JPS62204657A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPS62204657A JPS62204657A JP61047832A JP4783286A JPS62204657A JP S62204657 A JPS62204657 A JP S62204657A JP 61047832 A JP61047832 A JP 61047832A JP 4783286 A JP4783286 A JP 4783286A JP S62204657 A JPS62204657 A JP S62204657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- conversion device
- photoelectric conversion
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ装置、およびインテリジェント
コピアや光ディスクなど各種ＯＡ種機器画像入力部に用
いられる光電変換装置に関するものである。
コピアや光ディスクなど各種ＯＡ種機器画像入力部に用
いられる光電変換装置に関するものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ種機器画像情報入力
装置の小型化や画像ひずみの改良を口慣して、原稿と同
一寸法の密着型ラインセンサを開発し、これを用いた画
像読取装置が使用され始めている。この分野では、情報
伝達の高速化に伴い、その読取速度を決める光センサの
応答速度の向上が強く望まれている。
装置の小型化や画像ひずみの改良を口慣して、原稿と同
一寸法の密着型ラインセンサを開発し、これを用いた画
像読取装置が使用され始めている。この分野では、情報
伝達の高速化に伴い、その読取速度を決める光センサの
応答速度の向上が強く望まれている。
従来の原稿と同一寸法の密着型ラインセンサを用いた画
像読取装置の基本構成を第２図に示す。
像読取装置の基本構成を第２図に示す。
すなわち、基台１に設けたＬＥＤなどの光源２から出た
光が原稿３に当たり、その反射光が集束性ファイバアレ
イなどの導光系４を通って光導電素子５に当たるように
なっている。
光が原稿３に当たり、その反射光が集束性ファイバアレ
イなどの導光系４を通って光導電素子５に当たるように
なっている。
従来、光導電素子の応答速度を改善する方法としてバイ
アス光を用いる方法が知られている。ただ光電流がたと
えば第３図（ａ）に示すような立上り波形をもつ光導電
素子の場合はその効果が小さく、第３図（ｂ）に示すよ
うなＳ字形の立上り波形をもつ光導電素子の場合はその
効果が非常に大きい。このことは本出願人の提案にかか
る特願昭５９−１８１７５１号に示されている通りであ
る。
アス光を用いる方法が知られている。ただ光電流がたと
えば第３図（ａ）に示すような立上り波形をもつ光導電
素子の場合はその効果が小さく、第３図（ｂ）に示すよ
うなＳ字形の立上り波形をもつ光導電素子の場合はその
効果が非常に大きい。このことは本出願人の提案にかか
る特願昭５９−１８１７５１号に示されている通りであ
る。
なお、光電流がＳ字形の立上りを示すというのは、第３
図（ｂ）に示すように、光電流Ｊｐの時間ｔに対する増
加率すなわち微分係数ｄＪｐ／ｄｔがｔ ＝ｔｏ（＞
Ｏ）で最大値を示すものを云う。また。
図（ｂ）に示すように、光電流Ｊｐの時間ｔに対する増
加率すなわち微分係数ｄＪｐ／ｄｔがｔ ＝ｔｏ（＞
Ｏ）で最大値を示すものを云う。また。
Ｓ字形の立上りを示す光導電素子は逆に立下りが速いの
で、バイアス光により立上りを速くすると、立上り、立
下りを含めての全体の応答速度が速くなる（ナシミナル
テクニカル レポート：Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｒｅｐｒｏｔ、 Ｖｏｌ、３１． Ｎｏ、
２゜ｐｐ、３０〜３８． １９８５参照）。
で、バイアス光により立上りを速くすると、立上り、立
下りを含めての全体の応答速度が速くなる（ナシミナル
テクニカル レポート：Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｒｅｐｒｏｔ、 Ｖｏｌ、３１． Ｎｏ、
２゜ｐｐ、３０〜３８． １９８５参照）。
発明が解決しようとする問題点
さて、光導電素子にバイアス光を照射すると、このバイ
アス光による光電流Ｊｐｂが流れ、さらに原稿からの反
射光による信号光電流Ｊｐｓが加わり、合計の光電流Ｊ
ｐｔ（＝ Ｊ ｐｂ＋ Ｊ ｐｓ）が流れるようにな
る。電気信号として取出すときにはＪｐｔからＪＩ
ｐｂを差引いたＪｐｓを用いるが、ラインセンサの場
合は個別の光導電素子のＪｐｔから一定のＪｐｂを差引
くことになる。したがって、ラインセンサにつきものの
、個別の光導電素子の感度にバラツキがある場合には、
信号成分として得られるＪｐｔ（個別）−Ｊｐｂ（一定
）のバラツキが大きくなるという欠点が生じる。この欠
点は、Ｊｐｂが大きい場合にはさらに大きな問題となる
。
アス光による光電流Ｊｐｂが流れ、さらに原稿からの反
射光による信号光電流Ｊｐｓが加わり、合計の光電流Ｊ
ｐｔ（＝ Ｊ ｐｂ＋ Ｊ ｐｓ）が流れるようにな
る。電気信号として取出すときにはＪｐｔからＪＩ
ｐｂを差引いたＪｐｓを用いるが、ラインセンサの場
合は個別の光導電素子のＪｐｔから一定のＪｐｂを差引
くことになる。したがって、ラインセンサにつきものの
、個別の光導電素子の感度にバラツキがある場合には、
信号成分として得られるＪｐｔ（個別）−Ｊｐｂ（一定
）のバラツキが大きくなるという欠点が生じる。この欠
点は、Ｊｐｂが大きい場合にはさらに大きな問題となる
。
本発明は、以上のような光電流の応答速度が遅いという
欠点をなくすとともに、バイアス光による光電法成分を
小さくした高速応答の光電変換装置を提供せんとするも
のである。
欠点をなくすとともに、バイアス光による光電法成分を
小さくした高速応答の光電変換装置を提供せんとするも
のである。
問題点を解決するための手段、
上記問題点を解決するため本発明は、絶縁性透明基板上
に形成された主走査方向に並んだ複数個の光導電体膜に
対向電極を設けてなる光導電素子群を有し１Ｍ稿からの
反射光が導光系を通して前記光導電素子に当たる構成と
された光電変換装置において、前記光導電素子群を構成
するとともに光電流の光照射に対する応答がＳ字形の立
上り特性を示す光導電素子と、原稿を照射するための発
光波長が長波長域にある信号光用光源と、前記光導電素
子群を直接照射するための発光波長が短波長域にあるバ
イアス光用光源とを有する構成としたものである。
に形成された主走査方向に並んだ複数個の光導電体膜に
対向電極を設けてなる光導電素子群を有し１Ｍ稿からの
反射光が導光系を通して前記光導電素子に当たる構成と
された光電変換装置において、前記光導電素子群を構成
するとともに光電流の光照射に対する応答がＳ字形の立
上り特性を示す光導電素子と、原稿を照射するための発
光波長が長波長域にある信号光用光源と、前記光導電素
子群を直接照射するための発光波長が短波長域にあるバ
イアス光用光源とを有する構成としたものである。
作用
Ｓ字形の立上りを示す理由は、光導電性膜中に多数存在
するトラップのためである（アール、エイチ、ビューベ
、 Ｒ，Ｈ，Ｂｕｂｅ、フォトコンダクテイビテイ オ
ブ ソリツズ： Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ ５ｏｌｉｄｓｔジヨン ウィリー アンド サン
ズ：Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ ５ｏｎｓ、ニュー ヨ
ーク： Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ。
するトラップのためである（アール、エイチ、ビューベ
、 Ｒ，Ｈ，Ｂｕｂｅ、フォトコンダクテイビテイ オ
ブ ソリツズ： Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ ５ｏｌｉｄｓｔジヨン ウィリー アンド サン
ズ：Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ ５ｏｎｓ、ニュー ヨ
ーク： Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ。
１９６０、 Ｐｐ、２８４〜２８７参照）、Ｓ字形の立
上りを示すのは、光照射により発生したキャリアがこの
トラップに捕まるため有効な光キャリアになり得ず。
上りを示すのは、光照射により発生したキャリアがこの
トラップに捕まるため有効な光キャリアになり得ず。
このトラップが埋まって後初めて光電流が立上るためと
考えられている。バイアス光の効果は、このトラップを
予め埋めておくことにある。短波長の光がバイアス光と
してより有効であるのは、短波長の光は光導電膜の極く
表面で吸収され、この表面近傍には特にトラップが多い
のでこの効果が著しいためであると考えられる。一方、
表面近傍では再結合中心も多いので光キャリアの寿命も
短く、バイアス光による光電流も小さくて済む。
考えられている。バイアス光の効果は、このトラップを
予め埋めておくことにある。短波長の光がバイアス光と
してより有効であるのは、短波長の光は光導電膜の極く
表面で吸収され、この表面近傍には特にトラップが多い
のでこの効果が著しいためであると考えられる。一方、
表面近傍では再結合中心も多いので光キャリアの寿命も
短く、バイアス光による光電流も小さくて済む。
実施例
本発明は、第１図に示すように、光電流の立上り特性が
Ｓ字形の光導電素子５を用い、原稿３を照射するための
長波長の信号光用光源２Ａと、直接光導電素子５を照射
するための短波長のバイアス光用光源２Ｂとを有する構
成の光電変換装置であることを特徴としている。すなわ
ち、絶縁性透明基板の上に形成された主走査方向に並ん
だ複数個の光導電体膜に対向電極を設けてなる光導電素
子群を有し、原稿３からの反射光が導光系４を通して光
導電素子５に当たる構成とされた光電変換装置において
、前記光導電素子群を構成するとともに光電流の光照射
に対する応答がＳ字形の立上り特性を示す光導電素子５
と、原稿３を照射するための発光波長が長波長域にある
信号光用光源２Ａと、光導電素子群を直接照射するため
の発光波長が短波長域にあるバイアス光用光源２Ｂとを
有する構成としたものである。６は信号処理のための回
路部、７はバイアス光用スリットである。バイアス光は
、直流すなわち常時照射の方が低照度で効果が大きい。
Ｓ字形の光導電素子５を用い、原稿３を照射するための
長波長の信号光用光源２Ａと、直接光導電素子５を照射
するための短波長のバイアス光用光源２Ｂとを有する構
成の光電変換装置であることを特徴としている。すなわ
ち、絶縁性透明基板の上に形成された主走査方向に並ん
だ複数個の光導電体膜に対向電極を設けてなる光導電素
子群を有し、原稿３からの反射光が導光系４を通して光
導電素子５に当たる構成とされた光電変換装置において
、前記光導電素子群を構成するとともに光電流の光照射
に対する応答がＳ字形の立上り特性を示す光導電素子５
と、原稿３を照射するための発光波長が長波長域にある
信号光用光源２Ａと、光導電素子群を直接照射するため
の発光波長が短波長域にあるバイアス光用光源２Ｂとを
有する構成としたものである。６は信号処理のための回
路部、７はバイアス光用スリットである。バイアス光は
、直流すなわち常時照射の方が低照度で効果が大きい。
光導電素子５としては、光電流がＳ字形の立上り特性を
有するものなら何でも良いが、光電流が大きくて電気信
号処理の容易なＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体でなるものが
好ましい。なかでも、Ｃｄ５−Ｃｄ Ｓ ｅ固溶体を主
体としてなるものは特に光電流が大きく、シかも可視光
全域に感度をもたせることもできるので、さらに好まし
い。
有するものなら何でも良いが、光電流が大きくて電気信
号処理の容易なＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体でなるものが
好ましい。なかでも、Ｃｄ５−Ｃｄ Ｓ ｅ固溶体を主
体としてなるものは特に光電流が大きく、シかも可視光
全域に感度をもたせることもできるので、さらに好まし
い。
Ｃｄ５−ＣｄＳｅ固溶体のなかでも、ＣｄＳｅの分量が
４０モル％以上のものでは、バイアス光の効果が特に大
きい。４０モル％以上にＣｄ Ｓ ｅの分量が増すと、
光電流の立下り時間は短くなるが、逆に立上り時間は長
くなり、バイアス光はこの立上り時間を短くする効果が
大きい。
４０モル％以上のものでは、バイアス光の効果が特に大
きい。４０モル％以上にＣｄ Ｓ ｅの分量が増すと、
光電流の立下り時間は短くなるが、逆に立上り時間は長
くなり、バイアス光はこの立上り時間を短くする効果が
大きい。
Ｃｄ５−ＣｄＳｅ固溶体の場合、不純物として添加する
Ｃｕ濃度を高くしても光電流の立下り時間は短くなり、
逆に立上りはＳ字形を示し、その時間は長くなる。Ｃｕ
濃度は０．０１モル％以上が好ましい。
Ｃｕ濃度を高くしても光電流の立下り時間は短くなり、
逆に立上りはＳ字形を示し、その時間は長くなる。Ｃｕ
濃度は０．０１モル％以上が好ましい。
一般に、光導電素子５を流れる光電流は、照射光の波長
に関して第４図のような分光感度を有している。波長域
（Ａ）では、光導電体膜の固有吸収域であるため、光吸
収が盛んで光電流がピークを示す領域であり、通常はこ
の領域の発光波長を有するＬＥＤや単色蛍光灯などを用
いて原稿を照射する。波長域（Ｂ）は光導電体膜の吸収
がさらに強く、多くは表面でのみ吸収され、再結合が盛
んであるので、光キャリアの寿命が短くなり光電流は領
域（Ａ）より小さくなる。波長域（Ｃ）は、光導電体膜
の吸収がなくなるため、感度は小さいか殆んどない。
に関して第４図のような分光感度を有している。波長域
（Ａ）では、光導電体膜の固有吸収域であるため、光吸
収が盛んで光電流がピークを示す領域であり、通常はこ
の領域の発光波長を有するＬＥＤや単色蛍光灯などを用
いて原稿を照射する。波長域（Ｂ）は光導電体膜の吸収
がさらに強く、多くは表面でのみ吸収され、再結合が盛
んであるので、光キャリアの寿命が短くなり光電流は領
域（Ａ）より小さくなる。波長域（Ｃ）は、光導電体膜
の吸収がなくなるため、感度は小さいか殆んどない。
さて、本発明では、原稿３の照射には信号光用光源２Ａ
により波長域（Ａ）の光を用い、バイアス光としてはバ
イアス光用光源２Ｂにより波長域（Ｂ）の光を用いる。
により波長域（Ａ）の光を用い、バイアス光としてはバ
イアス光用光源２Ｂにより波長域（Ｂ）の光を用いる。
すなわち信号光用光源２Ａによる原稿３からの反射光が
導光系４を通って光導電素子５に達したときの光強度の
最大値Ｅ（λ＾）と、光導電素子５を直接照射するバイ
アス光用光源２Ｂによるバイアス光の光導電素子５面で
の光強度Ｅ（λＢ）とが等しいとき、後者の光（λＢ）
による光電流ＪＰ（λＢ）が前者の光（λ＾）による光
電流Ｊｐ（λ＾）の半分以下であることが好ましい、こ
れには、バイアス光用光源２Ｂの光の中心波長が信号光
用光源２Ａの光の中心波長より１１００ｎ以上短波長で
あること・が必要である。
導光系４を通って光導電素子５に達したときの光強度の
最大値Ｅ（λ＾）と、光導電素子５を直接照射するバイ
アス光用光源２Ｂによるバイアス光の光導電素子５面で
の光強度Ｅ（λＢ）とが等しいとき、後者の光（λＢ）
による光電流ＪＰ（λＢ）が前者の光（λ＾）による光
電流Ｊｐ（λ＾）の半分以下であることが好ましい、こ
れには、バイアス光用光源２Ｂの光の中心波長が信号光
用光源２Ａの光の中心波長より１１００ｎ以上短波長で
あること・が必要である。
光導電素子５を直接照射するバイアス光用光源２Ｂによ
るバイアス光の光強度は、原稿３からの反射光が導光系
４を通って光導電素子群に達する信号光用光源２Ａによ
る光強度の最大値（原稿３の白地に対応する）を１００
とした場合、５以上５０以下であることが好ましい、バ
イアス光の強度が５０を越え、さらに１００を越えても
、応答時間は短くなるが、電気信号の処理上は５０位ま
でが好ましし１゜ このように、光導電素子群において、原稿３からの間接
的な信号光による電気信号Ｊｐｓにこの光導電素子群を
直接照射するバイアス信号Ｊｐｂが重畳するので、この
バイアス信号をキャンセルするための回路が必要である
。
るバイアス光の光強度は、原稿３からの反射光が導光系
４を通って光導電素子群に達する信号光用光源２Ａによ
る光強度の最大値（原稿３の白地に対応する）を１００
とした場合、５以上５０以下であることが好ましい、バ
イアス光の強度が５０を越え、さらに１００を越えても
、応答時間は短くなるが、電気信号の処理上は５０位ま
でが好ましし１゜ このように、光導電素子群において、原稿３からの間接
的な信号光による電気信号Ｊｐｓにこの光導電素子群を
直接照射するバイアス信号Ｊｐｂが重畳するので、この
バイアス信号をキャンセルするための回路が必要である
。
次に、本発明の実験例について説明する。第５図に示す
ごとく、ガラス基板１１（コーニング社。
ごとく、ガラス基板１１（コーニング社。
＄７０５９．２３０Ｘ２５Ｘ１．２ｍｒｎ’）上に、
０．０１モル％のＣｕを含んだ厚さ４０００人のＣｄＳ
、、ｚＳｅａ、＊の蒸着膜を形成し、フォトエツチング
により主走査方向に島状（９０Ｘ ３５０μＭ）に８ビ
ット／ｍ＋＋＋の割合で１７２８ビツト配置する。この
島状のＣｄＳ、、、Ｓｅａ、ｓ膜を５００℃でＣｄＣｌ
１．の飽和蒸気中で加熱処理して光電的に活性化し、光
導電体膜１２とした後に、島状の膜１２の各々にＮｉＣ
ｒ／Ａｕの対向電極すなわち共通側電極１３と個別側電
極１４を形成する。対向電極のギャップは６０μ■であ
る。電極形成後の様子は第５図の概略図によって示され
ている。二二で１５は絶縁フィルム、１６はフィルムリ
ードである。
０．０１モル％のＣｕを含んだ厚さ４０００人のＣｄＳ
、、ｚＳｅａ、＊の蒸着膜を形成し、フォトエツチング
により主走査方向に島状（９０Ｘ ３５０μＭ）に８ビ
ット／ｍ＋＋＋の割合で１７２８ビツト配置する。この
島状のＣｄＳ、、、Ｓｅａ、ｓ膜を５００℃でＣｄＣｌ
１．の飽和蒸気中で加熱処理して光電的に活性化し、光
導電体膜１２とした後に、島状の膜１２の各々にＮｉＣ
ｒ／Ａｕの対向電極すなわち共通側電極１３と個別側電
極１４を形成する。対向電極のギャップは６０μ■であ
る。電極形成後の様子は第５図の概略図によって示され
ている。二二で１５は絶縁フィルム、１６はフィルムリ
ードである。
このようにして作製した光導電素子群のうち、１素子を
選んで光電流、分光スペクトルを測定した。その結果を
第６図に示す、６８０ｎＩ１１にピークを有し、４００
ｎｍではピーク値の１７５程度となる。この１素子にＤ
ＣｌｏＶを印加して、ＩＨｚで点滅（０，５ｓｅｅずつ
）する緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ）を用い、素子面での
光強度を１５μＷ／ｃｄ （約１００１Ｌｕｘ）として
、光電流の時間に対する立上り、立下り特性を測定した
。その波形を第７図（ａ）に示す。またバイアス光とし
て６μＷ／ａｄの定常光を照射し、Ｗ−ランプの光を干
渉フィルター（東芝Ｋ Ｌ−４０）で分光した４００ｎ
ａ＋の光を当てた場合を第７図（ｂ）に、また比較のた
め信号光と同種のＬＥＤ光を当てた場合を第７図（ｃ）
に示す。
選んで光電流、分光スペクトルを測定した。その結果を
第６図に示す、６８０ｎＩ１１にピークを有し、４００
ｎｍではピーク値の１７５程度となる。この１素子にＤ
ＣｌｏＶを印加して、ＩＨｚで点滅（０，５ｓｅｅずつ
）する緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ）を用い、素子面での
光強度を１５μＷ／ｃｄ （約１００１Ｌｕｘ）として
、光電流の時間に対する立上り、立下り特性を測定した
。その波形を第７図（ａ）に示す。またバイアス光とし
て６μＷ／ａｄの定常光を照射し、Ｗ−ランプの光を干
渉フィルター（東芝Ｋ Ｌ−４０）で分光した４００ｎ
ａ＋の光を当てた場合を第７図（ｂ）に、また比較のた
め信号光と同種のＬＥＤ光を当てた場合を第７図（ｃ）
に示す。
ここでＪＰｂはバイアス光による光電流、Ｊｐｓは信号
光による光電流を表わすとするとともに、バイアス光な
しでもバイアス光ありでも、立上り時間τｒはＪｐｓが
０からその飽和値５０％に上がるまでの時間、立下り時
間τｄはＪｐｓが飽和値からその５０％に下がるまでの
時間であるとして、これから得られた光応答特性を次表
にまとめる。
光による光電流を表わすとするとともに、バイアス光な
しでもバイアス光ありでも、立上り時間τｒはＪｐｓが
０からその飽和値５０％に上がるまでの時間、立下り時
間τｄはＪｐｓが飽和値からその５０％に下がるまでの
時間であるとして、これから得られた光応答特性を次表
にまとめる。
このように１本発明によるＪｐｂが従来のＪｐｂよりず
っと小さい、また同じ強度のバイアス光に照射した場合
１本発明によるバイアス光方式の方が応答速度を速くす
る効果が大きい。
っと小さい、また同じ強度のバイアス光に照射した場合
１本発明によるバイアス光方式の方が応答速度を速くす
る効果が大きい。
発明の効果
本発明は光応答速度（光電流の立上り時間、立下り時間
）が極めて速く、シかもバイアス光による光電法成分を
小さくしたため、センサの特性バラツキの小さい光電変
換装置およびこれを用いた高速画像読取装置の実現に大
きく寄与するものである。
）が極めて速く、シかもバイアス光による光電法成分を
小さくしたため、センサの特性バラツキの小さい光電変
換装置およびこれを用いた高速画像読取装置の実現に大
きく寄与するものである。
第１図は本発明にもとづく光電変換装置の構成断面図、
第２図は従来の光電変換装置あ構成断面図、第３図（、
）は従来の光導電素子の光電流の光応答特性図、同図（
ｂ）は本発明で用いる光導電素子の光電流の光応答特性
図、第４図は本発明で用いる光導電素子の光電流の分光
スペクトルを示す図、第５図は電極形成後の光電変換部
を示す概念図、第６図はＣｄ５ａ、ｚＳｅａ、ａを主成
分とする光導電素子の光電流の分光スペクトルを示す図
。 第７図（ａ）はＣｄＳ、、、Ｓｅ、、、を主成分とする
光導電素子の光電流の光応答特性図、同図（ｂ）は本発
明の短波長バイアス光を当てた場合のバイアス光電流Ｊ
ｐｂと信号光電流Ｊｐｓの光応答特性図、同図（ｃ）は
従来の信号光と同種の光源をバイアス光に用いた場合の
バイアス光電流Ｊｐｂと信号光電流Ｊｐｓの光応答特性
を示す図である。 ２Ａ・・・信号光用光源、２Ｂ・・・バイパス光用光源
、３・・・原稿、４・・・導光系、５・・・光導電素子
、１１・・・ガラス基板（絶縁性透明基板）、１２・・
・光導電体膜、１３・・・共通側電極（対向電極）、１
４・・・個別電極（対向電極） 代理人 森 本 義 私 用１図 ＺＡ−一−イ５号ナヒハ１Ａ−シ？。 ２Ｂ−−９でイア７光ｎ光源 ３−原稿 ４−導光系 ５−一一光譚電素子 第２図 第３図 時 間ｔｒ４ｆｉ蓼ノ？、４爬゛） 第４図 ４５ ｂ ７ ８ジえ ＆（ｆ
ＺＭ、Ｉ！、パをン 第５図 第す図 ４θ０５σ０６θ０ ７００ Ｅｌθσシ皮名＜（ｎ
ｍン 第７図 萌閏（ｎｓｅｃ）
第２図は従来の光電変換装置あ構成断面図、第３図（、
）は従来の光導電素子の光電流の光応答特性図、同図（
ｂ）は本発明で用いる光導電素子の光電流の光応答特性
図、第４図は本発明で用いる光導電素子の光電流の分光
スペクトルを示す図、第５図は電極形成後の光電変換部
を示す概念図、第６図はＣｄ５ａ、ｚＳｅａ、ａを主成
分とする光導電素子の光電流の分光スペクトルを示す図
。 第７図（ａ）はＣｄＳ、、、Ｓｅ、、、を主成分とする
光導電素子の光電流の光応答特性図、同図（ｂ）は本発
明の短波長バイアス光を当てた場合のバイアス光電流Ｊ
ｐｂと信号光電流Ｊｐｓの光応答特性図、同図（ｃ）は
従来の信号光と同種の光源をバイアス光に用いた場合の
バイアス光電流Ｊｐｂと信号光電流Ｊｐｓの光応答特性
を示す図である。 ２Ａ・・・信号光用光源、２Ｂ・・・バイパス光用光源
、３・・・原稿、４・・・導光系、５・・・光導電素子
、１１・・・ガラス基板（絶縁性透明基板）、１２・・
・光導電体膜、１３・・・共通側電極（対向電極）、１
４・・・個別電極（対向電極） 代理人 森 本 義 私 用１図 ＺＡ−一−イ５号ナヒハ１Ａ−シ？。 ２Ｂ−−９でイア７光ｎ光源 ３−原稿 ４−導光系 ５−一一光譚電素子 第２図 第３図 時 間ｔｒ４ｆｉ蓼ノ？、４爬゛） 第４図 ４５ ｂ ７ ８ジえ ＆（ｆ
ＺＭ、Ｉ！、パをン 第５図 第す図 ４θ０５σ０６θ０ ７００ Ｅｌθσシ皮名＜（ｎ
ｍン 第７図 萌閏（ｎｓｅｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性透明基板上に形成された主走査方向に並んだ
複数個の光導電体膜に対向電極を設けてなる光導電素子
群を有し、原稿からの反射光が導光系を通して前記光導
電素子に当たる構成とされた光電変換装置において、前
記光導電素子群を構成するとともに光電流の光照射に対
する応答がＳ字形の立上り特性を示す光導電素子と、原
稿を照射するための発光波長が長波長域にある信号光用
光源と、前記光導電素子群を直接照射するための発光波
長が短波長域にあるバイアス光用光源とを有することを
特徴とする光電変換装置。 ２、光導電体膜がII−VI族化合物半導体を主体としてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変
換装置。 ３、光導電体膜がＣｄＳ−ＣｄＳｅ固溶体を主体として
なることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光電
変換装置。 ４、ＣｄＳｅの分量が４０モル％以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の光電変換装置。 ５、光導電体膜が０．０１モル％以上のＣｕを含有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項から第４項まで
のいずれかに記載の光電変換装置。 ６、バイアス光用光源の光の中心波長が、信号光用光源
の光の中心波長より１００ｎｍ以上短波長であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項から第５項までのいず
れかに記載の光電変換装置。 ７、信号光用光源の光による原稿からの反射光が導光系
を通ってきた光による光電流の最大値を１００として、
バイアス光用光源の光による光電流が５〜５０であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項までの
いずれかに記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047832A JPS62204657A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047832A JPS62204657A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204657A true JPS62204657A (ja) | 1987-09-09 |
Family
ID=12786327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61047832A Pending JPS62204657A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008172336A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Omron Corp | 光電センサ、光電センサの受光ユニットおよび光電センサの投光ユニット |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61047832A patent/JPS62204657A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008172336A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Omron Corp | 光電センサ、光電センサの受光ユニットおよび光電センサの投光ユニット |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0532945B2 (ja) | ||
| JP2000077640A (ja) | 画像読み取り装置および放射線撮像装置 | |
| KR940011915B1 (ko) | 칼라필터장치 | |
| JPS61245666A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| US4577098A (en) | Solid-state image sensor with a phototropic or fluorescent layer | |
| JP2512427B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS62204657A (ja) | 光電変換装置 | |
| CN104236714A (zh) | 一种探测目标波段强度的光谱传感器 | |
| CN111164392A (zh) | 一种弱光检测方法 | |
| JPS5846181B2 (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
| JPS63102453A (ja) | 光電変換装置 | |
| CN1131822A (zh) | 光电二极管阵列 | |
| WO2002005355A1 (fr) | Dispositif recepteur de lumiere et module recepteur de lumiere comprenant ce dernier | |
| SU458041A1 (ru) | Фоторезистор ультрафиолетового излучени | |
| KR20020088547A (ko) | 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
| JP2860027B2 (ja) | 紫外線検知装置の製造方法 | |
| JP2830523B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63300557A (ja) | 光センサとその製造方法 | |
| JPH03284883A (ja) | 受光装置 | |
| JP3516342B2 (ja) | 光リモコン用受光モジュ−ル | |
| JPH0255954B2 (ja) | ||
| JPS6336144B2 (ja) | ||
| JPS592379A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPS6175561A (ja) | 固体光検出デバイス | |
| CN120028665A (zh) | 基于光敏晶体管的光电检测方法 |