JPS6220159B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6220159B2 JPS6220159B2 JP11398279A JP11398279A JPS6220159B2 JP S6220159 B2 JPS6220159 B2 JP S6220159B2 JP 11398279 A JP11398279 A JP 11398279A JP 11398279 A JP11398279 A JP 11398279A JP S6220159 B2 JPS6220159 B2 JP S6220159B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- pieces
- support frame
- susceptor
- wafers
- Prior art date
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- Expired
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は組立式バレル型サセプタの改良に関す
る。
る。
近年、ウエハーに蒸着ガスを流してエピタキシ
ヤル成長層を形成する際、複数枚のウエハーを側
壁に嵌入保持し得るバレル型サセプタが用いられ
ている。バレル型サセプタは一体式と組立式に分
類される。組立式バレル型サセプタは一体式のそ
れに比べて個々の形状が簡素化されているため加
工時間を短くでき、かつ表面に炭化珪素皮膜を被
覆する場合、均一な炭化珪素コーテイングを容易
にできる利点を有する。また、このサセプタはウ
エハーを嵌入保持する側壁が複数枚の板状片から
なり、その1枚に欠陥が生じて使用不能になつた
場合でも、その1枚を交換するだけで他の板状片
は引き続き繰り返し使用できる利点を有する。こ
のようなことから、現在使用されているバレル型
サセプタは大部分が組立式のものである。
ヤル成長層を形成する際、複数枚のウエハーを側
壁に嵌入保持し得るバレル型サセプタが用いられ
ている。バレル型サセプタは一体式と組立式に分
類される。組立式バレル型サセプタは一体式のそ
れに比べて個々の形状が簡素化されているため加
工時間を短くでき、かつ表面に炭化珪素皮膜を被
覆する場合、均一な炭化珪素コーテイングを容易
にできる利点を有する。また、このサセプタはウ
エハーを嵌入保持する側壁が複数枚の板状片から
なり、その1枚に欠陥が生じて使用不能になつた
場合でも、その1枚を交換するだけで他の板状片
は引き続き繰り返し使用できる利点を有する。こ
のようなことから、現在使用されているバレル型
サセプタは大部分が組立式のものである。
ところで、従来の組立式バレル型サセプタは第
1図及び第2図に示す構造のものが知られてい
る。すなわち、図中1,2は上下に離間して支柱
3a,3bにより保持された上部支持板、下部支
持板であり、これら支持板1,2は互に相似した
六角形状をなし、下部支持板2が上部支持板1よ
り大きな形状をなしている。また、上部支持板1
と下部支持板2の辺には例えば炭化珪素皮膜で覆
われた人造黒鉛基材からなる6枚の台形板状片4
…4が固定され、かつ隣り合う板状片4,4は平
坦な面同志で当接している。これら板状片4…4
にはウエハーを嵌入保持するための円形窪部5…
5が形成されている。さらに上記上部支持板1に
はサセプタを回転すると共に吊下するシヤフト6
が取付けられている。なお、下部支持板2からは
支持板1,2、板状片4…4で囲まれた内部空間
の温度を検知する温度センサー7が挿置されてい
る。かかる構造のサセプタによりウエハー上にエ
ピタキシヤル成長層を形成するには、板状片4…
4の窪部5…5にウエハー8…8を嵌入保持した
後、シヤフト6により回転させ、例えばランプで
ウエハー8…8を加熱しながら上方からシリコン
ガスを供給してウエハー8…8上にシリコンエピ
タキシヤル成長層を形成する。
1図及び第2図に示す構造のものが知られてい
る。すなわち、図中1,2は上下に離間して支柱
3a,3bにより保持された上部支持板、下部支
持板であり、これら支持板1,2は互に相似した
六角形状をなし、下部支持板2が上部支持板1よ
り大きな形状をなしている。また、上部支持板1
と下部支持板2の辺には例えば炭化珪素皮膜で覆
われた人造黒鉛基材からなる6枚の台形板状片4
…4が固定され、かつ隣り合う板状片4,4は平
坦な面同志で当接している。これら板状片4…4
にはウエハーを嵌入保持するための円形窪部5…
5が形成されている。さらに上記上部支持板1に
はサセプタを回転すると共に吊下するシヤフト6
が取付けられている。なお、下部支持板2からは
支持板1,2、板状片4…4で囲まれた内部空間
の温度を検知する温度センサー7が挿置されてい
る。かかる構造のサセプタによりウエハー上にエ
ピタキシヤル成長層を形成するには、板状片4…
4の窪部5…5にウエハー8…8を嵌入保持した
後、シヤフト6により回転させ、例えばランプで
ウエハー8…8を加熱しながら上方からシリコン
ガスを供給してウエハー8…8上にシリコンエピ
タキシヤル成長層を形成する。
しかしながら、上記従来のサセプタにあつては
ウエハーを嵌入保持する複数枚の板状片4…4が
互に平坦な面で当接しているため、それら板状片
の製作時の反りやねじれにより隣り合う板状片の
当接部分に隙間が生じる。このように板状片間に
隙間が生じると、蒸着ガスとしてのシリコンガス
を供給した場合、該ガスがそれら隙間を介してサ
セプタ内に流入したり、或いは一旦流入したガス
が再び外部に流出したりするため、ウエハーが嵌
入保持された板状片表面でのガスの流れが不安定
となる。また、各板状片でも表面温度差が大きく
なり、特にランプ加熱方式の場合、その表面温度
差が著しくなる。その結果、ウエハー上に形成さ
れたエピタキシヤル成長層の品質や厚さにムラが
生じる欠点があつた。
ウエハーを嵌入保持する複数枚の板状片4…4が
互に平坦な面で当接しているため、それら板状片
の製作時の反りやねじれにより隣り合う板状片の
当接部分に隙間が生じる。このように板状片間に
隙間が生じると、蒸着ガスとしてのシリコンガス
を供給した場合、該ガスがそれら隙間を介してサ
セプタ内に流入したり、或いは一旦流入したガス
が再び外部に流出したりするため、ウエハーが嵌
入保持された板状片表面でのガスの流れが不安定
となる。また、各板状片でも表面温度差が大きく
なり、特にランプ加熱方式の場合、その表面温度
差が著しくなる。その結果、ウエハー上に形成さ
れたエピタキシヤル成長層の品質や厚さにムラが
生じる欠点があつた。
本発明は上記欠点を解消するためになされたも
ので、複数枚の板状片に嵌入保持されたウエハー
に蒸着ガスを安定かつ均一に流すことができると
共に、それらウエハーを均一に加熱し得る組立式
バレル型サセプタを提供しようとするものであ
る。
ので、複数枚の板状片に嵌入保持されたウエハー
に蒸着ガスを安定かつ均一に流すことができると
共に、それらウエハーを均一に加熱し得る組立式
バレル型サセプタを提供しようとするものであ
る。
以下、本発明の一実施例を第3図及び第4図を
参照して説明する。
参照して説明する。
図中11は下部ほど拡大した六角筒状一体支持
枠であり、この支持枠11は例えば炭化珪素皮膜
で覆われた人造黒鉛基材から形成されている。上
記支持枠11の外側面に例えば炭化珪素皮膜で覆
われた人造黒鉛基材からなる6枚の台形板状片1
2…12を隣り合う板状片12,12の側部が当
接するように固定している。これら板状片12…
12にはウエハーを嵌入保持するための多数の円
形窪部13…13が形成されている。また、上記
支持枠11の上部開口部及び下部開口部には六角
形状をなす支持板14,15が夫々設けられてお
り、これら支持板14,15は例えば炭化珪素皮
膜で覆われた人造黒鉛基材から形成されている。
上部の支持板14の中心には回転するシヤフト1
6がその先端のフランジ部17を介して挿入固定
している。なお、支持枠11及び支持板14,1
5で囲まれた内部空間18には、主にその支持枠
11の温度を検知するための温度センサー19が
下部の支持枠15から挿置されている。
枠であり、この支持枠11は例えば炭化珪素皮膜
で覆われた人造黒鉛基材から形成されている。上
記支持枠11の外側面に例えば炭化珪素皮膜で覆
われた人造黒鉛基材からなる6枚の台形板状片1
2…12を隣り合う板状片12,12の側部が当
接するように固定している。これら板状片12…
12にはウエハーを嵌入保持するための多数の円
形窪部13…13が形成されている。また、上記
支持枠11の上部開口部及び下部開口部には六角
形状をなす支持板14,15が夫々設けられてお
り、これら支持板14,15は例えば炭化珪素皮
膜で覆われた人造黒鉛基材から形成されている。
上部の支持板14の中心には回転するシヤフト1
6がその先端のフランジ部17を介して挿入固定
している。なお、支持枠11及び支持板14,1
5で囲まれた内部空間18には、主にその支持枠
11の温度を検知するための温度センサー19が
下部の支持枠15から挿置されている。
このような構成によれば、今、六角筒状一体支
持枠11に固定された6枚の板状片12…12の
円形窪部13…13に複数枚のウエハー20…2
0を嵌入保持した後、図示しないベルジヤー内に
装填し、ベルジヤー内のランプに通電すると、板
状片12…12上のウエハー20…20が加熱さ
れる。こうした状態でシヤフト16によりサセプ
タを回転させながら、サセプタ上方の蒸着ガス導
入部材から所定量のシリコンガスを供給すると、
シリコンガスは各板状片12…12上を流れる。
しかして、かかる板状片12…12は六角筒状一
体支持枠11の外側面に固定されているから、そ
れら板状片の製作時の反りやねじれによる隣り合
う板状片12,12間の隙間発生が抑制される。
このため、上記シリコンガスの供給過程におい
て、シリコンガスが板状片12,12の当接部か
ら内部に流入したり、一旦流入したガスが再び外
部に流出するのを防止できる。しかも、仮に、板
状片12,12間の当接部に多少の隙間が生じて
も、シリコンガスが内部流入するのを内側の支持
枠11で阻止できる。その結果、ウエハー20…
20を嵌入保持した板状片12,12表面でのシ
リコンガスの流れを極めて安定化できると共に、
各板状片12…12の表面温度も均一化できるた
め、板状片12…12に嵌入保持されたウエハー
20…20上に均質かつ均一厚のエピタキシヤル
成長層を形成でき、不良品発生率を著しく低減で
きる。
持枠11に固定された6枚の板状片12…12の
円形窪部13…13に複数枚のウエハー20…2
0を嵌入保持した後、図示しないベルジヤー内に
装填し、ベルジヤー内のランプに通電すると、板
状片12…12上のウエハー20…20が加熱さ
れる。こうした状態でシヤフト16によりサセプ
タを回転させながら、サセプタ上方の蒸着ガス導
入部材から所定量のシリコンガスを供給すると、
シリコンガスは各板状片12…12上を流れる。
しかして、かかる板状片12…12は六角筒状一
体支持枠11の外側面に固定されているから、そ
れら板状片の製作時の反りやねじれによる隣り合
う板状片12,12間の隙間発生が抑制される。
このため、上記シリコンガスの供給過程におい
て、シリコンガスが板状片12,12の当接部か
ら内部に流入したり、一旦流入したガスが再び外
部に流出するのを防止できる。しかも、仮に、板
状片12,12間の当接部に多少の隙間が生じて
も、シリコンガスが内部流入するのを内側の支持
枠11で阻止できる。その結果、ウエハー20…
20を嵌入保持した板状片12,12表面でのシ
リコンガスの流れを極めて安定化できると共に、
各板状片12…12の表面温度も均一化できるた
め、板状片12…12に嵌入保持されたウエハー
20…20上に均質かつ均一厚のエピタキシヤル
成長層を形成でき、不良品発生率を著しく低減で
きる。
なお、本発明に係る組立式バレル型サセプタは
上記実施例の如く六角筒状一体支持枠を用いる場
合に限定されず、四角、五角、八角等の多角筒状
一体支持枠を用いてもよい。
上記実施例の如く六角筒状一体支持枠を用いる場
合に限定されず、四角、五角、八角等の多角筒状
一体支持枠を用いてもよい。
本発明に係るサセプタの多角筒状一体支持枠、
板状片及び支持板は上記実施例の如く炭化珪素皮
膜で覆われた人造黒鉛基材から形成する場合に限
定されず、それら部材の一部或いは全部を炭化珪
素のみから形成してもよい。
板状片及び支持板は上記実施例の如く炭化珪素皮
膜で覆われた人造黒鉛基材から形成する場合に限
定されず、それら部材の一部或いは全部を炭化珪
素のみから形成してもよい。
以上詳述した如如く、本発明によれば多角筒状
一体支持枠の外側面に固定された複数枚の板状片
上のウエハーに蒸着ガスを安定かつ均一に流すこ
とができると共に、それらウエハーを均一に加熱
でき、もつて各板状片に保持した複数枚のウエハ
ー上に均質で均一厚のエピタキシヤル成長層を形
成できる等顕著な効果を有する組立式バレル型サ
セプタを提供できるものである。
一体支持枠の外側面に固定された複数枚の板状片
上のウエハーに蒸着ガスを安定かつ均一に流すこ
とができると共に、それらウエハーを均一に加熱
でき、もつて各板状片に保持した複数枚のウエハ
ー上に均質で均一厚のエピタキシヤル成長層を形
成できる等顕著な効果を有する組立式バレル型サ
セプタを提供できるものである。
第1図は従来の組立式バレル型サセプタを示す
斜視図、第2図は第1図の―線に沿う断面
図、第3図は本発明の一実施例を示す組立式バレ
ル型サセプタの斜視図、第4図は第3図の―
線に沿う断面図である。 11…六角筒状一体支持枠、12…台形板状
片、13…円形窪部、14,15…支持板、16
…シヤフト、20…ウエハー。
斜視図、第2図は第1図の―線に沿う断面
図、第3図は本発明の一実施例を示す組立式バレ
ル型サセプタの斜視図、第4図は第3図の―
線に沿う断面図である。 11…六角筒状一体支持枠、12…台形板状
片、13…円形窪部、14,15…支持板、16
…シヤフト、20…ウエハー。
Claims (1)
- 1 少なくとも表面が炭化珪素からなる多角筒状
一体支持枠の外側面に、ウエハーの嵌入保持用の
窪部を有し、少なくとも表面が炭化珪素からなる
複数の板状片を各板状片の側部が当接するように
固定したことを特徴とする組立式バレル型サセプ
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11398279A JPS5637298A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Prefabricated barrel type susceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11398279A JPS5637298A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Prefabricated barrel type susceptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5637298A JPS5637298A (en) | 1981-04-10 |
| JPS6220159B2 true JPS6220159B2 (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=14626084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11398279A Granted JPS5637298A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Prefabricated barrel type susceptor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5637298A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155484A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-25 | Showa Koki Kk | Balancer for lifting and falling window |
| JPS6394633A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 気相反応装置 |
-
1979
- 1979-09-05 JP JP11398279A patent/JPS5637298A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5637298A (en) | 1981-04-10 |
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