JPS6220151A - 光メモリ−カ−ド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は光メモリーカードに関し、光ビームで情報の記
録・再生を行なう場合に用いて有用なものである。

く従来の技術〉 従来、この種の光メモリーカードとしては。

例えば「Ｌａ５ｅｒ　Ｃａｒｄ　Ｊ　　（商標名〕と呼
ばれるものがある。この詳細については１例えば。

Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　５ＰＩＥ　Ｖａｔ　３
２９　　Ｐ　６１〜６８に記載されている。

この従来技術に係る光メモリーカードの構造８第３図に
示す。同図Ｊこおいて、１１は透明基体、１２は記録薄
膜、１３は記録薄膜１２の記録感度を向上−させるため
の下地層、１４は記録薄膜１２および下地層１３の保護
層。

１５は記８１１再生のためのレーザー光、１６は記録し
たビットを示す。

この光メモリーカードにおける記録・再生の態様を以下
Ｉこ述べる。

まず、情報の記録は透明基体１１を通して集束したレー
ザー光１５を照射し、記録薄膜１２を溶融蒸発させるζ
七によシ行なう。そしてビット１６列の形成は対物レン
ズを含む光学系を移動させながら、レーザー光１５を点
滅させることによフ行なう。ざらに隣接したピッ）１６
列を形成するためには、ビット１６列の間隔分だけ光学
系を移動した後、同じ動作を〈ル返す。

記録した情報の再生は、レーザー光１５の出力を記録薄
膜１２が溶融しない程度に弱めてピッ１−１６による反
射光量の変化をビット１６列に沿って読み取ることによ
シ行なう。

〈発明が解決しようとする問題点〉 ところで、上記従来技術に係る光メモリーカードにおけ
る再生において、ビット１６列への光学系への位置決め
は、記録時と同じ位置へ光学系を移動させることによシ
行なうが。

こｎは機械的な移動のみによって行ない記録時のビット
１６からの反射光による制御機構をもたないため、光メ
モリーカードの出し入孔。光学系の設定位置力）らのず
れ等によシ。

レーザー光１５の光ビームの照射位置がビット１６列１
らずれ、信号の再生が行なえなくなること、あるいは隣
接したピッ）１６列の信号を検出してしまう可能性があ
る。このためピット１６の大きざおよびピット１６の間
隔をあまり小さくすることはできない。丁ｔわち、ビッ
ト１６の大きさは１０μｍ、ビット１６列の間隔は５０
μｍ程度が下限であり。

記録密度としては１名刺大のカードに約５ＸｌＯビツト
である。

本発明は、上記従来技術に鑑み、記録・再生の動作が安
定に行なえるとともに高記録密度を達成し得る光メモリ
ーカード８提供することを目的とする。

く問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成する本発明の構成は、カード状の透明基
体上に記録薄膜を形成した光メモリーカードにおいて案
内溝に沿って情報の記録・再生を行なうよう蛇行する案
内溝を前記透明基体上に形成したことを特徴とする。

く作　　　用〉 上記光メモリーカードにおいては蛇行する案内溝に沿っ
てトラッキング制御をかけながら情報の記録・再生を行
なう。また、誘導用の案内溝に必要な溝間隔で決まるト
ラック間隔の増大による記録密度の減少を補うため。

情報記録用案内？ＩＩを蛇行路とすることにより。

案内溝の有効長を増大させている。

く実　施　例〉 以下本発明の実施例を図面に基づき詳細ｉこ説明する。

第１図は本実施例の光メモリーカードの構成を示す説明
図、第２図はその断面構造を示す拡大図である。両図に
おいて、２１は誘導用の案内溝、２２は情報記録用の案
内溝、２３は透明基体、２４は記録薄膜、２５は記録薄
膜２４の記録感度を向上させるための断熱層、２６は記
録薄膜２４および断熱層２５の保護層である。

か力）る光メモリーカードの製造方法を以下に述べる。

この製造方法は従来の光ディスクの製造方法と類似して
いる。即ち、まずガラス板上にフォトレジストによシ案
内溝２１゜２２を形成し、溝原版を作製する。更に評言
すると、ガラス板上にスピンコードによりフォトレジス
トを塗布した後、フォトレジストの案内溝形成位！８集
光レーザービームによって露光する。これを現像するこ
とによシ案内溝２１，２２が形成でき、溝原版が作られ
る。次に、この溝原版に電極用として銀もしくはニッケ
ルを蒸着した後、ニッケル電鋳によってスタンパを作製
する。次に、このスタンパを用いてアクリル樹脂等のプ
ラスチック材料に射出成形法、２Ｐ（フォト・ポリマ）
法等の方法により溝を転写し、光メモリーカードの透明
基体２３が得られる。次に、　ＴｅもしくはＴｅ化合物
等からなる記録薄膜２４そ形成する。最後ｌこＣ５，等
の光吸収が小さく低熱伝導率の物質力１らなる断熱層２
５およびアクリル系光硬化樹脂等のプラスチック材料か
らなる保護層２６を形成する。

次に１本実施例の光メモリーカードによる情報の記録お
よび再生の態様を述べる。この光メモリーカードにおけ
る情報の記録および再生は、従来の光ディスクの記録・
再生と類似しておシ、半導体レーザを用いた光学ヘッド
により焦点制御およびトラック制御を力１けて行なう。

記録・再生いずれの場合にも、まず、光メモリーカード
が装着さ几ると、光学ヘッドは所定の情報記録用案内５
！２２への誘導用の案内溝２工の上にセットざｎる。本
実施例の光メモリーカードにおける分岐した誘導路の間
隔はカード端で５０μｍ隣接する誘導用の案内溝２１と
の間隔は０．５聰程度であるから１機械的な移動のみで
光学ヘッドを分岐した誘導路間の上に位置決めすること
が可能である。次に、焦点制御およびトラック制御を力
１けると同時に光学ヘッドを誘導用の案内溝２１と平行
方向に移動させると、光学ヘッドは誘導用の案内溝にト
ラッキングされた後、所定の情報記録用の案内溝２２に
導かれる。さらに光学ヘッドを誘導用の案内溝２１と平
行方向に移動させると、ヘッドはトラッキング機能によ
シ、蛇行する案内溝２工の上を左右に移動しながら進む
。情報記録用の案内溝２１は１線状に蛇行しておシ、そ
のピッチは２０μｍ、振幅は０．５ｍであシ、トラッキ
ングによる左右の移動が反転する部分の案内溝には半径
１μｍ程度の曲率をつけであるため、トラッキング機能
による追随が可能であシ、左右の移動の反転もスムーズ
ｔこ行なわれる。以上のトラッキング動作は後に述べる
再生の際と同じく記録薄膜２４が溶融しない程度にレー
ザー光の出力を弱めて行なう。

次に、記録の際には、情報記録用の案内溝２２にトラッ
キングをかけながら、記録信号に従ってパルス状にレー
ザー光の出力を増大させ、記録薄膜２４１こビットを形
成する。再生の場合ｔこは、案内溝２２に活って光学ヘ
ッドを移動しながら、ビットによる反射光量の変化を読
み取る。本実施例の光メモリーカードの情報記録用の案
内＄２２は直線状の蛇行路となっているためヘッドの左
右の移動が反転する案内溝の頂点付近では溝間の間隔が
狭くなるが、前述したようｉζ、この部分には。

半径１／７ｆｉ程度の曲率をつけであるため最も近接し
た溝間の間隔は２μ惜以上あフ、クロストークはほとん
どない。

次に、別の記録用の案内溝２２に移って記録・再生を行
なう場合には、一旦所定の情報記録用の案内溝２２への
誘導用の案内溝２１上に光学ヘッドを移動した後、上述
の動作をくり返す。

次に本発明の更に具体的な実施例について説明する。ガ
ラス板上にスピンコードにょシフオドレジスト％塗布し
た後、集束したアルゴンレーザ光で露光、現像すること
により１幅０．６ｐｔｎ深さ７００Ｘ（７）案内溝２１
．２２％形成した。１本の情報記録用の案内溝２２はピ
ッチ２０ｐｍ振幅０．５　ｗｍ　（７）蛇行路とＬｌ、
　　１枚のカード内に１００本の案内溝２２を形成した
。次にこの溝原版にニッケルを真空蒸着した後、ニッケ
ル電鋳にょシスタンプを作製した。次に、射出成形法に
より、ポリカーボネート基板ｌこ溝を転写し、９０ｗｘ
８５５ｍの名刺大の透明基体２３を作製した。次に、記
録？４膜２４としてＣ８２・Ｔｅ薄膜をプラズマ重合法
によＪ４００Ｘの厚さに形成した後、断熱層２５として
Ｃ８！薄膜をプラズマ重合法によシ２０００Ｘの厚さに
形成した。ざらに、保護層２６としてエポキシ系の光硬
化性樹脂を３０μｍの厚さに形成した。力１くして得た
光メモリーカードを半導体レーザを用いた記録再生装置
に装着し、トラッキング実験を試みたところ、光学ヘッ
ドが誘導用の案内１１１２１にトラッキングさｎた後、
所定の記録用の案内溝２２に確実にトラッキングざｎる
ことを確認した。トラッキングに要する時間は１秒以下
であル、カードの出し入れに対しても動作は安定であっ
た。次に記録用の案内溝２２上への信号記録を試みたと
ころ、レーザパワーがカード上で６　ｍ　Ｗ　、パルス
幅１００　ｎ１ｃｅで直径約１ｐｍのビットが形成され
１本実施例の光メモリーカードに２×１０ビツトの情報
を記録可能であることを確認した。さらに。

コード情報の記録−再生を試みたきころ、トラッキング
動作および案内溝２２に泊った記録−再生の動作を確認
し、かつ良好な品質の再生信号を得た・ 〈発明の効果〉 以上説明したように５本発明の光メモＩＪ−カードによ
れば案内溝に沿ってトラッキングを力１けながら情報の
記録再生を行なうため。

アクセスが容易であるば力１りでなく、情報記録用の案
内溝を蛇行路としたため、高豐度記録が可能であるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

ｍ１図は本発明の実施例に係る光メモリーカードの構成
を示す説明図、第２図はその断面構造を示す拡大断面図
、第３図は従来技術に係る光メモリーカードの構造を示
す部分断面図である。 図　　面　　中。 ２１は誘導用の案内溝。 ２２は情報記録用の案内溝。 ２３は透明基体。 ２４は記録簿１ｘ。 ２５は断熱層、 ２６は保護層である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. カード状の透明基体上に記録薄膜を形成した光メモリー
   カードにおいて案内溝に沿つて情報の記録・再生を行な
   うよう蛇行する案内溝を前記透明基体上に形成したこと
   を特徴とする光メモリーカード。