JPH024124Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH024124Y2 JPH024124Y2 JP1982151138U JP15113882U JPH024124Y2 JP H024124 Y2 JPH024124 Y2 JP H024124Y2 JP 1982151138 U JP1982151138 U JP 1982151138U JP 15113882 U JP15113882 U JP 15113882U JP H024124 Y2 JPH024124 Y2 JP H024124Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- sputtered
- sputtering
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(1) 考案の技述分野
本考案はスパツタ用ターゲツトに係り、特にプ
ラズマエツチング装置等に用いる被エツチング材
を得るスパツタ用ターゲツトに関する。
ラズマエツチング装置等に用いる被エツチング材
を得るスパツタ用ターゲツトに関する。
(2) 技術の背景
半導体集積回路では微細マスクを用いて半導体
材料を１ミクロンから更にサブミクロン（10分の
数ミクロン）までのエツチング加工が必要となり
近時ドライエツチングと呼ばれるプラズマエツチ
ング装置等が開発されている。このようなエツチ
ング装置では従来の湿式のエツチング方法では問
題でなかつた種々の問題があり、その１つにスパ
ツタされた試料をドライエツチングする際の金属
汚染の問題が提示され、種々の解決方法が提案さ
ている。
材料を１ミクロンから更にサブミクロン（10分の
数ミクロン）までのエツチング加工が必要となり
近時ドライエツチングと呼ばれるプラズマエツチ
ング装置等が開発されている。このようなエツチ
ング装置では従来の湿式のエツチング方法では問
題でなかつた種々の問題があり、その１つにスパ
ツタされた試料をドライエツチングする際の金属
汚染の問題が提示され、種々の解決方法が提案さ
ている。
(3) 従来技術と問題点
上述の問題点を明確にするため第１図及至第３
図について従来のドライエツチング用の被エツチ
ング材を得るためのスパツタ装置及び該装置に用
いられるバツキングプレートとターゲツトについ
て説明する。
図について従来のドライエツチング用の被エツチ
ング材を得るためのスパツタ装置及び該装置に用
いられるバツキングプレートとターゲツトについ
て説明する。
第１図は従来のドライエツチング用の被エツチ
ング材を得るためのスパツタ装置の概念図であり
ベルジヤ１は上部に蓋２を有し、弁３を介して真
空ポンプに連通し、ベルジヤ１内を真空状態とす
るように排気４される。該ベルジヤ１内にはアル
ゴン（Ar）並びに酸素ガス（O2）等を弁５，６
を通して注入する。
ング材を得るためのスパツタ装置の概念図であり
ベルジヤ１は上部に蓋２を有し、弁３を介して真
空ポンプに連通し、ベルジヤ１内を真空状態とす
るように排気４される。該ベルジヤ１内にはアル
ゴン（Ar）並びに酸素ガス（O2）等を弁５，６
を通して注入する。
更に、ベルジヤ１内にはサブストレートホルダ
７が配設され、該サブストレートホルダは回転軸
８に固定され、ベルジヤ１外からモータ等で矢印
９で示すように一定に回転するようになされる。
該サブストレートホルダ７上にはガラス等よりな
る試料、すなわち被スパツタ材１０が載置され、
バツキングプレート１１上には被スパツタ材１０
にスパツタすべき例えばクロム（Cr）等のター
ゲツト１２を溶着させ、該バツキングプレートに
数100Vのマイナス電圧を電圧源１３より印加す
る。なお、チヤンバー１は接地電位１４に落され
た状態となす。
７が配設され、該サブストレートホルダは回転軸
８に固定され、ベルジヤ１外からモータ等で矢印
９で示すように一定に回転するようになされる。
該サブストレートホルダ７上にはガラス等よりな
る試料、すなわち被スパツタ材１０が載置され、
バツキングプレート１１上には被スパツタ材１０
にスパツタすべき例えばクロム（Cr）等のター
ゲツト１２を溶着させ、該バツキングプレートに
数100Vのマイナス電圧を電圧源１３より印加す
る。なお、チヤンバー１は接地電位１４に落され
た状態となす。
上記構造において、バツキングプレートにマイ
ナス電圧を印加するとボデー（チヤンバー）アー
ス間で放電が発生してチヤンバー内でプラズマ状
態となり、チヤンバーの雰囲気中に導入したアル
ゴンがイオン化され、マイナス電位に保持された
ターゲツト１２に衝突したときのシヨツクによつ
てCrが放出されて被スパツタ材１０にスパツタ
される。エツチング等の場合には被エツチング材
として利用する上述のような被スパツタ材１０を
従来のウエツトエツチングのように酸の水溶液で
エツチングする場合は特に問題は生じないが最近
多く用いられるようになつたドライエツチング等
によるとエツチング時間が異常に長くなり、最悪
の場合はエツチングされない等の弊害を生じた。
ナス電圧を印加するとボデー（チヤンバー）アー
ス間で放電が発生してチヤンバー内でプラズマ状
態となり、チヤンバーの雰囲気中に導入したアル
ゴンがイオン化され、マイナス電位に保持された
ターゲツト１２に衝突したときのシヨツクによつ
てCrが放出されて被スパツタ材１０にスパツタ
される。エツチング等の場合には被エツチング材
として利用する上述のような被スパツタ材１０を
従来のウエツトエツチングのように酸の水溶液で
エツチングする場合は特に問題は生じないが最近
多く用いられるようになつたドライエツチング等
によるとエツチング時間が異常に長くなり、最悪
の場合はエツチングされない等の弊害を生じた。
これらの問題を種々検討した結果、第２図及び
第３図に示す如き理由によるものと判明した。第
２図及び第３図は第１図に示すバツキングプレー
ト１１とターゲツト材１２の拡大側断面図であ
り、通常バツキングプレート１１の形状は円盤状
で下面に冷却パイプ１５をはわせてバツキングプ
レート１１を冷却させ、更にターゲツト材１２と
して例えばクロームを選択してインジエーム等の
金属１６を用いてバツキングプレート１１とター
ゲツト材１２とを一体に溶着させた構造であり、
バツキングプレート１１としては一般に銅等が用
いられている。第２図の場合、バツキングプレー
ト１１とターゲツト材１２の直径が同一径で溶着
されているためにイオン化したアルゴンがマイナ
ス電位のバツキングプレート１１の周辺部１７に
当つて銅の分子を放出させ被スパツタ材１０中に
純粋なクロームだけがスパツタされず銅もスパツ
タされた試料１０が得られる。第３図の場合は、
バツキングプレート１１にターゲツト材１２をイ
ンジウム等の金属１６を用いて溶着させるときに
ずれて固定されて１mm程度のギヤツプＧを生じた
ときの側断面図で、この場合はインジウム金属１
６にもすなわちギヤツプ部分１８にイオン化され
たアルゴンが当つてインジウム分子を放出する。
この他、バツキングプレートは純粋な銅だけでな
く鉄等の不純物を含んでいるのでこれらの分子も
放出されて被スパツタ材にスパツタされることに
なる。
第３図に示す如き理由によるものと判明した。第
２図及び第３図は第１図に示すバツキングプレー
ト１１とターゲツト材１２の拡大側断面図であ
り、通常バツキングプレート１１の形状は円盤状
で下面に冷却パイプ１５をはわせてバツキングプ
レート１１を冷却させ、更にターゲツト材１２と
して例えばクロームを選択してインジエーム等の
金属１６を用いてバツキングプレート１１とター
ゲツト材１２とを一体に溶着させた構造であり、
バツキングプレート１１としては一般に銅等が用
いられている。第２図の場合、バツキングプレー
ト１１とターゲツト材１２の直径が同一径で溶着
されているためにイオン化したアルゴンがマイナ
ス電位のバツキングプレート１１の周辺部１７に
当つて銅の分子を放出させ被スパツタ材１０中に
純粋なクロームだけがスパツタされず銅もスパツ
タされた試料１０が得られる。第３図の場合は、
バツキングプレート１１にターゲツト材１２をイ
ンジウム等の金属１６を用いて溶着させるときに
ずれて固定されて１mm程度のギヤツプＧを生じた
ときの側断面図で、この場合はインジウム金属１
６にもすなわちギヤツプ部分１８にイオン化され
たアルゴンが当つてインジウム分子を放出する。
この他、バツキングプレートは純粋な銅だけでな
く鉄等の不純物を含んでいるのでこれらの分子も
放出されて被スパツタ材にスパツタされることに
なる。
このような銅等の不純物を含んだものをエツチ
ングするとドライエツチングし難い欠点のあるこ
とが判明した。
ングするとドライエツチングし難い欠点のあるこ
とが判明した。
(4) 考案の目的
本考案は上記従来の欠点に鑑み、バツキングプ
レートの周辺部がスパツタされないようにしたス
パツタ用ターゲツトを得ることでドライエツチン
グし易い被スパツタ材を得ることを目的とするも
のである。
レートの周辺部がスパツタされないようにしたス
パツタ用ターゲツトを得ることでドライエツチン
グし易い被スパツタ材を得ることを目的とするも
のである。
(5) 考案の構成
本考案の特徴とするところは、バツキングプレ
ートに溶着させたスパツタ用ターゲツトに電圧を
加えて試料にターゲツト材を蒸着させるようにし
たスパツタ装置に用いられるスパツタ用ターゲツ
トであつて、該ターゲツトの直径を該バツキング
プレート直径より大きく選択して該バツキングプ
レートの上面及び外周部を覆つたことにある。
ートに溶着させたスパツタ用ターゲツトに電圧を
加えて試料にターゲツト材を蒸着させるようにし
たスパツタ装置に用いられるスパツタ用ターゲツ
トであつて、該ターゲツトの直径を該バツキング
プレート直径より大きく選択して該バツキングプ
レートの上面及び外周部を覆つたことにある。
(6) 考案の実施例
以下、本考案の実施例を第４図ａ，ｂ及び第５
図について説明する。
図について説明する。
第４図ａはバツキングプレート１１とターゲツ
ト材１２とを一体に溶着したスパツタ用ターゲツ
トの平面図、第４図ｂは側断面図を示すものであ
る。同図に明らかなように、本実施例では、ター
ゲツト１２の直径をバツキングプレート１１の直
径よりも大きくすると共に、バツキングプレート
１１の外周部分のスパツタされる部分１７を覆う
ようにターゲツト材１２の外周部を２〜３mm突出
させて盆状のターゲツトを構成させる。突出部１
２ａの高さｈは２〜３mmでよく、厚みｔは1.5〜
２mm程度でよいターゲツト１２の厚さｄは通常６
mm程度であるが、従来でも純粋なクロームのター
ゲツト１２を得るには円柱状の不純物部分を含
む、上下を切り捨てて加工するために材料の増加
は無視できる程度である。
ト材１２とを一体に溶着したスパツタ用ターゲツ
トの平面図、第４図ｂは側断面図を示すものであ
る。同図に明らかなように、本実施例では、ター
ゲツト１２の直径をバツキングプレート１１の直
径よりも大きくすると共に、バツキングプレート
１１の外周部分のスパツタされる部分１７を覆う
ようにターゲツト材１２の外周部を２〜３mm突出
させて盆状のターゲツトを構成させる。突出部１
２ａの高さｈは２〜３mmでよく、厚みｔは1.5〜
２mm程度でよいターゲツト１２の厚さｄは通常６
mm程度であるが、従来でも純粋なクロームのター
ゲツト１２を得るには円柱状の不純物部分を含
む、上下を切り捨てて加工するために材料の増加
は無視できる程度である。
このように盆状に形成或いは加工したターゲツ
ト１２をバツキングプレート１１の上面に嵌着さ
せて溶着させればよい。
ト１２をバツキングプレート１１の上面に嵌着さ
せて溶着させればよい。
第５図は本考案の他の実施例を示す斜視図であ
り、ターゲツト１２の直径φ1をバツキングプレ
ート１１の直径φ2より大に選択してバツキング
プレートがスパツタされる部分１７を上面より覆
つてイオン化されたアルゴンが当らないようにし
たものである。
り、ターゲツト１２の直径φ1をバツキングプレ
ート１１の直径φ2より大に選択してバツキング
プレートがスパツタされる部分１７を上面より覆
つてイオン化されたアルゴンが当らないようにし
たものである。
第４図ａ，ｂではバツキングプレート１１の外
周部分の上面のみを突出した縁部で覆つたが、バ
ツキングプレート１１の高さＨは10mm程度である
ので外周部すべてをターゲツト１２の突部１２ａ
で覆つてもよいことは明らかである。
周部分の上面のみを突出した縁部で覆つたが、バ
ツキングプレート１１の高さＨは10mm程度である
ので外周部すべてをターゲツト１２の突部１２ａ
で覆つてもよいことは明らかである。
(7) 考案の効果
以上、詳細に説明したように、本考案のスパツ
タ用ターゲツトによればバツキングプレートのス
パツタされる部分が完全に純粋なターゲツトで覆
れているために、不純物金属が放出されず試料へ
の金属汚染がないためにドライエツチングし易い
被スパツタ材を得ることができてその実用的効果
は大きい。
タ用ターゲツトによればバツキングプレートのス
パツタされる部分が完全に純粋なターゲツトで覆
れているために、不純物金属が放出されず試料へ
の金属汚染がないためにドライエツチングし易い
被スパツタ材を得ることができてその実用的効果
は大きい。
第１図は従来のスパツタ装置の概略図、第２図
及び第３図は第１図のスパツタ装置に用いられる
ターゲツトとバツキングプレートの側断面図、第
４図ａは本考案のスパツタ用ターゲツトの平面
図、第４図ｂは第４図ａの側断面図、第５図は本
考案のスパツタ用ターゲツトの他の実施例を示す
斜視図である。 １……チヤンバー、２……蓋、３，５，６……
弁、７……サブストレートホルダー、８……回転
軸、１０……被スパツタ材、１１……バツキング
プレート、１２……ターゲツト、１２ａ……突出
部、１３……電圧源、１５……冷却パイプ、１６
……ボンデング用金属、１７……外周部。
及び第３図は第１図のスパツタ装置に用いられる
ターゲツトとバツキングプレートの側断面図、第
４図ａは本考案のスパツタ用ターゲツトの平面
図、第４図ｂは第４図ａの側断面図、第５図は本
考案のスパツタ用ターゲツトの他の実施例を示す
斜視図である。 １……チヤンバー、２……蓋、３，５，６……
弁、７……サブストレートホルダー、８……回転
軸、１０……被スパツタ材、１１……バツキング
プレート、１２……ターゲツト、１２ａ……突出
部、１３……電圧源、１５……冷却パイプ、１６
……ボンデング用金属、１７……外周部。
Claims (1)
- バツキングプレートに溶着させたスパツタ用タ
ーゲツトに電圧を加えて試料にターゲツト材を蒸
着させるようにしたスパツタ装置に用いられるス
パツタ用ターゲツトであつて、該ターゲツトの直
径を該バツキングプレート直径より大きく選択し
て該バツキングプレートの上面及び外周部を覆つ
てなることを特徴とするスパツタ用ターゲツト。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15113882U JPS5956738U (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | スパツタ用タ−ゲツト |
| US06/539,180 US4569745A (en) | 1982-10-05 | 1983-10-05 | Sputtering apparatus |
| EP83306022A EP0106623B1 (en) | 1982-10-05 | 1983-10-05 | Sputtering apparatus |
| DE8383306022T DE3381593D1 (de) | 1982-10-05 | 1983-10-05 | Zerstaeubungsvorrichtung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15113882U JPS5956738U (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | スパツタ用タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956738U JPS5956738U (ja) | 1984-04-13 |
| JPH024124Y2 true JPH024124Y2 (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=30335006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15113882U Granted JPS5956738U (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | スパツタ用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956738U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10325763B2 (en) * | 2017-01-20 | 2019-06-18 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition processing systems target cooling |
| US10685821B2 (en) | 2017-08-18 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition processing systems target cooling |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061382A (ja) * | 1973-10-02 | 1975-05-26 |
-
1982
- 1982-10-05 JP JP15113882U patent/JPS5956738U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5956738U (ja) | 1984-04-13 |
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