード部2を金線5で接続するなど
いわゆる組立工程において、装置表面からリードフレー
ムが浮き上るため、組立の作業性を著しく阻害するとい
う欠点がある。これを避ける一方法として、装置側表面
に溝を設ける手段が用いられるが、半導体素子載置部の
寸法が異なるごとに、溝寸法も変更の必要があり実用的
でない。本発明はこのような問題を解決するもので、容
易に四部加工ができて、且つ、組立作業の容易性を確保
することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題を解決するために、本発明は半導体素子部の厚
さを大きくしたものである。その厚さは、凹部の必要な
深さが材料の厚さの60%以下になるようにする。即ち
深さが0.3+n+n必要な場合には、材料の厚さは0
、5 mmになる。
さを大きくしたものである。その厚さは、凹部の必要な
深さが材料の厚さの60%以下になるようにする。即ち
深さが0.3+n+n必要な場合には、材料の厚さは0
、5 mmになる。
作用
半導体素子載置部の材料の厚さを、必要な凹部の深さが
60%以下となるよう選定することにより、凹部加工の
反対面に凸部が形成されることなく平面の状態が保てる
。
60%以下となるよう選定することにより、凹部加工の
反対面に凸部が形成されることなく平面の状態が保てる
。
実施例
第1図aは、本発明のリードフレームの平面図、bは断
面図を示した一実施例である。半導体素子載置部1.内
部リード部2.外部リード部3が複数個、一つの導体平
板に反復形成されている。半導体素子載置部1には凹部
4が形成されている。第2図a、bは、半導体素子載置
部1に深さ0.3mInの凹部4を設けたFe−N1(
42%)を材料とする厚さ0.5+mnの半導体用リー
ドフレームに封止用樹脂6を被覆した一実施例のそれぞ
れ平面図と断面図である。半導体素子7として0.4+
nm口、厚さ0.25+nmの発光ダイオードを導電性
ペーストで接着、配設している。凹部4の上部開口径1
.2+nmφ、下部底面径0.6φ、封止用樹脂6はエ
ポキシ系透明樹脂を用いている。凹部の加工には金型に
よるプレス工法を用いた。四部周辺にはワイヤボンドに
影響のない程度の凸部が形成されるが反対側の面には5
μm程度の凸部が形成されるだけで、いわゆる組立工程
に関係なく、凹部加工をしていない場合と同様に使用で
きる。凹部の深さが0.3mmより大きくなると反対面
の凸部が目立ち初め、平坦な面とは見なし難く、又凹部
周辺の凸部も高(なる。上記材料2寸法は一例であるが
、凹部深さが材料厚さの60%を越えると裏面の凸部が
大きくなると同時に凹部周辺の凸部も大きくなり組立工
程への影響は避は難い。
面図を示した一実施例である。半導体素子載置部1.内
部リード部2.外部リード部3が複数個、一つの導体平
板に反復形成されている。半導体素子載置部1には凹部
4が形成されている。第2図a、bは、半導体素子載置
部1に深さ0.3mInの凹部4を設けたFe−N1(
42%)を材料とする厚さ0.5+mnの半導体用リー
ドフレームに封止用樹脂6を被覆した一実施例のそれぞ
れ平面図と断面図である。半導体素子7として0.4+
nm口、厚さ0.25+nmの発光ダイオードを導電性
ペーストで接着、配設している。凹部4の上部開口径1
.2+nmφ、下部底面径0.6φ、封止用樹脂6はエ
ポキシ系透明樹脂を用いている。凹部の加工には金型に
よるプレス工法を用いた。四部周辺にはワイヤボンドに
影響のない程度の凸部が形成されるが反対側の面には5
μm程度の凸部が形成されるだけで、いわゆる組立工程
に関係なく、凹部加工をしていない場合と同様に使用で
きる。凹部の深さが0.3mmより大きくなると反対面
の凸部が目立ち初め、平坦な面とは見なし難く、又凹部
周辺の凸部も高(なる。上記材料2寸法は一例であるが
、凹部深さが材料厚さの60%を越えると裏面の凸部が
大きくなると同時に凹部周辺の凸部も大きくなり組立工
程への影響は避は難い。
発明の効果
以上のように、本発明によるリードフレームを用いるこ
とで凹部加工をしても従来の組立装置を利用して容易に
組立を実施できた。
とで凹部加工をしても従来の組立装置を利用して容易に
組立を実施できた。
第1図a、bは本発明の一実施例によるリードフレーム
の平面図、断面図、第2図a、bは本発明実施例のリー
ドフレームを用いて組立を行1.%、樹脂封止により成
型した半導体装置の平面透視図、断面図、第3図a、b
は従来例リードフレームの平面図、断面図である。 1・・・・・・半導体素子載置部、2・・・・・・内部
リード、3・・・・・・外部リード、4・・・・・・凹
部、5・・・・・・金線、6・・・・・・封止用樹脂、
7・・・・・・半導体素子、8・・・・・・凸部。
の平面図、断面図、第2図a、bは本発明実施例のリー
ドフレームを用いて組立を行1.%、樹脂封止により成
型した半導体装置の平面透視図、断面図、第3図a、b
は従来例リードフレームの平面図、断面図である。 1・・・・・・半導体素子載置部、2・・・・・・内部
リード、3・・・・・・外部リード、4・・・・・・凹
部、5・・・・・・金線、6・・・・・・封止用樹脂、
7・・・・・・半導体素子、8・・・・・・凸部。
Claims (1)
- 半導体素子載置部、内部リード部および外部リード部を
有するリードパターンが複数個、一つの導体平板に反復
して形成され、前記半導体素子載置部に凹部を設けたこ
とを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033862A JPS63200550A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033862A JPS63200550A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200550A true JPS63200550A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12398311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033862A Pending JPS63200550A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200550A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063594A1 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2004107443A1 (de) * | 2003-06-03 | 2004-12-09 | Asetronics Ag | Isoliertes metallsubstrat mit wenigstens einer leuchtdiode, leuchtdiodenmatrix und herstellungsverfahren |
| JP2006313943A (ja) * | 2003-02-18 | 2006-11-16 | Sharp Corp | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
| US7317181B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit |
| US20100270571A1 (en) * | 2007-12-03 | 2010-10-28 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim led package |
| WO2012113249A1 (zh) * | 2011-02-22 | 2012-08-30 | 广东德豪润达电气股份有限公司 | Led封装支架结构及led器件 |
| KR101346799B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2014-01-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62033862A patent/JPS63200550A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603148B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-08-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO1999063594A1 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
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| CN100442546C (zh) * | 2001-12-07 | 2008-12-10 | 日立电线株式会社 | 发光元件及其制造方法和用于制造发光元件的引线框 |
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| KR101346799B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2014-01-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| US8963196B2 (en) | 2007-12-03 | 2015-02-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim LED package |
| US8319248B2 (en) * | 2007-12-03 | 2012-11-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim LED package |
| JP2011505689A (ja) * | 2007-12-03 | 2011-02-24 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | スリム型ledパッケージ |
| US8659050B2 (en) | 2007-12-03 | 2014-02-25 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim LED package |
| US20100270571A1 (en) * | 2007-12-03 | 2010-10-28 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim led package |
| US9412913B2 (en) | 2007-12-03 | 2016-08-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim LED package |
| US9530942B2 (en) | 2007-12-03 | 2016-12-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim LED package |
| US9899573B2 (en) | 2007-12-03 | 2018-02-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim LED package |
| WO2012113249A1 (zh) * | 2011-02-22 | 2012-08-30 | 广东德豪润达电气股份有限公司 | Led封装支架结构及led器件 |
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