JPS63200550A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPS63200550A
JPS63200550A JP62033862A JP3386287A JPS63200550A JP S63200550 A JPS63200550 A JP S63200550A JP 62033862 A JP62033862 A JP 62033862A JP 3386287 A JP3386287 A JP 3386287A JP S63200550 A JPS63200550 A JP S63200550A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
recess
semiconductor element
thickness
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62033862A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromasa Hasegawa
長谷川 弘正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP62033862A priority Critical patent/JPS63200550A/ja
Publication of JPS63200550A publication Critical patent/JPS63200550A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体素子載置部が内部リード、外部リード
々概して同一平面に設けられた半導体素子を搭載する半
導体リードフレームに関するもので、半導体素子載置部
の材料の厚さを大きくすることにより、凹部を設けるな
ど加工を容易にし、且つ加工による組立工程などへの影
響を除去するものである。
従来の技術 従来のリードフレームの半導体素子載置部に凹部を設け
た場合の平面図および断面図が第3図a、bである。半
導体素子載置部1は材料の厚さが小さいため凹部4を設
ける加工により、反対面には凸部8が形成されている。
かかるリードフレームに半導体素子を搭載し、封止用樹
脂で被覆して使用されている。
発明が解決しようとする問題点 従来の内部リード、外部リードと概して同一平面に半導
体素子載置部を有するリードフレームは、材料の厚さが
小さいため、半導体素子載置部の一面に凹部を設ける加
工をすると他の面に、凸部が形成されるため、素子を搭
載する、素子と内部リード部2を金線5で接続するなど
いわゆる組立工程において、装置表面からリードフレー
ムが浮き上るため、組立の作業性を著しく阻害するとい
う欠点がある。これを避ける一方法として、装置側表面
に溝を設ける手段が用いられるが、半導体素子載置部の
寸法が異なるごとに、溝寸法も変更の必要があり実用的
でない。本発明はこのような問題を解決するもので、容
易に四部加工ができて、且つ、組立作業の容易性を確保
することを目的とする。
問題点を解決するための手段 上記問題を解決するために、本発明は半導体素子部の厚
さを大きくしたものである。その厚さは、凹部の必要な
深さが材料の厚さの60%以下になるようにする。即ち
深さが0.3+n+n必要な場合には、材料の厚さは0
 、5 mmになる。
作用 半導体素子載置部の材料の厚さを、必要な凹部の深さが
60%以下となるよう選定することにより、凹部加工の
反対面に凸部が形成されることなく平面の状態が保てる
実施例 第1図aは、本発明のリードフレームの平面図、bは断
面図を示した一実施例である。半導体素子載置部1.内
部リード部2.外部リード部3が複数個、一つの導体平
板に反復形成されている。半導体素子載置部1には凹部
4が形成されている。第2図a、bは、半導体素子載置
部1に深さ0.3mInの凹部4を設けたFe−N1(
42%)を材料とする厚さ0.5+mnの半導体用リー
ドフレームに封止用樹脂6を被覆した一実施例のそれぞ
れ平面図と断面図である。半導体素子7として0.4+
nm口、厚さ0.25+nmの発光ダイオードを導電性
ペーストで接着、配設している。凹部4の上部開口径1
.2+nmφ、下部底面径0.6φ、封止用樹脂6はエ
ポキシ系透明樹脂を用いている。凹部の加工には金型に
よるプレス工法を用いた。四部周辺にはワイヤボンドに
影響のない程度の凸部が形成されるが反対側の面には5
μm程度の凸部が形成されるだけで、いわゆる組立工程
に関係なく、凹部加工をしていない場合と同様に使用で
きる。凹部の深さが0.3mmより大きくなると反対面
の凸部が目立ち初め、平坦な面とは見なし難く、又凹部
周辺の凸部も高(なる。上記材料2寸法は一例であるが
、凹部深さが材料厚さの60%を越えると裏面の凸部が
大きくなると同時に凹部周辺の凸部も大きくなり組立工
程への影響は避は難い。
発明の効果 以上のように、本発明によるリードフレームを用いるこ
とで凹部加工をしても従来の組立装置を利用して容易に
組立を実施できた。
【図面の簡単な説明】
第1図a、bは本発明の一実施例によるリードフレーム
の平面図、断面図、第2図a、bは本発明実施例のリー
ドフレームを用いて組立を行1.%、樹脂封止により成
型した半導体装置の平面透視図、断面図、第3図a、b
は従来例リードフレームの平面図、断面図である。 1・・・・・・半導体素子載置部、2・・・・・・内部
リード、3・・・・・・外部リード、4・・・・・・凹
部、5・・・・・・金線、6・・・・・・封止用樹脂、
7・・・・・・半導体素子、8・・・・・・凸部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子載置部、内部リード部および外部リード部を
    有するリードパターンが複数個、一つの導体平板に反復
    して形成され、前記半導体素子載置部に凹部を設けたこ
    とを特徴とするリードフレーム。
JP62033862A 1987-02-17 1987-02-17 リ−ドフレ−ム Pending JPS63200550A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62033862A JPS63200550A (ja) 1987-02-17 1987-02-17 リ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62033862A JPS63200550A (ja) 1987-02-17 1987-02-17 リ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63200550A true JPS63200550A (ja) 1988-08-18

Family

ID=12398311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62033862A Pending JPS63200550A (ja) 1987-02-17 1987-02-17 リ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63200550A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999063594A1 (en) * 1998-05-29 1999-12-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
WO2004107443A1 (de) * 2003-06-03 2004-12-09 Asetronics Ag Isoliertes metallsubstrat mit wenigstens einer leuchtdiode, leuchtdiodenmatrix und herstellungsverfahren
JP2006313943A (ja) * 2003-02-18 2006-11-16 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
US7317181B2 (en) 2001-12-07 2008-01-08 Hitachi Cable, Ltd. Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit
US20100270571A1 (en) * 2007-12-03 2010-10-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim led package
WO2012113249A1 (zh) * 2011-02-22 2012-08-30 广东德豪润达电气股份有限公司 Led封装支架结构及led器件
KR101346799B1 (ko) * 2006-12-28 2014-01-02 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6603148B1 (en) 1998-05-29 2003-08-05 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
WO1999063594A1 (en) * 1998-05-29 1999-12-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
US7317181B2 (en) 2001-12-07 2008-01-08 Hitachi Cable, Ltd. Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit
CN100442546C (zh) * 2001-12-07 2008-12-10 日立电线株式会社 发光元件及其制造方法和用于制造发光元件的引线框
JP2006313943A (ja) * 2003-02-18 2006-11-16 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
WO2004107443A1 (de) * 2003-06-03 2004-12-09 Asetronics Ag Isoliertes metallsubstrat mit wenigstens einer leuchtdiode, leuchtdiodenmatrix und herstellungsverfahren
KR101346799B1 (ko) * 2006-12-28 2014-01-02 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8963196B2 (en) 2007-12-03 2015-02-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
US8319248B2 (en) * 2007-12-03 2012-11-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
JP2011505689A (ja) * 2007-12-03 2011-02-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド スリム型ledパッケージ
US8659050B2 (en) 2007-12-03 2014-02-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
US20100270571A1 (en) * 2007-12-03 2010-10-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim led package
US9412913B2 (en) 2007-12-03 2016-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
US9530942B2 (en) 2007-12-03 2016-12-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
US9899573B2 (en) 2007-12-03 2018-02-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim LED package
WO2012113249A1 (zh) * 2011-02-22 2012-08-30 广东德豪润达电气股份有限公司 Led封装支架结构及led器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63200550A (ja) リ−ドフレ−ム
KR880008446A (ko) 리드프레임과 그 제조방법
JPH05291467A (ja) リードフレームおよび半導体装置
JPH04357886A (ja) 電子部品
KR930017154A (ko) 반도체 패키지
KR100208635B1 (ko) 표면 실장형 반도체 장치
JPH0513818A (ja) 表面実装型発光ダイオード
JP2506452Y2 (ja) 側面発光表示装置
JPS63200551A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH079960B2 (ja) 半導体装置
JPH03261153A (ja) 半導体装置用パッケージ
JPH033354A (ja) 半導体装置
JP2592181B2 (ja) 固体撮像素子のサーディップ型パッケージ
JPH0414944Y2 (ja)
JPH0366150A (ja) 半導体集積回路装置
KR920008359Y1 (ko) 리드프레임
KR970013141A (ko) 패키지를 이용한 노운 굿 다이 제조장치
KR100525091B1 (ko) 반도체 패키지
JPH0895501A (ja) 表示装置
JPH03116949A (ja) Icパッケージ及びicパッケージ用ケースの製造方法
JP2516394Y2 (ja) 半導体装置
JPH03152966A (ja) 半導体装置用リードフレーム
KR830000684Y1 (ko) 반도체 장치
KR200248776Y1 (ko) 기판실장형반도체패키지
KR970007072Y1 (ko) 폴이 형성된 테이프를 이용한 반도체 장치