JPS622038B2 - - Google Patents
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- JPS622038B2 JPS622038B2 JP54500586A JP50058679A JPS622038B2 JP S622038 B2 JPS622038 B2 JP S622038B2 JP 54500586 A JP54500586 A JP 54500586A JP 50058679 A JP50058679 A JP 50058679A JP S622038 B2 JPS622038 B2 JP S622038B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S1/00—Beacons or beacon systems transmitting signals having a characteristic or characteristics capable of being detected by non-directional receivers and defining directions, positions, or position lines fixed relatively to the beacon transmitters; Receivers co-operating therewith
- G01S1/02—Beacons or beacon systems transmitting signals having a characteristic or characteristics capable of being detected by non-directional receivers and defining directions, positions, or position lines fixed relatively to the beacon transmitters; Receivers co-operating therewith using radio waves
- G01S1/08—Systems for determining direction or position line
- G01S1/20—Systems for determining direction or position line using a comparison of transit time of synchronised signals transmitted from non-directional antennas or antenna systems spaced apart, i.e. path-difference systems
- G01S1/24—Systems for determining direction or position line using a comparison of transit time of synchronised signals transmitted from non-directional antennas or antenna systems spaced apart, i.e. path-difference systems the synchronised signals being pulses or equivalent modulations on carrier waves and the transit times being compared by measuring the difference in arrival time of a significant part of the modulations, e.g. LORAN systems
- G01S1/245—Details of receivers cooperating therewith, e.g. determining positive zero crossing of third cycle in LORAN-C
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S1/00—Beacons or beacon systems transmitting signals having a characteristic or characteristics capable of being detected by non-directional receivers and defining directions, positions, or position lines fixed relatively to the beacon transmitters; Receivers co-operating therewith
- G01S1/02—Beacons or beacon systems transmitting signals having a characteristic or characteristics capable of being detected by non-directional receivers and defining directions, positions, or position lines fixed relatively to the beacon transmitters; Receivers co-operating therewith using radio waves
- G01S1/04—Details
- G01S1/045—Receivers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
- H04B1/1027—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal
- H04B1/1036—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal with automatic suppression of narrow band noise or interference, e.g. by using tuneable notch filters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
請求の範囲
１ 電気触媒性被膜を有する導電性および耐食性
支持体からなり、被膜はその全体に互いに分散し
た少なくとも１種の白金族金属と二酸化スズとの
混合物を白金族金属対二酸化スズのスズの8.5：
１〜３：２の重量比で含有することを特徴とする
電解法に使用する電極。 ２ 白金族金属は白金であることを特徴とする請
求の範囲１に記載の電極。 ３ 被膜は40〜85重量部の白金、20重量部以下の
パラジウムおよび15〜40重量部のスズからなるこ
とを特徴とする請求の範囲１に記載の電極。 ４ 被膜はさらに亜鉛、カドミウム、ヒ素、アン
チモン、ビスマス、セレンおよびテルルの追加の
金属または酸化物の少なくとも１種をスズの30重
量％までの量で含有することを特徴とする請求の
範囲１、２または３に記載の電極。 ５ 被膜はアンチモンおよび／またはビスマスの
１種または２種以上の酸化物を最高１重量部の
Sb／Biを４重量部のSnに対して含有することを
特徴とする請求の範囲１〜４のいずれかに記載の
電極。 ６ 電気触媒性被膜を有する導電性および耐食性
支持体からなり、被膜はその全体に互いに分散し
た少なくとも１種の白金族金属と二酸化スズとの
混合物を白金族金属対二酸化スズのスズの8.5：
１〜３：２の重量比で含有する電極を陽極として
使用することを特徴とする塩素酸塩、過塩素酸塩
および他の過化合物の電解による製造法。 ７ 白金族金属は白金である電極を陽極として使
用することを特徴とする請求の範囲６に記載の塩
素酸塩、過塩素酸塩および他の過化合物の電解に
よる製造法。 ８ 被膜は40〜85重量部の白金、20重量部以下の
パラジウムおよび15〜40重量部のスズからなる電
極を陽極として使用することを特徴とする請求の
範囲６に記載の塩素酸塩、過塩素酸塩および他の
過化合物の電解による製造法。 ９ 被膜はさらに亜鉛、カドミウム、ヒ素、アン
チモン、ビスマス、セレンおよびテルルの追加の
金属または酸化物の少なくとも１種をスズの30重
量％までの量で含有する電極を陽極として使用す
ることを特徴とする請求の範囲６〜８のいずれか
に記載の塩素酸塩、過塩素酸塩および他の過化合
物の電解による製造法。 １０ 被膜はアンチモンおよび／またはビスマス
の１種または２種以上の酸化物を最高１重量部の
Sb／Biを４重量部のSnに対して含有する電極を
陽極として使用することを特徴とする請求の範囲
６〜９のいずれかに記載の塩素酸塩、過塩素酸塩
および他の過化合物の電解による製造法。 技術分野 本発明は、電気触媒的に活性な表面被膜を有す
る導電性および耐食性の支持体からなる型の、電
解法に使用するための電極、このような電極を、
ことに（限定されないが）塩素酸塩、過塩素酸塩
および他の過塩、および有機過酸を含む過化合物
の製造に陽極として使用する電解法に関する。 背景の技術 過塩素酸塩の製造のために、平滑な塊状の白
金、白金化したチタンまたはタンタル（過度の酸
素を生成する傾向があるにかかわらず）および二
酸化鉛を被覆したチタンまたはグラフアイトを包
含する種々の陽極材料が商業的に使用されてきた
が、これらの二酸化鉛の陽極は高い過電圧とはや
い摩耗性を有する。 電極被覆材料中に白金族金属と二酸化チタンを
組み合わせるといういくつかの提案がすでになさ
れた。たとえば、米国特許明細書3701724は、少
量の白金族金属および／または白金族金属酸化物
と主要量のSnO2、Sb2O5、Sb2O3またはGeO2お
よびそれらの混合物とから本質的になる被膜を有
する塩素の製造用陽極を述べた。しかしながら、
この特許の請求の範囲と実施例はもつぱら白金族
金属酸化物を含有するこのような被膜に向けられ
ており、そして白金族金属を含有する被膜の開示
は存在しない。また、米国特許明細書3882002
は、二酸化スズの中間層とその上の白金族金属ま
たはその酸化物の上層とで被覆されたバルブ金属
の支持体を有する塩素製造用陽極を提案した。こ
れらの提案のいずれも、過化合物の製造における
電解性能を改良することに向けられなかつた。 発明の開示 したがつて、本発明の目的は、過塩素酸塩およ
び他の過塩の製造用の陽極として使用するために
適するが、他の用途、たとえば、塩素酸塩の製造
にも使用できる改良された電極を提供することで
ある。 本発明の主な面によれば、電極は電気触媒性被
膜を有する導電性および耐食性の支持体からな
り、そして被膜がその全体に互いに分散した少な
くとも１種の白金族金属および二酸化スズとの混
合物を該白金族金属対二酸化スズのスズ（金属と
して）の8.5：１〜３：２の重量比で含有するこ
とを特徴とする。 白金族金属／二酸化スズの被膜は安定剤／結合
体、たとえば、二酸化チタン、二酸化ジルコニウ
ムまたは二酸化ケイ素のような化合物を含有する
こともできる。さらに、被膜は充てん剤、たとえ
ば、シリカまたはアルミナのような不活性材料の
粒子または繊維、チタンの粒子、またはケイ酸ジ
ルコニウムを含有できる。その上、被膜は、たと
えばドープ剤として二酸化チタンの約30重量％
（金属として）までの亜鉛、カドミウム、ヒ素、
アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの少
なくとも１種の追加の金属およびそれらの酸化物
を含有することもできる。このような安定剤また
は結合剤、充てん剤およびドープ剤は一般に被膜
の合計重量の70％より多くなく、通常それよりか
なり少ない。ドープ剤として三酸化アンチモンま
たは三酸化ビスマスの場合において、好ましい量
は重量部として表わして最高約１：４〜約１：10
でありあるいは１：100程度に低くさえあること
ができるSb／Bi：Sn（金属として）に相当す
る。 白金族金属はルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、オスミウム、イリジウムおよび白金である。
白金は、単一の金属が存在するとき、ことに過塩
素酸塩の製造用陽極中に存在するとき、被膜中の
好ましい白金族金属である。しかしながら、白金
―イリジウムおよび白金―ロジウムのような合金
も他の用途に有用であることが理解される。合金
の20重量％までのパラジウムを含有する白金―パ
ラジウムの合金は過塩素酸素の製造のためにひじ
ように満足な結果が得られた。また、いくつかの
場合において、白金族金属を１種または２種以上
の非白金族金属で合金することが有利であること
があり、たとえばバルブ金属、たとえばチタン、
ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ
およびタンタルの１種と、他の遷移金属、たとえ
ば、タングステン、マンガンまたはコバルトのよ
うな金属と、の合金または金属間化合物であるこ
とが有利であることがある。 支持体は前述のバルブ金属またはそれらの合金
のいずれからなることもでき、多孔質のチタンは
好ましい。しかしながら、他の導電性および耐食
性の支持体、たとえば、膨張グラフアイトも使用
できる。 白金族金属および二酸化スズを必要に応じて追
加のドープ剤、たとえば三酸化アンチモンまたは
三酸化ビスマスを適当な塩の溶液から、それを塗
布、噴霧または他の方法で支持体上へ施こし、次
いで熱処理することによつて、化学的に共析出で
き、この方法は十分に厚い層が形成するまで反覆
する。 別法として、異なる成分の薄い層（たとえば、
交互の白金またはPt／Pd合金の層および純粋な
またはドープした二酸化スズの層）は、成分を被
膜全体に互いに効果的に混合および分散させ、必
要に応じて層間に分散させるようにして形成で
き、これは二酸化スズが別の中間層として施こさ
れ、その上に白金族金属が被覆される米国特許明
細書3882002のようは既知の先行技術の被膜と対
照的である。この交互の層のこの手順を用いる
と、白金の薄い層をめつきで析出することがで
き、これはめつきで析出された白金が化学的に析
出された白金よりも低い酸素発生電位をもつの
で、有利である。 白金族金属または白金／二酸化スズの層は支持
体へ直接、あるいは中間層、たとえば共析出した
スズ酸化物およびアンチモン酸化物またはスズ酸
化物およびビスマス酸化物の中間層に、あるいは
１種または２種以上の白金族金属またはそれらの
酸化物、白金族金属とバルブ金属酸化物との混合
物または混合結晶、白金族金属と非白金族金属と
の金属間化合物、などからなる中間層へ、施こす
ことができる。 好ましい態様において、被膜はチタン、タンタ
ルまたはチタン―タンタル合金の支持体上の40〜
85重量部の白金、０〜20重量部のパラジウムおよ
び15〜40重量部（Sn金属として）の二酸化スズ
からなる。本発明の電極のこの態様は、過塩素酸
塩または加硫酸塩の製造用陽極として使用すると
き、過塩の製造に有効であると同時に酸素の発生
を妨害する選択的性質を有することがわかつた。
白金の金属は過塩の製造用触媒として作用する。
二酸化スズは過酸化物の分解をブロツクすること
により酸素の発生抑制剤として作用し、これは望
まない酸素の発生反応の中間段階と見なすことが
できる。最後に、パラジウムは比較的いつそう高
価である白金のための希釈剤として作用し、その
際二酸化スズの酸素抑制効果に悪影響を及ぼさな
い。 本発明の他の面は、上に定義した本発明による
電極を陽極として使用することを特徴とする、塩
素酸塩、過塩素酸塩および他の過化合物、たとえ
ば、過硫酸塩を製造する方法である。
支持体からなり、被膜はその全体に互いに分散し
た少なくとも１種の白金族金属と二酸化スズとの
混合物を白金族金属対二酸化スズのスズの8.5：
１〜３：２の重量比で含有することを特徴とする
電解法に使用する電極。 ２ 白金族金属は白金であることを特徴とする請
求の範囲１に記載の電極。 ３ 被膜は40〜85重量部の白金、20重量部以下の
パラジウムおよび15〜40重量部のスズからなるこ
とを特徴とする請求の範囲１に記載の電極。 ４ 被膜はさらに亜鉛、カドミウム、ヒ素、アン
チモン、ビスマス、セレンおよびテルルの追加の
金属または酸化物の少なくとも１種をスズの30重
量％までの量で含有することを特徴とする請求の
範囲１、２または３に記載の電極。 ５ 被膜はアンチモンおよび／またはビスマスの
１種または２種以上の酸化物を最高１重量部の
Sb／Biを４重量部のSnに対して含有することを
特徴とする請求の範囲１〜４のいずれかに記載の
電極。 ６ 電気触媒性被膜を有する導電性および耐食性
支持体からなり、被膜はその全体に互いに分散し
た少なくとも１種の白金族金属と二酸化スズとの
混合物を白金族金属対二酸化スズのスズの8.5：
１〜３：２の重量比で含有する電極を陽極として
使用することを特徴とする塩素酸塩、過塩素酸塩
および他の過化合物の電解による製造法。 ７ 白金族金属は白金である電極を陽極として使
用することを特徴とする請求の範囲６に記載の塩
素酸塩、過塩素酸塩および他の過化合物の電解に
よる製造法。 ８ 被膜は40〜85重量部の白金、20重量部以下の
パラジウムおよび15〜40重量部のスズからなる電
極を陽極として使用することを特徴とする請求の
範囲６に記載の塩素酸塩、過塩素酸塩および他の
過化合物の電解による製造法。 ９ 被膜はさらに亜鉛、カドミウム、ヒ素、アン
チモン、ビスマス、セレンおよびテルルの追加の
金属または酸化物の少なくとも１種をスズの30重
量％までの量で含有する電極を陽極として使用す
ることを特徴とする請求の範囲６〜８のいずれか
に記載の塩素酸塩、過塩素酸塩および他の過化合
物の電解による製造法。 １０ 被膜はアンチモンおよび／またはビスマス
の１種または２種以上の酸化物を最高１重量部の
Sb／Biを４重量部のSnに対して含有する電極を
陽極として使用することを特徴とする請求の範囲
６〜９のいずれかに記載の塩素酸塩、過塩素酸塩
および他の過化合物の電解による製造法。 技術分野 本発明は、電気触媒的に活性な表面被膜を有す
る導電性および耐食性の支持体からなる型の、電
解法に使用するための電極、このような電極を、
ことに（限定されないが）塩素酸塩、過塩素酸塩
および他の過塩、および有機過酸を含む過化合物
の製造に陽極として使用する電解法に関する。 背景の技術 過塩素酸塩の製造のために、平滑な塊状の白
金、白金化したチタンまたはタンタル（過度の酸
素を生成する傾向があるにかかわらず）および二
酸化鉛を被覆したチタンまたはグラフアイトを包
含する種々の陽極材料が商業的に使用されてきた
が、これらの二酸化鉛の陽極は高い過電圧とはや
い摩耗性を有する。 電極被覆材料中に白金族金属と二酸化チタンを
組み合わせるといういくつかの提案がすでになさ
れた。たとえば、米国特許明細書3701724は、少
量の白金族金属および／または白金族金属酸化物
と主要量のSnO2、Sb2O5、Sb2O3またはGeO2お
よびそれらの混合物とから本質的になる被膜を有
する塩素の製造用陽極を述べた。しかしながら、
この特許の請求の範囲と実施例はもつぱら白金族
金属酸化物を含有するこのような被膜に向けられ
ており、そして白金族金属を含有する被膜の開示
は存在しない。また、米国特許明細書3882002
は、二酸化スズの中間層とその上の白金族金属ま
たはその酸化物の上層とで被覆されたバルブ金属
の支持体を有する塩素製造用陽極を提案した。こ
れらの提案のいずれも、過化合物の製造における
電解性能を改良することに向けられなかつた。 発明の開示 したがつて、本発明の目的は、過塩素酸塩およ
び他の過塩の製造用の陽極として使用するために
適するが、他の用途、たとえば、塩素酸塩の製造
にも使用できる改良された電極を提供することで
ある。 本発明の主な面によれば、電極は電気触媒性被
膜を有する導電性および耐食性の支持体からな
り、そして被膜がその全体に互いに分散した少な
くとも１種の白金族金属および二酸化スズとの混
合物を該白金族金属対二酸化スズのスズ（金属と
して）の8.5：１〜３：２の重量比で含有するこ
とを特徴とする。 白金族金属／二酸化スズの被膜は安定剤／結合
体、たとえば、二酸化チタン、二酸化ジルコニウ
ムまたは二酸化ケイ素のような化合物を含有する
こともできる。さらに、被膜は充てん剤、たとえ
ば、シリカまたはアルミナのような不活性材料の
粒子または繊維、チタンの粒子、またはケイ酸ジ
ルコニウムを含有できる。その上、被膜は、たと
えばドープ剤として二酸化チタンの約30重量％
（金属として）までの亜鉛、カドミウム、ヒ素、
アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの少
なくとも１種の追加の金属およびそれらの酸化物
を含有することもできる。このような安定剤また
は結合剤、充てん剤およびドープ剤は一般に被膜
の合計重量の70％より多くなく、通常それよりか
なり少ない。ドープ剤として三酸化アンチモンま
たは三酸化ビスマスの場合において、好ましい量
は重量部として表わして最高約１：４〜約１：10
でありあるいは１：100程度に低くさえあること
ができるSb／Bi：Sn（金属として）に相当す
る。 白金族金属はルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、オスミウム、イリジウムおよび白金である。
白金は、単一の金属が存在するとき、ことに過塩
素酸塩の製造用陽極中に存在するとき、被膜中の
好ましい白金族金属である。しかしながら、白金
―イリジウムおよび白金―ロジウムのような合金
も他の用途に有用であることが理解される。合金
の20重量％までのパラジウムを含有する白金―パ
ラジウムの合金は過塩素酸素の製造のためにひじ
ように満足な結果が得られた。また、いくつかの
場合において、白金族金属を１種または２種以上
の非白金族金属で合金することが有利であること
があり、たとえばバルブ金属、たとえばチタン、
ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ
およびタンタルの１種と、他の遷移金属、たとえ
ば、タングステン、マンガンまたはコバルトのよ
うな金属と、の合金または金属間化合物であるこ
とが有利であることがある。 支持体は前述のバルブ金属またはそれらの合金
のいずれからなることもでき、多孔質のチタンは
好ましい。しかしながら、他の導電性および耐食
性の支持体、たとえば、膨張グラフアイトも使用
できる。 白金族金属および二酸化スズを必要に応じて追
加のドープ剤、たとえば三酸化アンチモンまたは
三酸化ビスマスを適当な塩の溶液から、それを塗
布、噴霧または他の方法で支持体上へ施こし、次
いで熱処理することによつて、化学的に共析出で
き、この方法は十分に厚い層が形成するまで反覆
する。 別法として、異なる成分の薄い層（たとえば、
交互の白金またはPt／Pd合金の層および純粋な
またはドープした二酸化スズの層）は、成分を被
膜全体に互いに効果的に混合および分散させ、必
要に応じて層間に分散させるようにして形成で
き、これは二酸化スズが別の中間層として施こさ
れ、その上に白金族金属が被覆される米国特許明
細書3882002のようは既知の先行技術の被膜と対
照的である。この交互の層のこの手順を用いる
と、白金の薄い層をめつきで析出することがで
き、これはめつきで析出された白金が化学的に析
出された白金よりも低い酸素発生電位をもつの
で、有利である。 白金族金属または白金／二酸化スズの層は支持
体へ直接、あるいは中間層、たとえば共析出した
スズ酸化物およびアンチモン酸化物またはスズ酸
化物およびビスマス酸化物の中間層に、あるいは
１種または２種以上の白金族金属またはそれらの
酸化物、白金族金属とバルブ金属酸化物との混合
物または混合結晶、白金族金属と非白金族金属と
の金属間化合物、などからなる中間層へ、施こす
ことができる。 好ましい態様において、被膜はチタン、タンタ
ルまたはチタン―タンタル合金の支持体上の40〜
85重量部の白金、０〜20重量部のパラジウムおよ
び15〜40重量部（Sn金属として）の二酸化スズ
からなる。本発明の電極のこの態様は、過塩素酸
塩または加硫酸塩の製造用陽極として使用すると
き、過塩の製造に有効であると同時に酸素の発生
を妨害する選択的性質を有することがわかつた。
白金の金属は過塩の製造用触媒として作用する。
二酸化スズは過酸化物の分解をブロツクすること
により酸素の発生抑制剤として作用し、これは望
まない酸素の発生反応の中間段階と見なすことが
できる。最後に、パラジウムは比較的いつそう高
価である白金のための希釈剤として作用し、その
際二酸化スズの酸素抑制効果に悪影響を及ぼさな
い。 本発明の他の面は、上に定義した本発明による
電極を陽極として使用することを特徴とする、塩
素酸塩、過塩素酸塩および他の過化合物、たとえ
ば、過硫酸塩を製造する方法である。
添付図面において、
第１図は、電極が下の実施例に記載したもの
である、縦座標として酸素発生のフアラデー効率
を横座標として電極被膜のスズ含量に対してプロ
ツトしたグラフを示す。 第２図は、電極が下の実施例に記載したもの
である、縦座標として酸素発生のフアラデー効率
を横座標として電極被膜のパラジウム含量に対し
てプロツトしたグラフである。 本発明を実施する最良の方法 次の実施例により本発明を説明する。 実施例 10×10×１mmのチタンのクーポンをサンドブラ
スチングし、20％の塩酸中でエツチングし、そし
て水中でよく洗つた。次いでクーポンを、合金と
スズの塩化物を異なる比で含有する水溶液で被覆
し、95〜100℃で乾燥し、次いで空気循環炉内で
450℃で15分間乾燥した。この手順を５回反復
し、そしてクーポンを450℃で60分間最後に熱処
理した。このように製造された被膜はSnO2と白
金の金属を互いに分散させて含有した。 被覆したクーポンを陽極として、100g/の
NaClO3、400g/のNaClO4および５g/の
Na2OrO4からなる溶液を30℃でステンレス鋼の陰
極を用い2KA／m2の電流密度で電解することに
よつて、過塩素酸ナトリウムの製造について試験
した。塩素酸ナトリウムを供給し、そして過塩素
ナトリウムを抜き出して、電解液の濃度を定常状
態に維持した。酸素発生反応のフアラデー効率
（すなわち、過塩素酸塩の製造における望まない
副反応）を、混合Pt―SnO2被膜中のスズ（金属
として）の重量％の関数として測定した。得られ
た結果を第１図に示し、これから見ることができ
るように、スズおよび白金の金属の合計重量の約
25％〜35％の範囲のスズ含量についての最適な酸
素抑制効果と、約15％〜約40％の大きい範囲のス
ズ含量についてのひじように顕著な酸素発生の抑
制が存在する。 実施例 チタンのクーポンを実施例におけるように被
覆したが、白金、パラジウムおよびスズの塩化物
を含有する種々の被覆溶液を用いて、次の組成を
もつ混合Pt―Pd―SnO2被膜を生成した。
である、縦座標として酸素発生のフアラデー効率
を横座標として電極被膜のスズ含量に対してプロ
ツトしたグラフを示す。 第２図は、電極が下の実施例に記載したもの
である、縦座標として酸素発生のフアラデー効率
を横座標として電極被膜のパラジウム含量に対し
てプロツトしたグラフである。 本発明を実施する最良の方法 次の実施例により本発明を説明する。 実施例 10×10×１mmのチタンのクーポンをサンドブラ
スチングし、20％の塩酸中でエツチングし、そし
て水中でよく洗つた。次いでクーポンを、合金と
スズの塩化物を異なる比で含有する水溶液で被覆
し、95〜100℃で乾燥し、次いで空気循環炉内で
450℃で15分間乾燥した。この手順を５回反復
し、そしてクーポンを450℃で60分間最後に熱処
理した。このように製造された被膜はSnO2と白
金の金属を互いに分散させて含有した。 被覆したクーポンを陽極として、100g/の
NaClO3、400g/のNaClO4および５g/の
Na2OrO4からなる溶液を30℃でステンレス鋼の陰
極を用い2KA／m2の電流密度で電解することに
よつて、過塩素酸ナトリウムの製造について試験
した。塩素酸ナトリウムを供給し、そして過塩素
ナトリウムを抜き出して、電解液の濃度を定常状
態に維持した。酸素発生反応のフアラデー効率
（すなわち、過塩素酸塩の製造における望まない
副反応）を、混合Pt―SnO2被膜中のスズ（金属
として）の重量％の関数として測定した。得られ
た結果を第１図に示し、これから見ることができ
るように、スズおよび白金の金属の合計重量の約
25％〜35％の範囲のスズ含量についての最適な酸
素抑制効果と、約15％〜約40％の大きい範囲のス
ズ含量についてのひじように顕著な酸素発生の抑
制が存在する。 実施例 チタンのクーポンを実施例におけるように被
覆したが、白金、パラジウムおよびスズの塩化物
を含有する種々の被覆溶液を用いて、次の組成を
もつ混合Pt―Pd―SnO2被膜を生成した。
【表】
これらのクーポンを陽極として、実施例にお
いて使用したものと同じ条件のもとで過塩素酸塩
の製造について試験した。望まない酸素発生反応
のフアラデー効率をパラジウム金属含量の関数と
して測定し、そして結果を第２図に示す。このグ
ラフが示すように、20％までのパラジウム含量に
ついて、フアラデー効率は低くとどまり、すなわ
ち、パラジウムは酸素の発生を抑制する被膜の性
能に悪影響を及ぼさない。しかしながら、20％の
臨界Pd含量より上において、フアラデー効率は
急激に増加し、被膜の安定性は低下し、そしてい
くらかの電気化学的腐食が起こる。 実施例およびの被膜を異なる電流密度で試
験し、そして酸素発生のフアラデー効率は電流密
度が約２KA/m2まで増加するにつれて低下し、
それから２KA/m2より上において安定にとどま
ることがわかつた。
いて使用したものと同じ条件のもとで過塩素酸塩
の製造について試験した。望まない酸素発生反応
のフアラデー効率をパラジウム金属含量の関数と
して測定し、そして結果を第２図に示す。このグ
ラフが示すように、20％までのパラジウム含量に
ついて、フアラデー効率は低くとどまり、すなわ
ち、パラジウムは酸素の発生を抑制する被膜の性
能に悪影響を及ぼさない。しかしながら、20％の
臨界Pd含量より上において、フアラデー効率は
急激に増加し、被膜の安定性は低下し、そしてい
くらかの電気化学的腐食が起こる。 実施例およびの被膜を異なる電流密度で試
験し、そして酸素発生のフアラデー効率は電流密
度が約２KA/m2まで増加するにつれて低下し、
それから２KA/m2より上において安定にとどま
ることがわかつた。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP1979/000326 WO1981001930A1 (fr) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Dispositif d'elimination d'ondes d'interference |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55500224A JPS55500224A (ja) | 1980-04-17 |
| JPS622038B2 true JPS622038B2 (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=13677762
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54500586A Expired JPS622038B2 (ja) | 1979-12-26 | 1979-03-27 | |
| JP80500224A Pending JPS6137812B1 (ja) | 1979-12-26 | 1979-12-26 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP80500224A Pending JPS6137812B1 (ja) | 1979-12-26 | 1979-12-26 |
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| Country | Link |
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| US4539566A (en) * | 1982-11-04 | 1985-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Automatic interference canceling apparatus |
| JPH0693594B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1994-11-16 | 株式会社東芝 | アナログフィルタの自動調整回路 |
| DE69033523T2 (de) * | 1990-02-07 | 2000-12-21 | Kokusai Denshin Denwa K.K., Tokio/Tokyo | Schaltung zur Detektion von Interferenz |
| US5331299A (en) * | 1990-02-23 | 1994-07-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Adaptive tracking notch filter system |
| US5729755A (en) * | 1991-09-04 | 1998-03-17 | Nec Corporation | Process for transmitting data in a data processing system with distributed computer nodes, communicating via a serial data bus, between which data messages are exchanged, tested for acceptance in a computer node, and stored temporarily |
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| RU2143174C1 (ru) * | 1998-12-16 | 1999-12-20 | Воронежский научно-исследовательский институт связи | Устройство подавления структурных помех для приемников широкополосных сигналов |
| RU2154341C1 (ru) * | 1999-01-10 | 2000-08-10 | Воронежский научно-исследовательский институт связи | Устройство подавления помех для приемников широкополосных сигналов |
| RU2155446C1 (ru) * | 1999-01-10 | 2000-08-27 | Воронежский научно-исследовательский институт связи | Приемная аппаратура базовой станции системы связи с кодовым разделением каналов |
| RU2143782C1 (ru) * | 1999-01-10 | 1999-12-27 | Воронежский научно-исследовательский институт связи | Устройство подавления помех для приемников широкополосных сигналов |
| RU2157049C1 (ru) * | 1999-01-26 | 2000-09-27 | Государственное унитарное предприятие Воронежский научно-исследовательский институт связи | Устройство компенсации помех для приемников широкополосных сигналов |
| JP4282490B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-06-24 | パナソニック株式会社 | フィルタ自動調整装置及び通信機 |
| CN114842861A (zh) * | 2022-04-08 | 2022-08-02 | Oppo广东移动通信有限公司 | 滤波模组、信号处理电路及方法、电子设备 |
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|---|---|---|---|---|
| US3293572A (en) * | 1964-06-26 | 1966-12-20 | Devenco Inc | Electrically variable resonant circuit controlled by the frequency of a separate pilot input signal |
| US3781705A (en) * | 1968-09-27 | 1973-12-25 | Itt | Selection and processing system for signals including frequency discriminator |
| US3562675A (en) * | 1969-05-16 | 1971-02-09 | Sperry Rand Corp | Automatic tuned interference signal rejection filter including drift compensation means |
| US3715690A (en) * | 1971-05-18 | 1973-02-06 | Trw Inc | Automatic tuning electric wave filter |
| DE2143560C3 (de) * | 1971-08-31 | 1974-07-04 | Hewlett-Packard Gmbh, 7030 Boeblingen | Filteranordnung |
| IT955661B (it) * | 1972-05-19 | 1973-09-29 | Oronzio De Nora Impianti | Elettrodi perfezionati ricoperti di leghe contenenti metalli nobili |
| US3868691A (en) * | 1973-04-13 | 1975-02-25 | Epsco Inc | Loran receiver automated master search |
| US3860754A (en) * | 1973-05-07 | 1975-01-14 | Univ Illinois | Light beam position encoder apparatus |
| JPS5120688A (en) * | 1974-08-13 | 1976-02-19 | Koden Electronics Co Ltd | Roran c jushinkyo fuirutasochi |
-
1979
- 1979-03-27 JP JP54500586A patent/JPS622038B2/ja not_active Expired
- 1979-12-26 US US06/293,642 patent/US4395779A/en not_active Expired - Fee Related
- 1979-12-26 JP JP80500224A patent/JPS6137812B1/ja active Pending
- 1979-12-26 WO PCT/JP1979/000326 patent/WO1981001930A1/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6137812B1 (ja) | 1986-08-26 |
| JPS55500224A (ja) | 1980-04-17 |
| US4395779A (en) | 1983-07-26 |
| WO1981001930A1 (fr) | 1981-07-09 |
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