JPS62202075A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS62202075A JPS62202075A JP4193986A JP4193986A JPS62202075A JP S62202075 A JPS62202075 A JP S62202075A JP 4193986 A JP4193986 A JP 4193986A JP 4193986 A JP4193986 A JP 4193986A JP S62202075 A JPS62202075 A JP S62202075A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- vacuum chamber
- plate
- vacuum tank
- shaped member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は真空槽を用いた薄膜形成装置に関する。
（従来の技術）
近年、新しい材料の開発において、薄膜形成技術を用い
ることが、さかんに行なわれている。
ることが、さかんに行なわれている。
たとえば、薄膜形成装置として、スノくツタ法、蒸着法
、イオンビーム法などが知られている。
、イオンビーム法などが知られている。
スパッタ法を例にとって以下説明を進める。第４図はダ
ウンスパッタと呼ばれる構造のスノくツタ装置で、真空
槽Ｃ１ｌ内の上部に所望の薄膜を得るためのターゲット
（２）があり、下部に試料テーブル（３）、その中間に
シャツタ板（４１が配置されている。そして、一般に希
ガスと呼ばれるＡｒ（アルゴン）等のガス（６）を適量
、真空槽（１）内に導入し、ガス（５）のイオンをＤＣ
またはＡＣまたはＲＦ電源よりなるターゲット電源（６
）によってターゲット（２）に衝突させターゲット（２
）の原子または分子を試料テーブル（３）真空パルプを
示している。スパッタ装置ｔＫはその他、第５図に示す
ような試料テーブル（３）とターゲット（２）の上下関
係が両図と逆になった、アップスパッタと呼ばれる構造
の装置等もある。
ウンスパッタと呼ばれる構造のスノくツタ装置で、真空
槽Ｃ１ｌ内の上部に所望の薄膜を得るためのターゲット
（２）があり、下部に試料テーブル（３）、その中間に
シャツタ板（４１が配置されている。そして、一般に希
ガスと呼ばれるＡｒ（アルゴン）等のガス（６）を適量
、真空槽（１）内に導入し、ガス（５）のイオンをＤＣ
またはＡＣまたはＲＦ電源よりなるターゲット電源（６
）によってターゲット（２）に衝突させターゲット（２
）の原子または分子を試料テーブル（３）真空パルプを
示している。スパッタ装置ｔＫはその他、第５図に示す
ような試料テーブル（３）とターゲット（２）の上下関
係が両図と逆になった、アップスパッタと呼ばれる構造
の装置等もある。
ところで、８４図に示すようなダウンスパッタ法におい
てはターゲット（２）から飛び出る原子または分子は試
料テーブル（３）方向のみならず、真空槽（１）の内壁
のいたるところに付着して膜となり、真空槽（１）の内
壁を著しく汚すことになる。そして内壁に付着した膜α
υは数μｍオーダの厚みに堆積すると、内壁より小片状
となって剥離する。この小片状の剥離膜Ｑ２が試料テー
ブル（３）上知配置した基板（力に第６図の矢印Ａに示
す如く落下すると、その部分が遮蔽されて、目的とする
薄膜ｆ１３が正常に形成できなくなる。
てはターゲット（２）から飛び出る原子または分子は試
料テーブル（３）方向のみならず、真空槽（１）の内壁
のいたるところに付着して膜となり、真空槽（１）の内
壁を著しく汚すことになる。そして内壁に付着した膜α
υは数μｍオーダの厚みに堆積すると、内壁より小片状
となって剥離する。この小片状の剥離膜Ｑ２が試料テー
ブル（３）上知配置した基板（力に第６図の矢印Ａに示
す如く落下すると、その部分が遮蔽されて、目的とする
薄膜ｆ１３が正常に形成できなくなる。
また、第５図に示すようなアップスパッタ構造の装置に
おいては前記小片状の剥離膜がターゲット（２）上に落
下すると、これが不純物となって再スパツタされ、基板
（力上の薄膜の純度を低Ｆさせる。
おいては前記小片状の剥離膜がターゲット（２）上に落
下すると、これが不純物となって再スパツタされ、基板
（力上の薄膜の純度を低Ｆさせる。
また、前記小片状の剥離膜が金属や合金である場合には
、ターゲット（２）の電極とアースとの間にその剥離膜
が落下すると、スパッタ放電が不安定になったり、放電
が停止してしまったりすることがあった。
、ターゲット（２）の電極とアースとの間にその剥離膜
が落下すると、スパッタ放電が不安定になったり、放電
が停止してしまったりすることがあった。
そこで、上記のような問題を解決するために、従来、第
７図に示すように防着板と呼ばれるステンレス系の板状
部材α荀を真２２Ｗｌ （ｘ）の内壁を保護するような
位置に配置していた。これにより真空槽（１）の内壁の
汚れを防止していた。しかしながら、数１０μｍ以上の
薄膜（特に金属や合金の薄膜）を基板（７）上に形成す
る場合、そのスパッタ中に真空槽（１）の板状部材α養
土に前述１．．７’ｍと同様の膜が形成される。従って
、この膜がやはり剥離して、前述したのと同様の問題が
生じていた。
７図に示すように防着板と呼ばれるステンレス系の板状
部材α荀を真２２Ｗｌ （ｘ）の内壁を保護するような
位置に配置していた。これにより真空槽（１）の内壁の
汚れを防止していた。しかしながら、数１０μｍ以上の
薄膜（特に金属や合金の薄膜）を基板（７）上に形成す
る場合、そのスパッタ中に真空槽（１）の板状部材α養
土に前述１．．７’ｍと同様の膜が形成される。従って
、この膜がやはり剥離して、前述したのと同様の問題が
生じていた。
（発明が解決しようとする問題点）
上述したように従来、真空槽の内壁からの剥離膜により
薄膜形成に問題が生じていた。本発明は上述した点にか
んがみてなされたもので、安定した薄膜形成を長時間に
亘って連続的に行うことのできる薄膜形成装置を提供す
ることを目的とする。
薄膜形成に問題が生じていた。本発明は上述した点にか
んがみてなされたもので、安定した薄膜形成を長時間に
亘って連続的に行うことのできる薄膜形成装置を提供す
ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明においては薄膜形成を行う真空槽内にこの内壁側
より板状部材、網状部材の順番で両部材を重ね合せる如
くして配設せしめるよう（（シたものである。
より板状部材、網状部材の順番で両部材を重ね合せる如
くして配設せしめるよう（（シたものである。
（作 用）
上述の構成により、形成される薄膜の材料が真空槽内壁
を汚すことはなくなシ、また前記網状部材によって板状
部材から剥離した膜が薄膜形成に影響を及ぼすことが防
がれる。
を汚すことはなくなシ、また前記網状部材によって板状
部材から剥離した膜が薄膜形成に影響を及ぼすことが防
がれる。
（実施例）
以下、本発明になる薄膜形成装置の一実施例について第
１図乃至第３図にもとづいて説明する。
１図乃至第３図にもとづいて説明する。
第１図において、Ｃυは真空槽、器はターゲット、＠は
試料テーブル、＠は基板、（ハ）はステンレス系の板状
部材（防着板）、（至）は同じくステンレス系の網状部
材（金網）である。なお、この図においては従来例と同
様の電源、真空ポンプ、真空バルブ等は記載を省略して
いる。
試料テーブル、＠は基板、（ハ）はステンレス系の板状
部材（防着板）、（至）は同じくステンレス系の網状部
材（金網）である。なお、この図においては従来例と同
様の電源、真空ポンプ、真空バルブ等は記載を省略して
いる。
上記の装置の動作について次に説明する。従来と同様、
アルゴン等のガスはターゲット（至）に衝突させられ、
ターゲット（社）からはこのターゲット＠の原子または
分子が飛び出す。この原子または分子は試料テーブル（
至）に向かうもの以外は金網（至）と防着板（ハ）によ
り捕捉される格好となる。すなわち従来生じていた防着
板のからの膜の剥離が生じなくなる。ここで、金網（至
）について以下詳述する。
アルゴン等のガスはターゲット（至）に衝突させられ、
ターゲット（社）からはこのターゲット＠の原子または
分子が飛び出す。この原子または分子は試料テーブル（
至）に向かうもの以外は金網（至）と防着板（ハ）によ
り捕捉される格好となる。すなわち従来生じていた防着
板のからの膜の剥離が生じなくなる。ここで、金網（至
）について以下詳述する。
金網（至）の寸法等については実験によｐ以下の条件を
満足させると、％に膜の剥離が防止できることがわかっ
た。すなわち、第２図に示す金網（至）のワイヤ罰の径
ＤＷ、！：開口寸法Ａ、Ｂ（一般にＡ＝Ｂ）を（１）式
を満足するように設定し、かつＡ（＝Ｂ）を１ｘＩＩ以
下に設定すると良い。
満足させると、％に膜の剥離が防止できることがわかっ
た。すなわち、第２図に示す金網（至）のワイヤ罰の径
ＤＷ、！：開口寸法Ａ、Ｂ（一般にＡ＝Ｂ）を（１）式
を満足するように設定し、かつＡ（＝Ｂ）を１ｘＩＩ以
下に設定すると良い。
Ｂ
Ｎ≧了（＝了） ・・・（１）この条件の満
足は特に金ｉＡ （合金を含む）材料をスパッタすると
き釦大きな効果を発生するＣまた金網（至）と防着板（
ハ）との間隔Ｄｓ（第３図参照）Ｋついても以下の（２
）式を満足させるようにすると良い。
足は特に金ｉＡ （合金を含む）材料をスパッタすると
き釦大きな効果を発生するＣまた金網（至）と防着板（
ハ）との間隔Ｄｓ（第３図参照）Ｋついても以下の（２
）式を満足させるようにすると良い。
Ｄｓ≦Ａ ・・・（２）上記間
隔Ｄｓは金網（至）の防着板（ハ）との間に防着板（ハ
）側から発生する剥離された膜が溜ることから、膜の剥
離防止に大きく影響する。
隔Ｄｓは金網（至）の防着板（ハ）との間に防着板（ハ
）側から発生する剥離された膜が溜ることから、膜の剥
離防止に大きく影響する。
以上述べたように本実施例の装置によれば、薄膜形成に
おいて従来生じていた問題が解消され、安定した放電が
得られ、純度の高い薄膜形成を行うことができる。
おいて従来生じていた問題が解消され、安定した放電が
得られ、純度の高い薄膜形成を行うことができる。
なお、上記実施例においては防着板（至）と金網（ハ）
の材料をステンレス系としたが、本発明はこれに限られ
ることなく、真空槽に適合するものであれば何でも良い
。また真空槽にあってはスパッタ用の装置を構成したが
、本発明は同じく真空槽を用いる蒸着装置やイオンブレ
ーティング装置等にも適用できる。
の材料をステンレス系としたが、本発明はこれに限られ
ることなく、真空槽に適合するものであれば何でも良い
。また真空槽にあってはスパッタ用の装置を構成したが
、本発明は同じく真空槽を用いる蒸着装置やイオンブレ
ーティング装置等にも適用できる。
以上述べたように本発明によれば、真空槽の内壁の汚れ
や、薄膜への不純物の混入、正常な薄膜形成を妨げる剥
離膜の落下等を防止できる。
や、薄膜への不純物の混入、正常な薄膜形成を妨げる剥
離膜の落下等を防止できる。
第１図は本発明になる薄膜形成装置の一実施例を示す真
空槽内の断面図、第２図は第１図の網状部材を示す平面
図、第３図は第１図の網状部材と板状部材との配置関係
を示す部分断面図、第４図、第５図は従来の薄膜形成装
置のうちのスパッタ装置の各−例を示す断面図、第６図
は第５図の装置の問題点を説明するための部分断面図、
第７図は従来の改良されたスパッタ装置の一例を示す断
面図である。 ２１・・・真空槽、２２・・・ターゲット、る・・・試
料テーブル、 為・・・基板、δ・・・板状部材、 あ
・・・網状部材。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 宇治 弘 第１図 １１１４図 第５図
空槽内の断面図、第２図は第１図の網状部材を示す平面
図、第３図は第１図の網状部材と板状部材との配置関係
を示す部分断面図、第４図、第５図は従来の薄膜形成装
置のうちのスパッタ装置の各−例を示す断面図、第６図
は第５図の装置の問題点を説明するための部分断面図、
第７図は従来の改良されたスパッタ装置の一例を示す断
面図である。 ２１・・・真空槽、２２・・・ターゲット、る・・・試
料テーブル、 為・・・基板、δ・・・板状部材、 あ
・・・網状部材。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 宇治 弘 第１図 １１１４図 第５図
Claims (1)
- 真空槽を用い、この槽内に設けられた基板上に薄膜を形
成する薄膜形成装置において、真空槽内にこの内壁側か
ら順番に板状部材、網状部材を重ね合せる如くして配設
せしめたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193986A JPS62202075A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193986A JPS62202075A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202075A true JPS62202075A (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=12622184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4193986A Pending JPS62202075A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202075A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114964A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2007051330A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Neos Co Ltd | 真空薄膜形成装置 |
| EP2354271A1 (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate protection device and method |
| CN103122451A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-29 | 吴江南玻华东工程玻璃有限公司 | 可摇动式l型包网挡板 |
| CN103403220A (zh) * | 2010-10-21 | 2013-11-20 | 莱博德光学有限责任公司 | 用于涂布基材的装置及方法 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4193986A patent/JPS62202075A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114964A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2007051330A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Neos Co Ltd | 真空薄膜形成装置 |
| EP2354271A1 (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate protection device and method |
| CN103403220A (zh) * | 2010-10-21 | 2013-11-20 | 莱博德光学有限责任公司 | 用于涂布基材的装置及方法 |
| JP2013544967A (ja) * | 2010-10-21 | 2013-12-19 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板の表面をコーティングする装置及び方法 |
| CN103122451A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-29 | 吴江南玻华东工程玻璃有限公司 | 可摇动式l型包网挡板 |
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