JPS62188033A - 光ヘツド - Google Patents
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- JPS62188033A JPS62188033A JP61029250A JP2925086A JPS62188033A JP S62188033 A JPS62188033 A JP S62188033A JP 61029250 A JP61029250 A JP 61029250A JP 2925086 A JP2925086 A JP 2925086A JP S62188033 A JPS62188033 A JP S62188033A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報を記録再生する光デイスク装置の光ヘッド
に関し、特に2つの光源からの光ビームを合成して記録
媒体に照射して、その反射光を分離して取り出す光ヘッ
ドに関するものである。
に関し、特に2つの光源からの光ビームを合成して記録
媒体に照射して、その反射光を分離して取り出す光ヘッ
ドに関するものである。
従来の技術
近年、静止画ディスク装置1交書ファイル装置。
データファイル装置など、大容量の情報記録装置として
光デイスク装置の開発、製品化が活発化している。光デ
イスク装置は高速回転するディスクにレーザ光を照射し
て、その記録媒体に情報ビットを記録しておき、同じレ
ーザでパワーを下げ、記録ビットの反射率変化を読み取
る装置である。
光デイスク装置の開発、製品化が活発化している。光デ
イスク装置は高速回転するディスクにレーザ光を照射し
て、その記録媒体に情報ビットを記録しておき、同じレ
ーザでパワーを下げ、記録ビットの反射率変化を読み取
る装置である。
さて、記録媒体として例えば、テルル酸化物にゲルマニ
ウム、すすを添加した薄膜を用いた場合、情報ビットの
記録に際しては、回折限界まで絞り込んだパワー密度の
高い光スポット(直径0.8μm程度)を照射すると、
記録媒体は急熱急冷されて反射率の低い状態へ転移して
記録が完了する。
ウム、すすを添加した薄膜を用いた場合、情報ビットの
記録に際しては、回折限界まで絞り込んだパワー密度の
高い光スポット(直径0.8μm程度)を照射すると、
記録媒体は急熱急冷されて反射率の低い状態へ転移して
記録が完了する。
また記録ビットの消去に際しては、パワー密度が低くか
つトラック方向にスパンの長くなるように成形した光ス
ポット(長円径1077m程度)を記録ビットに照射し
、この部分の記録媒体がアニールされて、元の反射率の
高い記録前の状態へ転移して消去が完了する。このよう
に、記録ビットの消去においてアニールが可能な光スポ
ットを発する光ヘッドが、書き換え機能を有する光デイ
スク装置の光ヘッドとして提案されている。
つトラック方向にスパンの長くなるように成形した光ス
ポット(長円径1077m程度)を記録ビットに照射し
、この部分の記録媒体がアニールされて、元の反射率の
高い記録前の状態へ転移して消去が完了する。このよう
に、記録ビットの消去においてアニールが可能な光スポ
ットを発する光ヘッドが、書き換え機能を有する光デイ
スク装置の光ヘッドとして提案されている。
係る光ヘッドの従来例を、以下に図を用いて説明する。
第6.7図は従来の光ヘッドの概略構成を示す図である
。まず記録再生光学系の構成について説明する。1は記
録再生用半導体レーザであり、記録時には約smw、再
生時には約1mwのパワーのレーザ光をディスク上に照
射する。2はレーザ光を平行光ビームに変換する集光レ
ンズ、3は変換された記録再生光ビームである。4は第
1の偏光ビームスプリッタであり、第3図に示すような
波長特性を持っていて、波長λ1のP偏光を透過し、後
述の波長λ2のP偏光を反射する偏光特性がある。記録
再生用半導体レーザ1は偏光ビームスプリッタ4に対し
P偏光となるよう配置されているため、記録再生光ビー
ム3は第1の偏光ビームスプリッタ4を通過し、第2の
偏光ビームスプリッタ已に入る。第2の偏光ビームスプ
リッタ6は第4図に示すような波長特性、つまり波長λ
1およびλ2のP偏光を透過し、S偏光を反射する偏光
特性を持っている。従って、記録再生光ビーム3は第2
の偏光ビームスプリッタ5も透過し、反射プリズム6で
光路を直角に曲げられ、174 波長板7.絞りレンズ
8を通り、ディスク記録面9に微小な記録再生光スポッ
ト10を形成する。ディスク記録面9で反射後、絞りレ
ンズ8゜174 波長板79反射プリズム6の順に進む
反射光は、S偏光となっているため第2の偏光ビームス
プリッタ6によって光路を直角に曲げられ、第3の偏光
ビームスプリッタ11に至る。この第3の偏光ビームス
プリッタ11は第6図に示すように、波長λ1の記録再
生光ビームに対してはS偏光を反射し、消去用半導体レ
ーザ12からの波長λ2の光ビームに対してはS偏光、
P偏光とも透過するという偏光特性をもつものである。
。まず記録再生光学系の構成について説明する。1は記
録再生用半導体レーザであり、記録時には約smw、再
生時には約1mwのパワーのレーザ光をディスク上に照
射する。2はレーザ光を平行光ビームに変換する集光レ
ンズ、3は変換された記録再生光ビームである。4は第
1の偏光ビームスプリッタであり、第3図に示すような
波長特性を持っていて、波長λ1のP偏光を透過し、後
述の波長λ2のP偏光を反射する偏光特性がある。記録
再生用半導体レーザ1は偏光ビームスプリッタ4に対し
P偏光となるよう配置されているため、記録再生光ビー
ム3は第1の偏光ビームスプリッタ4を通過し、第2の
偏光ビームスプリッタ已に入る。第2の偏光ビームスプ
リッタ6は第4図に示すような波長特性、つまり波長λ
1およびλ2のP偏光を透過し、S偏光を反射する偏光
特性を持っている。従って、記録再生光ビーム3は第2
の偏光ビームスプリッタ5も透過し、反射プリズム6で
光路を直角に曲げられ、174 波長板7.絞りレンズ
8を通り、ディスク記録面9に微小な記録再生光スポッ
ト10を形成する。ディスク記録面9で反射後、絞りレ
ンズ8゜174 波長板79反射プリズム6の順に進む
反射光は、S偏光となっているため第2の偏光ビームス
プリッタ6によって光路を直角に曲げられ、第3の偏光
ビームスプリッタ11に至る。この第3の偏光ビームス
プリッタ11は第6図に示すように、波長λ1の記録再
生光ビームに対してはS偏光を反射し、消去用半導体レ
ーザ12からの波長λ2の光ビームに対してはS偏光、
P偏光とも透過するという偏光特性をもつものである。
即ち、記録再生光ビーム3の反射光は第3の偏光ビーム
スプリッタ11で反射し、絞りレンズ14に至る。
スプリッタ11で反射し、絞りレンズ14に至る。
絞りレンズ14を通った記録再生光ビーム3はシリンド
リカルレンズ16によシ非点収差を与えられ、信号検出
器16に受光される。信号検出器16は複数の受光素子
から成シ、再生信号を検出すると共に、いわゆる非点収
差法によりフォーカス制御信号が、プッシュプル法によ
りトラッキング制御信号が検出できるよう構成されてい
る。また信号検出器16から得たフォーカス制御信号と
トラッキング制御信号を基に、絞りレンズ8はフォーカ
ス制御およびトラッキング制御がかけられている。
リカルレンズ16によシ非点収差を与えられ、信号検出
器16に受光される。信号検出器16は複数の受光素子
から成シ、再生信号を検出すると共に、いわゆる非点収
差法によりフォーカス制御信号が、プッシュプル法によ
りトラッキング制御信号が検出できるよう構成されてい
る。また信号検出器16から得たフォーカス制御信号と
トラッキング制御信号を基に、絞りレンズ8はフォーカ
ス制御およびトラッキング制御がかけられている。
次に消去光学系の構成について説明する。12は消去用
半導体レーザであシ、波長λ2、消去時照射パワー約2
0mWである。消去用半導体レーザ12は第3の偏光ビ
ームスプリッタ11に対しS偏光となるよう配されてお
シ、これを発した波長λ2のレーザ光は消去用の集光レ
ンズ17によシ略平行な消去光ビーム1Bになる。消去
光ビーム18は消去ビーム形成手段19と消去ビーム偏
向手段2oを透過した後、反射プリズム13によってそ
の光路を直角に曲げられ、第3のビームスプリッタ11
に入射する。第3の偏光ビームスプリッタ11は前述の
如く、波長λ2のS偏光に対しては偏光分割特性を持た
ないから消去光ビーム18はここを通過する。消去光ビ
ーム18は次に第2の偏光ビームスプリッタ6で反射さ
れ、反射プリズム6.1/a波長板7.絞りレンズ8を
経てディスク記録面9に至り、消去光スポット22を形
成する。ここで消去光スポットは第8図に示すように、
ディスク記録面9の移動方向にスパンが短く、ピークが
高いメルトスポット23と、移動方向にスパンが長くか
つピークの低いアニールスポット24からなる。ディス
ク記録面9に対してはメルトスポット23がまず照射さ
れ、次にアニールスポット24が照射されるよう配置す
るが、このようにするとディスク記録面9はメルトスポ
ット23により高パワー密度、短時間の照射′を受けて
急熱した後アニールスポットによシ低パワー密度、長時
間の照射を受けて除熱除冷の熱履歴を受ける。記録媒体
をアニールして消去を行なう本方式においては、単にデ
ィスク記録面9の移動方向に長い楕円スポットを照射す
ることにより除熱除冷してアニールするより、一度急熱
した後除熱除冷した方がアニール効果が大きいため、メ
ルトスポット23とアニールスポット24からなる消去
光スポット22を形成して用いるのである。
半導体レーザであシ、波長λ2、消去時照射パワー約2
0mWである。消去用半導体レーザ12は第3の偏光ビ
ームスプリッタ11に対しS偏光となるよう配されてお
シ、これを発した波長λ2のレーザ光は消去用の集光レ
ンズ17によシ略平行な消去光ビーム1Bになる。消去
光ビーム18は消去ビーム形成手段19と消去ビーム偏
向手段2oを透過した後、反射プリズム13によってそ
の光路を直角に曲げられ、第3のビームスプリッタ11
に入射する。第3の偏光ビームスプリッタ11は前述の
如く、波長λ2のS偏光に対しては偏光分割特性を持た
ないから消去光ビーム18はここを通過する。消去光ビ
ーム18は次に第2の偏光ビームスプリッタ6で反射さ
れ、反射プリズム6.1/a波長板7.絞りレンズ8を
経てディスク記録面9に至り、消去光スポット22を形
成する。ここで消去光スポットは第8図に示すように、
ディスク記録面9の移動方向にスパンが短く、ピークが
高いメルトスポット23と、移動方向にスパンが長くか
つピークの低いアニールスポット24からなる。ディス
ク記録面9に対してはメルトスポット23がまず照射さ
れ、次にアニールスポット24が照射されるよう配置す
るが、このようにするとディスク記録面9はメルトスポ
ット23により高パワー密度、短時間の照射′を受けて
急熱した後アニールスポットによシ低パワー密度、長時
間の照射を受けて除熱除冷の熱履歴を受ける。記録媒体
をアニールして消去を行なう本方式においては、単にデ
ィスク記録面9の移動方向に長い楕円スポットを照射す
ることにより除熱除冷してアニールするより、一度急熱
した後除熱除冷した方がアニール効果が大きいため、メ
ルトスポット23とアニールスポット24からなる消去
光スポット22を形成して用いるのである。
こうした消去光スポット22は消去ビーム形成手段19
を用いて形成するがこれについて次に説明する。
を用いて形成するがこれについて次に説明する。
消去ビーム形成手段として平行平板部と複数の傾斜面部
からなる構成の1例を第9図に示す。平行平板部を通過
した消去光ビーム18の1部分はこの部分をまっすぐ透
過してメルトビーム26となり、これは絞りレンズ8で
絞り込まれてメルトスポット23を形成する。−万複数
傾斜部を通過した部分のビームはアニールビーム26を
形成するが、傾斜面を透過するためにプリズム作用を受
けて偏向する。このアニールビーム261’j:絞りレ
ンズ8で絞り込まれると、その進行方向が偏向している
ために、メルトスポット23と異なった位置に結像し、
アニールスポット24を形成する。
からなる構成の1例を第9図に示す。平行平板部を通過
した消去光ビーム18の1部分はこの部分をまっすぐ透
過してメルトビーム26となり、これは絞りレンズ8で
絞り込まれてメルトスポット23を形成する。−万複数
傾斜部を通過した部分のビームはアニールビーム26を
形成するが、傾斜面を透過するためにプリズム作用を受
けて偏向する。このアニールビーム261’j:絞りレ
ンズ8で絞り込まれると、その進行方向が偏向している
ために、メルトスポット23と異なった位置に結像し、
アニールスポット24を形成する。
アニールビーム26は異なった偏向角をもつ複数の平行
ビームから成り立っているので、これを絞り込んで得ら
れる光スポットの位置は各々異なる。
ビームから成り立っているので、これを絞り込んで得ら
れる光スポットの位置は各々異なる。
アニールスポット24はこれら異なった位置のスポット
の集積となるため、ピークが低くかつ長いスポットとな
る。このとき、各スポットの結像位置はトラック方向に
並べることはもちろんのことである。
の集積となるため、ピークが低くかつ長いスポットとな
る。このとき、各スポットの結像位置はトラック方向に
並べることはもちろんのことである。
次に消去ビーム移動手段20について説明する。
温度変化などの環境が変化すると、記録光スポット10
と消去光スポットとの間に位置ずれが起る。
と消去光スポットとの間に位置ずれが起る。
この原因は記録再生用半導体レーザ1.消去用半導体レ
ーザ12やプリズムなどの光学部品の相対位置が環境変
化によって変わるためである。このスポット位置ずれが
起ると記録スポット1oの後を消去スポット22がずれ
てトレースするために消し残りが発生し、これを防ぐに
は消去光スポット22を移動させてずれをなくせばよい
。消去ビーム移動手段20の働きは消去スポット22を
移動させることであり、これによって記録スポット10
の後を消去スポット22をずれなくトレースさせて完全
な消去を行なうことができる。
ーザ12やプリズムなどの光学部品の相対位置が環境変
化によって変わるためである。このスポット位置ずれが
起ると記録スポット1oの後を消去スポット22がずれ
てトレースするために消し残りが発生し、これを防ぐに
は消去光スポット22を移動させてずれをなくせばよい
。消去ビーム移動手段20の働きは消去スポット22を
移動させることであり、これによって記録スポット10
の後を消去スポット22をずれなくトレースさせて完全
な消去を行なうことができる。
消去ビーム移動手段20はたとえば第10図に示すよう
にクサビ形状をしており、この非平行な対向面を消去光
ビーム1Bが透過する。消去光ビーム18は消去ビーム
移動手段20の透過後そのプリズム作用のため偏向する
。ここで消去ビーム移動手段2oを図中の点線のように
回転させると、消去光ビームは、この回転につれて偏向
方向が変わる。(図中の点線)また消去光ビーム18の
偏向方向が変化すると、これを結像した消去光スポット
22は消去ビーム形成手段19で説明したように、その
結像位置が変化する。したがって、消去ビーム移動手段
2oを回転させることにより、消去光スポット22を移
動させることができる。
にクサビ形状をしており、この非平行な対向面を消去光
ビーム1Bが透過する。消去光ビーム18は消去ビーム
移動手段20の透過後そのプリズム作用のため偏向する
。ここで消去ビーム移動手段2oを図中の点線のように
回転させると、消去光ビームは、この回転につれて偏向
方向が変わる。(図中の点線)また消去光ビーム18の
偏向方向が変化すると、これを結像した消去光スポット
22は消去ビーム形成手段19で説明したように、その
結像位置が変化する。したがって、消去ビーム移動手段
2oを回転させることにより、消去光スポット22を移
動させることができる。
移動方向はトラック直交方向であシ、記録再生光スポッ
ト10と消去光スポット22の並ぶ方向に対して直角で
ある。
ト10と消去光スポット22の並ぶ方向に対して直角で
ある。
次にディスク記録面9反射後の消去光ビーム1Bの光路
について説明する。ディスク記録面9を反射した後、消
去光ビーム18は第2の偏光ビームスプリッタ6に戻る
。このときP偏光となっているため、これを通過し、第
1の偏光ビームスプリッタ4に入射する。第1の偏光ビ
ームスプリッタ4は前記の如く波長λ2のP偏光を反射
するため、この消去光ビーム18は反射して検出器27
に至る。検出器27は2つの受光素子からなり、いわゆ
るプッシュプル法により、消去光スポット22のトラッ
キング誤差を検出して、消去光トラッキング制御信号を
得るように構成させている。
について説明する。ディスク記録面9を反射した後、消
去光ビーム18は第2の偏光ビームスプリッタ6に戻る
。このときP偏光となっているため、これを通過し、第
1の偏光ビームスプリッタ4に入射する。第1の偏光ビ
ームスプリッタ4は前記の如く波長λ2のP偏光を反射
するため、この消去光ビーム18は反射して検出器27
に至る。検出器27は2つの受光素子からなり、いわゆ
るプッシュプル法により、消去光スポット22のトラッ
キング誤差を検出して、消去光トラッキング制御信号を
得るように構成させている。
発明が解決しようとする問題点
上記のような構成の従来の光ヘッドについて以下にその
問題点を説明する。消去光スポット22は記録再生光ス
ポット1oの後をずれなくトレースしなければならない
が、そのとき第11図に示すようにアニールスポット2
4が種々の形態をとる。図(2L)はアニールスポット
が回転している場合であり、消去ビーム形成手段19が
消去光ビーム18の光軸まわりに回転したときに発生す
る。図(b)はアニールスポット24が曲がっている場
合であυ、消去ビーム形成手段19の製作精度が悪いと
きに発生する。アニールスポット24は前述したように
複数の光スポットの集積として形成されるため、この要
素スポット2Bの結像位置がトラック21上に並ばない
場合にこの状態が起る。そして、各要素スポット28の
結像位置は消去ビーム形成手段19の傾斜面の製作精度
に依存するので、この精度が劣下したとき、上記の状態
となる。
問題点を説明する。消去光スポット22は記録再生光ス
ポット1oの後をずれなくトレースしなければならない
が、そのとき第11図に示すようにアニールスポット2
4が種々の形態をとる。図(2L)はアニールスポット
が回転している場合であり、消去ビーム形成手段19が
消去光ビーム18の光軸まわりに回転したときに発生す
る。図(b)はアニールスポット24が曲がっている場
合であυ、消去ビーム形成手段19の製作精度が悪いと
きに発生する。アニールスポット24は前述したように
複数の光スポットの集積として形成されるため、この要
素スポット2Bの結像位置がトラック21上に並ばない
場合にこの状態が起る。そして、各要素スポット28の
結像位置は消去ビーム形成手段19の傾斜面の製作精度
に依存するので、この精度が劣下したとき、上記の状態
となる。
記録再生スポット10.メルトスポット23.アニール
スポット24はトラック上に精度よく並べなければなら
ないが、その精度は0.1μm程度と非常に厳しく、こ
のため消去ビーム形成手段19の製作精度も角度精度子
分の1度と高精度が要求される。したがってアニールス
ポット24をまっすぐに形成することはむずかしく、多
少的がってしまうのが現状である。
スポット24はトラック上に精度よく並べなければなら
ないが、その精度は0.1μm程度と非常に厳しく、こ
のため消去ビーム形成手段19の製作精度も角度精度子
分の1度と高精度が要求される。したがってアニールス
ポット24をまっすぐに形成することはむずかしく、多
少的がってしまうのが現状である。
このように曲がったり、回転しているアニールスポット
24をもつ消去光スポツト22全体を使用して消去光ス
ポット22のトラッキング制御すると、艮好なトラッキ
ングができないことは明らかであり、この点が従来の問
題点であり、この改善策が望まれるところである。
24をもつ消去光スポツト22全体を使用して消去光ス
ポット22のトラッキング制御すると、艮好なトラッキ
ングができないことは明らかであり、この点が従来の問
題点であり、この改善策が望まれるところである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記のような従来の問題点を解決するため、波
長λ1の記録再生元ビームと、波長λ2の消去光ビーム
を合成した後、絞りレンズで絞り込んでディスク上に記
録再生スポットと、ピークが高くトラック方向に短いメ
ルトスポットおよびピークが低くトラック方向に長いア
ニールスポットからなる消去光スポットを形成し、ディ
スク反射消去光ビームのうち、メルトビームのみを用い
てトラ・ンキング誤差信号を検出し、消去ビーム移動手
段を用いて、上記消去光スポットが上記記録再生光スポ
ットと同一のトラック上に結像するように制御したもの
である。
長λ1の記録再生元ビームと、波長λ2の消去光ビーム
を合成した後、絞りレンズで絞り込んでディスク上に記
録再生スポットと、ピークが高くトラック方向に短いメ
ルトスポットおよびピークが低くトラック方向に長いア
ニールスポットからなる消去光スポットを形成し、ディ
スク反射消去光ビームのうち、メルトビームのみを用い
てトラ・ンキング誤差信号を検出し、消去ビーム移動手
段を用いて、上記消去光スポットが上記記録再生光スポ
ットと同一のトラック上に結像するように制御したもの
である。
作用
本発明は上記のようにメルトビームとアニールビームと
によシ構成された消去光ビームのメルトビームのみを検
知して消去光スポットのトラッキング制御を行なうもの
である。こうすることにより、アニールビームの形成誤
差に伴うトラッキング検出信号の不艮を除去することが
できる。
によシ構成された消去光ビームのメルトビームのみを検
知して消去光スポットのトラッキング制御を行なうもの
である。こうすることにより、アニールビームの形成誤
差に伴うトラッキング検出信号の不艮を除去することが
できる。
実施例
本発明の実施例を第1.第2図に示す。従来例と同番号
のものは同部品であり、同機能を有する。
のものは同部品であり、同機能を有する。
従来例と本発明の異なる点は消去光スポット22のトラ
ッキング制御信号の検出方法である。本発明の特徴はメ
ルトビーム23のみを用いてトラッキング制御すること
であるが以下にその説明をする。メルトビーム26は第
2図斜線で示す領域を通過した後、絞りレンズ8によっ
てディスク記録面9上に結像される。ディスク記録面9
反射後は図中の点々模様で示す領域をメルトビームが進
む、−万アニールビーム26はディスク記録面9入射前
は図中の点々模様の領域を進み、ディスク記録面9反射
後は斜線部の領域に戻る。このように検出器40のある
位置に入射する消去光ビーム18は、第2図において上
方(点々領域)にメルトビーム26、下方(斜線領域)
にアニールビーム26というように分離している。その
ため第2図に示すように下方のアニールビーム26の照
射部分を遮蔽板41で遮蔽するなどして、メルトビーム
26のみを検出することが可能となる。このようにして
、メルトビーム25のみを検出することにより、従来例
のところで説明したアニールスポット23の回転9曲が
シ等の形状形成誤差に起因して劣下したアニールスポッ
ト23のトラッキング信号を除去することができ、よυ
良好な消去光スポット22のトラッキング制御が可能と
なる。
ッキング制御信号の検出方法である。本発明の特徴はメ
ルトビーム23のみを用いてトラッキング制御すること
であるが以下にその説明をする。メルトビーム26は第
2図斜線で示す領域を通過した後、絞りレンズ8によっ
てディスク記録面9上に結像される。ディスク記録面9
反射後は図中の点々模様で示す領域をメルトビームが進
む、−万アニールビーム26はディスク記録面9入射前
は図中の点々模様の領域を進み、ディスク記録面9反射
後は斜線部の領域に戻る。このように検出器40のある
位置に入射する消去光ビーム18は、第2図において上
方(点々領域)にメルトビーム26、下方(斜線領域)
にアニールビーム26というように分離している。その
ため第2図に示すように下方のアニールビーム26の照
射部分を遮蔽板41で遮蔽するなどして、メルトビーム
26のみを検出することが可能となる。このようにして
、メルトビーム25のみを検出することにより、従来例
のところで説明したアニールスポット23の回転9曲が
シ等の形状形成誤差に起因して劣下したアニールスポッ
ト23のトラッキング信号を除去することができ、よυ
良好な消去光スポット22のトラッキング制御が可能と
なる。
発明の効果
形状形成誤差の大きいアニールスポットによる不艮なト
ラッキング信号を検知せず、メルトスポットのトラッキ
ング信号のみを利用することにより、艮好な消去光スポ
ットのトラッキング制御が可能となる。
ラッキング信号を検知せず、メルトスポットのトラッキ
ング信号のみを利用することにより、艮好な消去光スポ
ットのトラッキング制御が可能となる。
第1図(IL)は本発明の一実施例における光ヘッドの
原理図、第1図(b)は第1図(&)を直交方向から見
た原理図、第2図は検出器の構成図、第3図、第4図、
第6図は本発明の光ヘッドに用いる偏光ビームスプリッ
タの特性図、第6,7図は従来の光ヘッドの構成図、第
8図は消去光スポットの形状図、第9図は消去ビーム形
成手段の1構成図、第10図は消去ビーム移動手段の1
構成図、第11図はアニールスポットの形状誤差形態を
示す図である。 1・・・・・・記録再生半導体レーザ、12・・・・・
・消去半導体レーザ、18・・・・・・消去光ビーム、
19・・・・・・消去ビーム形成手段、2o・・・・・
・消去ビーム移動手段、22・・・・・・消去光スポッ
ト、23・・・・・・メルトスポット、24・・・・・
・アニールスポット、26・・印・メルトビーム、26
・・・・・・アニールビーム、40・・・・・・検出器
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (良) ゑしく抄初猿 第2図 13 図 (ルa) 第6図 !■の滴第5こ−ム、入フ゛ソーI7 〃トζど一4チ1婁R炙 第8図 ?2 I4森九スポット オタ鵞η方イリ デテ才
スク負シ未1力第9!!I
原理図、第1図(b)は第1図(&)を直交方向から見
た原理図、第2図は検出器の構成図、第3図、第4図、
第6図は本発明の光ヘッドに用いる偏光ビームスプリッ
タの特性図、第6,7図は従来の光ヘッドの構成図、第
8図は消去光スポットの形状図、第9図は消去ビーム形
成手段の1構成図、第10図は消去ビーム移動手段の1
構成図、第11図はアニールスポットの形状誤差形態を
示す図である。 1・・・・・・記録再生半導体レーザ、12・・・・・
・消去半導体レーザ、18・・・・・・消去光ビーム、
19・・・・・・消去ビーム形成手段、2o・・・・・
・消去ビーム移動手段、22・・・・・・消去光スポッ
ト、23・・・・・・メルトスポット、24・・・・・
・アニールスポット、26・・印・メルトビーム、26
・・・・・・アニールビーム、40・・・・・・検出器
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (良) ゑしく抄初猿 第2図 13 図 (ルa) 第6図 !■の滴第5こ−ム、入フ゛ソーI7 〃トζど一4チ1婁R炙 第8図 ?2 I4森九スポット オタ鵞η方イリ デテ才
スク負シ未1力第9!!I
Claims (1)
- 波長λ_1の記録再生光ビームと、波長λ_2の消去光
ビームを合成した後、絞りレンズで絞り込んでディスク
上に記録再生スポットと、ピークが高くトラック方向に
スパンの短いメルトスポットおよびピークが低くトラッ
ク方向にスパンの長いアニールスポットからなる消去光
スポットを形成し、ディスク反射消去光ビームのうち、
メルトビームのみを用いてトラッキング誤差信号を検出
し、消去ビーム移動手段を用いて、上記消去光スポット
が上記記録再生光スポットと同一のトラック上に結像す
るように制御したことを特徴とする光ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61029250A JPS62188033A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 光ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61029250A JPS62188033A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 光ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188033A true JPS62188033A (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=12271020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61029250A Pending JPS62188033A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 光ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188033A (ja) |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP61029250A patent/JPS62188033A/ja active Pending
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