JPS622032B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS622032B2 JPS622032B2 JP54157158A JP15715879A JPS622032B2 JP S622032 B2 JPS622032 B2 JP S622032B2 JP 54157158 A JP54157158 A JP 54157158A JP 15715879 A JP15715879 A JP 15715879A JP S622032 B2 JPS622032 B2 JP S622032B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- evaporation
- discharge
- source
- metal vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオンプレーテイング装置に関する。
近年、公害問題に端を発して、金属あるいはプ
ラスチツクスのメツキを真空蒸着法により行なう
方法が用いられつつある。真空メツキの方法とし
ては、従来から広く行なわれている通常の蒸着方
法によるもの、スパツタによる方法、あるいはイ
オンプレーテイングによる方法などが知られてい
るが、通常の蒸着方法によるものでは付着力が弱
く、スパツタよるものでは蒸着速度が遅く、また
イオンプレーテイングによるものでは蒸発金属お
よび被着基体が汚染される等の欠点をそれぞれ有
しており、一長一短がある。
ラスチツクスのメツキを真空蒸着法により行なう
方法が用いられつつある。真空メツキの方法とし
ては、従来から広く行なわれている通常の蒸着方
法によるもの、スパツタによる方法、あるいはイ
オンプレーテイングによる方法などが知られてい
るが、通常の蒸着方法によるものでは付着力が弱
く、スパツタよるものでは蒸着速度が遅く、また
イオンプレーテイングによるものでは蒸発金属お
よび被着基体が汚染される等の欠点をそれぞれ有
しており、一長一短がある。
上記イオンプレーテイング法の１つとして、高
周波を用いて比較的高真空でイオンプレーテイン
グを行なう方法も知られているが、それでも
10-4torr台の真空度であり、蒸発金属の汚染およ
び被着基体表面のガスプラズマによる劣化は避け
られない。例えば、通常は水やアルコール等をは
じく性質を有するテフロンフイルムの表面に高周
波イオンプレーテイングで金属を蒸着すると、裏
面までガスプラズマの攻撃を受け、水やアルコー
ルをはじかなくなる。
周波を用いて比較的高真空でイオンプレーテイン
グを行なう方法も知られているが、それでも
10-4torr台の真空度であり、蒸発金属の汚染およ
び被着基体表面のガスプラズマによる劣化は避け
られない。例えば、通常は水やアルコール等をは
じく性質を有するテフロンフイルムの表面に高周
波イオンプレーテイングで金属を蒸着すると、裏
面までガスプラズマの攻撃を受け、水やアルコー
ルをはじかなくなる。
本発明は上記の点に鑑み、蒸発金属の汚染およ
び被着基体の劣化を防止できるイオンプレーテイ
ング装置を提供するものであり、蒸発源から蒸発
する金属蒸気の蒸発方向と直交する方向に磁界を
発生させる磁界発生源と、該磁界発生源により発
生せしめられた磁界の方向および前記金属蒸気の
蒸発方向の双方と直交する方向に放電を起こさせ
る放電電極とを、前記蒸発源の近傍に設け、上記
放電電極間に6KV以上の交流電圧を印加して蒸発
金属蒸気をイオン化させるように構成したもので
あり、これにより、10-6torr台の真空度で放電が
可能であり、蒸発金属の汚染および被着基板の劣
化を防止できるものである。以下その一実施例を
図面に基づいて説明する。
び被着基体の劣化を防止できるイオンプレーテイ
ング装置を提供するものであり、蒸発源から蒸発
する金属蒸気の蒸発方向と直交する方向に磁界を
発生させる磁界発生源と、該磁界発生源により発
生せしめられた磁界の方向および前記金属蒸気の
蒸発方向の双方と直交する方向に放電を起こさせ
る放電電極とを、前記蒸発源の近傍に設け、上記
放電電極間に6KV以上の交流電圧を印加して蒸発
金属蒸気をイオン化させるように構成したもので
あり、これにより、10-6torr台の真空度で放電が
可能であり、蒸発金属の汚染および被着基板の劣
化を防止できるものである。以下その一実施例を
図面に基づいて説明する。
第１図および第２図において、１は例えばるつ
ぼ中の金属から成る蒸発源であり、該蒸発源１の
近傍でかつその上方位置には、該蒸発源１から蒸
発する金属蒸気の蒸発方向と直交する方向に磁界
Ｈを発生させる磁界発生源２ａ，２ｂと、前記磁
界Ｈの方向および前記金属蒸気の蒸発方向の双方
と直交する方向に放電を起させる放電電極３ａ，
３ｂとが配設されている。前記放電電極３ａ，３
ｂは、電流計４を介して高圧電源を含む高圧回路
５に接続されている。前記蒸発源１と磁界発生源
２ａ，２ｂとの間には、磁界発生源２ａ，２ｂを
蒸発源１の輻射熱から保護する防熱板６が配設さ
れており、該防熱板６と前記蒸発源１との間に
は、シヤツター７が配設されている。また前記磁
界発生源２ａ，２ｂの上方位置には、金属イオン
を加速する加速電極８ａ，８ｂが配設されてお
り、該加速電極８ａ，８ｂは交流電源９に接続さ
れている。なお前記蒸発源１、磁界発生源２ａ，
２ｂ，放電電極３ａ，３ｂ、防熱板６、シヤツタ
ー７および加速電極８ａ，８ｂは真空蒸着槽１０
の内部に位置している。また１１は被着基体であ
る。
ぼ中の金属から成る蒸発源であり、該蒸発源１の
近傍でかつその上方位置には、該蒸発源１から蒸
発する金属蒸気の蒸発方向と直交する方向に磁界
Ｈを発生させる磁界発生源２ａ，２ｂと、前記磁
界Ｈの方向および前記金属蒸気の蒸発方向の双方
と直交する方向に放電を起させる放電電極３ａ，
３ｂとが配設されている。前記放電電極３ａ，３
ｂは、電流計４を介して高圧電源を含む高圧回路
５に接続されている。前記蒸発源１と磁界発生源
２ａ，２ｂとの間には、磁界発生源２ａ，２ｂを
蒸発源１の輻射熱から保護する防熱板６が配設さ
れており、該防熱板６と前記蒸発源１との間に
は、シヤツター７が配設されている。また前記磁
界発生源２ａ，２ｂの上方位置には、金属イオン
を加速する加速電極８ａ，８ｂが配設されてお
り、該加速電極８ａ，８ｂは交流電源９に接続さ
れている。なお前記蒸発源１、磁界発生源２ａ，
２ｂ，放電電極３ａ，３ｂ、防熱板６、シヤツタ
ー７および加速電極８ａ，８ｂは真空蒸着槽１０
の内部に位置している。また１１は被着基体であ
る。
次に上記構成のイオンプレーテイング装置の操
作手順を説明する。まず真空蒸着槽１０内を
10-5torr程度にまで排気し、次に磁界発生源２
ａ，２ｂを動作させて磁界Ｈを発生させる。但し
磁界発生源２ａ，２ｂに永久磁石を用いた時に
は、この操作を必要としない場合がある。磁界発
生源２ａ，２ｂとしては、永久磁石あるいは電磁
石のいずれを用いてもよい。第３図ａ〜ｄにその
数例を示すが、各種公知の磁界のかけ方はすべて
利用でき、これら数例に限定されるものではな
い。なお、磁界発生源２ａ，２ｂは蒸発源１に近
いので、輻射熱によるキユーリー点以上への昇温
を防ぐため、蒸発源１との間に防熱板６を設ける
のが望ましい。防熱板６としては、鋼板１枚から
なるもので実用上充分な効果を有する。またこの
防熱板６を金属イオン加速のための加速電極の１
つとして利用することもできる。次に放電電極３
ａ，３ｂ間に高電圧を印加して放電を開始させ
る。この印加電圧は少なくとも6KV以上の交流電
圧である。また経済性の点では50Hzあるいは60Hz
の商業周波数を用いるのが好ましいが、イオン化
の効率の点では高周波電界の方が好ましい。放電
の開始は電流計４で知ることができる。次に真空
蒸着槽１０内の真空度を10-6torr台に上げ、シヤ
ツター７を開き、加速電極８ａ，８ｂに電圧を印
加して蒸着を開始する。この段階では放電電極３
ａ，３ｂ間でイオン化された金属蒸気の発色が見
られ、イオン化を目で確認することができる。実
験によれば、銅を蒸着した場合、鮮かな緑色が観
察された。
作手順を説明する。まず真空蒸着槽１０内を
10-5torr程度にまで排気し、次に磁界発生源２
ａ，２ｂを動作させて磁界Ｈを発生させる。但し
磁界発生源２ａ，２ｂに永久磁石を用いた時に
は、この操作を必要としない場合がある。磁界発
生源２ａ，２ｂとしては、永久磁石あるいは電磁
石のいずれを用いてもよい。第３図ａ〜ｄにその
数例を示すが、各種公知の磁界のかけ方はすべて
利用でき、これら数例に限定されるものではな
い。なお、磁界発生源２ａ，２ｂは蒸発源１に近
いので、輻射熱によるキユーリー点以上への昇温
を防ぐため、蒸発源１との間に防熱板６を設ける
のが望ましい。防熱板６としては、鋼板１枚から
なるもので実用上充分な効果を有する。またこの
防熱板６を金属イオン加速のための加速電極の１
つとして利用することもできる。次に放電電極３
ａ，３ｂ間に高電圧を印加して放電を開始させ
る。この印加電圧は少なくとも6KV以上の交流電
圧である。また経済性の点では50Hzあるいは60Hz
の商業周波数を用いるのが好ましいが、イオン化
の効率の点では高周波電界の方が好ましい。放電
の開始は電流計４で知ることができる。次に真空
蒸着槽１０内の真空度を10-6torr台に上げ、シヤ
ツター７を開き、加速電極８ａ，８ｂに電圧を印
加して蒸着を開始する。この段階では放電電極３
ａ，３ｂ間でイオン化された金属蒸気の発色が見
られ、イオン化を目で確認することができる。実
験によれば、銅を蒸着した場合、鮮かな緑色が観
察された。
このようにして蒸着された金属は当然のことと
して正に帯電しており、被着基体１１に絶縁物、
例えばテフロンシートを用いた場合、実験によれ
ば10秒程度の蒸着で＋150Vの帯電電圧が観測さ
れた。このことからも金属蒸気のイオン化が充分
に起つていることがわかる。
して正に帯電しており、被着基体１１に絶縁物、
例えばテフロンシートを用いた場合、実験によれ
ば10秒程度の蒸着で＋150Vの帯電電圧が観測さ
れた。このことからも金属蒸気のイオン化が充分
に起つていることがわかる。
このように、磁界発生源２ａ，２ｂを設けて磁
界Ｈを発生せしめ、放電電極３ａ，３ｂにより前
記磁界Ｈの方向と直交する方向に放電を起させる
ので、10-6torr台の真空度で放電可能であり、し
たがつて蒸発金属の汚染および被着基体の劣化を
防止でき、しかもフアインパターンの蒸着が可能
である。
界Ｈを発生せしめ、放電電極３ａ，３ｂにより前
記磁界Ｈの方向と直交する方向に放電を起させる
ので、10-6torr台の真空度で放電可能であり、し
たがつて蒸発金属の汚染および被着基体の劣化を
防止でき、しかもフアインパターンの蒸着が可能
である。
以上説明したように、本発明にかかるイオンプ
レーテイング装置によれば、10-6torr台の真空度
でイオンプレーテイングを行なうことができるの
で、金属蒸気の汚染および被着基体の劣化を防止
し得、しかもフイアンパターンの蒸着が可能であ
る。
レーテイング装置によれば、10-6torr台の真空度
でイオンプレーテイングを行なうことができるの
で、金属蒸気の汚染および被着基体の劣化を防止
し得、しかもフイアンパターンの蒸着が可能であ
る。
図面は本発明の一実施例を示しており、第１図
はその主要部を示す模式平面図、第２図はその模
式正面図、第３図ａ〜ｄはそれぞれ磁界発生源の
磁気回路例を模式的に示す説明図である。 １……蒸発源、２ａ，２ｂ……磁界発生源、３
ａ，３ｂ……放電電極。
はその主要部を示す模式平面図、第２図はその模
式正面図、第３図ａ〜ｄはそれぞれ磁界発生源の
磁気回路例を模式的に示す説明図である。 １……蒸発源、２ａ，２ｂ……磁界発生源、３
ａ，３ｂ……放電電極。
Claims (1)
- １ 蒸発源から蒸発する金属蒸気の蒸発方向と直
交する方向に磁界を発生させる磁界発生源と、該
磁界発生源により発生せしめられた磁界の方向お
よび前記金属蒸気の蒸発方向の双方と直交する方
向に放電を起こさせる放電電極とを、前記蒸発源
の近傍に設け、上記放電電極間に6KV以上の交流
電圧を印加して蒸発金属蒸気をイオン化させるこ
とを特徴とするイオンプレーテイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15715879A JPS5681671A (en) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | Ion plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15715879A JPS5681671A (en) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | Ion plating apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5681671A JPS5681671A (en) | 1981-07-03 |
| JPS622032B2 true JPS622032B2 (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15643444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15715879A Granted JPS5681671A (en) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | Ion plating apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5681671A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6009220B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2016-10-19 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123376B2 (ja) * | 1972-10-17 | 1976-07-16 | ||
| JPS4990685A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-29 | ||
| JPS5232759B2 (ja) * | 1973-08-07 | 1977-08-23 | ||
| JPS5258081A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Apparatus for attaching thin film |
-
1979
- 1979-12-04 JP JP15715879A patent/JPS5681671A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5681671A (en) | 1981-07-03 |
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