JPS6220306A - 半導体基板の不純物拡散層制御方法 - Google Patents
半導体基板の不純物拡散層制御方法Info
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- JPS6220306A JPS6220306A JP15963785A JP15963785A JPS6220306A JP S6220306 A JPS6220306 A JP S6220306A JP 15963785 A JP15963785 A JP 15963785A JP 15963785 A JP15963785 A JP 15963785A JP S6220306 A JPS6220306 A JP S6220306A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明１よ、低温下にて半導体基板へ、の不純物イオン
の打も込みや半導体基板に打ち込まれた不純物の活性化
を図ることのでｈる゛ト導体基板の不純物拡散層制御Ｊ
ｊ法に閃−（るもので、史に詳述゛◆れば真空゛Ｃγ器
（１）内ｉ、ｒて′４ｉ檎（２Ｉｉ）（２ｆｉ）間に半
導体基＆（３）を配設し、クリプトンガス又はキセノン
ガスを単体又はドーピングガスと共に真空′＃器（１）
内に充填１７．２００°Ｃ７１，至５００℃の温度にで
半導体基板（：（）を加熱［，９つ電極（２林）（２１
１）間ｌ：でグロー放電を生起せしめ、半導体基板１１
）−＼の不純物イオンの打ち込みや゛ｉ導体基板（３）
に打り込まれた不純物の押し込み、打ち込み又は活性化
を図る事を特徴と［る゛１−導体基板の４；続物拡散層
制御方法に係るものである。
の打も込みや半導体基板に打ち込まれた不純物の活性化
を図ることのでｈる゛ト導体基板の不純物拡散層制御Ｊ
ｊ法に閃−（るもので、史に詳述゛◆れば真空゛Ｃγ器
（１）内ｉ、ｒて′４ｉ檎（２Ｉｉ）（２ｆｉ）間に半
導体基＆（３）を配設し、クリプトンガス又はキセノン
ガスを単体又はドーピングガスと共に真空′＃器（１）
内に充填１７．２００°Ｃ７１，至５００℃の温度にで
半導体基板（：（）を加熱［，９つ電極（２林）（２１
１）間ｌ：でグロー放電を生起せしめ、半導体基板１１
）−＼の不純物イオンの打ち込みや゛ｉ導体基板（３）
に打り込まれた不純物の押し込み、打ち込み又は活性化
を図る事を特徴と［る゛１−導体基板の４；続物拡散層
制御方法に係るものである。
一般に、イオン打ち込みやプラズマクラッキングプレデ
ボ７シ９ン後のイオン活性化又はプラズマクラ７キング
プレデボシシ贈ン時に蔓少打ち込よれる不純物を活性化
させたり、又は、その深さを制御するために電気炉によ
る９００°Ｃ以−にのアニール処理が施されて米だ。処
が、一段と半導体素子の集積化が進み、集積密度が」二
がるにつれて、素子間のスペースが極度に狭くなり、横
方向の−ｒ法制御も格段に厳しくなると同時に素子構造
の深さも一段と浅くなって米た。ところが、半導体素子
製造工程の熱処理は不純物の（１ｊ分布に関係し、従来
のような９００℃以上の高温熱処理方法ではその寸法制
御が４１常に困難になって米だ事、高温熱処理方法では
゛ト導体基板（３゛）に熱的な欠陥を生じさせ、キャリ
アのツイツタイムを者しく低ｆさせるなどの欠点があり
、現在ではより低温下での熱処理によるイく鈍物の活性
化や深さの制御を行えるようになることが強く要語され
ているものである。
ボ７シ９ン後のイオン活性化又はプラズマクラ７キング
プレデボシシ贈ン時に蔓少打ち込よれる不純物を活性化
させたり、又は、その深さを制御するために電気炉によ
る９００°Ｃ以−にのアニール処理が施されて米だ。処
が、一段と半導体素子の集積化が進み、集積密度が」二
がるにつれて、素子間のスペースが極度に狭くなり、横
方向の−ｒ法制御も格段に厳しくなると同時に素子構造
の深さも一段と浅くなって米た。ところが、半導体素子
製造工程の熱処理は不純物の（１ｊ分布に関係し、従来
のような９００℃以上の高温熱処理方法ではその寸法制
御が４１常に困難になって米だ事、高温熱処理方法では
゛ト導体基板（３゛）に熱的な欠陥を生じさせ、キャリ
アのツイツタイムを者しく低ｆさせるなどの欠点があり
、現在ではより低温下での熱処理によるイく鈍物の活性
化や深さの制御を行えるようになることが強く要語され
ているものである。
そこで、最近、プラズマを用いた半導体プロセスが注目
され始めているが、これは従来小ＩＩ丁能とされでいた
様々な化学反応が低ＴＭ′Ｃｈシかも速やかに起こると
考えられているためである。さて、現在、プラズマを用
いた半導体プロセスには第１図のような装置が使用され
ており、アルゴンガス及びドーパントガス（例えば））
ＩＩ３、＋３２＋１ａ）の混合気体を使用してプラズマ
クラツキングブＶデイボノシａンがイｒなわれている。
され始めているが、これは従来小ＩＩ丁能とされでいた
様々な化学反応が低ＴＭ′Ｃｈシかも速やかに起こると
考えられているためである。さて、現在、プラズマを用
いた半導体プロセスには第１図のような装置が使用され
ており、アルゴンガス及びドーパントガス（例えば））
ＩＩ３、＋３２＋１ａ）の混合気体を使用してプラズマ
クラツキングブＶデイボノシａンがイｒなわれている。
このプラズマクラ・ンキングブレディボノションでは、
バイアス塩Ｊに、電流及び温度に応じて半導体基板Ｉｔ
’）の表１１から数１００オングストロームの拡散層が
生成されるが、アルゴンガスでは打ち込みエネルギーが
少なｔ）ため、不純物の拡散層の深さは、デバイス適応
としては戊すぎるという欠点があった。尚、この間、マ
イナス電極（２ｂ’）の加熱に電熱ヒータ（７゛）を用
り１ていたが、電熱ヒータ（７゛）の構成物質が゛ｉ導
体基板（３゛）の表面に付着して汚染ｒるというような
欠、αもあった。
バイアス塩Ｊに、電流及び温度に応じて半導体基板Ｉｔ
’）の表１１から数１００オングストロームの拡散層が
生成されるが、アルゴンガスでは打ち込みエネルギーが
少なｔ）ため、不純物の拡散層の深さは、デバイス適応
としては戊すぎるという欠点があった。尚、この間、マ
イナス電極（２ｂ’）の加熱に電熱ヒータ（７゛）を用
り１ていたが、電熱ヒータ（７゛）の構成物質が゛ｉ導
体基板（３゛）の表面に付着して汚染ｒるというような
欠、αもあった。
本発明は係る従来例の欠点に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、不純物の拡散層の厚みを適宜制
御することが出来る半導体基板の不純物拡散層制御力法
を提供するにある。
の目的とするところは、不純物の拡散層の厚みを適宜制
御することが出来る半導体基板の不純物拡散層制御力法
を提供するにある。
以下、本発明を図ノ１り実施例に従って詳述する。
真空容器（１）内にてプラス電極（２ａ）とマイナス電
檎（２ｂ）とが上下に配設されており、マイナス電極（
２１」）の直下にて真空容器（１）に通光窓（５）が設
けられており、窓用〃ラス板（４）が嵌め込まれている
。
檎（２ｂ）とが上下に配設されており、マイナス電極（
２１」）の直下にて真空容器（１）に通光窓（５）が設
けられており、窓用〃ラス板（４）が嵌め込まれている
。
真空容器（１）の外部にて１ｌＩＩ光窓（５）を臨む位
１ｄにハロゲンランプ（６）が配設されており、マイナ
ス電極（２ｂ）はこのハロゲンランプ（６）にて加熱さ
れる事になる。このマイナス電極（２ｂ）ｌには半導体
基板（３）が載ｒ！！されており、半導体基板（３）は
２００℃乃至５００℃程度低温域にて加熱される事にな
る。
１ｄにハロゲンランプ（６）が配設されており、マイナ
ス電極（２ｂ）はこのハロゲンランプ（６）にて加熱さ
れる事になる。このマイナス電極（２ｂ）ｌには半導体
基板（３）が載ｒ！！されており、半導体基板（３）は
２００℃乃至５００℃程度低温域にて加熱される事にな
る。
真空容器（１）内はクセノンガス又はクリプトンガスと
ドーパントガス（例えば、１）１１．又はＩ３□Ｉ１．
）の混合ガスを注入した状態で、プラス電極（２ａ）と
マイナス電極（２ｂ）との間でブレークダウンする圧力
まで真空ポンプで減圧する。然る後、プラス電極（２ａ
）とマイナス電極（２ｂ）との闇で放電し、これにより
、真空容器（１）内にｉＬ人されたクセノンガスまたは
クリプトンガスとドーパントガスがプラズマによってク
ラッキングとイオン化が行なわれ、マイナス電極（２ｂ
）と半導体基＆（３）上にドーパント堆積層が形成され
る。又、その一部は両電極（２）に印加されるバイアス
電圧、電流及び温度に応じて半導体基板（３）の表＋Ｉ
）ｉから千敗白オンゲスト【コームの拡散層が発生する
。尚、これに続いてドーバンｌガスの代わりにクリプト
ンガス又はり＋７ン〃スのみを真空容器（１）内に注入
し、グロー放電を行い、半導体基板（３）に打ち込まれ
た不純物イオンの活性化、押し込み又は打ち込みを行う
場合もあるが、この場合も２００°Ｃ〜５００℃程度の
低温にて行なわれるものである。これにより形成された
不純物層の深さは、同一放電条件下では従来のアルゴン
ガスを用いた場合が最も浅く、次いでクセノンガスの場
合となり、クセノンガスを用いた場合が最も深くなるも
のである。従って、不活性ガスの種類を適１ｒ選定する
ことにより、不純物層の深さの制御を行）事が出来るも
のである。又、アルゴンガス、クリプトンガス若しくは
キセノンゲスの内の２種類以−１−二を組み合わせた混
合ガス、あるいはこの混合ガスをドーピングガスと共に
真空容器内に充填する場合には混合比率により単体ガス
の場合の申開の打ち込み深さが得られるものであり、イ
ζ活性ガスの混合比率を適宜選択孝”る事に」、す、よ
り細かな〜ｊ法ｆｉｌ制御がｔｉ（能どなる。尚、マイ
ナス′４ｉ撓（２１ｉ ）が外部に露出するように真空
容器（＋１に窓用ガラス板（４）が嵌め込まれた通光窓
（５）を設け、真空開１（１）の外部にて通光窓（５）
を臨む位置にハＵデンランブ（６）配設しであるので、
半導体基板（：（）の加熱に際し２、真空容器（１）内
に何等のｉり染物貿が入り込むとＨうような事がなく、
半導体基＆（：ｉ）の汚染が防ＩＩ４されるという利点
がある。
ドーパントガス（例えば、１）１１．又はＩ３□Ｉ１．
）の混合ガスを注入した状態で、プラス電極（２ａ）と
マイナス電極（２ｂ）との間でブレークダウンする圧力
まで真空ポンプで減圧する。然る後、プラス電極（２ａ
）とマイナス電極（２ｂ）との闇で放電し、これにより
、真空容器（１）内にｉＬ人されたクセノンガスまたは
クリプトンガスとドーパントガスがプラズマによってク
ラッキングとイオン化が行なわれ、マイナス電極（２ｂ
）と半導体基＆（３）上にドーパント堆積層が形成され
る。又、その一部は両電極（２）に印加されるバイアス
電圧、電流及び温度に応じて半導体基板（３）の表＋Ｉ
）ｉから千敗白オンゲスト【コームの拡散層が発生する
。尚、これに続いてドーバンｌガスの代わりにクリプト
ンガス又はり＋７ン〃スのみを真空容器（１）内に注入
し、グロー放電を行い、半導体基板（３）に打ち込まれ
た不純物イオンの活性化、押し込み又は打ち込みを行う
場合もあるが、この場合も２００°Ｃ〜５００℃程度の
低温にて行なわれるものである。これにより形成された
不純物層の深さは、同一放電条件下では従来のアルゴン
ガスを用いた場合が最も浅く、次いでクセノンガスの場
合となり、クセノンガスを用いた場合が最も深くなるも
のである。従って、不活性ガスの種類を適１ｒ選定する
ことにより、不純物層の深さの制御を行）事が出来るも
のである。又、アルゴンガス、クリプトンガス若しくは
キセノンゲスの内の２種類以−１−二を組み合わせた混
合ガス、あるいはこの混合ガスをドーピングガスと共に
真空容器内に充填する場合には混合比率により単体ガス
の場合の申開の打ち込み深さが得られるものであり、イ
ζ活性ガスの混合比率を適宜選択孝”る事に」、す、よ
り細かな〜ｊ法ｆｉｌ制御がｔｉ（能どなる。尚、マイ
ナス′４ｉ撓（２１ｉ ）が外部に露出するように真空
容器（＋１に窓用ガラス板（４）が嵌め込まれた通光窓
（５）を設け、真空開１（１）の外部にて通光窓（５）
を臨む位置にハＵデンランブ（６）配設しであるので、
半導体基板（：（）の加熱に際し２、真空容器（１）内
に何等のｉり染物貿が入り込むとＨうような事がなく、
半導体基＆（：ｉ）の汚染が防ＩＩ４されるという利点
がある。
本発明は叙−１−のように、真空容器内にて電極間に゛
Ｉ′ｌ導体基板を配設し、クリプトンガス若しくはキセ
ノンガスの単体〃ス、又はアルゴンジス、クリプトンガ
ス若しくはキセ７ンガスの内の２種類以１−の混合〃ス
、又は前記の単体〃スあるいは混合〃スをドーピングガ
スと共に真空容器内に光有し、電極間にてグロー放電を
生起せしめ、半導体基板へのイζ鈍物イオンの打ら込み
や゛１′−導体基板に打ち込まれたイζ鈍物の押し込み
、打ち込み又は活性化を行うので、従来のアルゴンスガ
スを使う場合より深く不純物イオンを打も込む事やより
活性化を図る事が出水、史に、アルゴンジス、クリγト
ンガス若Ｌ ＜ １．ｔキセ７ンガスの内の２種類以１
−の混合ガス、あるいはこの混合〃スをドーピングガス
と共に真空容器内に充填計る場合に１ｉ、これらの単体
〃スを使用する時の申開の接合深さを得る事が出来、よ
りきめ細がな・Ｊ”法制御を行うことが出来るものであ
る。しかも２００℃乃至５００°Ｃの低温域にて゛１′
−導体基数を加熱［るだけで良いのであるから、イ・縫
物拡散層の制御が非常に正確になり、集積度の向−１−
に寄り７すると同時に゛１九導体基板に熱的欠陥が発生
せず、キャリアのツイツタイムの向１−に貢献Ｖるもの
である。
Ｉ′ｌ導体基板を配設し、クリプトンガス若しくはキセ
ノンガスの単体〃ス、又はアルゴンジス、クリプトンガ
ス若しくはキセ７ンガスの内の２種類以１−の混合〃ス
、又は前記の単体〃スあるいは混合〃スをドーピングガ
スと共に真空容器内に光有し、電極間にてグロー放電を
生起せしめ、半導体基板へのイζ鈍物イオンの打ら込み
や゛１′−導体基板に打ち込まれたイζ鈍物の押し込み
、打ち込み又は活性化を行うので、従来のアルゴンスガ
スを使う場合より深く不純物イオンを打も込む事やより
活性化を図る事が出水、史に、アルゴンジス、クリγト
ンガス若Ｌ ＜ １．ｔキセ７ンガスの内の２種類以１
−の混合ガス、あるいはこの混合〃スをドーピングガス
と共に真空容器内に充填計る場合に１ｉ、これらの単体
〃スを使用する時の申開の接合深さを得る事が出来、よ
りきめ細がな・Ｊ”法制御を行うことが出来るものであ
る。しかも２００℃乃至５００°Ｃの低温域にて゛１′
−導体基数を加熱［るだけで良いのであるから、イ・縫
物拡散層の制御が非常に正確になり、集積度の向−１−
に寄り７すると同時に゛１九導体基板に熱的欠陥が発生
せず、キャリアのツイツタイムの向１−に貢献Ｖるもの
である。
・・・実施例・・・
直径１００■のＮ型半導体基板な使用し、加熱温度＝２
５０℃、［３２ＩＩｓ Ａｒベース−ＬＯＯＯｐｐｍ
、圧力＝１．５’ｌ’ｏｒｒ、印加電圧＝ Ｄ Ｃ５０
０Ｖの電着下でグロー放電中に４５分開放置し、然る後
、Ｂ２１Ｎ、ｙスの代わりにＡｒｆｆスのみ、Ｘｅ１ｌ
スのみ、Ｋｒｆｆスのみで２０分開放ロー放電したとこ
ろ、Ｙ）型層の深さが〃スの種類によって相違した。
５０℃、［３２ＩＩｓ Ａｒベース−ＬＯＯＯｐｐｍ
、圧力＝１．５’ｌ’ｏｒｒ、印加電圧＝ Ｄ Ｃ５０
０Ｖの電着下でグロー放電中に４５分開放置し、然る後
、Ｂ２１Ｎ、ｙスの代わりにＡｒｆｆスのみ、Ｘｅ１ｌ
スのみ、Ｋｒｆｆスのみで２０分開放ロー放電したとこ
ろ、Ｙ）型層の深さが〃スの種類によって相違した。
Ａｒ・・・９５０−１０００オンゲス１■−ムＫｒ・・
・・１，１００〜１，１５０オングストロームＸｅ・・
・１，２００〜１．２７０オングストローム
・・１，１００〜１，１５０オングストロームＸｅ・・
・１，２００〜１．２７０オングストローム
ｗＪＩ図・・・従来例の概略縦断面図、第２−１・・・
本発明の概略ＩＩＲ断１釦図。 （１）・・・真空容器 （２）・・・電極 （３）・・・半導体基板。 発明者 ０井 剛 発明者 小中 敏典 特許出願人 エム・セテック株式会争１−日一 第１図
本発明の概略ＩＩＲ断１釦図。 （１）・・・真空容器 （２）・・・電極 （３）・・・半導体基板。 発明者 ０井 剛 発明者 小中 敏典 特許出願人 エム・セテック株式会争１−日一 第１図
Claims (2)
- （１）真空容器内にて電極間に半導体基板を配設し、ク
リプトンガス若しくはキセノンガスの単体ガス、又はア
ルゴンガス、クリプトンガス若しくはキセノンガスの内
の２種類以上の混合ガス、又は前記の単体ガスあるいは
混合ガスをドーピングガスと共に真空容器内に充填し、
２００℃乃至５００℃の温度にて半導体基板を加熱しつ
つ電極間にてグロー放電を生起せしめ、半導体基板への
不純物イオンの打ち込みや半導体基板に打ち込まれた不
純物の押し込み、打ち込み又は活性化を図る事を特徴と
する半導体基板の不純物拡散層制御方法。 - （２）マイナス電極が外部に露出するように真空容器に
窓用ガラス板が嵌め込まれた通光窓を設け、真空容器の
外部にて通光窓を臨む位置にハロゲンランプ配設して成
る事を特徴とする特許請求の範囲１項に記載の半導体基
板の不純物拡散層制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15963785A JPS6220306A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 半導体基板の不純物拡散層制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15963785A JPS6220306A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 半導体基板の不純物拡散層制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220306A true JPS6220306A (ja) | 1987-01-28 |
| JPH0311087B2 JPH0311087B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15698064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15963785A Granted JPS6220306A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 半導体基板の不純物拡散層制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220306A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221678A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-14 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS63239939A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Toshiba Corp | 半導体基体内への不純物導入方法及び装置 |
| JPS6411323A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Sony Corp | Semiconductor manufacturing device |
| JPH03214620A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7858537B2 (en) | 2003-09-08 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Plasma processing method and apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437258U (ja) * | 1977-08-13 | 1979-03-10 |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP15963785A patent/JPS6220306A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437258U (ja) * | 1977-08-13 | 1979-03-10 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221678A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-14 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS63239939A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Toshiba Corp | 半導体基体内への不純物導入方法及び装置 |
| JPS6411323A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Sony Corp | Semiconductor manufacturing device |
| JPH03214620A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7858537B2 (en) | 2003-09-08 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Plasma processing method and apparatus |
| US8288259B2 (en) | 2003-09-08 | 2012-10-16 | Panasonic Corporation | Plasma processing method and apparatus |
| US8404573B2 (en) | 2003-09-08 | 2013-03-26 | Panasonic Corporation | Plasma processing method and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311087B2 (ja) | 1991-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |