JPS62203355A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62203355A JPS62203355A JP61045906A JP4590686A JPS62203355A JP S62203355 A JPS62203355 A JP S62203355A JP 61045906 A JP61045906 A JP 61045906A JP 4590686 A JP4590686 A JP 4590686A JP S62203355 A JPS62203355 A JP S62203355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor element
- semiconductor
- semiconductor elements
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止した半導体モジュールからなる半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
この種の従来の半導体装置は第３図に示すような構造に
なっていた。なお、この例は２個の半導体素子を１パツ
ケージ内に組込んだ場合の例である。即ち、第３図にお
いて、１は放熱板で、上面に一対の絶縁基板２が固着さ
れ、これらの絶縁基板２上にはそれぞれ外部電極Ａ３、
外部電極Ｂ４が固着され、さらにその上には上下両側を
例えばモリブデンなどの低熱膨張金属５ａ・５ｂで補強
された半導体素子６が固着されている。そしてこれらの
半導体素子６、外Ｓ電極Ａ３、外部Ｎ、極Ｂ４は半導体
装置の仕様に従って外部ｚ４ａｒなどを用いて接続され
ている。また上記放熱板１の周辺上には外装ケース８が
固着されており、その内部には半導体素子６の保護のた
めにゲル状樹脂９が、またその上方には各′ＩＥ極３．
４，７の保持のために比較的硬度の高いモールドｍ脂１
０が封止されている。
なっていた。なお、この例は２個の半導体素子を１パツ
ケージ内に組込んだ場合の例である。即ち、第３図にお
いて、１は放熱板で、上面に一対の絶縁基板２が固着さ
れ、これらの絶縁基板２上にはそれぞれ外部電極Ａ３、
外部電極Ｂ４が固着され、さらにその上には上下両側を
例えばモリブデンなどの低熱膨張金属５ａ・５ｂで補強
された半導体素子６が固着されている。そしてこれらの
半導体素子６、外Ｓ電極Ａ３、外部Ｎ、極Ｂ４は半導体
装置の仕様に従って外部ｚ４ａｒなどを用いて接続され
ている。また上記放熱板１の周辺上には外装ケース８が
固着されており、その内部には半導体素子６の保護のた
めにゲル状樹脂９が、またその上方には各′ＩＥ極３．
４，７の保持のために比較的硬度の高いモールドｍ脂１
０が封止されている。
ところが上記従来の装置では、ゲル状樹脂９やモールド
樹脂１０が比較的高温（例えば１８０℃程度）で硬化さ
れるので、硬化後常温まで温度が低下した場合や、例え
ばヒートサイクル試験で一４０℃程度の低温にした場合
には、線膨張係数の大きいゲル状樹脂９やモールド樹脂
１０の熱収縮により半導体素子６には上方から下方への
圧縮力が作用する。
樹脂１０が比較的高温（例えば１８０℃程度）で硬化さ
れるので、硬化後常温まで温度が低下した場合や、例え
ばヒートサイクル試験で一４０℃程度の低温にした場合
には、線膨張係数の大きいゲル状樹脂９やモールド樹脂
１０の熱収縮により半導体素子６には上方から下方への
圧縮力が作用する。
特にメサ型の半導体素子の場合には、そのＷ４造上突出
部６ａができるので、この圧縮力により突出部６ａに損
傷を受けＰすい。
部６ａができるので、この圧縮力により突出部６ａに損
傷を受けＰすい。
以上のように従来の半導体装置は、半導体素子６上に樹
脂分直接封止していたので、熱ストレスが加わった場合
に待に半導体素子の突出部６ａに疲労が生じ、信頼性上
問題となっていた。
脂分直接封止していたので、熱ストレスが加わった場合
に待に半導体素子の突出部６ａに疲労が生じ、信頼性上
問題となっていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体素子の突出部に生じる損傷を防止し得
る信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする
。
たもので、半導体素子の突出部に生じる損傷を防止し得
る信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする
。
（間ｍ点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、半導体素子の上方に該半
導体素子を覆うようにチップカバーを配誼したものであ
る〇 〔作用〕 この発明におけるチップカバーは、半導体素子にか−る
応力を緩和する役目をする。
導体素子を覆うようにチップカバーを配誼したものであ
る〇 〔作用〕 この発明におけるチップカバーは、半導体素子にか−る
応力を緩和する役目をする。
以下この発明の一実施例を第１因について説明する。第
１図において、１〜１０は上記従来装愈と同一のもので
あるので説明を省略する。１１は半導体素子６の上方を
保護する如く置い外部電極Ｃ７に固着されたチップカバ
ーでアル。
１図において、１〜１０は上記従来装愈と同一のもので
あるので説明を省略する。１１は半導体素子６の上方を
保護する如く置い外部電極Ｃ７に固着されたチップカバ
ーでアル。
上記の構成により、例えばヒートサイクル試験で温度が
低下して、線膨張係数の大きいゲル状樹脂９やモールド
樹脂１０の熱収縮によって上方から下方への圧縮力が生
じても、半導体素子６を覆うチップカバー１１によって
応力が緩和される。
低下して、線膨張係数の大きいゲル状樹脂９やモールド
樹脂１０の熱収縮によって上方から下方への圧縮力が生
じても、半導体素子６を覆うチップカバー１１によって
応力が緩和される。
なお、上記実施例では、チップカバー１１を外部電極Ｃ
７に固着したものを示したが、第２図に示すようにチッ
プカバーを外部電極Ｃ７の一部としてもよく、また、低
熱膨張金属５ａの一部として構成してもよい。また、上
記実施例では２個の半導体素子を封入した半導体装置を
示したが、その他の個数の半導体装置？他の結線状態に
おいても適用できる。また、上記実施例ではゲル状樹脂
９とモールド樹脂１０とを併用した例を示したが、モー
ルド樹脂】０のみの場合でもよい。
７に固着したものを示したが、第２図に示すようにチッ
プカバーを外部電極Ｃ７の一部としてもよく、また、低
熱膨張金属５ａの一部として構成してもよい。また、上
記実施例では２個の半導体素子を封入した半導体装置を
示したが、その他の個数の半導体装置？他の結線状態に
おいても適用できる。また、上記実施例ではゲル状樹脂
９とモールド樹脂１０とを併用した例を示したが、モー
ルド樹脂】０のみの場合でもよい。
以上のようにこの発明によれば、半導体素子を迩うチッ
プカバーを設けたので、熱ストレスによる半導体素子の
損傷が低減され、信頼性の高い半導体装置が得られる効
果がある。
プカバーを設けたので、熱ストレスによる半導体素子の
損傷が低減され、信頼性の高い半導体装置が得られる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す断面図、第
８図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図中、１は放熱板、２は絶縁基板、３は外部電極Ａ、４
は外Ｔ５１Ｓ ’＋Ｍ極Ｂ、５ａ、５ｂは低熱膨張金属
、６は半導体素子、７は外部電極ａ１８は外装ケース、
９はゲル状樹脂、１０はモールド樹脂、１１はチップカ
バーである。 尚、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す断面図、第
８図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図中、１は放熱板、２は絶縁基板、３は外部電極Ａ、４
は外Ｔ５１Ｓ ’＋Ｍ極Ｂ、５ａ、５ｂは低熱膨張金属
、６は半導体素子、７は外部電極ａ１８は外装ケース、
９はゲル状樹脂、１０はモールド樹脂、１１はチップカ
バーである。 尚、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）放熱板上に固着された絶縁基板、この絶縁基板上
に配置された電極、この電極の所定の位置に固着された
半導体素子、上記放熱板周辺部に上記絶縁基板、電極、
素子を囲むように固着された外装ケース、この外装ケー
ス内に内部保護のために、封入された樹脂を有する半導
体装置において、上記半導体素子の上方に該半導体素子
を覆うようにチップカバーを配置したことを特徴とする
半導体装置。 - （２）チップカバーは、半導体素子の上方に配置された
外部電極に固着されている特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置。 - （３）チップカバーは、半導体素子の上方に配置された
外部電極の一部として構成されている特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。 - （４）チップカバーは、半導体素子の上方に配置された
低熱膨張金属の一部として構成されている特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045906A JPS62203355A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045906A JPS62203355A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62203355A true JPS62203355A (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=12732288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61045906A Pending JPS62203355A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62203355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2487711A4 (en) * | 2009-10-02 | 2016-12-14 | Hitachi Automotive Systems Ltd | SEMICONDUCTOR ELEMENT, POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE WITH THE POWER SEMICONDUCTOR MODULE |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP61045906A patent/JPS62203355A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2487711A4 (en) * | 2009-10-02 | 2016-12-14 | Hitachi Automotive Systems Ltd | SEMICONDUCTOR ELEMENT, POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE WITH THE POWER SEMICONDUCTOR MODULE |
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