JPS62195069A - 半導体素子接着用ペ−スト - Google Patents

半導体素子接着用ペ−スト

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JPS62195069A
JPS62195069A JP61034996A JP3499686A JPS62195069A JP S62195069 A JPS62195069 A JP S62195069A JP 61034996 A JP61034996 A JP 61034996A JP 3499686 A JP3499686 A JP 3499686A JP S62195069 A JPS62195069 A JP S62195069A
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JP
Japan
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paste
ion exchange
bonding semiconductor
present
acid
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JP61034996A
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English (en)
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Teru Okunoyama
奥野山 輝
Yu Kubota
久保田 祐
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Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors

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  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 、 [発明の技術分野] 本発明は、半導体チップの接着に適した半導体素子接着
用ペーストに関する。
[発明の技術的背景とその問題点] 半導体装置の製造において、金属薄板(リードフレーム
)上の所定部分に、・IC,L、SI等の半導体チップ
を電気的に接続する工程(マウント工程)は、半導体装
置の長期信頼性に影響を与える重要な工程の1つである
。 従来、この接続方法として、チップ裏面のSi面を
リードフレーム上のAuメッキ面に加熱圧接するという
Au −8iの共晶法が主流であった。 しかし、近年
の貴金属、特にA、uの高騰を契機として、樹脂モール
ド型半導体装置ではAl1−3i共晶法から、半田を使
用する方法、導電性接着剤を使用する方法などに急速に
移行しつつある。
しかし、半田を使用する方法は、一部実用化されてはい
るが半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食
断線の原因となる欠点がある。
一方、導電性接着剤を使用する方法は、通常Ag粉末を
配合したエポキシ樹脂が用いられて、約10年程前から
一部実用化されてきたが、Au−8i、の共晶合金を生
成させる共晶法に比較して信頼性の面で満足すべきもの
がなかった。 またこの方法は、半田法に比べて耐熱性
に優れている等の長所を有してい、るが、樹脂やその硬
化剤が半導体素子接着用として作られたものでないため
に、耐湿性に劣ってアルミニウム電極の腐食を促進し断
線不良の原因となる場合が多く、やはりAu −8i共
晶法に比べて信頼性に劣っていた。
[発明の目的] 本発明は、上記の実情に鑑みてなされたもので、その目
的は、半導体チップへの接着性、耐加水分解性に優れる
とともに、半導体装置の耐湿信頼性を大幅に向上させる
半導体素子接着用ペーストを提供しようとするものであ
る。
[発明の概要コ 本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、樹脂中にOH基を有する無機イオン交換性物
質を配合し、不純物を捕捉固定し可動の不純物イオンを
低減させることにより、半導体素子の信頼性が向上する
ことを見いだし、本発明を完成させたものである。 即
ち、本発明は、合成樹脂、充填剤および官能基としてO
12基を有する無機オン交換物質を含有することを特徴
とする半導体素子接着用ペーストである。 そして、好
適には、該無機イオン交換物質を1〜20重量%の割合
で含有させた半導体素子接着用ペーストである。
本発明に用いる合成樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
アミド−エステル樹脂、ポリイミド−エステル樹脂、ポ
リブタジェン系樹脂等が挙げられ、これらは単独もしく
は2種以上混合して用いる。 またこれらの合成樹脂に
は反応性の希釈剤としてアリルエーテル化合物や七ノエ
ポキシ化合物を加えることもできる。
本発明に用いる充填剤としては、導電性又は非導電性い
ずれの充填剤も広く使用することができる。 導電性充
填剤としては、金粉末、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末
、アルミニウム粉末、表面に金属層を有する樹脂粉末等
が挙げられ、一方、非導電性充填剤としては、シリカ粉
末、タルク、水和アルミナ、β−ユークリプタイト等が
挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混合して使用
する。
本発明に用いる官能基としてOH基を有する無機イオン
交換物質としては、アルカリ金属イオンに対する交換性
を有するイオン交換性のものと、ハロゲンイオン交換性
をもつ陰イオン交換性のものに分けることができる。 
アルカリ金属イオン交換物質としては、アンチモン酸、
スズ酸、チタン酸、ニオブ酸、マンガン酸等の多価金属
酸およびその多価金属酸の塩、リン酸ジルコニウム、リ
ン酸チタン、リン酸スズ、リン酸セリウム、ヒ酸スズ、
ヒ酸チタン等の多価金属多塩基酸塩、モリブドリン酸、
リンタングステン酸等のへテロポリ酸等が挙げられる。
 これらはすべてイオン交換性を示す−0−1−1+結
合を有し、このH+がアルカリ金属イオンと交換するも
のであって、例示された以外に同様の機能を有するアル
カリ金属イオン交換性物質も、本発明の無機イオン交換
性物質に包含される。 また、ハロゲンイオン交換性物
質としては、上記と同様の一〇H結合を有するもので、
ハイドロタルサイト(M(l t、 ・A12 (OH
)16GO!  ・ 4H20)、鉄酸、シ/L/ D
 二r’)ム酸、チタン酸、含水3@化ビスマス酸等の
含水酸化物を挙げることができ、これらは前記のアルカ
リ金属イオン交換性物質と併用することもできる。 ま
たこれらのイオン交換性物質は単独、混合品、又は複塩
などの各種の態様で使用してもよく、目的によって使い
分けることができる。 上述の各種無機イオン交換性物
質のうち、特に有用なものは、アンチモン酸およびその
塩、リン酸ジルコニウム、リン酸セリウム、リン酸スズ
、リン酸チタン、含水酸化ビスマス、含水酸化マンガン
、含水酸化スズ、含水酸化チタン、含水酸化ジルコニウ
ム等である。 この無機イオン交換性物質の使用は、半
導体素子接着用ペーストの捕捉すべきイオンの種類、量
およびペーストとして他の物性のバランス等から決定さ
れる。 通常の配合割合は、ペースト全体に対して0.
1〜20重量%であることが好ましい。 なかでも0.
5〜10重量%の範囲が特に好適である。 配合割合が
0.1重量%未満ではイオン性不純物の捕捉固定が困難
で好ましくなく、また20重量%を超えるとペースト本
来の特性が悪くなり好ましくない。
本発明の半導体素子接着用ペーストは、合成樹脂、充填
剤および無機イオン交換性物質を含むが、本発明の趣旨
をそこなわない限り、必要に応じて他の成分を添加する
こともできる。 本発明のペーストは、所定の成分を配
合し、セラミック三本ロールにて3回混練して容易につ
くることができ、半導体チップの接着等に使用される。
[発明の実施例] 次に本発明を実施例によって説明するが本発明はこれら
の実施例によって限定されるものではない。 実施例お
よび比較例において1部」は特に説明のない限り「重量
部」を意味する。
実施例 1 アンチモン酸スズ0.4部、エポキシ系樹脂の無溶剤型
バインダーおよび銀粉末からなる銀ペースト 100部
を、セラミック三本ロールで3回混練して、半導体素子
接着用ペースト(A)を得た。
実施例 2 アンチモン酸マンガン1.0部、ポリイミド系樹脂バイ
ンダーおよび銀粉末からなる銀ペースト100部を、実
施例1と同様に混練して半導体素子接着用ペースト(B
)を得た。
実施例 3 アンチモン酸ビスマス1.0部、酸無水物硬化型エポキ
シ樹脂バインダーおよび銀粉末からなる銀ペースト 1
00部を、実施例1と同様に混練して半導体素子接着用
ペースト(C)を得た。
比較例 1〜3 実施例1〜3の配合において無機イオン交換性物質を加
えないペーストを、比較例1〜3の接着ペースト(A−
1、B−1、C−1)とした。
実施例1〜3および比較例1〜3で得られた接着ペース
トの不純物イオンの分析、耐湿性および接着性を試験し
た。 その結果を第1表に示したが、本発明のペースト
は比較例のものに比べて抽出される可動の不純物イオン
の量の少ないことがわかる。
第1表 度。
し発明の効果] 本発明の半導体素子接着用ペーストは、接着性、耐加水
分解性に優れているとともに、抽出される可動の不純物
イオンが少なく、電極の腐食が少なく、断線不良となる
ことがない。 従って、このペーストを使用した半導体
装置では耐湿信頼性を大幅に向上させることができる。
特許出願人 東芝ケミカル株式会社 −1〇−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 合成樹脂、充填剤および官能基としてOH基を有す
    る無機イオン交換性物質を含有することを特徴とする半
    導体素子接着用ペースト。 2 官能基としてOH基を有する無機イオン交換性物質
    が、0.1〜20重量%の割合で含有される特許請求の
    範囲第1項記載の半導体素子接着用ペースト。
JP61034996A 1986-02-21 1986-02-21 半導体素子接着用ペ−スト Expired - Fee Related JPH0623352B2 (ja)

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