JPS62196901A - マイクロストリツプライン用バイアス重畳装置 - Google Patents
マイクロストリツプライン用バイアス重畳装置Info
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- JPS62196901A JPS62196901A JP61040725A JP4072586A JPS62196901A JP S62196901 A JPS62196901 A JP S62196901A JP 61040725 A JP61040725 A JP 61040725A JP 4072586 A JP4072586 A JP 4072586A JP S62196901 A JPS62196901 A JP S62196901A
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- JP
- Japan
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- bias
- microstrip line
- terminal
- conductor
- microwave
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- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明はマイクロ波回路に使用されるマイクロストリ
ップラインにバイアスを重畳させるための装置に関する
。
ップラインにバイアスを重畳させるための装置に関する
。
〈従来の技術〉
従来からマイクロ波回路に使用されるマイクロストリッ
プラインにバイアスをＩＩさせるｌζめの装置として、 ■ マイクロ波入力端子（１１）に接続されたマイクロ
ストリップライン（１２）と、バイアス重畳マイクロ波
出力端子（１３）に接続されたマイクロストリップライ
ン（１４）とを直流ブロックコンデンサ（１５）を介し
て接続しているとともに、上記マイクロストリップライ
ン（１４）とバイアス端子（１６）との間に接続された
マイクロストリップライン（１７）の所定位置に、マイ
クロ波信号周波数近傍で低インピーダンスを有するλ／
４の電気長のスタブ線路（１８）をλ／４の電気長間隔
で複数個形成したもの（第４図参照）、および ■ マイクロ波入力端子（２１）に接続されたマイクロ
ストリップライン（２２）と、バイアスＩ！マイクロ波
出力端子（２３）に接続されたマイクロストリップライ
ン（２４）とを直流ブロックコンデンサ（２５）を介し
て接続しているとともに、上記マイクロストリップライ
ン（２４）とバイアス端子（２６）との間に、空芯の巻
線コイルからなるチョークコイル（２７）を接続し、さ
らに、バイパスコンデンサ（２８）、およびスルーホー
ル（２９）を形成したもの（第５図参照）が提供されて
おり、何れのものも、誘電体基板上に形成されている。
プラインにバイアスをＩＩさせるｌζめの装置として、 ■ マイクロ波入力端子（１１）に接続されたマイクロ
ストリップライン（１２）と、バイアス重畳マイクロ波
出力端子（１３）に接続されたマイクロストリップライ
ン（１４）とを直流ブロックコンデンサ（１５）を介し
て接続しているとともに、上記マイクロストリップライ
ン（１４）とバイアス端子（１６）との間に接続された
マイクロストリップライン（１７）の所定位置に、マイ
クロ波信号周波数近傍で低インピーダンスを有するλ／
４の電気長のスタブ線路（１８）をλ／４の電気長間隔
で複数個形成したもの（第４図参照）、および ■ マイクロ波入力端子（２１）に接続されたマイクロ
ストリップライン（２２）と、バイアスＩ！マイクロ波
出力端子（２３）に接続されたマイクロストリップライ
ン（２４）とを直流ブロックコンデンサ（２５）を介し
て接続しているとともに、上記マイクロストリップライ
ン（２４）とバイアス端子（２６）との間に、空芯の巻
線コイルからなるチョークコイル（２７）を接続し、さ
らに、バイパスコンデンサ（２８）、およびスルーホー
ル（２９）を形成したもの（第５図参照）が提供されて
おり、何れのものも、誘電体基板上に形成されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記■の構成のものにおいては、マイクロ波信号が所定
の周波数であればスタブ線路（１８）が充分なチョーク
効果を発揮して、通過損失が少ない状態での信号伝送を
行なうことができるのであるが、マイクロ波信号が所定
の周波数から外れると、低インピーダンスになって充分
なチョーク効果を発揮することができず、通過損失が多
い状態での信号伝送しか行なえなくなるという問題があ
る（第３図中特性曲１１Ｂ参照）。即ち、バイアス重畳
回路の帯域幅が狭くなるのである。
の周波数であればスタブ線路（１８）が充分なチョーク
効果を発揮して、通過損失が少ない状態での信号伝送を
行なうことができるのであるが、マイクロ波信号が所定
の周波数から外れると、低インピーダンスになって充分
なチョーク効果を発揮することができず、通過損失が多
い状態での信号伝送しか行なえなくなるという問題があ
る（第３図中特性曲１１Ｂ参照）。即ち、バイアス重畳
回路の帯域幅が狭くなるのである。
また、上記■の構成のものにおいては、空芯の巻線コイ
ルからなるチョークコイル（２７）が静電容量、および
自己誘導を有している関係上、マイクロ波周波数帯にお
けるマイクロストリップライン（２４）の通過損失が多
くなるという問題がある（第３図中特性曲線Ｃ参照）。
ルからなるチョークコイル（２７）が静電容量、および
自己誘導を有している関係上、マイクロ波周波数帯にお
けるマイクロストリップライン（２４）の通過損失が多
くなるという問題がある（第３図中特性曲線Ｃ参照）。
〈発明の目的〉
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
広い帯域幅にわたって充分なチョーク効果を有し、通過
損失抑制効果の高いバイアス重畳装置を提供することを
目的としている。
広い帯域幅にわたって充分なチョーク効果を有し、通過
損失抑制効果の高いバイアス重畳装置を提供することを
目的としている。
く問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための、この発明のバイアス重畳
装置は、マイクロストリップラインとバイアス重畳端子
との間に直線導体を接続しているとともに、直線導体の
途中と接地導体との間に、支持体を兼ねる複数個のバイ
パス用コンデンサを取付けたものである。
装置は、マイクロストリップラインとバイアス重畳端子
との間に直線導体を接続しているとともに、直線導体の
途中と接地導体との間に、支持体を兼ねる複数個のバイ
パス用コンデンサを取付けたものである。
但し、上記直線導体としては、極ｍｍであることが好ま
しい。
しい。
また、上記バイアス重畳端子とマイクロストリップライ
ンとの電磁界結合を小さくすべくバイアス重畳装置にシ
ールド用スリット溝を有する上蓋を取付けているもので
あることが好ましい。
ンとの電磁界結合を小さくすべくバイアス重畳装置にシ
ールド用スリット溝を有する上蓋を取付けているもので
あることが好ましい。
く作用〉
以上の構成のバイアス重畳装置であれば、マイクロスト
リップラインを通してマイクロ波信号を伝送している状
態においてバイアス重畳端子からバイアス信号を供給す
る場合に、バイアス重畳回路とマイクロストリップライ
ンとを接続する直線導体をバイパス用コンデンサにより
接地導体から離れた状態で支持しているとともに、直線
導体と接地導体との間に上記バイパス用コンデンサを介
して接続しているので、バイアス回路の特性インピーダ
ンスがマイクロストリップラインの特性インピーダンス
より大きくなり、バイアス回路への信号漏洩を抑制し、
通過損失が少ない状態でのバイアス重畳を行なわせるこ
とができる。
リップラインを通してマイクロ波信号を伝送している状
態においてバイアス重畳端子からバイアス信号を供給す
る場合に、バイアス重畳回路とマイクロストリップライ
ンとを接続する直線導体をバイパス用コンデンサにより
接地導体から離れた状態で支持しているとともに、直線
導体と接地導体との間に上記バイパス用コンデンサを介
して接続しているので、バイアス回路の特性インピーダ
ンスがマイクロストリップラインの特性インピーダンス
より大きくなり、バイアス回路への信号漏洩を抑制し、
通過損失が少ない状態でのバイアス重畳を行なわせるこ
とができる。
また、上記直線導体が極ＩＩ線であれば、バイアス回路
の特性インピーダンスを大きくすることができ、より通
過損失が少ない状態でのバイアス重畳を行なわせること
ができる。
の特性インピーダンスを大きくすることができ、より通
過損失が少ない状態でのバイアス重畳を行なわせること
ができる。
さらに、上記バイアス重畳端子とマイクロストリップラ
インとの電磁界結合を小さくすべくバイアス重畳装置に
シールド用スリット溝を有する上蓋を取付けているもの
であれば、バイアス回路の特性インピーダンスＺＯＢが
、 ＺＯＢ＝６０１ｏＱｏ１．２ （Ｄｉ ＋０２ ） ／
２ｄ（但し、Ｄｌはスリット溝幅、Ｄ２はスリット溝深
さ、ｄは直Ｓ！導体の線径である）で表されるので、ス
リット溝幅、スリット溝深さの少なくとも一方を大きく
することにより、バイアス回路の特性インピーダンス２
０Ｂを、マイクロストリップラインの特性インピーダン
スと比べて充分に大きい値とすれば、通過損失が少ない
状態でのバイアス重畳を行なわせることができる。尚、
この場合において、上蓋もシールド効果を有し、バイア
ス端子とマイクロストリップラインとの間の電磁界結合
を小さくすることができ、通過損失の抑制を行なわせる
ことができる。
インとの電磁界結合を小さくすべくバイアス重畳装置に
シールド用スリット溝を有する上蓋を取付けているもの
であれば、バイアス回路の特性インピーダンスＺＯＢが
、 ＺＯＢ＝６０１ｏＱｏ１．２ （Ｄｉ ＋０２ ） ／
２ｄ（但し、Ｄｌはスリット溝幅、Ｄ２はスリット溝深
さ、ｄは直Ｓ！導体の線径である）で表されるので、ス
リット溝幅、スリット溝深さの少なくとも一方を大きく
することにより、バイアス回路の特性インピーダンス２
０Ｂを、マイクロストリップラインの特性インピーダン
スと比べて充分に大きい値とすれば、通過損失が少ない
状態でのバイアス重畳を行なわせることができる。尚、
この場合において、上蓋もシールド効果を有し、バイア
ス端子とマイクロストリップラインとの間の電磁界結合
を小さくすることができ、通過損失の抑制を行なわせる
ことができる。
〈実施例〉
以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。
第１図はこの発明のバイアス重畳装置の一実施例を示す
概略斜視図であり、第２図は横断面図である。
概略斜視図であり、第２図は横断面図である。
所定サイズの基板補強用キャリヤ（１）の上面所定位置
に、所定幅の接地導体（２］、および誘電体基板（３）
をこの順に形成し、誘電体基板（３）の上面中央部に、
マイクロ波入力端子（５ａ）と接続されるマイクロスト
リップライン（４ａ）と、バイアス重畳マイクロ波出力
端子（５ｂ）と接続されるマイクロストリップライン（
４ｂ）と、両マイクロストリップラインｆ４ａ）（４ｂ
）を接続する直流ブロックコンデンサ（４ｃ）とを形成
している。即ち、上記マイクロストリップライン（４ａ
）（４ｂ）、誘電体基板（３）、および接地導体（２）
により、高次モード抑圧のための基板幅制限構造を形成
している。
に、所定幅の接地導体（２］、および誘電体基板（３）
をこの順に形成し、誘電体基板（３）の上面中央部に、
マイクロ波入力端子（５ａ）と接続されるマイクロスト
リップライン（４ａ）と、バイアス重畳マイクロ波出力
端子（５ｂ）と接続されるマイクロストリップライン（
４ｂ）と、両マイクロストリップラインｆ４ａ）（４ｂ
）を接続する直流ブロックコンデンサ（４ｃ）とを形成
している。即ち、上記マイクロストリップライン（４ａ
）（４ｂ）、誘電体基板（３）、および接地導体（２）
により、高次モード抑圧のための基板幅制限構造を形成
している。
そして、上記マイクロストリップライン（４ｂ）の所定
位置とバイアス端子（６Ｃ）との間を極Ｉｌ［ｌ線から
なる直線導体（６ａ）と、複数個のバイパス用コンデン
サ（６ｂ）とからなるバイパス回路（６）で接続してい
るとともに、上記誘電体基板（３）に対応する幅を有す
る断面矩形状のスリットＷ４（７ａ）、および上記直線
導体（６ａ）を包囲する断面矩形状のスリット溝（７ｂ
）とを形成したシールド上１！［７１を上記補強キャリ
ヤ（１）の上面に固定しており、上記直線導体（６ａ）
がスリット溝（７ｂ）の中央に位ｒ１１′ｒＪるように
複数個のバイパス用コンデンサ（６ｂ）で支持している
とともに、直ＩＩＡ導体（６ａ）と接地導体（２）とを
上記複数個のバイパス用コンデンサ（６ｂ）により接続
している。
位置とバイアス端子（６Ｃ）との間を極Ｉｌ［ｌ線から
なる直線導体（６ａ）と、複数個のバイパス用コンデン
サ（６ｂ）とからなるバイパス回路（６）で接続してい
るとともに、上記誘電体基板（３）に対応する幅を有す
る断面矩形状のスリットＷ４（７ａ）、および上記直線
導体（６ａ）を包囲する断面矩形状のスリット溝（７ｂ
）とを形成したシールド上１！［７１を上記補強キャリ
ヤ（１）の上面に固定しており、上記直線導体（６ａ）
がスリット溝（７ｂ）の中央に位ｒ１１′ｒＪるように
複数個のバイパス用コンデンサ（６ｂ）で支持している
とともに、直ＩＩＡ導体（６ａ）と接地導体（２）とを
上記複数個のバイパス用コンデンサ（６ｂ）により接続
している。
尚、上記直線導体（６ａ）としては、例えば、１００μ
ｍφ以下の極ｍ線が使用され、また、上記バイパス用コ
ンデンサ（６ｂ）としては、例えば、マイクロ波帯で充
分インピーダンスが小さくなる範囲内における小容量の
チップコンデンサが使用される。
ｍφ以下の極ｍ線が使用され、また、上記バイパス用コ
ンデンサ（６ｂ）としては、例えば、マイクロ波帯で充
分インピーダンスが小さくなる範囲内における小容量の
チップコンデンサが使用される。
さらに、上記バイパス用コンデンサ（６ｂ）による直線
導体（６ａ）の接ｉｔ！！導体（２］への接続は、バイ
パス用コンデンサ（６ｂ）の端子を、金属製の基板補強
用キャリヤ（１）に接続する１ことにより簡単に行なう
ことができる。
導体（６ａ）の接ｉｔ！！導体（２］への接続は、バイ
パス用コンデンサ（６ｂ）の端子を、金属製の基板補強
用キャリヤ（１）に接続する１ことにより簡単に行なう
ことができる。
上記の構成のバイアス重畳装置の動作は次のとおりであ
る。
る。
マイクロ波入力端子（５ａ）から所定の周波数のマイク
ロ波信号を供給すれば、マイクロ波信号はマイクロスト
リップライン（４ａ）、および直流バイアスを阻止する
ための直流ブロックコンデンサ（４ｃ）を通してマイク
ロストリップライン（４ｂ）に伝送される。この状態に
おいて、バイアス端子（６ｃ）から、直流、または低周
波信号からなるバイアス信号を供給すれば、上記直線導
体（６ａ）、および複数個のバイパス用コンデンサ（６
ｂ）から構成されるバイアス回路を通して上記マイクロ
ストリップライン（４ｂ）に伝送され、上記マイクロ波
信号に上記バイアス信号が型費される。そして、バイア
ス信号が！１！畳されたマイクロ波信号がバイアス重畳
マイクロ波出力端子（５ｂ）から取出される。
ロ波信号を供給すれば、マイクロ波信号はマイクロスト
リップライン（４ａ）、および直流バイアスを阻止する
ための直流ブロックコンデンサ（４ｃ）を通してマイク
ロストリップライン（４ｂ）に伝送される。この状態に
おいて、バイアス端子（６ｃ）から、直流、または低周
波信号からなるバイアス信号を供給すれば、上記直線導
体（６ａ）、および複数個のバイパス用コンデンサ（６
ｂ）から構成されるバイアス回路を通して上記マイクロ
ストリップライン（４ｂ）に伝送され、上記マイクロ波
信号に上記バイアス信号が型費される。そして、バイア
ス信号が！１！畳されたマイクロ波信号がバイアス重畳
マイクロ波出力端子（５ｂ）から取出される。
また、以上の場合において、バイアス端子（６ｃ）の側
が、マイクロストリップライン（４ｂ）の側よりも高い
インピーダンスを有しているので、マイクロ波信号が上
記バイアス端子（６ｃ）を通して漏洩することは殆どな
く、マイクロ波信号の通過損失を著しく抑制することが
できる。（第３図中特性曲線Ａ参照）。そして、上記特
性曲線から明らかなように、かなり広い帯域にわたって
通過損失が少ないものであることが分かる。
が、マイクロストリップライン（４ｂ）の側よりも高い
インピーダンスを有しているので、マイクロ波信号が上
記バイアス端子（６ｃ）を通して漏洩することは殆どな
く、マイクロ波信号の通過損失を著しく抑制することが
できる。（第３図中特性曲線Ａ参照）。そして、上記特
性曲線から明らかなように、かなり広い帯域にわたって
通過損失が少ないものであることが分かる。
〈発明の効果〉
以上のようにこの発明は、マイクロ波付＠を伝送するマ
イクロストリップライン側の特性インピーダンスと比較
してバイアス重畳回路側の特性インピーダンスを、広い
周波数帯域にわたって高くすることができ、マイクロ波
信号の通過損失を低く抑制した状態でのバイアス重畳を
行なわせることができるという特有の効果を奏する。
イクロストリップライン側の特性インピーダンスと比較
してバイアス重畳回路側の特性インピーダンスを、広い
周波数帯域にわたって高くすることができ、マイクロ波
信号の通過損失を低く抑制した状態でのバイアス重畳を
行なわせることができるという特有の効果を奏する。
第１図はこの発明のバイアス重畳装置の−実施例を示す
概略斜視図、 第２図は横断面図、 第３図は通過損失−周波数特性を示す図、第４図、およ
び第５図はそれぞれ従来例を示す概略平面図。 （１）・・・基板補強用キャリＡア、（２）・・・接地
導体、（４ｂ）・・・マイクロストリップライン、（６
ａ）・・・直線導体、（６ｂ）・・・バイパス用コンデ
ンサ、（６Ｃ）・・・バイアス端子、（力・・・シール
ド上蓋、（７ｂ）・・・スリット溝 特許出願人 住友電気工業株式会社 第４図 第５図
概略斜視図、 第２図は横断面図、 第３図は通過損失−周波数特性を示す図、第４図、およ
び第５図はそれぞれ従来例を示す概略平面図。 （１）・・・基板補強用キャリＡア、（２）・・・接地
導体、（４ｂ）・・・マイクロストリップライン、（６
ａ）・・・直線導体、（６ｂ）・・・バイパス用コンデ
ンサ、（６Ｃ）・・・バイアス端子、（力・・・シール
ド上蓋、（７ｂ）・・・スリット溝 特許出願人 住友電気工業株式会社 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マイクロストリップラインとバイアス重畳端子との
間に直線導体を接続しているとともに、直線導体の途中
と接地導体との間に、支持体を兼ねる複数個のバイパス
用コンデンサを取付けたことを特徴とするマイクロスト
リップライン用バイアス重畳装置。 ２、上記直線導体が、極細線である上記特許請求の範囲
第１項記載のマイクロストリップライン用バイアス重畳
装置。 ３、バイアス重畳端子とマイクロストリップラインとの
電磁界結合を小さくすべくバイアス重畳装置にシールド
用スリット溝を有する上蓋を取付けている上記特許請求
の範囲第１項記載のマイクロストリップライン用バイア
ス重畳装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040725A JPS62196901A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | マイクロストリツプライン用バイアス重畳装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040725A JPS62196901A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | マイクロストリツプライン用バイアス重畳装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196901A true JPS62196901A (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=12588587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040725A Pending JPS62196901A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | マイクロストリツプライン用バイアス重畳装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62196901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0188503U (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-12 |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP61040725A patent/JPS62196901A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0188503U (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-12 |
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