JPS62187349A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
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- JPS62187349A JPS62187349A JP61028854A JP2885486A JPS62187349A JP S62187349 A JPS62187349 A JP S62187349A JP 61028854 A JP61028854 A JP 61028854A JP 2885486 A JP2885486 A JP 2885486A JP S62187349 A JPS62187349 A JP S62187349A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトマスクの製造方法に関し、特にガラス板
にクロム薄膜でマスクパターンを形成するフォトマスク
の製造方法に関する。
にクロム薄膜でマスクパターンを形成するフォトマスク
の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造に利用されるフォトリソグラフ
ィ工程では、透明ガラス板に所要のパターンでクロム薄
膜を形成したフォトマスクが使用される。このため、こ
のフォトマスクを製造するためには、透明ガラス板にク
ロム及び酸化クロムを二層に成膜する工程と、これをフ
ォトレジストを用いて選択エツチングすることによって
所要のクロム薄膜パターンを得る工程とが必要とされる
。
ィ工程では、透明ガラス板に所要のパターンでクロム薄
膜を形成したフォトマスクが使用される。このため、こ
のフォトマスクを製造するためには、透明ガラス板にク
ロム及び酸化クロムを二層に成膜する工程と、これをフ
ォトレジストを用いて選択エツチングすることによって
所要のクロム薄膜パターンを得る工程とが必要とされる
。
即ち、この一連の工程を簡単に説明すると、先ず透明ガ
ラス板にクロムと酸化クロムとをスパッタ法あるいは真
空蒸着法で二層に形成した上で、表面のごみや汚れを除
去するために洗浄する。そして、この上に感光材である
フォトレジストを塗布し、このフォトレジストとクロム
膜との密着力を高めるためにプレベータを行い、この上
でフォトレピータあるいはコンタクトプリンタによりマ
スクパターンを露光する。
ラス板にクロムと酸化クロムとをスパッタ法あるいは真
空蒸着法で二層に形成した上で、表面のごみや汚れを除
去するために洗浄する。そして、この上に感光材である
フォトレジストを塗布し、このフォトレジストとクロム
膜との密着力を高めるためにプレベータを行い、この上
でフォトレピータあるいはコンタクトプリンタによりマ
スクパターンを露光する。
次に、フォトレジストを現像し、残されたフォトレジス
トをマスクにしてクロム膜をエツチングし、その後にフ
ォトレジストを除去することにより、所要パターンのク
ロム膜からなるフォトマスクが完成される。
トをマスクにしてクロム膜をエツチングし、その後にフ
ォトレジストを除去することにより、所要パターンのク
ロム膜からなるフォトマスクが完成される。
なお、このフォトレジストの現像時には、現像液や現像
時に付着した異物を完全に除去するために十分なカスケ
ード水洗を行っており、水洗終了後にはボストベークを
行っている。
時に付着した異物を完全に除去するために十分なカスケ
ード水洗を行っており、水洗終了後にはボストベークを
行っている。
上述した従来のマスク製造方法では、特に透明ガラス板
上へのクロム膜の成膜工程においては、第５図に示すよ
うに四隅に支持片１５を有する正方形の枠状のホルダ１
４を用いて透明ガラス１１をその四隅１２において支持
した状態で順次クロムや酸化クロム等のマスク膜１３の
真空蒸着やスパックを行っている。したがって、この四
隅１２の部分にはクロム膜が成膜されることはなく、ガ
ラスの表面が露呈されたままの状態とされている。
上へのクロム膜の成膜工程においては、第５図に示すよ
うに四隅に支持片１５を有する正方形の枠状のホルダ１
４を用いて透明ガラス１１をその四隅１２において支持
した状態で順次クロムや酸化クロム等のマスク膜１３の
真空蒸着やスパックを行っている。したがって、この四
隅１２の部分にはクロム膜が成膜されることはなく、ガ
ラスの表面が露呈されたままの状態とされている。
このため、この上に塗布されるフォトレジストはガラス
に対して直接接触されることになり、一般にこの種のフ
ォトレジストはガラスに対する密着力が小さいことから
、前記したプレベータを行っても両者の密着力を改善す
ることは困難になる。
に対して直接接触されることになり、一般にこの種のフ
ォトレジストはガラスに対する密着力が小さいことから
、前記したプレベータを行っても両者の密着力を改善す
ることは困難になる。
このため、フォトレジストはこの四隅１２の部分におい
て極めて剥がれ易いものとなり、現像後の水洗時にこの
部分のフォトレジストは大部分が剥がれてしまい、その
中の一部は異物となって他の部分に付着し、マスクの外
観不良、即ちパターン不良を生じる原因となっている。
て極めて剥がれ易いものとなり、現像後の水洗時にこの
部分のフォトレジストは大部分が剥がれてしまい、その
中の一部は異物となって他の部分に付着し、マスクの外
観不良、即ちパターン不良を生じる原因となっている。
本発明のマスク製造方法は、ガラス板の全ての領域にク
ロム膜を成膜することを可能とし、これによりフォトレ
ジストにおける剥がれを防止してマスクの外観不良を防
止するものである。
ロム膜を成膜することを可能とし、これによりフォトレ
ジストにおける剥がれを防止してマスクの外観不良を防
止するものである。
本発明のマスク製造方法は、ガラス板上にマスクパター
ン用の多層膜を成膜する際に、ガラス板に対する支持箇
所が異なるホルダを用いて夫々の膜を成膜する方法を含
むものである。
ン用の多層膜を成膜する際に、ガラス板に対する支持箇
所が異なるホルダを用いて夫々の膜を成膜する方法を含
むものである。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す図であり、ここでは透
明ガラス板にクロムと酸化クロムを二層に形成した上で
マクスを形成する例を示している。
明ガラス板にクロムと酸化クロムを二層に形成した上で
マクスを形成する例を示している。
先ず、第１図のように、略正方形をした透明ガラス板１
の表面を洗浄しこれを第１のホルダ４内に支持させてク
ロムの真空蒸着を行い、ガラス板１の下面にクロム膜２
を成膜する。この第１のホルダ４は、前記ガラス板１を
セット可能な正方形の枠状に形成するとともに、その四
隅にはガラス板ｌの四隅１ａを支持するための三角形状
の支持片４ａを一体に形成している。したがって、成膜
されたクロム膜２は、第２図のように前記支持片４ａに
対応するガラス板１の四隅１ａ以外の領域に形成される
ことになり、これら四隅１ａ箇所には形成されず、この
箇所ではガラス板１の表面が露呈された状態とされる。
の表面を洗浄しこれを第１のホルダ４内に支持させてク
ロムの真空蒸着を行い、ガラス板１の下面にクロム膜２
を成膜する。この第１のホルダ４は、前記ガラス板１を
セット可能な正方形の枠状に形成するとともに、その四
隅にはガラス板ｌの四隅１ａを支持するための三角形状
の支持片４ａを一体に形成している。したがって、成膜
されたクロム膜２は、第２図のように前記支持片４ａに
対応するガラス板１の四隅１ａ以外の領域に形成される
ことになり、これら四隅１ａ箇所には形成されず、この
箇所ではガラス板１の表面が露呈された状態とされる。
次に、このガラス板ｌを第１のホルダ４から取り出し、
今度は第３図のように第２のホルダ５内にセットしてガ
ラス板１の下面、即ち前記クロム膜２上に重ねた状態に
真空蒸着法によって酸化クロム膜３を成膜する。この第
２のホルダ５は、正方形の枠状に形成する点は第１のホ
ルダ４と同じであるが、支持片５ａは第２のホルダ５の
四辺の略中央位置に夫々形成しており、ガラス板１の各
辺の中央位置１ｂを支持するようになっている。
今度は第３図のように第２のホルダ５内にセットしてガ
ラス板１の下面、即ち前記クロム膜２上に重ねた状態に
真空蒸着法によって酸化クロム膜３を成膜する。この第
２のホルダ５は、正方形の枠状に形成する点は第１のホ
ルダ４と同じであるが、支持片５ａは第２のホルダ５の
四辺の略中央位置に夫々形成しており、ガラス板１の各
辺の中央位置１ｂを支持するようになっている。
したがって、成膜された酸化クロム膜３は、第４図のよ
うにガラス板１の各辺中央位置１ｂを除く領域に形成さ
れることになり、この中央位置１ｂには成膜され□ない
。
うにガラス板１の各辺中央位置１ｂを除く領域に形成さ
れることになり、この中央位置１ｂには成膜され□ない
。
このため、同図のように最終的にはガラス板１の四隅１
ａには酸化クロム膜３が成膜され、各辺中央位置１ｂに
はクロム膜２が成膜されることになる。勿論、他の領域
にはクロム膜２と酸化クロム膜３が二層に形成されてお
り、これによりガラス板１の表面にはクロム膜或いは酸
化クロム膜が形成されていない箇所、つまりガラス面が
露呈される箇所が生じることはない。
ａには酸化クロム膜３が成膜され、各辺中央位置１ｂに
はクロム膜２が成膜されることになる。勿論、他の領域
にはクロム膜２と酸化クロム膜３が二層に形成されてお
り、これによりガラス板１の表面にはクロム膜或いは酸
化クロム膜が形成されていない箇所、つまりガラス面が
露呈される箇所が生じることはない。
したがって、その後の工程においてフォトレジストを全
面に塗布しても、フォトレジストはガラス板１の全面に
おいてクロム膜２あるいは酸化クロム膜３と接触するこ
とになり、ガラス面に接触することはない。これにより
、プリベータによってフォトレジストとガラス板１との
密着力を向上し、さらに後工程における現像や水洗、エ
ツチング等の工程においてもフォトレジストの剥がれが
生じることはなく、パターン不良のない高精度のマスク
の製造が可能とされる。
面に塗布しても、フォトレジストはガラス板１の全面に
おいてクロム膜２あるいは酸化クロム膜３と接触するこ
とになり、ガラス面に接触することはない。これにより
、プリベータによってフォトレジストとガラス板１との
密着力を向上し、さらに後工程における現像や水洗、エ
ツチング等の工程においてもフォトレジストの剥がれが
生じることはなく、パターン不良のない高精度のマスク
の製造が可能とされる。
なお、この方法ではガラス板の四隅や各辺中央位置には
クロム膜又は酸化クロム膜のいずれか一方した成膜され
ていないが、通常このガラス板の周辺領域にはマスクパ
ターンを形成することはないので、フォトマスクとして
の品質を低下させることは全くない。
クロム膜又は酸化クロム膜のいずれか一方した成膜され
ていないが、通常このガラス板の周辺領域にはマスクパ
ターンを形成することはないので、フォトマスクとして
の品質を低下させることは全くない。
また、この実施例ではクロム膜と酸化クロム膜とを二層
に形成した例を示したが、これらの膜と他の膜とを二層
或いは三層以上に形成する場合でも同様に適用できる。
に形成した例を示したが、これらの膜と他の膜とを二層
或いは三層以上に形成する場合でも同様に適用できる。
更に、各膜をスパッタ法等他の方法で成膜する場合でも
同じである。
同じである。
以上説明したように本発明は、ガラス板上にマスクパタ
ーン用の多層膜を成膜する際に、ガラス板に対する支持
箇所が異なるホルダを用いて夫々の膜を成膜しているの
で、ガラス板の全面には少なくとも一層の膜が形成され
ることになり、ガラス板の表面が露呈されることはない
。このため、マスクのパターン形成に用いるフォトレジ
ストの密着性をガラス板の全面において高めることがで
き、フォトレジストの剥がれを防止してパターン不良の
発生を防止し、高品質のマスクの製造を実現することが
できる。
ーン用の多層膜を成膜する際に、ガラス板に対する支持
箇所が異なるホルダを用いて夫々の膜を成膜しているの
で、ガラス板の全面には少なくとも一層の膜が形成され
ることになり、ガラス板の表面が露呈されることはない
。このため、マスクのパターン形成に用いるフォトレジ
ストの密着性をガラス板の全面において高めることがで
き、フォトレジストの剥がれを防止してパターン不良の
発生を防止し、高品質のマスクの製造を実現することが
できる。
第１図は本発明の一実施例の一工程を示す斜視図、第２
図はクロム膜を成膜した状態の平面図、第３図は同実施
例の他の工程を示す斜視図、第４図は酸化クロム膜を成
膜した状態の平面図、第５図は従来における問題を説明
するための斜視図である。 １・・・ガラス板、１ａ・・・四隅、ｌｂ・・・各辺中
央位置、２・・・クロム膜、３・・・酸化クロム膜、４
・・・第１のホルダ、４ａ・・・支持片、５・・・第２
のホルダ、５ａ・・・支持片、１１・・・ガラス板、１
２・・・四隅、１３・・・マスク膜、１４・・・ホルダ
、１５・・・支持片。 第１図 第２図 第３図 第４図
図はクロム膜を成膜した状態の平面図、第３図は同実施
例の他の工程を示す斜視図、第４図は酸化クロム膜を成
膜した状態の平面図、第５図は従来における問題を説明
するための斜視図である。 １・・・ガラス板、１ａ・・・四隅、ｌｂ・・・各辺中
央位置、２・・・クロム膜、３・・・酸化クロム膜、４
・・・第１のホルダ、４ａ・・・支持片、５・・・第２
のホルダ、５ａ・・・支持片、１１・・・ガラス板、１
２・・・四隅、１３・・・マスク膜、１４・・・ホルダ
、１５・・・支持片。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）ガラス板上にマスクパターン用の多層膜を成膜し
、この多層膜上に所要パターンのフォトレジストを形成
し、このフォトレジストをマスクとして前記多層膜を選
択エッチングしてフォトマスクを形成する方法において
、前記多層膜を成膜する際に、前記ガラス板に対する支
持箇所が異なるホルダを順序的に用いて夫々の膜を成膜
することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - （２）第１及び第２のホルダを順序的に用いて２層の膜
を形成し、第１のホルダはガラス板の四隅を支持し、第
２のホルダはガラス板の四辺の各中央位置を支持して夫
々の成膜を行ってなる特許請求の範囲第１項記載のフォ
トマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61028854A JPS62187349A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61028854A JPS62187349A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62187349A true JPS62187349A (ja) | 1987-08-15 |
Family
ID=12259965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61028854A Pending JPS62187349A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62187349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198835A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | マスター用ガラス基板 |
| EP0468274A3 (en) * | 1990-07-12 | 1993-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming an electrode on a mask for manufacturing semiconductor devices, spinner for applying resist to a semiconductor-manufacturing mask, and mask-housing case |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP61028854A patent/JPS62187349A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198835A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | マスター用ガラス基板 |
| EP0468274A3 (en) * | 1990-07-12 | 1993-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming an electrode on a mask for manufacturing semiconductor devices, spinner for applying resist to a semiconductor-manufacturing mask, and mask-housing case |
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