JPS62201325A - 赤外線検知器 - Google Patents
赤外線検知器Info
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- JPS62201325A JPS62201325A JP61025019A JP2501986A JPS62201325A JP S62201325 A JPS62201325 A JP S62201325A JP 61025019 A JP61025019 A JP 61025019A JP 2501986 A JP2501986 A JP 2501986A JP S62201325 A JPS62201325 A JP S62201325A
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- Japan
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- infrared
- infrared rays
- reflected
- absorber
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の１１′＃細な説ＩＪＩ
〔概要〕
本発明は、赤外線透過材からなる基体ｌＯ９該基体１０
の片面１ユに形成された赤外線吸収体層１１、該吸収体
層のトに形成された。′ｊｉ’、Ｌｍ体層１２および該
、′Ａ重体層のにに形成された赤外線反射体層１３より
なる遮光部１６と、前記赤外線透過材からなる）、（体
１０と前記各層１１〜１３が形成された面と同じ側の面
の、よ基体ｌＯのＩ−に形成されたＪｉｊ記、、Ａ電体
層１２よりなる開１１部１５とをイ１するコールドシー
ルドを＃ｉ＋えていることを特徴とし、前記遮光部の赤
外線吸収作用および１−渉外用により該遮光部に入射す
る赤外線をほぼ７ｒ′１′＆Ｉ７．させるとともに、前
記開１１部に入射する赤外線をはぼそのまま透過ごせる
ことにより、赤外線検知の、ｔ６精度化を図る。
の片面１ユに形成された赤外線吸収体層１１、該吸収体
層のトに形成された。′ｊｉ’、Ｌｍ体層１２および該
、′Ａ重体層のにに形成された赤外線反射体層１３より
なる遮光部１６と、前記赤外線透過材からなる）、（体
１０と前記各層１１〜１３が形成された面と同じ側の面
の、よ基体ｌＯのＩ−に形成されたＪｉｊ記、、Ａ電体
層１２よりなる開１１部１５とをイ１するコールドシー
ルドを＃ｉ＋えていることを特徴とし、前記遮光部の赤
外線吸収作用および１−渉外用により該遮光部に入射す
る赤外線をほぼ７ｒ′１′＆Ｉ７．させるとともに、前
記開１１部に入射する赤外線をはぼそのまま透過ごせる
ことにより、赤外線検知の、ｔ６精度化を図る。
〔〆業１−の利用分野〕
本発明は赤外線検知器に関するものであり、更に、；↑
しく１丁えば赤外線検知器のコールドシールドの構造に
関するものである。
しく１丁えば赤外線検知器のコールドシールドの構造に
関するものである。
第４図は従来例に係る赤外線検知器の断面図であり、２
は基台ｌの上に固層された赤外線を検知する検知器ｆ−
である。３はコールドシールドであり１例えば表面が黒
化処即されたアルミニウムによって形成５れている。コ
ールドシールド３は赤外線を吸収する作用を有するとと
もに、赤外線の発光源とならないように、基台ｌ内の不
図示の冷却装置によって１−分に冷却されている。
は基台ｌの上に固層された赤外線を検知する検知器ｆ−
である。３はコールドシールドであり１例えば表面が黒
化処即されたアルミニウムによって形成５れている。コ
ールドシールド３は赤外線を吸収する作用を有するとと
もに、赤外線の発光源とならないように、基台ｌ内の不
図示の冷却装置によって１−分に冷却されている。
このようにコールドシールに’ ３によって不安な、又
は不都合な赤外線を祷除し、 ・方その間１１を通過し
た請・外線のみを検知ふｒ２に導くことによって赤外線
検知の高精度化を図っている。
は不都合な赤外線を祷除し、 ・方その間１１を通過し
た請・外線のみを検知ふｒ２に導くことによって赤外線
検知の高精度化を図っている。
〔発明が解決しようとする１ご、１題＋：、１、〕第５
図は第４図の部分拡大図であり、４．５は検知器ｒ２の
受光部、６は電極である。また７は例えばゲルマニウム
等で形成される界在の窓である。
図は第４図の部分拡大図であり、４．５は検知器ｒ２の
受光部、６は電極である。また７は例えばゲルマニウム
等で形成される界在の窓である。
ところで窓７を通して検知素子２に入射する赤外線のう
ち受光部４に直接入射する赤外線８はそのまま該受光部
４で検知されるが、電極６に入射する赤外線９は該電極
６によって反射され、更に窓７等によって反射されて例
えば受光部５に入射することがある。
ち受光部４に直接入射する赤外線８はそのまま該受光部
４で検知されるが、電極６に入射する赤外線９は該電極
６によって反射され、更に窓７等によって反射されて例
えば受光部５に入射することがある。
このように従来例の赤外線検知器によれば、実際には入
射すべきでない受光部５にも赤外線が入射することにな
り、検知の粘度が低ドする場合がある。
射すべきでない受光部５にも赤外線が入射することにな
り、検知の粘度が低ドする場合がある。
本発明はかかる従来例の問題点に工みて創作されたもの
であり、高精度の赤外線検知を”（ｆＥとする赤外線検
知器の提供を目的とする。
であり、高精度の赤外線検知を”（ｆＥとする赤外線検
知器の提供を目的とする。
本発明の赤外線検知器は、赤外線透過材からなる基体１
０．該）Ａ体層０の片面トに形成された赤外線吸収体層
１１．該吸収体層の上に形成された１講゛市体層１２お
よび該請゛１１１体層のにに形成された、７１、外線反
射体層１３よりなる遮光部１６と、前記赤外線透過材か
らなる基体１０と前記各層１１〜１３が形成された面と
同じ側の面の該基体１０の１、に形成された前記、１
’＋ｈ体層１２よりなる開［１部１５とを有するコール
ドシールドを備えていることを特徴とする。
０．該）Ａ体層０の片面トに形成された赤外線吸収体層
１１．該吸収体層の上に形成された１講゛市体層１２お
よび該請゛１１１体層のにに形成された、７１、外線反
射体層１３よりなる遮光部１６と、前記赤外線透過材か
らなる基体１０と前記各層１１〜１３が形成された面と
同じ側の面の該基体１０の１、に形成された前記、１
’＋ｈ体層１２よりなる開［１部１５とを有するコール
ドシールドを備えていることを特徴とする。
（角田〕
し）１０部１５は光学的に透過性の良好な屈折４４の組
み合わせに係る赤外線透過材からなる基体ｌＯと１４゛
屯体層１２から構成されているので、該１１１＋＋部に
入射する赤外線は効（に良く受光部に４〈ことができる
０ｇ光部１６に入射する赤外線は屈折十の相１ｆによっ
てその一部はまず）１（体ｌＯと吸収体層１１との境界
で反射する。・力その残りは吸収体層１１を通過するが
、その一部は吸収体層１１によって吸収される。吸収体
層１１に吸収されず誘電体層１２を透過する赤外線は反
射体層１３によって反射され誘′１に体層１２を通って
１１び吸収体層１１に入射する。ここでさらに吸収され
るが、その残りの赤外線は吸収体層１１から外へ出る。
み合わせに係る赤外線透過材からなる基体ｌＯと１４゛
屯体層１２から構成されているので、該１１１＋＋部に
入射する赤外線は効（に良く受光部に４〈ことができる
０ｇ光部１６に入射する赤外線は屈折十の相１ｆによっ
てその一部はまず）１（体ｌＯと吸収体層１１との境界
で反射する。・力その残りは吸収体層１１を通過するが
、その一部は吸収体層１１によって吸収される。吸収体
層１１に吸収されず誘電体層１２を透過する赤外線は反
射体層１３によって反射され誘′１に体層１２を通って
１１び吸収体層１１に入射する。ここでさらに吸収され
るが、その残りの赤外線は吸収体層１１から外へ出る。
ところで吸収体層１１で反射する赤外線と反射体層１３
で反射する赤外線がＪ−ＩＡ打ち消し合うように光学的
位相差を１ｊ・え、かつそれらの強電がほぼ笠しくなる
ように層の厚ざやｋＩ；折率を設定すると、遮光部１６
から外へ出る赤外線を消滅させることができる。
で反射する赤外線がＪ−ＩＡ打ち消し合うように光学的
位相差を１ｊ・え、かつそれらの強電がほぼ笠しくなる
ように層の厚ざやｋＩ；折率を設定すると、遮光部１６
から外へ出る赤外線を消滅させることができる。
このように本発明によればじ）１１１部１５に入射する
赤外線はイ１効に検知２トｒ−の受光部に導くことがで
き、一方遮光部１６に入射する赤外線は該遮光部により
消滅させることができる。このため検知器ｒ−の電極等
で反射した光が本末入射すべきでない受光部にも入射し
て検知器１■が低ドする従来例の問題−１、―、を解決
することができる。
赤外線はイ１効に検知２トｒ−の受光部に導くことがで
き、一方遮光部１６に入射する赤外線は該遮光部により
消滅させることができる。このため検知器ｒ−の電極等
で反射した光が本末入射すべきでない受光部にも入射し
て検知器１■が低ドする従来例の問題−１、―、を解決
することができる。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。：ＪＳ１図は本発明の実施例に係る赤外線検知器のコ
ールドシールドの断面図であり、ｌＯは赤外線透過材か
らなる基体である。基体１０として例えばＺ。Ｓ材が用
いられる。１１は赤外線吸収体層であり１例えばＣｒ材
又はＮ１材が用いられる。１２は誘電体層であり１例え
ばＣ，！Ｆ１材が用いられる。１３は赤外線反射体層で
あり、例えばＡｎ材が用いられる。また１４は誘°市体
層であり、例えば誘電体層１２と同様に。
。：ＪＳ１図は本発明の実施例に係る赤外線検知器のコ
ールドシールドの断面図であり、ｌＯは赤外線透過材か
らなる基体である。基体１０として例えばＺ。Ｓ材が用
いられる。１１は赤外線吸収体層であり１例えばＣｒ材
又はＮ１材が用いられる。１２は誘電体層であり１例え
ばＣ，！Ｆ１材が用いられる。１３は赤外線反射体層で
あり、例えばＡｎ材が用いられる。また１４は誘°市体
層であり、例えば誘電体層１２と同様に。
Ｃｅ Ｆｊ材が用いられる。
１５はコールドシールドの開［１部であり、Ｌ方から入
射する赤外線を効率良く透過して不図示の受光部に導く
ものである。この部分は構造的には１Ａ電体層１４ 、
Ｊ、Ｉ；体ｌＯおよび誘電体層１２の三層構造となっ
ている。
射する赤外線を効率良く透過して不図示の受光部に導く
ものである。この部分は構造的には１Ａ電体層１４ 、
Ｊ、Ｉ；体ｌＯおよび誘電体層１２の三層構造となっ
ている。
１６はコールドシール１この遮光部であり、この部分に
入射する赤外線を吸収したり、あるいはＦ渉させること
により、効率良く消滅させるものである。この部分は構
造的には誘電体層１４ 、Ｊ、（体ｉｏ、赤外線吸収体
層１１ 、詰’ｌｔＸ、体層１２．赤外線反射体層１３
の１＋層構造となっている。
入射する赤外線を吸収したり、あるいはＦ渉させること
により、効率良く消滅させるものである。この部分は構
造的には誘電体層１４ 、Ｊ、（体ｉｏ、赤外線吸収体
層１１ 、詰’ｌｔＸ、体層１２．赤外線反射体層１３
の１＋層構造となっている。
なお、Ａ主体層１４が存在しない場合にも未発１多１０
〕、（末的効果を得ることができるが、基体１０の両面
に、、に、、Ａ’心体層１４および誘電体層１２を形成
することにより、開口部１５の赤外線の透過効率をより
・層高くすることができる。
〕、（末的効果を得ることができるが、基体１０の両面
に、、に、、Ａ’心体層１４および誘電体層１２を形成
することにより、開口部１５の赤外線の透過効率をより
・層高くすることができる。
次に第１図の実施例の作用について説明する。
ここで１：方から開” 部１５に入射する赤外線の波長
を入、基体１０のｈ＋１折半をｎｌとし、１Ａ重体１２
．１４の屈折率をｎ２．膜厚をｄｉとする。
を入、基体１０のｈ＋１折半をｎｌとし、１Ａ重体１２
．１４の屈折率をｎ２．膜厚をｄｉとする。
周知のようにｎ２＝Ｊ ｎｌかつｎ２Ｘｄ １−人／
４を満たすとき最高の透過率を示すから、このような条
件に合致する構造の開１１部を通過する赤外線は耐高の
透過効率で受光部に到達する。
４を満たすとき最高の透過率を示すから、このような条
件に合致する構造の開１１部を通過する赤外線は耐高の
透過効率で受光部に到達する。
次に遮光部１６に入射する赤外線１７は）、（体１０の
屈折率ｎｌと赤外線吸収体層１１の屈折率ｎ３が異なる
ため、この境界でその一部を反射する（赤外線１８）、
残りの赤外線は赤外線吸収体層１１に吸収されながらも
誘′−に体層１２を通って赤外線反射体層１３に達する
。ここで反射された赤外線は再び誘電体層１２を通り赤
外線吸収体層１１に吸収されながらもその・部は赤外線
吸収体層１１から射出する（赤外５１９）。
屈折率ｎｌと赤外線吸収体層１１の屈折率ｎ３が異なる
ため、この境界でその一部を反射する（赤外線１８）、
残りの赤外線は赤外線吸収体層１１に吸収されながらも
誘′−に体層１２を通って赤外線反射体層１３に達する
。ここで反射された赤外線は再び誘電体層１２を通り赤
外線吸収体層１１に吸収されながらもその・部は赤外線
吸収体層１１から射出する（赤外５１９）。
ところで赤外線１８と赤外線１９の強度を等しく、かつ
位相を半波長ずらしておくことによりこれらの赤外線を
相殺し、実質的に遮光部１６から赤外線が外側に出るこ
とを防１１することができる。
位相を半波長ずらしておくことによりこれらの赤外線を
相殺し、実質的に遮光部１６から赤外線が外側に出るこ
とを防１１することができる。
なお赤外線１８と赤外線１９の強度の調整は吸収体層１
１の材質と膜厚の調整により１能である。また位相差の
調整は誘電体層２の膜厚の調整により■ｆ鋤である。特
に基体ｌＯ９吸収体層１１、誘電体層１２．反射体層１
３の各ｈ＋ｉ折（ｉｎｌ 、ｎ２．ｎ３．ｎ４ｃ７）間
にｎ １ ＜ ｎ ２ 。
１の材質と膜厚の調整により１能である。また位相差の
調整は誘電体層２の膜厚の調整により■ｆ鋤である。特
に基体ｌＯ９吸収体層１１、誘電体層１２．反射体層１
３の各ｈ＋ｉ折（ｉｎｌ 、ｎ２．ｎ３．ｎ４ｃ７）間
にｎ １ ＜ ｎ ２ 。
−ｎ３＜ｎ４又はｎｌ＞ｎ２．ｎ３＞ｎ４の関係がある
とき、反射のときの位相反転の有無による位相差が生じ
ないから半波長差をＩｊ、える１４電体層１２の膜厚は
前述の開１１部１５で定めた透過効（ｌのもっとも高い
ときの膜厚ｄｉ （ｎ２Ｘｄｌ＝入／４）に一致するこ
とになる。このように開口部１５と遮光部１６の、Ａ
’、ｂ、体層１２の膜厚は同じでよいから製造１−極め
て容易にとなる利点もある。
とき、反射のときの位相反転の有無による位相差が生じ
ないから半波長差をＩｊ、える１４電体層１２の膜厚は
前述の開１１部１５で定めた透過効（ｌのもっとも高い
ときの膜厚ｄｉ （ｎ２Ｘｄｌ＝入／４）に一致するこ
とになる。このように開口部１５と遮光部１６の、Ａ
’、ｂ、体層１２の膜厚は同じでよいから製造１−極め
て容易にとなる利点もある。
このように本発明の実施例によれば開” ｌ？１１１５
を介して、°、６い透過効−＋＜で受光部に赤外線を導
く、−とができる、また遮光部１６に入射する赤外線は
実質的に消滅させることができるので、従来例のように
電極等に反射した赤外線が１１）び窓等に＋＋ｊ反射さ
れた後に本来入射すべきでない受光部に入射することを
防１１−することができ、このため検知精度の大幅な向
１．を図ることがｏ［ｆｔとなる。
を介して、°、６い透過効−＋＜で受光部に赤外線を導
く、−とができる、また遮光部１６に入射する赤外線は
実質的に消滅させることができるので、従来例のように
電極等に反射した赤外線が１１）び窓等に＋＋ｊ反射さ
れた後に本来入射すべきでない受光部に入射することを
防１１−することができ、このため検知精度の大幅な向
１．を図ることがｏ［ｆｔとなる。
第２図は本発明の実施例に係るコールドシールド２０を
検知器１’−２１のトに設けた状ｉＥミを示すト面図で
あり、′第３図は第２図のＡ−Ａ′の矢視断面図である
。
検知器１’−２１のトに設けた状ｉＥミを示すト面図で
あり、′第３図は第２図のＡ−Ａ′の矢視断面図である
。
第２図においてコールドシールド２０の遮光部１６（斜
線で示す、）は受光部２２以外の部分を遮蔽しており、
開１【部１５は受光部２２のｌＩ′１上に設けられてい
る。このようにして開口部１５に人射する赤外線はｌｉ
Ａ開口部１５を介してその真ドの受光部２２のみに導か
れる。−・方、遮光ｎ ｌ ｓ ニ人躬する赤外線は該
遮光部１６の吸収作用および１−渉外用によって消滅す
るので、従来例のように電極２３等の反射を介して別の
受光部に達するという不都合は生じない。
線で示す、）は受光部２２以外の部分を遮蔽しており、
開１【部１５は受光部２２のｌＩ′１上に設けられてい
る。このようにして開口部１５に人射する赤外線はｌｉ
Ａ開口部１５を介してその真ドの受光部２２のみに導か
れる。−・方、遮光ｎ ｌ ｓ ニ人躬する赤外線は該
遮光部１６の吸収作用および１−渉外用によって消滅す
るので、従来例のように電極２３等の反射を介して別の
受光部に達するという不都合は生じない。
以ヒ説用したように本発明によれば遮光部の赤外線吸収
作用および［渉外用により該遮光部に入射する赤外線を
ほぼ消滅されることができるとともに、開日部に入射す
る赤外線を高効率で透過させて検知器ｒ−の所定の受光
部に導くことができるので、精度の良い赤外線検知がｌ
ｉ）能となる。
作用および［渉外用により該遮光部に入射する赤外線を
ほぼ消滅されることができるとともに、開日部に入射す
る赤外線を高効率で透過させて検知器ｒ−の所定の受光
部に導くことができるので、精度の良い赤外線検知がｌ
ｉ）能となる。
第１図は本発明の実施例に係る赤外線検知器のコールド
シールドの断面図、 第２図は本発明の実施例に係るコールドシールドを検知
ぶｒの１一方に設けた状５５を示す１−面図、第３図は
第２図のＡ−Ａ’矢視断面図。 第４図は従来例に係る赤外線検知器の断面図、第５図は
第４図の部分拡大図である。 （符号の説ＩＪＩ ） ｌ・・・ノ、（台。 ２．２１・・・検知器ｆ、 ３．２０・・・コールドシールド。 ４．５．２２・・・受光部、 ６．２３・・・電極、 ７・・・窓、 ８．９，１７，１８．１９・・・赤外線。 ｌＯ・・・赤外線透過材からなるス（体、１１・・・赤
外線吸収体層、 １２．１４・・・話゛市体層、 １３・・・赤外線反射体層、 １５・・・開１１部。 １６・・・遮光部。
シールドの断面図、 第２図は本発明の実施例に係るコールドシールドを検知
ぶｒの１一方に設けた状５５を示す１−面図、第３図は
第２図のＡ−Ａ’矢視断面図。 第４図は従来例に係る赤外線検知器の断面図、第５図は
第４図の部分拡大図である。 （符号の説ＩＪＩ ） ｌ・・・ノ、（台。 ２．２１・・・検知器ｆ、 ３．２０・・・コールドシールド。 ４．５．２２・・・受光部、 ６．２３・・・電極、 ７・・・窓、 ８．９，１７，１８．１９・・・赤外線。 ｌＯ・・・赤外線透過材からなるス（体、１１・・・赤
外線吸収体層、 １２．１４・・・話゛市体層、 １３・・・赤外線反射体層、 １５・・・開１１部。 １６・・・遮光部。
Claims (4)
- （１）赤外線透過材からなる基体１０、該基体１０の片
面上に形成された赤外線吸収体層１１、該吸収体層の上
に形成された誘電体層１２および該誘電体層の上に形成
された赤外線反射体層１３よりなる遮光部１６と、 前記赤外線透過材からなる基体１０と前記各層１１〜１
３が形成された面と同じ側の面の該基体１０の上に形成
された前記誘電体層１２よりなる開口部１５とを有する
コールドシールドを備えていることを特徴とする赤外線
検知器。 - （２）前記各層１１〜１３の形成された面と反対側の前
記基体１０の面に誘電体層１４が形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の赤外線検知器
。 - （３）前記誘電体層１２、１４の赤外線の屈折率は前記
基体１０の屈折率より小さく、かつ１より大きいことを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項のいずれか
に記載の赤外線検知器。 - （４）前記赤外線吸収体１３の材質はクロム又はニッケ
ルであることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３
項のいずれかに記載の赤外線検知器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025019A JPS62201325A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 赤外線検知器 |
| EP87301053A EP0232184B1 (en) | 1986-02-07 | 1987-02-06 | Infrared detector |
| DE8787301053T DE3783144T2 (de) | 1986-02-07 | 1987-02-06 | Infrarotdetektor. |
| KR1019870000959A KR900005916B1 (ko) | 1986-02-07 | 1987-02-06 | 적외선 검출기 |
| US07/011,536 US4795907A (en) | 1986-02-07 | 1987-02-06 | Infrared detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025019A JPS62201325A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 赤外線検知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201325A true JPS62201325A (ja) | 1987-09-05 |
| JPH0453369B2 JPH0453369B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=12154193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61025019A Granted JPS62201325A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 赤外線検知器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4795907A (ja) |
| EP (1) | EP0232184B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62201325A (ja) |
| KR (1) | KR900005916B1 (ja) |
| DE (1) | DE3783144T2 (ja) |
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1987
- 1987-02-06 DE DE8787301053T patent/DE3783144T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-06 US US07/011,536 patent/US4795907A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-06 KR KR1019870000959A patent/KR900005916B1/ko not_active Expired
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| DE3783144D1 (de) | 1993-02-04 |
| KR870008175A (ko) | 1987-09-24 |
| EP0232184A2 (en) | 1987-08-12 |
| US4795907A (en) | 1989-01-03 |
| JPH0453369B2 (ja) | 1992-08-26 |
| KR900005916B1 (ko) | 1990-08-16 |
| DE3783144T2 (de) | 1993-04-22 |
| EP0232184B1 (en) | 1992-12-23 |
| EP0232184A3 (en) | 1989-06-07 |
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