JPS62196901A - Bias superposing device for microstrip line - Google Patents

Bias superposing device for microstrip line

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Publication number
JPS62196901A
JPS62196901A JP61040725A JP4072586A JPS62196901A JP S62196901 A JPS62196901 A JP S62196901A JP 61040725 A JP61040725 A JP 61040725A JP 4072586 A JP4072586 A JP 4072586A JP S62196901 A JPS62196901 A JP S62196901A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bias
microstrip line
terminal
conductor
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61040725A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Norikane
法兼 敏雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP61040725A priority Critical patent/JPS62196901A/en
Publication of JPS62196901A publication Critical patent/JPS62196901A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明はマイクロ波回路に使用されるマイクロストリ
ップラインにバイアスを重畳させるための装置に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a device for superimposing a bias on a microstrip line used in a microwave circuit.

〈従来の技術〉 従来からマイクロ波回路に使用されるマイクロストリッ
プラインにバイアスをIIさせるlζめの装置として、 ■ マイクロ波入力端子(11)に接続されたマイクロ
ストリップライン(12)と、バイアス重畳マイクロ波
出力端子(13)に接続されたマイクロストリップライ
ン(14)とを直流ブロックコンデンサ(15)を介し
て接続しているとともに、上記マイクロストリップライ
ン(14)とバイアス端子(16)との間に接続された
マイクロストリップライン(17)の所定位置に、マイ
クロ波信号周波数近傍で低インピーダンスを有するλ/
4の電気長のスタブ線路(18)をλ/4の電気長間隔
で複数個形成したもの(第4図参照)、および ■ マイクロ波入力端子(21)に接続されたマイクロ
ストリップライン(22)と、バイアスI!マイクロ波
出力端子(23)に接続されたマイクロストリップライ
ン(24)とを直流ブロックコンデンサ(25)を介し
て接続しているとともに、上記マイクロストリップライ
ン(24)とバイアス端子(26)との間に、空芯の巻
線コイルからなるチョークコイル(27)を接続し、さ
らに、バイパスコンデンサ(28)、およびスルーホー
ル(29)を形成したもの(第5図参照)が提供されて
おり、何れのものも、誘電体基板上に形成されている。
<Prior art> As a first device to apply bias to a microstrip line conventionally used in a microwave circuit, there is a device that applies bias superimposition to a microstrip line (12) connected to a microwave input terminal (11). The microstrip line (14) connected to the microwave output terminal (13) is connected via a DC block capacitor (15), and the microstrip line (14) is connected to the bias terminal (16). At a predetermined position of the microstrip line (17) connected to the
A plurality of stub lines (18) with an electrical length of 4 are formed at an electrical length interval of λ/4 (see Figure 4), and a microstrip line (22) connected to the microwave input terminal (21). And Bias I! The microstrip line (24) connected to the microwave output terminal (23) is connected via a DC block capacitor (25), and the microstrip line (24) is connected to the bias terminal (26). A choke coil (27) consisting of an air-core winding coil is connected to the coil, and a bypass capacitor (28) and a through hole (29) are formed (see Fig. 5). This is also formed on a dielectric substrate.

〈発明が解決しようとする問題点〉 上記■の構成のものにおいては、マイクロ波信号が所定
の周波数であればスタブ線路(18)が充分なチョーク
効果を発揮して、通過損失が少ない状態での信号伝送を
行なうことができるのであるが、マイクロ波信号が所定
の周波数から外れると、低インピーダンスになって充分
なチョーク効果を発揮することができず、通過損失が多
い状態での信号伝送しか行なえなくなるという問題があ
る(第3図中特性曲11B参照)。即ち、バイアス重畳
回路の帯域幅が狭くなるのである。
<Problems to be Solved by the Invention> In the configuration described in (1) above, if the microwave signal has a predetermined frequency, the stub line (18) exhibits a sufficient choke effect and the transmission loss is small. However, if the microwave signal deviates from a predetermined frequency, the impedance becomes low and a sufficient choke effect cannot be exerted, and the only way to transmit signals is with high passing loss. There is a problem in that it becomes impossible to perform (see characteristic song 11B in Fig. 3). In other words, the bandwidth of the bias superimposing circuit becomes narrower.

また、上記■の構成のものにおいては、空芯の巻線コイ
ルからなるチョークコイル(27)が静電容量、および
自己誘導を有している関係上、マイクロ波周波数帯にお
けるマイクロストリップライン(24)の通過損失が多
くなるという問題がある(第3図中特性曲線C参照)。
In addition, in the configuration (2) above, since the choke coil (27) consisting of an air-core wire-wound coil has capacitance and self-induction, the microstrip line (24) in the microwave frequency band ) has the problem of increased passing loss (see characteristic curve C in Figure 3).

〈発明の目的〉 この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
広い帯域幅にわたって充分なチョーク効果を有し、通過
損失抑制効果の高いバイアス重畳装置を提供することを
目的としている。
<Object of the invention> This invention was made in view of the above problems,
It is an object of the present invention to provide a bias superimposition device that has a sufficient choke effect over a wide bandwidth and is highly effective in suppressing transmission loss.

く問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するための、この発明のバイアス重畳
装置は、マイクロストリップラインとバイアス重畳端子
との間に直線導体を接続しているとともに、直線導体の
途中と接地導体との間に、支持体を兼ねる複数個のバイ
パス用コンデンサを取付けたものである。
Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the bias superimposing device of the present invention connects a straight conductor between the microstrip line and the bias superimposing terminal, and also connects the straight conductor to the bias superimposing terminal. A plurality of bypass capacitors, which also serve as supports, are installed between the middle and the ground conductor.

但し、上記直線導体としては、極mmであることが好ま
しい。
However, it is preferable that the linear conductor has a diameter of mm.

また、上記バイアス重畳端子とマイクロストリップライ
ンとの電磁界結合を小さくすべくバイアス重畳装置にシ
ールド用スリット溝を有する上蓋を取付けているもので
あることが好ましい。
Further, it is preferable that the bias superimposing device is provided with a top cover having a shielding slit groove in order to reduce electromagnetic coupling between the bias superimposing terminal and the microstrip line.

く作用〉 以上の構成のバイアス重畳装置であれば、マイクロスト
リップラインを通してマイクロ波信号を伝送している状
態においてバイアス重畳端子からバイアス信号を供給す
る場合に、バイアス重畳回路とマイクロストリップライ
ンとを接続する直線導体をバイパス用コンデンサにより
接地導体から離れた状態で支持しているとともに、直線
導体と接地導体との間に上記バイパス用コンデンサを介
して接続しているので、バイアス回路の特性インピーダ
ンスがマイクロストリップラインの特性インピーダンス
より大きくなり、バイアス回路への信号漏洩を抑制し、
通過損失が少ない状態でのバイアス重畳を行なわせるこ
とができる。
Effect> With the bias superimposition device having the above configuration, when a bias signal is supplied from the bias superimposition terminal while a microwave signal is being transmitted through the microstrip line, it is possible to connect the bias superimposition circuit and the microstrip line. Since the straight conductor is supported by a bypass capacitor away from the ground conductor, and the straight conductor and the ground conductor are connected via the bypass capacitor, the characteristic impedance of the bias circuit is small. It is larger than the characteristic impedance of the strip line, suppressing signal leakage to the bias circuit,
Bias superposition can be performed with little passing loss.

また、上記直線導体が極II線であれば、バイアス回路
の特性インピーダンスを大きくすることができ、より通
過損失が少ない状態でのバイアス重畳を行なわせること
ができる。
Further, if the straight conductor is a pole II line, the characteristic impedance of the bias circuit can be increased, and bias superposition can be performed with less passing loss.

さらに、上記バイアス重畳端子とマイクロストリップラ
インとの電磁界結合を小さくすべくバイアス重畳装置に
シールド用スリット溝を有する上蓋を取付けているもの
であれば、バイアス回路の特性インピーダンスZOBが
、 ZOB=601oQo1.2 (Di +02 ) /
2d(但し、Dlはスリット溝幅、D2はスリット溝深
さ、dは直S!導体の線径である)で表されるので、ス
リット溝幅、スリット溝深さの少なくとも一方を大きく
することにより、バイアス回路の特性インピーダンス2
0Bを、マイクロストリップラインの特性インピーダン
スと比べて充分に大きい値とすれば、通過損失が少ない
状態でのバイアス重畳を行なわせることができる。尚、
この場合において、上蓋もシールド効果を有し、バイア
ス端子とマイクロストリップラインとの間の電磁界結合
を小さくすることができ、通過損失の抑制を行なわせる
ことができる。
Furthermore, if the bias superimposition device is equipped with a top cover having a shielding slit groove in order to reduce the electromagnetic coupling between the bias superimposition terminal and the microstrip line, the characteristic impedance ZOB of the bias circuit is ZOB=601oQo1 .2 (Di +02) /
2d (however, Dl is the slit groove width, D2 is the slit groove depth, and d is the wire diameter of the straight S! conductor), so at least one of the slit groove width and the slit groove depth should be increased. Therefore, the characteristic impedance of the bias circuit 2
If 0B is set to a sufficiently large value compared to the characteristic impedance of the microstrip line, bias superimposition can be performed with little passing loss. still,
In this case, the top cover also has a shielding effect, making it possible to reduce electromagnetic coupling between the bias terminal and the microstrip line, thereby suppressing transmission loss.

〈実施例〉 以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。<Example> Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings showing examples.

第1図はこの発明のバイアス重畳装置の一実施例を示す
概略斜視図であり、第2図は横断面図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of the bias superimposing device of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view.

所定サイズの基板補強用キャリヤ(1)の上面所定位置
に、所定幅の接地導体(2]、および誘電体基板(3)
をこの順に形成し、誘電体基板(3)の上面中央部に、
マイクロ波入力端子(5a)と接続されるマイクロスト
リップライン(4a)と、バイアス重畳マイクロ波出力
端子(5b)と接続されるマイクロストリップライン(
4b)と、両マイクロストリップラインf4a)(4b
)を接続する直流ブロックコンデンサ(4c)とを形成
している。即ち、上記マイクロストリップライン(4a
)(4b)、誘電体基板(3)、および接地導体(2)
により、高次モード抑圧のための基板幅制限構造を形成
している。
A grounding conductor (2) of a predetermined width and a dielectric substrate (3) are placed at a predetermined position on the upper surface of a substrate reinforcing carrier (1) of a predetermined size.
are formed in this order, and at the center of the upper surface of the dielectric substrate (3),
A microstrip line (4a) connected to the microwave input terminal (5a), and a microstrip line (4a) connected to the bias superimposed microwave output terminal (5b).
4b) and both microstrip lines f4a) (4b
) and a DC block capacitor (4c) connected to the DC block capacitor (4c). That is, the above microstrip line (4a
) (4b), dielectric substrate (3), and ground conductor (2)
This forms a substrate width limiting structure for suppressing higher-order modes.

そして、上記マイクロストリップライン(4b)の所定
位置とバイアス端子(6C)との間を極Il[l線から
なる直線導体(6a)と、複数個のバイパス用コンデン
サ(6b)とからなるバイパス回路(6)で接続してい
るとともに、上記誘電体基板(3)に対応する幅を有す
る断面矩形状のスリットW4(7a)、および上記直線
導体(6a)を包囲する断面矩形状のスリット溝(7b
)とを形成したシールド上1![71を上記補強キャリ
ヤ(1)の上面に固定しており、上記直線導体(6a)
がスリット溝(7b)の中央に位r11′rJるように
複数個のバイパス用コンデンサ(6b)で支持している
とともに、直IIA導体(6a)と接地導体(2)とを
上記複数個のバイパス用コンデンサ(6b)により接続
している。
A bypass circuit consisting of a straight conductor (6a) consisting of a pole Il [l wire and a plurality of bypass capacitors (6b) (6) and has a width corresponding to the dielectric substrate (3) and has a rectangular cross section slit W4 (7a), and a slit groove (7a) with a rectangular cross section surrounding the linear conductor (6a). 7b
) on the shield formed with 1! [71 is fixed on the top surface of the reinforcing carrier (1), and the straight conductor (6a)
is supported by a plurality of bypass capacitors (6b) so that it is located at the center of the slit groove (7b), and the direct IIA conductor (6a) and the ground conductor (2) are connected to the plurality of bypass capacitors (6b). It is connected by a bypass capacitor (6b).

尚、上記直線導体(6a)としては、例えば、100μ
mφ以下の極m線が使用され、また、上記バイパス用コ
ンデンサ(6b)としては、例えば、マイクロ波帯で充
分インピーダンスが小さくなる範囲内における小容量の
チップコンデンサが使用される。
The straight conductor (6a) is, for example, 100 μm.
A pole m line having a diameter of less than mφ is used, and as the bypass capacitor (6b), for example, a small capacitance chip capacitor within a range where the impedance is sufficiently small in the microwave band is used.

さらに、上記バイパス用コンデンサ(6b)による直線
導体(6a)の接it!!導体(2]への接続は、バイ
パス用コンデンサ(6b)の端子を、金属製の基板補強
用キャリヤ(1)に接続する1ことにより簡単に行なう
ことができる。
Furthermore, the straight conductor (6a) is connected to the bypass capacitor (6b)! ! Connection to the conductor (2) can be easily made by connecting the terminal of the bypass capacitor (6b) to the metal substrate reinforcing carrier (1).

上記の構成のバイアス重畳装置の動作は次のとおりであ
る。
The operation of the bias superimposing device having the above configuration is as follows.

マイクロ波入力端子(5a)から所定の周波数のマイク
ロ波信号を供給すれば、マイクロ波信号はマイクロスト
リップライン(4a)、および直流バイアスを阻止する
ための直流ブロックコンデンサ(4c)を通してマイク
ロストリップライン(4b)に伝送される。この状態に
おいて、バイアス端子(6c)から、直流、または低周
波信号からなるバイアス信号を供給すれば、上記直線導
体(6a)、および複数個のバイパス用コンデンサ(6
b)から構成されるバイアス回路を通して上記マイクロ
ストリップライン(4b)に伝送され、上記マイクロ波
信号に上記バイアス信号が型費される。そして、バイア
ス信号が!1!畳されたマイクロ波信号がバイアス重畳
マイクロ波出力端子(5b)から取出される。
When a microwave signal of a predetermined frequency is supplied from the microwave input terminal (5a), the microwave signal passes through the microstrip line (4a) and a DC blocking capacitor (4c) for blocking DC bias. 4b). In this state, if a bias signal consisting of a direct current or a low frequency signal is supplied from the bias terminal (6c), the straight conductor (6a) and the plurality of bypass capacitors (6
b) is transmitted to the microstrip line (4b) through a bias circuit consisting of the microwave signal, and the bias signal is applied to the microwave signal. And the bias signal! 1! The convolved microwave signal is taken out from the bias superimposed microwave output terminal (5b).

また、以上の場合において、バイアス端子(6c)の側
が、マイクロストリップライン(4b)の側よりも高い
インピーダンスを有しているので、マイクロ波信号が上
記バイアス端子(6c)を通して漏洩することは殆どな
く、マイクロ波信号の通過損失を著しく抑制することが
できる。(第3図中特性曲線A参照)。そして、上記特
性曲線から明らかなように、かなり広い帯域にわたって
通過損失が少ないものであることが分かる。
Further, in the above case, since the bias terminal (6c) side has a higher impedance than the microstrip line (4b) side, the microwave signal rarely leaks through the bias terminal (6c). Therefore, the transmission loss of microwave signals can be significantly suppressed. (See characteristic curve A in Figure 3). As is clear from the above characteristic curve, it can be seen that the transmission loss is small over a fairly wide band.

〈発明の効果〉 以上のようにこの発明は、マイクロ波付@を伝送するマ
イクロストリップライン側の特性インピーダンスと比較
してバイアス重畳回路側の特性インピーダンスを、広い
周波数帯域にわたって高くすることができ、マイクロ波
信号の通過損失を低く抑制した状態でのバイアス重畳を
行なわせることができるという特有の効果を奏する。
<Effects of the Invention> As described above, the present invention can increase the characteristic impedance on the bias superimposition circuit side over a wide frequency band compared to the characteristic impedance on the microstrip line side that transmits microwave @, This has the unique effect of being able to perform bias superimposition while suppressing the passage loss of the microwave signal to a low level.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明のバイアス重畳装置の−実施例を示す
概略斜視図、 第2図は横断面図、 第3図は通過損失−周波数特性を示す図、第4図、およ
び第5図はそれぞれ従来例を示す概略平面図。 (1)・・・基板補強用キャリAア、(2)・・・接地
導体、(4b)・・・マイクロストリップライン、(6
a)・・・直線導体、(6b)・・・バイパス用コンデ
ンサ、(6C)・・・バイアス端子、(力・・・シール
ド上蓋、(7b)・・・スリット溝 特許出願人  住友電気工業株式会社 第4図 第5図
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of the bias superimposing device of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view, FIG. 3 is a diagram showing passage loss-frequency characteristics, and FIGS. 4 and 5 are FIG. 3 is a schematic plan view showing each conventional example. (1)... Carrier A for board reinforcement, (2)... Ground conductor, (4b)... Microstrip line, (6
a) Straight conductor, (6b) Bypass capacitor, (6C) Bias terminal, (Power) Shield top cover, (7b) Slit groove Patent applicant Sumitomo Electric Industries, Ltd. Company Figure 4 Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、マイクロストリップラインとバイアス重畳端子との
間に直線導体を接続しているとともに、直線導体の途中
と接地導体との間に、支持体を兼ねる複数個のバイパス
用コンデンサを取付けたことを特徴とするマイクロスト
リップライン用バイアス重畳装置。 2、上記直線導体が、極細線である上記特許請求の範囲
第1項記載のマイクロストリップライン用バイアス重畳
装置。 3、バイアス重畳端子とマイクロストリップラインとの
電磁界結合を小さくすべくバイアス重畳装置にシールド
用スリット溝を有する上蓋を取付けている上記特許請求
の範囲第1項記載のマイクロストリップライン用バイア
ス重畳装置。
[Claims] 1. A straight conductor is connected between the microstrip line and the bias overlapping terminal, and a plurality of bypass capacitors that also serve as supports are provided between the straight conductor and the ground conductor. A bias superimposition device for a microstrip line, characterized in that it is equipped with a. 2. The bias superimposition device for a microstrip line according to claim 1, wherein the straight conductor is an extremely thin wire. 3. The bias superimposition device for a microstrip line according to claim 1, wherein a top cover having a shielding slit groove is attached to the bias superimposition device in order to reduce electromagnetic coupling between the bias superimposition terminal and the microstrip line. .
JP61040725A 1986-02-25 1986-02-25 Bias superposing device for microstrip line Pending JPS62196901A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0188503U (en) * 1987-12-03 1989-06-12

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JPH0188503U (en) * 1987-12-03 1989-06-12

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