JPH0493948A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH0493948A JPH0493948A JP2208532A JP20853290A JPH0493948A JP H0493948 A JPH0493948 A JP H0493948A JP 2208532 A JP2208532 A JP 2208532A JP 20853290 A JP20853290 A JP 20853290A JP H0493948 A JPH0493948 A JP H0493948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- glass substrate
- patterns
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトマスクに関し、特にパターンの保護膜に
関する。
関する。
集積回路等の製造で、いろいろなデバイス及び回路接続
は、フォトマスクを用いて形成され、そのフォトマスク
は、使用後あるいは定期的に洗浄される。従来のフォト
マスクは、ガラス等の透明基板上に厚さ500〜300
0人の金属又は金属酸化物がパターン加工されたままの
状態となっていた。
は、フォトマスクを用いて形成され、そのフォトマスク
は、使用後あるいは定期的に洗浄される。従来のフォト
マスクは、ガラス等の透明基板上に厚さ500〜300
0人の金属又は金属酸化物がパターン加工されたままの
状態となっていた。
上述した従来のフォトマスクは、使用後あるいは定期的
に洗浄しなければならないため、洗浄コストが発生する
。
に洗浄しなければならないため、洗浄コストが発生する
。
また、洗浄する時に加える圧力にもよるが、10回以上
洗浄した時金属又は金属酸化物からなるパターンの端部
が欠落し、使用できなくなるという欠点がある。
洗浄した時金属又は金属酸化物からなるパターンの端部
が欠落し、使用できなくなるという欠点がある。
本発明のフォトマスクは、透明基板上に金属膜または金
属酸化膜によるパターンが形成されたフォトマスクにお
いて、前記パターンを含む透明基板表面に透明な膜を設
けたものである。
属酸化膜によるパターンが形成されたフォトマスクにお
いて、前記パターンを含む透明基板表面に透明な膜を設
けたものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第1の実施例を説明するための断面図
である。以下製造工程順に説明する。
である。以下製造工程順に説明する。
まず第1図(a)に示すように、ガラス基板11上にC
r等の金属膜(または金属酸化膜)を500〜3000
人の厚さに形成したのちパターニングし、遮光用のパタ
ーン13を形成する。従来のフォトマスクはこの状態で
使用される。
r等の金属膜(または金属酸化膜)を500〜3000
人の厚さに形成したのちパターニングし、遮光用のパタ
ーン13を形成する。従来のフォトマスクはこの状態で
使用される。
次に第1図(b)に示すように、パターン13が形成さ
れたガラス基板表面を洗浄したのち、例えばフッ素系ポ
リマー溶液をスピンコード法により塗布し、透明薄膜1
4を形成する。
れたガラス基板表面を洗浄したのち、例えばフッ素系ポ
リマー溶液をスピンコード法により塗布し、透明薄膜1
4を形成する。
次に第1図(c)に示すように、必要に応じてガラス基
板11の裏面にも透明薄膜14を形成する。
板11の裏面にも透明薄膜14を形成する。
このように構成された第1の実施例によれば、フォトマ
スク使用後は透明薄膜14を剥すことにより清浄なパタ
ーン面を得ることができるので、従来のように洗浄工程
は不要となる。再使用する場合は再びパターン13の面
に透明薄膜を形成する。
スク使用後は透明薄膜14を剥すことにより清浄なパタ
ーン面を得ることができるので、従来のように洗浄工程
は不要となる。再使用する場合は再びパターン13の面
に透明薄膜を形成する。
尚、透明薄j114の除去は、物理的に剥がすか、フロ
ン溶剤やTa酸等の溶剤による溶解によって行なう。
ン溶剤やTa酸等の溶剤による溶解によって行なう。
第2図は本発明の第2の実施例を説明するための断面図
である。
である。
まず第2図(a)に示すように、第1の実施例と同様に
ガラス基板11上にパターン13を形成する。
ガラス基板11上にパターン13を形成する。
次に第2図(b)に示すように、サラン樹脂膜やビニー
ル樹脂膜等の透明薄膜24をガラス基板11の表面に張
り付け、パターン13を覆う。
ル樹脂膜等の透明薄膜24をガラス基板11の表面に張
り付け、パターン13を覆う。
以下必要に応じて第2図(c)に示すように、ガラス基
板11の裏面にも透明薄膜24を張り付ける。
板11の裏面にも透明薄膜24を張り付ける。
本第2の実施例における透明薄膜24の除去方法も第1
の実施例の場合と同様に行なう。
の実施例の場合と同様に行なう。
以上説明したように本発明は、パターンを含む透明基板
表面に透明薄膜を設けることにより、マスク使用後その
透明薄膜を剥がすだけで、マスク洗浄後の清浄度のまま
の表面が得られるので、洗浄工程によるパターン端部の
欠落をなくすことができ、マスク寿命を2倍以上にのば
すことができる効果がある。
表面に透明薄膜を設けることにより、マスク使用後その
透明薄膜を剥がすだけで、マスク洗浄後の清浄度のまま
の表面が得られるので、洗浄工程によるパターン端部の
欠落をなくすことができ、マスク寿命を2倍以上にのば
すことができる効果がある。
第1図及び第2図は本発明の第1及び第2の実施例を説
明するための断面図である。 11・・・ガラス基板、13・・・パターン、14゜2
4・・・透明薄膜。
明するための断面図である。 11・・・ガラス基板、13・・・パターン、14゜2
4・・・透明薄膜。
Claims (1)
- 透明基板上に金属膜または金属酸化膜によるパターン
が形成されたフォトマスクにおいて、前記パターンを含
む透明基板表面に透明な膜を設けたことを特徴とするフ
ォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208532A JPH0493948A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208532A JPH0493948A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493948A true JPH0493948A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16557748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208532A Pending JPH0493948A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493948A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007206184A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法、並びにパターン転写方法 |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2208532A patent/JPH0493948A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007206184A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法、並びにパターン転写方法 |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
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