JPS62203386A - 非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法 - Google Patents
非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法Info
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- JPS62203386A JPS62203386A JP61045391A JP4539186A JPS62203386A JP S62203386 A JPS62203386 A JP S62203386A JP 61045391 A JP61045391 A JP 61045391A JP 4539186 A JP4539186 A JP 4539186A JP S62203386 A JPS62203386 A JP S62203386A
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
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- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、非晶質光発電素子モジュールの製造方法、
特に大面積の下部電極上に多数の非晶質光発電素子を形
成し、これら非晶質光発電素子をモジュール化すること
によって製造コストを安くした非晶質光発電素子モジュ
ールの製造方法に関するものである。
特に大面積の下部電極上に多数の非晶質光発電素子を形
成し、これら非晶質光発電素子をモジュール化すること
によって製造コストを安くした非晶質光発電素子モジュ
ールの製造方法に関するものである。
第Ｓ図は例えば′ばカポの非晶質光発％’素子モジニー
ルに使用される１０ｃｕＸ／θαの金属基板型非晶質光
発電素子を示したもので第５図ｆａｌは正面図、第３図
（ｂｌは断面図である。図において、（ハは非晶質光発
電素子、（２）にこの非晶質光発電素子（ハの下部電極
である金属基板例えばステンレス基板、［Ｊｌはこのス
テンレス基板（２）上に形成された非晶質光発電素子（
ハのＰＩＮ接合部、（ｑ）はこのＰＩＮ接合部（３）上
圧形成された透明上部電極、（りはこの透明上部電極図
上に形成されかつ第ｊ図ｆａｔに示した形状を有する集
電極である。このような非晶質光発電素子（ハは予め所
定の寸法に切断されたステンレス基板（λ）を用いて作
られる。なお、（ｊａ）はステンレス基板（コ）の一部
である。
ルに使用される１０ｃｕＸ／θαの金属基板型非晶質光
発電素子を示したもので第５図ｆａｌは正面図、第３図
（ｂｌは断面図である。図において、（ハは非晶質光発
電素子、（２）にこの非晶質光発電素子（ハの下部電極
である金属基板例えばステンレス基板、［Ｊｌはこのス
テンレス基板（２）上に形成された非晶質光発電素子（
ハのＰＩＮ接合部、（ｑ）はこのＰＩＮ接合部（３）上
圧形成された透明上部電極、（りはこの透明上部電極図
上に形成されかつ第ｊ図ｆａｔに示した形状を有する集
電極である。このような非晶質光発電素子（ハは予め所
定の寸法に切断されたステンレス基板（λ）を用いて作
られる。なお、（ｊａ）はステンレス基板（コ）の一部
である。
第６図は第５図に示した非晶質光発電素子（ハを多数用
いて作られた電力用非晶質光発電素子モジュールにおけ
る非晶質光発電素子（ハの配置および接続を示す図であ
る、 第６図に示した７個の非晶質光発電素子モジュールは例
えば横ダ列、縦／２列、合計ｐｇ枚の非晶質光発電素子
（ハから成り、右側−列の非晶質光発電素子（ハとが互
いに逆の向きに配列されている。
いて作られた電力用非晶質光発電素子モジュールにおけ
る非晶質光発電素子（ハの配置および接続を示す図であ
る、 第６図に示した７個の非晶質光発電素子モジュールは例
えば横ダ列、縦／２列、合計ｐｇ枚の非晶質光発電素子
（ハから成り、右側−列の非晶質光発電素子（ハとが互
いに逆の向きに配列されている。
（６）は集電極（５）とステンレス基板（２）の一部（
ｊａ）との接続に用いられる薄い平角のリード線であっ
てタブリードと呼ばれる。
ｊａ）との接続に用いられる薄い平角のリード線であっ
てタブリードと呼ばれる。
次だ第６図πおげろｑざ枚の光発電素子相互間の電気的
接続の仕方尾ついて説明する、ステンレス基板は非晶質
光発電素子（ハを成膜する際にその一部（Ｕａ）がマス
ク（図示しない）で予めじゃ蔽されることによって上述
のＰＩＮ接合部および透明上部電極が成膜しないように
しであるので、ステンレス基板の一部（ｊａ）と集電極
１ｓｌは逆の極性を有している、 このように構成された電力用非晶質光発電素子モジュー
ルにおいては、右＝列、左コ列の先頭の非晶質光発電素
子同士をリード線で並列に接続すると共に、縦方向に隣
接する非晶質光発電素子（ハの互いに異なる極性同士を
図示のように直列に接続してゆき、最下端のψ枚の非晶
質光発電素子（ハにおいては中央の２枚の非晶質光発電
素子１ｔｌ同士および両列側の二枚の非晶質光発電素子
（ハ同士を直列に接続することによってユ直列並列接続
となるので、非晶質光発電素子モジュールはその受光面
に太陽光などの光が照射されると！Ａ）θ端子間に電気
出力を取り出せるように構成されている。
接続の仕方尾ついて説明する、ステンレス基板は非晶質
光発電素子（ハを成膜する際にその一部（Ｕａ）がマス
ク（図示しない）で予めじゃ蔽されることによって上述
のＰＩＮ接合部および透明上部電極が成膜しないように
しであるので、ステンレス基板の一部（ｊａ）と集電極
１ｓｌは逆の極性を有している、 このように構成された電力用非晶質光発電素子モジュー
ルにおいては、右＝列、左コ列の先頭の非晶質光発電素
子同士をリード線で並列に接続すると共に、縦方向に隣
接する非晶質光発電素子（ハの互いに異なる極性同士を
図示のように直列に接続してゆき、最下端のψ枚の非晶
質光発電素子（ハにおいては中央の２枚の非晶質光発電
素子１ｔｌ同士および両列側の二枚の非晶質光発電素子
（ハ同士を直列に接続することによってユ直列並列接続
となるので、非晶質光発電素子モジュールはその受光面
に太陽光などの光が照射されると！Ａ）θ端子間に電気
出力を取り出せるように構成されている。
非晶質光発電素子は単結晶素子や多結晶素子と異って例
えばプラズマＣＶＤ法で大面積の素子に製造できること
が７つの特徴である。しかしながら、薄膜素子であるた
めに、単一素子で大面積化して大電流を流すことができ
ないので、従来の金属基板型非晶質光発電素子およびそ
のモジュールは上述したように構成されており、多数の
非晶質光発電素子を配列すると共に非晶質光発電素子間
をリード線で接続してゆかなければならないから、非晶
質光発電素子モジュールの組立てに人手と多くの時間を
必要とするという問題点があった。
えばプラズマＣＶＤ法で大面積の素子に製造できること
が７つの特徴である。しかしながら、薄膜素子であるた
めに、単一素子で大面積化して大電流を流すことができ
ないので、従来の金属基板型非晶質光発電素子およびそ
のモジュールは上述したように構成されており、多数の
非晶質光発電素子を配列すると共に非晶質光発電素子間
をリード線で接続してゆかなければならないから、非晶
質光発電素子モジュールの組立てに人手と多くの時間を
必要とするという問題点があった。
この発明は、上述した問題点を解決するためになされた
もので、非晶質先発１と素子間の電気的接続個所を少な
くすることによって自動化、量産化に適した非晶質先発
ｒｙ素子モジュールの製造方法を得ることを目的とする
、 〔問題点を解決するための手段〕 この発明て係る非晶質光発電素子モジュールの製造方法
は、長尺下部電極の上に、その両側の幅狭部分を残して
、まず非晶質光発電素子を次いでその上に透明上部電極
を成膜したのちに透明上部電極上に多数の櫛形集電極を
形成する工程と、前記長尺下部電極上非晶質光発電素子
を所定の形状、寸法に切断する工程と、切断された７つ
の非晶質光発電素子の集電極と隣接する非晶質光発電素
子の蕗出した下部電極幅狭部分とを電気的に直列接続す
る工程とを含んだものである。
もので、非晶質先発１と素子間の電気的接続個所を少な
くすることによって自動化、量産化に適した非晶質先発
ｒｙ素子モジュールの製造方法を得ることを目的とする
、 〔問題点を解決するための手段〕 この発明て係る非晶質光発電素子モジュールの製造方法
は、長尺下部電極の上に、その両側の幅狭部分を残して
、まず非晶質光発電素子を次いでその上に透明上部電極
を成膜したのちに透明上部電極上に多数の櫛形集電極を
形成する工程と、前記長尺下部電極上非晶質光発電素子
を所定の形状、寸法に切断する工程と、切断された７つ
の非晶質光発電素子の集電極と隣接する非晶質光発電素
子の蕗出した下部電極幅狭部分とを電気的に直列接続す
る工程とを含んだものである。
この発明においては、幅広の大面積非晶質光発電素子間
を極めて簡単な手段で電気的に接続でさろので非晶質光
発電素子の配列、接続に必要な手間が大幅に減少する。
を極めて簡単な手段で電気的に接続でさろので非晶質光
発電素子の配列、接続に必要な手間が大幅に減少する。
また、非晶質光発電素子の有効面積も増加するので、光
変換効率の高い非晶質先発ｉｔ素子モジュールを製造す
ることができる。
変換効率の高い非晶質先発ｉｔ素子モジュールを製造す
ることができる。
以１、この発明の一実施例を第１図および第一図につい
て説明する。第１図（ａｌはこの発明に基づいて長尺ス
テンレス基板上に作られた一体型非晶質光発電素子の正
面図、そして第１図［ｂｌは第１図ｆａｔにおけるＡに
線沿いの断面図である。第１図における一体型非晶質光
発電素子（ｌｌ）は、まず例えば厚さ０．／ ｍｍの幅
広の長尺下部電極（／２）の上圧その両側の幅狭部分（
／λａ）および（ｌコｂ）を残して、まずプラズマＣＶ
Ｄ装置でＰＩＮ接合を有する非晶質膜（１３）を成膜し
、次いでこの非晶質膜（７３）の上にスパッタ装置で透
明上部電極（ｔＵ）を成膜し、最後にこの透明上部電極
（ハ０の上にプリント印刷で多数の櫛形集電極（ｌりを
印刷することにより、作られる。なお、長尺下部電極（
ｌコ）は本実施例では金属基板例えばステンレス基板で
構成され、第１図ｆａｌにはその幅狭部分（／Ｕａ ）
および（１２ｂ）だけが図示されている。またＰＩＮ接
合非晶質膜（１３）は長尺下部電極と透明電極（ｔｑ）
の間に存在するので第１図ｆａｔには図示されていない
。更に、多数の櫛形集電極（ｔｊ）は図示したように長
尺下部電極（１２）の上に長尺方向で所定の間隔をおい
て同じ模様で次々に印刷される。
て説明する。第１図（ａｌはこの発明に基づいて長尺ス
テンレス基板上に作られた一体型非晶質光発電素子の正
面図、そして第１図［ｂｌは第１図ｆａｔにおけるＡに
線沿いの断面図である。第１図における一体型非晶質光
発電素子（ｌｌ）は、まず例えば厚さ０．／ ｍｍの幅
広の長尺下部電極（／２）の上圧その両側の幅狭部分（
／λａ）および（ｌコｂ）を残して、まずプラズマＣＶ
Ｄ装置でＰＩＮ接合を有する非晶質膜（１３）を成膜し
、次いでこの非晶質膜（７３）の上にスパッタ装置で透
明上部電極（ｔＵ）を成膜し、最後にこの透明上部電極
（ハ０の上にプリント印刷で多数の櫛形集電極（ｌりを
印刷することにより、作られる。なお、長尺下部電極（
ｌコ）は本実施例では金属基板例えばステンレス基板で
構成され、第１図ｆａｌにはその幅狭部分（／Ｕａ ）
および（１２ｂ）だけが図示されている。またＰＩＮ接
合非晶質膜（１３）は長尺下部電極と透明電極（ｔｑ）
の間に存在するので第１図ｆａｔには図示されていない
。更に、多数の櫛形集電極（ｔｊ）は図示したように長
尺下部電極（１２）の上に長尺方向で所定の間隔をおい
て同じ模様で次々に印刷される。
第２図は、この発明の一実施例による非晶質光発電素子
モジュールを示す図で、第１図のように構成された一体
型非晶質光発電素子（／／）を第１図！ａｌの点線で示
した形状にレーザービーム切断したものを順次並べ、切
断された７つの非晶質光発電素子例えば（／／Ａ）の櫛
形集電極（１３）と隣接する非晶質光発電素子（／／Ｂ
）の露出した下部電極幅狭部分（／ Ｊ ａ ）＋ （
’コｂ）とをリード線（１１，）で電気的に直列接続し
たもので、第２図（ａｌはその正面図そして第２図（ｂ
ｌは８２図（ａｌにおけるＢ Ｂ’線沿いの断面図であ
る。
モジュールを示す図で、第１図のように構成された一体
型非晶質光発電素子（／／）を第１図！ａｌの点線で示
した形状にレーザービーム切断したものを順次並べ、切
断された７つの非晶質光発電素子例えば（／／Ａ）の櫛
形集電極（１３）と隣接する非晶質光発電素子（／／Ｂ
）の露出した下部電極幅狭部分（／ Ｊ ａ ）＋ （
’コｂ）とをリード線（１１，）で電気的に直列接続し
たもので、第２図（ａｌはその正面図そして第２図（ｂ
ｌは８２図（ａｌにおけるＢ Ｂ’線沿いの断面図であ
る。
第１図のように構成された一体型非晶質光発電素子（１
１）において長尺下部電極（１２）は櫛形集電極（ｔｒ
）と逆の極性をもっている。従って、第二図のように構
成された非晶質光発電素子モジュールでは、７つの非晶
質光発電素子の櫛形集電極（ｔｒ）と隣接する非晶質光
発電素子の下部電極幅狭部分（コａ）、（コｂ）とをリ
ード線で接続し、その際、ハンダづけ接続、スポット溶
接などの放電による溶接、またはプリント印刷によるリ
ード線の印刷などの、自動化、量産化に適した手段で電
気的に接続しＣゆくことにより、個別の非晶質光発電素
子間の直列接続を容易に行うことができる。
１）において長尺下部電極（１２）は櫛形集電極（ｔｒ
）と逆の極性をもっている。従って、第二図のように構
成された非晶質光発電素子モジュールでは、７つの非晶
質光発電素子の櫛形集電極（ｔｒ）と隣接する非晶質光
発電素子の下部電極幅狭部分（コａ）、（コｂ）とをリ
ード線で接続し、その際、ハンダづけ接続、スポット溶
接などの放電による溶接、またはプリント印刷によるリ
ード線の印刷などの、自動化、量産化に適した手段で電
気的に接続しＣゆくことにより、個別の非晶質光発電素
子間の直列接続を容易に行うことができる。
次に、この発明の他の実施例を第３図）よび第Ｖ図につ
いて説明する。第３図ｆａｌは、この発明に基づいて長
尺ステンレス基板上に作られた一体型非晶質光発電素子
の正面図、そして第３図ｆｂｌは第３図（ａｌにおける
ＡＡ′線沿いの断面図である。第３図における一体型非
晶質光発電素子（，２／）は、第１図の下部電極（１２
）と同様な厚さ０．／絹の圧延状態の安価な長尺無機質
基板例えば長尺ステンレス基板（ユ２）上に可撓性かつ
耐熱性を有する長尺絶縁皮膜（ユＪ）例えば厚さ２０μ
ｍのポリイミド絶縁皮膜をコーテイング後加熱硬化させ
、次にスパッタ装置により長尺下部電極（２ｑ）として
の銀電極を蒸着したのち、第１図の場合と同様にプラズ
マＣＶＤ装置でＰＩＮ接合を有する非晶質膜（１３）例
えばアモルファス・シリコン膜を成膜し、更にもう一度
スバッタ装置で例えば酸化インジュウム・酸化錫の透明
上部電極（／４０を成膜し、最後にこの透明上部電極膜
（／４）の上にプリント印刷で銀ペーストを印刷後加熱
硬化させて多数の櫛形集電極（ｌＳ）を形成することに
より、作られる。
いて説明する。第３図ｆａｌは、この発明に基づいて長
尺ステンレス基板上に作られた一体型非晶質光発電素子
の正面図、そして第３図ｆｂｌは第３図（ａｌにおける
ＡＡ′線沿いの断面図である。第３図における一体型非
晶質光発電素子（，２／）は、第１図の下部電極（１２
）と同様な厚さ０．／絹の圧延状態の安価な長尺無機質
基板例えば長尺ステンレス基板（ユ２）上に可撓性かつ
耐熱性を有する長尺絶縁皮膜（ユＪ）例えば厚さ２０μ
ｍのポリイミド絶縁皮膜をコーテイング後加熱硬化させ
、次にスパッタ装置により長尺下部電極（２ｑ）として
の銀電極を蒸着したのち、第１図の場合と同様にプラズ
マＣＶＤ装置でＰＩＮ接合を有する非晶質膜（１３）例
えばアモルファス・シリコン膜を成膜し、更にもう一度
スバッタ装置で例えば酸化インジュウム・酸化錫の透明
上部電極（／４０を成膜し、最後にこの透明上部電極膜
（／４）の上にプリント印刷で銀ペーストを印刷後加熱
硬化させて多数の櫛形集電極（ｌＳ）を形成することに
より、作られる。
第９図は、この発明の他の実施例による非ｈ１質光発′
ｆ１を素子モジュールを示す図で、第３図のように構成
された一体型非晶質光発電素子（２／）を第３図（ａｌ
の点線で示した形状にかつ第３図（ｂｌにおげろ長尺絶
縁皮膜（，２ｙ）までレーザービームで切断したのち、
この切断した１つの非晶質先発Ｉｋ素子例えば（２１Ａ
）の櫛形集７１％（／ｒ、）と隣接する非晶質光発電素
子（，２／Ｂ）の４出した下部電極幅狭部分（２ｐａ）
、（２Ｍｂ）とをリード線（１１，）で電気的に直列接
続したもので、第ｑ図ｆａｔはその正面図そして第ｑ図
ｆｂｌは第９図（ａｌ ＫおけるＢ Ｂ’線沿いの断面
図である。
ｆ１を素子モジュールを示す図で、第３図のように構成
された一体型非晶質光発電素子（２／）を第３図（ａｌ
の点線で示した形状にかつ第３図（ｂｌにおげろ長尺絶
縁皮膜（，２ｙ）までレーザービームで切断したのち、
この切断した１つの非晶質先発Ｉｋ素子例えば（２１Ａ
）の櫛形集７１％（／ｒ、）と隣接する非晶質光発電素
子（，２／Ｂ）の４出した下部電極幅狭部分（２ｐａ）
、（２Ｍｂ）とをリード線（１１，）で電気的に直列接
続したもので、第ｑ図ｆａｔはその正面図そして第ｑ図
ｆｂｌは第９図（ａｌ ＫおけるＢ Ｂ’線沿いの断面
図である。
上述した他の実施例で（ｄ、長尺ステンレス基板を用い
たが、基板の材質は有機質、無機質を間−１つない。ま
た、長尺に’＝Ｒ皮膜としてポリイミドＰ！縁皮膜を用
いたが、ガラスなどの無機質絶縁皮膜も同じ目的に使用
することができる。更に、非晶質光発電素子相互間の接
続はハンダづけ接続の他に、導電材料のプリント印刷も
しくは蒸着、またはスポットｆ＋接などの放雷による溶
接で行うことができる。しかも、同一基板上に大面積の
非晶質光発電素子モジュールを自動化、′ｊＪ１産化Ｖ
ＣＡした方法で容易に製造できる、 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、長尺下部電極上に形
成した一体型非晶質光発電素子を所定の形状１寸法に切
断し、切断された個別の非晶質先発′ぽ素子をそのまま
順だ並べて隣接する非晶質光発電素子と直列接続するこ
とによって非晶質光発電素子モジュールを構成したので
、大面積非晶質光発電素子によるモジュールを自動化、
量産化に適した方法で容易に迅速にかつ安価Ｖｃｆ！Ｊ
造できるという効果がある。
たが、基板の材質は有機質、無機質を間−１つない。ま
た、長尺に’＝Ｒ皮膜としてポリイミドＰ！縁皮膜を用
いたが、ガラスなどの無機質絶縁皮膜も同じ目的に使用
することができる。更に、非晶質光発電素子相互間の接
続はハンダづけ接続の他に、導電材料のプリント印刷も
しくは蒸着、またはスポットｆ＋接などの放雷による溶
接で行うことができる。しかも、同一基板上に大面積の
非晶質光発電素子モジュールを自動化、′ｊＪ１産化Ｖ
ＣＡした方法で容易に製造できる、 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、長尺下部電極上に形
成した一体型非晶質光発電素子を所定の形状１寸法に切
断し、切断された個別の非晶質先発′ぽ素子をそのまま
順だ並べて隣接する非晶質光発電素子と直列接続するこ
とによって非晶質光発電素子モジュールを構成したので
、大面積非晶質光発電素子によるモジュールを自動化、
量産化に適した方法で容易に迅速にかつ安価Ｖｃｆ！Ｊ
造できるという効果がある。
第１図１ａＩおよびｆｂｌけこの発明の一実施例による
一体型非晶質光発電素子の正面図および断面図。 第一図［ａｌおよびｆｂｌ Ｉｄこの発明の一実施例に
よる非晶質光発電素子モジュールの構成を示す正面図お
よび断面図、第１図１ａＩおよび（ｂｌはこの発明の他
の実施例による一体型非晶質光発電素子の正面図および
断面図、第９図［ａｌおよび（ｂｌはこの発明の他の実
施例による非晶質光発電素子モジュールの構成を示す正
面図および断面図、第３図（ａｌおよびｆｂｌは従来の
非晶質光発電素子の正面図および断面図、第６図は従来
の非晶質光発電素子モジュールの構成を示す正面図であ
る。 図において、（１１）と（λ／）は一体型非晶質光発電
素子、（／／Ａ）と（／／Ｂ’）と（２／Ａ）と（コ／
Ｂ）は個別の非晶質光発電素子、（１２）と（コｔＩ）
は長尺下部電極、（ｌコミ）と（１，２ｂ）と（，２％
ａ）と（２＋ｂ ）は長尺下部電極幅狭部分、（／３）
はＰＩＮ接合を有する非晶質膜、（／す）は透明上部電
極、（／ｒ）は櫛形集電極、（，２コ）は長尺ステンレ
ス基板、（２３）は長尺絶縁皮膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図（Ｇ） １１、−伜型倖晶πた発電累） ＋ｚａ、＋ｚｂ ： 長犬下静電牧幅伏部介１４：
透明１部電極 １５ 榔杉集電髪 革１図（ｂ） １２ 長尺下部を抱 １３１％ちＴ隈 Ｗ、２図（ｄ） １６： 叶ド碌 藻２図（ｂ） Ｗ−）３図（Ｃ１） ２４ａ、２４ｂ ： 長尺下郡電梅鳴伏郭分Ｗ、３
図（ｂ） ２４ 長尺下旬１１論 ％４図（ＣＩ） 帛４図（ｂ） 昂５図 に）（ｂ） 手続補正書（自発） 昭和 年 月 口 ６１．１０．３
一体型非晶質光発電素子の正面図および断面図。 第一図［ａｌおよびｆｂｌ Ｉｄこの発明の一実施例に
よる非晶質光発電素子モジュールの構成を示す正面図お
よび断面図、第１図１ａＩおよび（ｂｌはこの発明の他
の実施例による一体型非晶質光発電素子の正面図および
断面図、第９図［ａｌおよび（ｂｌはこの発明の他の実
施例による非晶質光発電素子モジュールの構成を示す正
面図および断面図、第３図（ａｌおよびｆｂｌは従来の
非晶質光発電素子の正面図および断面図、第６図は従来
の非晶質光発電素子モジュールの構成を示す正面図であ
る。 図において、（１１）と（λ／）は一体型非晶質光発電
素子、（／／Ａ）と（／／Ｂ’）と（２／Ａ）と（コ／
Ｂ）は個別の非晶質光発電素子、（１２）と（コｔＩ）
は長尺下部電極、（ｌコミ）と（１，２ｂ）と（，２％
ａ）と（２＋ｂ ）は長尺下部電極幅狭部分、（／３）
はＰＩＮ接合を有する非晶質膜、（／す）は透明上部電
極、（／ｒ）は櫛形集電極、（，２コ）は長尺ステンレ
ス基板、（２３）は長尺絶縁皮膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図（Ｇ） １１、−伜型倖晶πた発電累） ＋ｚａ、＋ｚｂ ： 長犬下静電牧幅伏部介１４：
透明１部電極 １５ 榔杉集電髪 革１図（ｂ） １２ 長尺下部を抱 １３１％ちＴ隈 Ｗ、２図（ｄ） １６： 叶ド碌 藻２図（ｂ） Ｗ−）３図（Ｃ１） ２４ａ、２４ｂ ： 長尺下郡電梅鳴伏郭分Ｗ、３
図（ｂ） ２４ 長尺下旬１１論 ％４図（ＣＩ） 帛４図（ｂ） 昂５図 に）（ｂ） 手続補正書（自発） 昭和 年 月 口 ６１．１０．３
Claims (4)
- （１）長尺下部電極の上に、その両側の幅狭部分を残し
て、まずＰＩＮ接合を有する非晶質膜を次いでその上に
透明上部電極を成膜したのちに前記透明上部電極上に多
数の櫛形集電極を長尺方向に所定の間隔で次々に形成し
て一体型非晶質光発電素子を形成する工程と、この一体
型非晶質光発電素子を、前記多数の櫛形集電極のうち必
ず１つを含む切片に切断して個別の非晶質光発電素子を
形成する工程と、この切断された１つの非晶質光発電素
子の櫛形集電極と、隣接する非晶質光発電素子の露出し
た下部電極幅狭部分とを電気的に直列接続する工程とを
含んだことを特徴とする非晶質光発電素子モジュールの
製造方法。 - （２）直列接続は、ハンダづけ接続、蒸着、プリント印
刷、または放電による溶接で行われることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の非晶質光発電素子モジュー
ルの製造方法。 - （３）長尺下部電極は金属基板としてのステンレス基板
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の非
晶質光発電素子モジュールの製造方法。 - （４）長尺下部電極は、長尺の無機質基板または有機質
基板上に形成されて可撓性かつ耐熱性を有する長尺絶縁
皮膜の上に形成された電極膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の非晶質光発電素子モジュール
の製造方法。
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| JP61045391A JPH0744286B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 非晶質光発電素子モジュールの製造方法 |
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| JP61045391A JPH0744286B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 非晶質光発電素子モジュールの製造方法 |
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| JPH0744286B2 JPH0744286B2 (ja) | 1995-05-15 |
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