JPS62195069A - 半導体素子接着用ペ−スト - Google Patents
半導体素子接着用ペ−ストInfo
- Publication number
- JPS62195069A JPS62195069A JP61034996A JP3499686A JPS62195069A JP S62195069 A JPS62195069 A JP S62195069A JP 61034996 A JP61034996 A JP 61034996A JP 3499686 A JP3499686 A JP 3499686A JP S62195069 A JPS62195069 A JP S62195069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- ion exchange
- bonding semiconductor
- present
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、 [発明の技術分野]
本発明は、半導体チップの接着に適した半導体素子接着
用ペーストに関する。
用ペーストに関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
半導体装置の製造において、金属薄板(リードフレーム
)上の所定部分に、・IC,L、SI等の半導体チップ
を電気的に接続する工程(マウント工程)は、半導体装
置の長期信頼性に影響を与える重要な工程の1つである
。 従来、この接続方法として、チップ裏面のSi面を
リードフレーム上のAuメッキ面に加熱圧接するという
Au −8iの共晶法が主流であった。 しかし、近年
の貴金属、特にA、uの高騰を契機として、樹脂モール
ド型半導体装置ではAl1−3i共晶法から、半田を使
用する方法、導電性接着剤を使用する方法などに急速に
移行しつつある。
)上の所定部分に、・IC,L、SI等の半導体チップ
を電気的に接続する工程(マウント工程)は、半導体装
置の長期信頼性に影響を与える重要な工程の1つである
。 従来、この接続方法として、チップ裏面のSi面を
リードフレーム上のAuメッキ面に加熱圧接するという
Au −8iの共晶法が主流であった。 しかし、近年
の貴金属、特にA、uの高騰を契機として、樹脂モール
ド型半導体装置ではAl1−3i共晶法から、半田を使
用する方法、導電性接着剤を使用する方法などに急速に
移行しつつある。
しかし、半田を使用する方法は、一部実用化されてはい
るが半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食
断線の原因となる欠点がある。
るが半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食
断線の原因となる欠点がある。
一方、導電性接着剤を使用する方法は、通常Ag粉末を
配合したエポキシ樹脂が用いられて、約10年程前から
一部実用化されてきたが、Au−8i、の共晶合金を生
成させる共晶法に比較して信頼性の面で満足すべきもの
がなかった。 またこの方法は、半田法に比べて耐熱性
に優れている等の長所を有してい、るが、樹脂やその硬
化剤が半導体素子接着用として作られたものでないため
に、耐湿性に劣ってアルミニウム電極の腐食を促進し断
線不良の原因となる場合が多く、やはりAu −8i共
晶法に比べて信頼性に劣っていた。
配合したエポキシ樹脂が用いられて、約10年程前から
一部実用化されてきたが、Au−8i、の共晶合金を生
成させる共晶法に比較して信頼性の面で満足すべきもの
がなかった。 またこの方法は、半田法に比べて耐熱性
に優れている等の長所を有してい、るが、樹脂やその硬
化剤が半導体素子接着用として作られたものでないため
に、耐湿性に劣ってアルミニウム電極の腐食を促進し断
線不良の原因となる場合が多く、やはりAu −8i共
晶法に比べて信頼性に劣っていた。
[発明の目的]
本発明は、上記の実情に鑑みてなされたもので、その目
的は、半導体チップへの接着性、耐加水分解性に優れる
とともに、半導体装置の耐湿信頼性を大幅に向上させる
半導体素子接着用ペーストを提供しようとするものであ
る。
的は、半導体チップへの接着性、耐加水分解性に優れる
とともに、半導体装置の耐湿信頼性を大幅に向上させる
半導体素子接着用ペーストを提供しようとするものであ
る。
[発明の概要コ
本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、樹脂中にOH基を有する無機イオン交換性物
質を配合し、不純物を捕捉固定し可動の不純物イオンを
低減させることにより、半導体素子の信頼性が向上する
ことを見いだし、本発明を完成させたものである。 即
ち、本発明は、合成樹脂、充填剤および官能基としてO
12基を有する無機オン交換物質を含有することを特徴
とする半導体素子接着用ペーストである。 そして、好
適には、該無機イオン交換物質を1〜20重量%の割合
で含有させた半導体素子接着用ペーストである。
ねた結果、樹脂中にOH基を有する無機イオン交換性物
質を配合し、不純物を捕捉固定し可動の不純物イオンを
低減させることにより、半導体素子の信頼性が向上する
ことを見いだし、本発明を完成させたものである。 即
ち、本発明は、合成樹脂、充填剤および官能基としてO
12基を有する無機オン交換物質を含有することを特徴
とする半導体素子接着用ペーストである。 そして、好
適には、該無機イオン交換物質を1〜20重量%の割合
で含有させた半導体素子接着用ペーストである。
本発明に用いる合成樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
アミド−エステル樹脂、ポリイミド−エステル樹脂、ポ
リブタジェン系樹脂等が挙げられ、これらは単独もしく
は2種以上混合して用いる。 またこれらの合成樹脂に
は反応性の希釈剤としてアリルエーテル化合物や七ノエ
ポキシ化合物を加えることもできる。
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
アミド−エステル樹脂、ポリイミド−エステル樹脂、ポ
リブタジェン系樹脂等が挙げられ、これらは単独もしく
は2種以上混合して用いる。 またこれらの合成樹脂に
は反応性の希釈剤としてアリルエーテル化合物や七ノエ
ポキシ化合物を加えることもできる。
本発明に用いる充填剤としては、導電性又は非導電性い
ずれの充填剤も広く使用することができる。 導電性充
填剤としては、金粉末、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末
、アルミニウム粉末、表面に金属層を有する樹脂粉末等
が挙げられ、一方、非導電性充填剤としては、シリカ粉
末、タルク、水和アルミナ、β−ユークリプタイト等が
挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混合して使用
する。
ずれの充填剤も広く使用することができる。 導電性充
填剤としては、金粉末、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末
、アルミニウム粉末、表面に金属層を有する樹脂粉末等
が挙げられ、一方、非導電性充填剤としては、シリカ粉
末、タルク、水和アルミナ、β−ユークリプタイト等が
挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混合して使用
する。
本発明に用いる官能基としてOH基を有する無機イオン
交換物質としては、アルカリ金属イオンに対する交換性
を有するイオン交換性のものと、ハロゲンイオン交換性
をもつ陰イオン交換性のものに分けることができる。
アルカリ金属イオン交換物質としては、アンチモン酸、
スズ酸、チタン酸、ニオブ酸、マンガン酸等の多価金属
酸およびその多価金属酸の塩、リン酸ジルコニウム、リ
ン酸チタン、リン酸スズ、リン酸セリウム、ヒ酸スズ、
ヒ酸チタン等の多価金属多塩基酸塩、モリブドリン酸、
リンタングステン酸等のへテロポリ酸等が挙げられる。
交換物質としては、アルカリ金属イオンに対する交換性
を有するイオン交換性のものと、ハロゲンイオン交換性
をもつ陰イオン交換性のものに分けることができる。
アルカリ金属イオン交換物質としては、アンチモン酸、
スズ酸、チタン酸、ニオブ酸、マンガン酸等の多価金属
酸およびその多価金属酸の塩、リン酸ジルコニウム、リ
ン酸チタン、リン酸スズ、リン酸セリウム、ヒ酸スズ、
ヒ酸チタン等の多価金属多塩基酸塩、モリブドリン酸、
リンタングステン酸等のへテロポリ酸等が挙げられる。
これらはすべてイオン交換性を示す−0−1−1+結
合を有し、このH+がアルカリ金属イオンと交換するも
のであって、例示された以外に同様の機能を有するアル
カリ金属イオン交換性物質も、本発明の無機イオン交換
性物質に包含される。 また、ハロゲンイオン交換性物
質としては、上記と同様の一〇H結合を有するもので、
ハイドロタルサイト(M(l t、 ・A12 (OH
)16GO! ・ 4H20)、鉄酸、シ/L/ D
二r’)ム酸、チタン酸、含水3@化ビスマス酸等の
含水酸化物を挙げることができ、これらは前記のアルカ
リ金属イオン交換性物質と併用することもできる。 ま
たこれらのイオン交換性物質は単独、混合品、又は複塩
などの各種の態様で使用してもよく、目的によって使い
分けることができる。 上述の各種無機イオン交換性物
質のうち、特に有用なものは、アンチモン酸およびその
塩、リン酸ジルコニウム、リン酸セリウム、リン酸スズ
、リン酸チタン、含水酸化ビスマス、含水酸化マンガン
、含水酸化スズ、含水酸化チタン、含水酸化ジルコニウ
ム等である。 この無機イオン交換性物質の使用は、半
導体素子接着用ペーストの捕捉すべきイオンの種類、量
およびペーストとして他の物性のバランス等から決定さ
れる。 通常の配合割合は、ペースト全体に対して0.
1〜20重量%であることが好ましい。 なかでも0.
5〜10重量%の範囲が特に好適である。 配合割合が
0.1重量%未満ではイオン性不純物の捕捉固定が困難
で好ましくなく、また20重量%を超えるとペースト本
来の特性が悪くなり好ましくない。
合を有し、このH+がアルカリ金属イオンと交換するも
のであって、例示された以外に同様の機能を有するアル
カリ金属イオン交換性物質も、本発明の無機イオン交換
性物質に包含される。 また、ハロゲンイオン交換性物
質としては、上記と同様の一〇H結合を有するもので、
ハイドロタルサイト(M(l t、 ・A12 (OH
)16GO! ・ 4H20)、鉄酸、シ/L/ D
二r’)ム酸、チタン酸、含水3@化ビスマス酸等の
含水酸化物を挙げることができ、これらは前記のアルカ
リ金属イオン交換性物質と併用することもできる。 ま
たこれらのイオン交換性物質は単独、混合品、又は複塩
などの各種の態様で使用してもよく、目的によって使い
分けることができる。 上述の各種無機イオン交換性物
質のうち、特に有用なものは、アンチモン酸およびその
塩、リン酸ジルコニウム、リン酸セリウム、リン酸スズ
、リン酸チタン、含水酸化ビスマス、含水酸化マンガン
、含水酸化スズ、含水酸化チタン、含水酸化ジルコニウ
ム等である。 この無機イオン交換性物質の使用は、半
導体素子接着用ペーストの捕捉すべきイオンの種類、量
およびペーストとして他の物性のバランス等から決定さ
れる。 通常の配合割合は、ペースト全体に対して0.
1〜20重量%であることが好ましい。 なかでも0.
5〜10重量%の範囲が特に好適である。 配合割合が
0.1重量%未満ではイオン性不純物の捕捉固定が困難
で好ましくなく、また20重量%を超えるとペースト本
来の特性が悪くなり好ましくない。
本発明の半導体素子接着用ペーストは、合成樹脂、充填
剤および無機イオン交換性物質を含むが、本発明の趣旨
をそこなわない限り、必要に応じて他の成分を添加する
こともできる。 本発明のペーストは、所定の成分を配
合し、セラミック三本ロールにて3回混練して容易につ
くることができ、半導体チップの接着等に使用される。
剤および無機イオン交換性物質を含むが、本発明の趣旨
をそこなわない限り、必要に応じて他の成分を添加する
こともできる。 本発明のペーストは、所定の成分を配
合し、セラミック三本ロールにて3回混練して容易につ
くることができ、半導体チップの接着等に使用される。
[発明の実施例]
次に本発明を実施例によって説明するが本発明はこれら
の実施例によって限定されるものではない。 実施例お
よび比較例において1部」は特に説明のない限り「重量
部」を意味する。
の実施例によって限定されるものではない。 実施例お
よび比較例において1部」は特に説明のない限り「重量
部」を意味する。
実施例 1
アンチモン酸スズ0.4部、エポキシ系樹脂の無溶剤型
バインダーおよび銀粉末からなる銀ペースト 100部
を、セラミック三本ロールで3回混練して、半導体素子
接着用ペースト(A)を得た。
バインダーおよび銀粉末からなる銀ペースト 100部
を、セラミック三本ロールで3回混練して、半導体素子
接着用ペースト(A)を得た。
実施例 2
アンチモン酸マンガン1.0部、ポリイミド系樹脂バイ
ンダーおよび銀粉末からなる銀ペースト100部を、実
施例1と同様に混練して半導体素子接着用ペースト(B
)を得た。
ンダーおよび銀粉末からなる銀ペースト100部を、実
施例1と同様に混練して半導体素子接着用ペースト(B
)を得た。
実施例 3
アンチモン酸ビスマス1.0部、酸無水物硬化型エポキ
シ樹脂バインダーおよび銀粉末からなる銀ペースト 1
00部を、実施例1と同様に混練して半導体素子接着用
ペースト(C)を得た。
シ樹脂バインダーおよび銀粉末からなる銀ペースト 1
00部を、実施例1と同様に混練して半導体素子接着用
ペースト(C)を得た。
比較例 1〜3
実施例1〜3の配合において無機イオン交換性物質を加
えないペーストを、比較例1〜3の接着ペースト(A−
1、B−1、C−1)とした。
えないペーストを、比較例1〜3の接着ペースト(A−
1、B−1、C−1)とした。
実施例1〜3および比較例1〜3で得られた接着ペース
トの不純物イオンの分析、耐湿性および接着性を試験し
た。 その結果を第1表に示したが、本発明のペースト
は比較例のものに比べて抽出される可動の不純物イオン
の量の少ないことがわかる。
トの不純物イオンの分析、耐湿性および接着性を試験し
た。 その結果を第1表に示したが、本発明のペースト
は比較例のものに比べて抽出される可動の不純物イオン
の量の少ないことがわかる。
第1表
度。
し発明の効果]
本発明の半導体素子接着用ペーストは、接着性、耐加水
分解性に優れているとともに、抽出される可動の不純物
イオンが少なく、電極の腐食が少なく、断線不良となる
ことがない。 従って、このペーストを使用した半導体
装置では耐湿信頼性を大幅に向上させることができる。
分解性に優れているとともに、抽出される可動の不純物
イオンが少なく、電極の腐食が少なく、断線不良となる
ことがない。 従って、このペーストを使用した半導体
装置では耐湿信頼性を大幅に向上させることができる。
特許出願人 東芝ケミカル株式会社
−1〇−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 合成樹脂、充填剤および官能基としてOH基を有す
る無機イオン交換性物質を含有することを特徴とする半
導体素子接着用ペースト。 2 官能基としてOH基を有する無機イオン交換性物質
が、0.1〜20重量%の割合で含有される特許請求の
範囲第1項記載の半導体素子接着用ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034996A JPH0623352B2 (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体素子接着用ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034996A JPH0623352B2 (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体素子接着用ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195069A true JPS62195069A (ja) | 1987-08-27 |
| JPH0623352B2 JPH0623352B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=12429748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034996A Expired - Fee Related JPH0623352B2 (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体素子接着用ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0623352B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08113769A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-07 | Tosoh Corp | 接着用組成物及び接着用組成物を用いた積層体 |
| WO1999060070A1 (en) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Sony Chemicals Corp. | Adhesive and circuit material using the adhesive |
| JP2000292916A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Murata Mfg Co Ltd | ペースト組成物、グリーンシート、並びに、多層回路基板 |
| JP2009127043A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Lintec Corp | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2018125349A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161645A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-21 | Sekisui Chem Co Ltd | High-frequency heating adhesive |
| JPS58113250A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-06 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 導電性銀ペ−スト組成物とこれを用いた半導体装置 |
| JPS60221473A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Toyo Linoleum Mfg Co Ltd:The | 溶剤型接着剤 |
| JPS6178884A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 防腐食接着剤 |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP61034996A patent/JPH0623352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161645A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-21 | Sekisui Chem Co Ltd | High-frequency heating adhesive |
| JPS58113250A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-06 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 導電性銀ペ−スト組成物とこれを用いた半導体装置 |
| JPS60221473A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Toyo Linoleum Mfg Co Ltd:The | 溶剤型接着剤 |
| JPS6178884A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 防腐食接着剤 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08113769A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-07 | Tosoh Corp | 接着用組成物及び接着用組成物を用いた積層体 |
| WO1999060070A1 (en) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Sony Chemicals Corp. | Adhesive and circuit material using the adhesive |
| JP2000292916A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Murata Mfg Co Ltd | ペースト組成物、グリーンシート、並びに、多層回路基板 |
| JP2009127043A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Lintec Corp | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2018125349A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0623352B2 (ja) | 1994-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |