JPS62186543A - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 - Google Patents

半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針

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Publication number
JPS62186543A
JPS62186543A JP2838686A JP2838686A JPS62186543A JP S62186543 A JPS62186543 A JP S62186543A JP 2838686 A JP2838686 A JP 2838686A JP 2838686 A JP2838686 A JP 2838686A JP S62186543 A JPS62186543 A JP S62186543A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe needle
semiconductor wafer
tip
transmission line
probe
Prior art date
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Pending
Application number
JP2838686A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Yanagihara
浩 柳原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Kikinzoku Kogyo KK filed Critical Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェーハ(以下単にウェーハと云う)
上のIC,LSI等の電気的特性を測定する為のプロー
ブ針に関する。
(従来の技術) 従来、第6図に示すウェーハ1上のIC,LSI等の電
気的特性を測定する際、高い周波数領域でも電気的特性
の測定が可能なプローブ針として、第5図に示す如く同
軸ケーブル3の先端中心に信号線4を突出し、同軸ケー
ブル3の先端外周にグランド部5を取付けてその尖端を
信号線4の尖端に平行に200μ程度接近させて成る同
軸型プローブ針6を、第6図の如く計測器7のx、y、
z軸方向に移動可能なアーム8にセントし、ウェーハ1
上のIC,LSI等のパッド2に接触させて電気的特性
を測定する方法が採られている。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、上記の同軸型プローブ針6は、信号線4とグ
ランド部5が同軸ケーブル3の先端で数顛にわたって同
軸構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で
変化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測
定ができなかった。
また、この構造では多端子化が不可能であった。
一方、近時IC,LSIは高密度、高速化の開発が進め
られ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェーハ
上のバッドとの確実なコンタクトを図れるプローブ針を
備えることが必要で、これの開発が急がれている。
そこで、本発明は、特性インピーダンスの設定に対する
安定化、多端子化、確実なコンタクトを達成でき、高周
波数領域で正確な電気的特性測定できるプローブ針を提
供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段) 上記問題点を解決するための本発明のプローブ針は、誘
電体基板上に伝送線路を複数列平行に設け、この各伝送
線路上の先端部に、金属球を接続して接触部を設けたも
のである。また、金属球の接触部は中空体より成るもの
もある。
(実施例) 本発明のプローブ針の一実施例を第1図によって説明す
る。10はアルミナ(AI!z()+)より成る長さ4
0朋、幅10龍、厚さ0.6鶴の誘電体基板で、この誘
電体基板10上の長手方向に厚さ3μ、幅150μのC
I!より成る伝送線路11が200μの間隔を存して3
列平行に設けられている。各伝送線路11上の先端部に
ば球径60μのP d−RulOwt%より成る金属球
12が−・個づつ半田付げされていて、この金属球12
が接触部となっている。
第2図に示す他の実施例は、第1図?こ示される各伝送
線路11−1−の先端部に、金属球12を3個づつ半田
付けしたものである。
第3図に示す他の実施例は、第1図に示される各伝送線
路11上の先端部に、球径60μのAuより成る中空の
金属球12′を一個づつ半田付けしたものである。
上述の如く構成された実施例のプローブ針13.13’
、13“は、誘電体基板101−に伝送線路11が3列
平行に設けられているので、伝送線路11はストリップ
線路構造となっていて、伝送線路11の特性インピーダ
ンスには変化は無く、どの部分でも一定である。そこで
、実施例のプローブ針本例ではプローブ針13を第4図
に示す如く、計測器7のX、YXZ軸方向に移動可能な
アーム8にセットし、ウェーハ1上のIC,LSI等の
バッド2に接触させて、電気的特性を測定した処、高周
波数領域で、本例では30GH2の高周波数で正確に電
気的特性測定ができた。また、この測定を繰り返し行っ
ても、各伝送線路11上の先端部には金属球12或いは
中空の金属球12′を取付けて接触部としているので、
伝送線路11の消耗が無く、しかも金属球12、中空の
金属球12′は弾性変形が可能であるので、前記電気的
特性測定において、測定するウェーハ1上のIC,LS
I等のパッド2との接触が確実となり、且つ安定する。
尚、上記実施例のプローブ針13.13’、13“の誘
電体基板は、アルミナより成るが石英でも良いものであ
る。また伝送線路11の表面にはAuめっきを施しても
良いものである。さらに、金属球はPd−Ru、Auに
限るものでは無く、Cu等導電性材料ならばいかなるも
のでも良い。また金属球12.12′を伝送線路11上
に接合する手段は半田付けに限るものではなく、溶接で
も良いものである。然して上記実施例では伝送線路11
が3列であるが、これに限るものではなく、2列以上何
列でも良いもので、数10列、数100列等の場合もあ
る。
(発明の効果) 以上の説明で判るように本発明のプローブ針は、誘電体
基板」二に、伝送線路を複数列平行に設けたもので、伝
送線路はストリップ線路構造となっている。従って、特
性インピーダンスの設定を安定化させることができ、ま
た各伝送線路はどの部分でも特性インピーダンスを一定
化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端子化が実
現できる。
その上、本発明のプローブ針は、複数の伝送線路上の先
端部に金属球又は中空の金属球を取付けて接触部として
いるので、測定物と接触した際、各伝送線路の接触部は
塑性変形成いは弾性変形して、確実に安定して接触する
。しかも測定を繰り返し行っても伝送線路の消耗が無い
ので、特性インピーダンスの変化が無く、正確な測定が
可能である。
かくして、高密度、高速化されるウェーバートのIC,
LSI等の高周波数領域での電気的特性の測定を正確、
確実に且つ安定して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は夫々本発明のプローブ針の実施例を
示す斜視図、第4図は第1図のプローブ針の使用状態を
示す概略図、第5図は従来の同軸型プローブ針の斜視図
、第6図は第5図の同軸型プローブ針の使用状態を示す
概略図である。 出願人  田中貴金属工業株式会社 13″・・・フ10−フ1咋 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、こ
    の各伝送線路上の先端部に金属球を接合して接触部を設
    けた半導体ウェーハの電気的特性測定用プローブ針。 2)金属球が中空体であることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の半導体ウェーハの電気的特性測定用プ
    ローブ針。
JP2838686A 1986-02-12 1986-02-12 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 Pending JPS62186543A (ja)

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JP2838686A JPS62186543A (ja) 1986-02-12 1986-02-12 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針

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JP2838686A JPS62186543A (ja) 1986-02-12 1986-02-12 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針

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ID=12247217

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JP2838686A Pending JPS62186543A (ja) 1986-02-12 1986-02-12 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710572A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Scanning device for facsimile, etc.
JPS60260861A (ja) * 1984-06-08 1985-12-24 Hitachi Ltd プロ−ブ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710572A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Scanning device for facsimile, etc.
JPS60260861A (ja) * 1984-06-08 1985-12-24 Hitachi Ltd プロ−ブ

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